JPH0352231A - 純水洗浄方法 - Google Patents
純水洗浄方法Info
- Publication number
- JPH0352231A JPH0352231A JP18814089A JP18814089A JPH0352231A JP H0352231 A JPH0352231 A JP H0352231A JP 18814089 A JP18814089 A JP 18814089A JP 18814089 A JP18814089 A JP 18814089A JP H0352231 A JPH0352231 A JP H0352231A
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- pure water
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- cleaned
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概要］
静電気を帯びる部材にてなる各種被洗浄体を純水で洗浄
する方法の改良に閤し、， 純水より引き上げた被洗浄体に空気中の微粒子が付着し
ないようにすることを目的とし、被洗浄体を浸漬する容
器内の純水には、浸漬された該被洗浄体よりも下方から
炭酸ガスの泡を放射させることを特徴とし構或する。
する方法の改良に閤し、， 純水より引き上げた被洗浄体に空気中の微粒子が付着し
ないようにすることを目的とし、被洗浄体を浸漬する容
器内の純水には、浸漬された該被洗浄体よりも下方から
炭酸ガスの泡を放射させることを特徴とし構或する。
本発明は静電気を帯びる部材にてなる被洗浄体を純水で
洗浄する方法、例えば半導体装置の製造に使用される半
導体基板，ガラスマスク，基板ホルダ等や、振動子の製
造に使用される圧電体基板等を、純水で洗浄する方法の
改良に関する。
洗浄する方法、例えば半導体装置の製造に使用される半
導体基板，ガラスマスク，基板ホルダ等や、振動子の製
造に使用される圧電体基板等を、純水で洗浄する方法の
改良に関する。
近年、半導体装置におけるパターンの微細化が進むに従
って半導体基板およびガラスマスク等に付着する微粒子
は、製品の歩留まりに大きく影響するため、如何に少な
くするかが問題である。
って半導体基板およびガラスマスク等に付着する微粒子
は、製品の歩留まりに大きく影響するため、如何に少な
くするかが問題である。
〔従来の技術］
第２図は半導体基板を純水で洗浄する従来方法の説明図
である。
である。
第２図において、ｌは半導体基板、２は基板ｌを支承す
る石英バスケット、３は一般に石英にてなる洗浄用容器
、４は容器３の中にバスケット２を支持する台、５は容
器３の下部より基板洗浄用の純水６を供給するバイブ、
７は容器３の下部より窒素ガス８の泡９を放射させるパ
イプ、１０は容器３よりオーバーフローした純水６の受
け皿容器、１１は容器１０に連通する排水管である。
る石英バスケット、３は一般に石英にてなる洗浄用容器
、４は容器３の中にバスケット２を支持する台、５は容
器３の下部より基板洗浄用の純水６を供給するバイブ、
７は容器３の下部より窒素ガス８の泡９を放射させるパ
イプ、１０は容器３よりオーバーフローした純水６の受
け皿容器、１１は容器１０に連通する排水管である。
かかる洗浄装置１２において、パイプ５から出射する純
水６は容器３からオーバーフローし、容器３内の純水６
には、パイプ７の開口（ノズル）１３から放射する窒素
ガス８の泡９が混ざるようになる。
水６は容器３からオーバーフローし、容器３内の純水６
には、パイプ７の開口（ノズル）１３から放射する窒素
ガス８の泡９が混ざるようになる。
そこで、容器３内の純水６に基板１を浸漬させると、下
部より上方に向けて流れる純水６，純水６の中を浮上す
る泡９によって、基板ｌは洗浄されるようになる。
部より上方に向けて流れる純水６，純水６の中を浮上す
る泡９によって、基板ｌは洗浄されるようになる。
しかし、純水６中の基板１には純水６および泡９の摩擦
等による静電気が発生し、このような静電気を帯びた基
板１を純水６中から引き上げると、基板ｌには空気中の
微粒子が付着する。
等による静電気が発生し、このような静電気を帯びた基
板１を純水６中から引き上げると、基板ｌには空気中の
微粒子が付着する。
そのため、微粒子の付着を極端に嫌う洗浄装置ｌ２は、
ヘパーフィルタ等を通し清浄化した空気が流れるドラフ
ト型クリーンベンチ内で使用されている。
ヘパーフィルタ等を通し清浄化した空気が流れるドラフ
ト型クリーンベンチ内で使用されている。
以上説明したように、従来の純水洗浄方法において半導
体基板ｌに空気中の微粒子が付着しないようにする方式
は、空気中の微粒子を減らす方式であり、基板ｌの静電
気を除去するまたは低減されるというものでなかった。
体基板ｌに空気中の微粒子が付着しないようにする方式
は、空気中の微粒子を減らす方式であり、基板ｌの静電
気を除去するまたは低減されるというものでなかった。
そのため、空気の清浄化手段を具えたドラフト型クリー
ンベンチを使用しても、フィルタを通過した微粒子およ
び、半導体基板ｌをクリーンベンチから取り出したとき
の空気中に浮遊する微粒子の付着を、完全に除去できな
いという問題点があった。
ンベンチを使用しても、フィルタを通過した微粒子およ
び、半導体基板ｌをクリーンベンチから取り出したとき
の空気中に浮遊する微粒子の付着を、完全に除去できな
いという問題点があった。
上記問題点に鑑みてなされた本発明の目的は、被洗浄体
を純水中で除去することによって、微粒子が付着しない
ようにすることである。
を純水中で除去することによって、微粒子が付着しない
ようにすることである。
上記問題点の解決を目的とした本発明方法は、その実施
例を示す第ｌ図によれば、被洗浄体（半導体基板）ｌを
浸漬させる純水６には、浸漬された被洗浄体１よりも下
方から炭酸ガス２４の泡２５を放射させることを特徴と
する純水洗浄方法である。
例を示す第ｌ図によれば、被洗浄体（半導体基板）ｌを
浸漬させる純水６には、浸漬された被洗浄体１よりも下
方から炭酸ガス２４の泡２５を放射させることを特徴と
する純水洗浄方法である。
上記手段によれば、基板を洗浄する純水に炭酸ガスが溶
け込んで炭酸が生戒される。かかる炭酸（Ｈ２ＣＯ，）
は、Ｈの＋イオンとＨＣＯ３の一イオンに分解され純水
の抵抗値を低下せしめるため、純水中の基板に静電気が
発生し難くなると共に、基板の一静電気はＨイオンが，
十静電気はＩ｛Ｃｏ，イオンが消すようになるため、純
水から引き上げた基板には空気中の微粒子が付着しない
ようになる。
け込んで炭酸が生戒される。かかる炭酸（Ｈ２ＣＯ，）
は、Ｈの＋イオンとＨＣＯ３の一イオンに分解され純水
の抵抗値を低下せしめるため、純水中の基板に静電気が
発生し難くなると共に、基板の一静電気はＨイオンが，
十静電気はＩ｛Ｃｏ，イオンが消すようになるため、純
水から引き上げた基板には空気中の微粒子が付着しない
ようになる。
以下に、図面を用いて本発明の実施例による半導体基板
の純水洗浄装置を説明する。
の純水洗浄装置を説明する。
第１図は本発明により半導体基板を純水で洗浄する一実
施例の説明図である。
施例の説明図である。
第２図と共通部分に同一符号を使用した第１図において
、バスケット２に搭載した半導体基板ｌを純水６で洗浄
する装置２１は、従来装置１２における窒素ガス気泡９
放射用のパイプ７に替え、炭酸ガス（Ｃｏ．）２４の泡
２５を放射するパイプ２２を容器３の下部に設けた構威
である。
、バスケット２に搭載した半導体基板ｌを純水６で洗浄
する装置２１は、従来装置１２における窒素ガス気泡９
放射用のパイプ７に替え、炭酸ガス（Ｃｏ．）２４の泡
２５を放射するパイプ２２を容器３の下部に設けた構威
である。
洗浄装置２ｌにおいて、２は基ｔｔｒｉ．ｌを支承する
石英バスケット、３は一般に石英にてなる洗浄用容器、
４はバスケット２を搭載する台、５は容器３の下部より
基板洗浄用の純水６を供給するパイプ、２２は容器３の
下部より炭酸ガス２４の泡２５を放射するパイプ、１０
は容器３よりオーバーフローした純水６の受け皿容器、
１１は容器１０に連通する排水管である。
石英バスケット、３は一般に石英にてなる洗浄用容器、
４はバスケット２を搭載する台、５は容器３の下部より
基板洗浄用の純水６を供給するパイプ、２２は容器３の
下部より炭酸ガス２４の泡２５を放射するパイプ、１０
は容器３よりオーバーフローした純水６の受け皿容器、
１１は容器１０に連通する排水管である。
かかる洗浄装置２１において、パイプ５から出射する純
水６は容器３からオーバーフローし、パイプ２２の開口
（ノズル）２３から放射させた炭酸ガス２４の泡２５が
容器３内の純水６に混ざるようにする。
水６は容器３からオーバーフローし、パイプ２２の開口
（ノズル）２３から放射させた炭酸ガス２４の泡２５が
容器３内の純水６に混ざるようにする。
すると、泡２５の一部は純水６に溶け込んで下記の化学
式に示す如く Ｈｚ Ｏ＋ＣＯｚ→Ｈ２Ｃ○３ 炭酸（Ｈ，Ｃｏ．）が生或されると、Ｈの＋イオンとＨ
ＣＯ．の一イオンに分解されるＨ，Ｃｏ，によって、１
ＭΩ・ｍ程度であった純水６の比抵抗は０． １ ＭΩ
・ｍ程度に低下する。
式に示す如く Ｈｚ Ｏ＋ＣＯｚ→Ｈ２Ｃ○３ 炭酸（Ｈ，Ｃｏ．）が生或されると、Ｈの＋イオンとＨ
ＣＯ．の一イオンに分解されるＨ，Ｃｏ，によって、１
ＭΩ・ｍ程度であった純水６の比抵抗は０． １ ＭΩ
・ｍ程度に低下する。
その結果、多数の泡２５を含む純水６の流れ効果によっ
て洗浄された基板ｌは、純水６の比抵抗が従来のそれよ
り小さいため静電気を帯び難くなると共に、基板１に発
生した静電気はＨの＋イオンまたはＨＣＯ，の一イオン
によって消去されるため、低比抵抗の純水６から引き上
げたとき空気中の微粒子が付着しないようになる。
て洗浄された基板ｌは、純水６の比抵抗が従来のそれよ
り小さいため静電気を帯び難くなると共に、基板１に発
生した静電気はＨの＋イオンまたはＨＣＯ，の一イオン
によって消去されるため、低比抵抗の純水６から引き上
げたとき空気中の微粒子が付着しないようになる。
なお、前記実施例は被洗浄体として半導体基板について
説明した。しかし、本発明方法は半導体基板の洗浄に限
定されず、例えば半導体装置の製造に使用するガラスマ
スクや基板ホルダおよび、振動子の製造に使用される圧
電体基板等のように、静電気を帯びる部材にてなり、し
かも空気中の微粒子が付着することを極端に嫌う各種被
洗浄体に利用し、前記実施例と同等に有効である。
説明した。しかし、本発明方法は半導体基板の洗浄に限
定されず、例えば半導体装置の製造に使用するガラスマ
スクや基板ホルダおよび、振動子の製造に使用される圧
電体基板等のように、静電気を帯びる部材にてなり、し
かも空気中の微粒子が付着することを極端に嫌う各種被
洗浄体に利用し、前記実施例と同等に有効である。
以上説明したように本発明方法によれば、洗浄に使用す
る純水の比抵抗が１７１０程度に低減し、炭酸ガスが溶
け込んだことによって生戒された炭酸のイオンが被洗浄
体の静電気を除去するため、洗浄済みの被洗浄体に空気
中の微粒子が付着し難くなり、半導体装置の製造歩留ま
りを向上した等の効果を有する。
る純水の比抵抗が１７１０程度に低減し、炭酸ガスが溶
け込んだことによって生戒された炭酸のイオンが被洗浄
体の静電気を除去するため、洗浄済みの被洗浄体に空気
中の微粒子が付着し難くなり、半導体装置の製造歩留ま
りを向上した等の効果を有する。
第１図は本発明により一実施例の説明図、第２図は従来
方法の説明図、 である。 図中において、 ■は半導体基板（被洗浄体）、 ３は洗浄容器、 ６は純水、 ２１は純水洗浄装置、２４は炭酸ガス、２５は炭酸ガス
の泡、
方法の説明図、 である。 図中において、 ■は半導体基板（被洗浄体）、 ３は洗浄容器、 ６は純水、 ２１は純水洗浄装置、２４は炭酸ガス、２５は炭酸ガス
の泡、
Claims (1)
- 被洗浄体（１）を浸漬する容器（３）内の純水（６）に
は、浸漬された該被洗浄体（１）よりも下方から炭酸ガ
ス（２４）の泡（２５）を放射させることを特徴とする
純水洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18814089A JPH0352231A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 純水洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18814089A JPH0352231A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 純水洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0352231A true JPH0352231A (ja) | 1991-03-06 |
Family
ID=16218446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18814089A Pending JPH0352231A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 純水洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0352231A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0617459A3 (en) * | 1993-03-18 | 1995-01-18 | At & T Corp | Cleaning and rinsing processes for semiconductor substrates. |
| JP2010073912A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Fujitsu Ltd | 半田バンプの形成方法及び半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-07-20 JP JP18814089A patent/JPH0352231A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0617459A3 (en) * | 1993-03-18 | 1995-01-18 | At & T Corp | Cleaning and rinsing processes for semiconductor substrates. |
| JP2010073912A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Fujitsu Ltd | 半田バンプの形成方法及び半導体装置の製造方法 |
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