JPH0352303A - 高周波電力増幅装置 - Google Patents
高周波電力増幅装置Info
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- JPH0352303A JPH0352303A JP1187998A JP18799889A JPH0352303A JP H0352303 A JPH0352303 A JP H0352303A JP 1187998 A JP1187998 A JP 1187998A JP 18799889 A JP18799889 A JP 18799889A JP H0352303 A JPH0352303 A JP H0352303A
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- waveguide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は，高周波電力増幅器に関するものである．
従来の技術
近年、放送衛星や通信衛星の打ち上げにともない、マイ
クロ波帯を利用した衛星放送受信機や通信機を構成する
高周波回路装置の開発、生産が盛んになってきており、
前記通信機を構或する高周波電力増幅装置の重要性は大
きくなっている。しかし，品質向上．コスト合理化が叫
ばれているなか、この種の高周波電力増幅装置で使われ
る周波数帯は数ＧＨｚ〜数１０ＧＨｚと非常に高く、か
つ，非常に大きな出力電力利得を必要としているため，
組立て状態により特性が大きくばらついている。
クロ波帯を利用した衛星放送受信機や通信機を構成する
高周波回路装置の開発、生産が盛んになってきており、
前記通信機を構或する高周波電力増幅装置の重要性は大
きくなっている。しかし，品質向上．コスト合理化が叫
ばれているなか、この種の高周波電力増幅装置で使われ
る周波数帯は数ＧＨｚ〜数１０ＧＨｚと非常に高く、か
つ，非常に大きな出力電力利得を必要としているため，
組立て状態により特性が大きくばらついている。
また、増幅装置筐体より漏れる電波は大きく、他のユニ
ットに与える影響も少なくなかった．そのため，量産化
に向けての品質の安定化とコスト合理化は極めて重要で
ある． 従来、この種の高周波電力増幅装置は、第６図に示すよ
うな構成であった．第６図において，１は金属製の底板
、２は仕切り板３Ａ〜３Ｃを有する金属製の側壁，４は
金属製の蓋である。５は高周波回路基板であり、この基
板５の上にＦＥＴ６Ａ，６Ｂ，７Ａ，７Ｂ．チップ部品
８Ａ〜８０などの高周波部品が実装されており、ビス９
で底板１に取り付けられる．同軸コネクター１０はビス
１１によって側壁２に取り付けられ、同軸コネクター１
０の中心導体１２は基板５のマイクロストリップライン
２に半田付けされ、この側壁２は蓋４とともにビス１３
により底板１に固定され、基板５のマイクロストリップ
ライン上の各部品はそれぞれ仕切り板３により仕切られ
た側壁２内の各部屋に収容される。１４は金属捧で，円
筒形誘電体材１５に納められ、円筒形誘電体材１５とと
もに、底板１に取り付けられた導波管１６内に底板１を
通して挿入され、導波管１６との間のモード変換用のア
ンテナピンを構威しており、このアンテナビンは基板５
のマイクロストリップラインに半田付けにより取り付け
られる． このように構威された従来の高周波増幅器について、そ
の動作を説明する．同軸コネクターｌＯから入力された
信号は基板５に形成されたストリップライン上を伝送し
．ＦＥＴ６Ａ，６Ｂ，７Ａ，７Ｂによって増幅され、同
輔導波管変換されて、導波管１６から出力される．通常
、高周波回路基板５には、誘電損失が少なく，かつスダ
ブによる調整が容易であるポリテトラフルオロエチレン
基板が使われている．ポリテトラフルオ口エチレン基板
の比誘電率ε１は２．６と小さく，電波放射が大きいた
め、ＦＥＴ間の電波放射による干渉を防ぐために，側壁
２に仕切り板３Ａ〜３Ｃが設けられており、この仕切り
板３Ａ〜３Ｃに電波吸収体が貼り付けられることもある
． 発明が解決しようとする課題 しかしながら、このような従来方式では、底板１と側壁
２は分離されているため、底板１と側壁２の接合面から
電波が漏れ、他の機器に悪影響を与えるという問題があ
った．すなわち，底板１と側壁２の接合面は十分に面処
理されているが、非常に大きな出力のため，最終段ＦＥ
Ｔ付近での電波漏洩は無視することはできないものとな
っていた． 本発明はこのような問題を解決しようとするもので、筐
体からの電波漏洩の非常に少ない高周波電力増幅装置を
提供することを目的とするものである． 課題を解決するための手段 上記従来の問題を解決するために、本発明の高周波電力
増幅装置は、入力端子が同軸コネクター出力端子が導波
管からなり、前記入力端子と出力端子の間をマイクロス
トリップライン構造から平面回路で構成し，前記導波管
を一体化した１の箱状の金属筐体の底板の上に前記平面
回路を設け、前記平面回路上に実装されたそれぞれの高
周波電力増幅用トランジスタの間に、前記金属筐体の両
側壁から仕切り板をそれぞれくし形状に突き出すように
配設し，互いに向い合うくし形状の仕切り板の間を渡す
ように電波吸収体または導電性テープを貼り付け、前記
金属筐体上面より金属蓋を覆って全体としてシールドし
たものである．作用 上記構成により、従来の側壁と底板を一体化し，これに
さらに導波管を一体的に形成することになるので、側壁
と底板との隙間，およびこれらと導波管との隙間がなく
なり、金属筐体からの電波漏洩は非常に少なくなる．ま
た，くシ形状の仕切り板間も、ここに渡すように電波吸
収体または導電性テープを貼り付けることにより、ＦＥ
Ｔ間での電波干渉が抑えられ，高周波特性が劣化するは
防止できる． 実施例 以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明する． 第１図は本発明の一実施例の高周波電力増幅装置の分解
斜視図である．第１図において，２１は底板２１ａと側
Ｍ２ｌｂと導波管２１ｃが一体化された金属製のケース
であり、くし形状仕切り板２３Ａ〜２３Ｇと２３Ｄ〜２
３Ｆが相対向する側壁２ｌｂから突設されている．この
金属としては軽量の導電性の良いアルミニウム材が使わ
れている．２４は蓋で、アルミニウム材が使われている
．２５は誘電損失の少ないポリテトラフルオロエチレン
基板で作られた高周波回路基板であり、基板２５のマイ
クロストリップライン上にＦ Ｅ Ｔ２６Ａ ， ２６
Ｂ ， ２７Ａ ， ２７Ｂ、チップ部２８Ａ〜２８Ｃ
などの高周波部品が実装されており、ビス２９でケース
２ｌの底板２１ａに取り付けられる。このとき，マイク
ロストリップラインは仕切り板２３Ａ〜２３Ｇと２３Ｄ
〜２３Ｆとの間隙を通して延びている．同軸コネクター
３０はビス３１でケース２１の側壁２ｌｂに取り付けら
れ，同軸コネクター３０の中心導体３２は基板２５のマ
イクロストリップラインに半田付けされ、その後に蓋２
４がビス３３によりケース２ｌの側壁２ｌｂ上面に固定
される．３４は銅棒であり，ポリテトラフルオロエチレ
ン筒体からなる円筒形誘電体材３４に収められ，ケース
２ｌの導波管２１ｃの中に底板２１孕を通して挿入され
，導波管２１ｃとの間のモード変換用のアンテナビンを
構威しており、基板２５のマイクロストリップラインに
半田付けにより固定される．この基板２５はアンテナビ
ンが取り付けられてから，ケース２１の底板２１ａに固
定される。３７Ａ〜３１Ｇは電波吸収体であり，くシ形
状の仕切り板２３Ａ〜２３Ｇと２３Ｄ〜２３Ｆの間隙を
渡すようにそれぞれ貼り付けられている．このように構
成された高周波増幅装置について、以下その動作を説明
する。同軸コネクター３０から入力された信号は、基板
２５に形成されているマイクロストリップライン上を伝
送し、ＦＥＴ２６Ａ，２６Ｂ，２７Ａ，２７Ｂによって
増幅され，モード変換すなわち同輔導波管変換され、ケ
ース２１に形成されている導波管２１ｃより出力される
．上記動作過程において、増幅された信号は出力口であ
る導波管２１ｃ以外からはほとんど漏れることなく、か
つケース２１のくし形状の仕切り板２３Ａ〜２３Ｃと２
３Ｄ〜２３Ｆの間に貼り付けた電波吸収体３７Ａ〜３７
Ｇにより、Ｆ Ｅ Ｔ２６Ａ ， ２６Ｂ ， ２７Ａ
， ２７Ｂの間の電波干渉も抑えられ，高性能で電波
漏洩の少ない高周波電力増幅装置が得られることになる
．次に、本発明の他の実施例を第２図について説明する
．第１図との違いは、出力端子の導波管取り付け方向を
マイクロストリップラインと垂直の方向にした点である
。第２図において，４１は底板４１ａと側壁４ｌｂと導
波管４１ｃが一体化されたアルミニウム製のケースであ
り、導波管４１ｃは側壁４ｌｂに取り付けられ，その取
り付け方向は底板４１ａに固定される高周波回路基板４
５のマイクロストリップラインに対して垂直な方向にな
っている．４３Ａ〜４３Ｄ，４３Ｅ〜４３Ｈはケース４
１の側壁４ｌｂに突設された仕切り板、４４は側壁４ｌ
ｂの上面にビス５３により取り付けられるアルミニウム
製の蓋、４６Ａ，４６Ｂおよび４８Ａ〜４８Ｆはボリテ
トラブルオロエチレン材を使用した高周波回路基板４５
のマイクロストリップラインに実装されるＦＥＴおよび
チップ部品などの高周波部品．４９は基板４５を底板４
１ａに固定するビス，５０はビス５１によりケース５１
の底板４１ａに取り付−けられる同軸コネクター，５２
は同軸コネクター５０の中心導体，５３は蓋４４をケー
ス４ｌの側壁４ｌｂ上面に固定するビスである．また，
５４はアンテナビンを構威し，ポリテトラフルオロエチ
レン筒体からなる円筒形誘電体材５５に収められて導波
管４１ｃに挿入される銅棒、５７Ａ〜５７Ｄはくし形状
の仕切り板４３Ａ〜４３Ｄと４３Ｄ〜４３Ｈの間に渡っ
て貼り付けられる電波吸収体である．また５８Ａ〜５８
Ｅは高出力用ＦＥＴであり、ビス５９Ａ〜５９Ｈによっ
て直接ケース４１の底板４１ａに止められている． ここで本実施例のポイントについて説明する。
ットに与える影響も少なくなかった．そのため，量産化
に向けての品質の安定化とコスト合理化は極めて重要で
ある． 従来、この種の高周波電力増幅装置は、第６図に示すよ
うな構成であった．第６図において，１は金属製の底板
、２は仕切り板３Ａ〜３Ｃを有する金属製の側壁，４は
金属製の蓋である。５は高周波回路基板であり、この基
板５の上にＦＥＴ６Ａ，６Ｂ，７Ａ，７Ｂ．チップ部品
８Ａ〜８０などの高周波部品が実装されており、ビス９
で底板１に取り付けられる．同軸コネクター１０はビス
１１によって側壁２に取り付けられ、同軸コネクター１
０の中心導体１２は基板５のマイクロストリップライン
２に半田付けされ、この側壁２は蓋４とともにビス１３
により底板１に固定され、基板５のマイクロストリップ
ライン上の各部品はそれぞれ仕切り板３により仕切られ
た側壁２内の各部屋に収容される。１４は金属捧で，円
筒形誘電体材１５に納められ、円筒形誘電体材１５とと
もに、底板１に取り付けられた導波管１６内に底板１を
通して挿入され、導波管１６との間のモード変換用のア
ンテナピンを構威しており、このアンテナビンは基板５
のマイクロストリップラインに半田付けにより取り付け
られる． このように構威された従来の高周波増幅器について、そ
の動作を説明する．同軸コネクターｌＯから入力された
信号は基板５に形成されたストリップライン上を伝送し
．ＦＥＴ６Ａ，６Ｂ，７Ａ，７Ｂによって増幅され、同
輔導波管変換されて、導波管１６から出力される．通常
、高周波回路基板５には、誘電損失が少なく，かつスダ
ブによる調整が容易であるポリテトラフルオロエチレン
基板が使われている．ポリテトラフルオ口エチレン基板
の比誘電率ε１は２．６と小さく，電波放射が大きいた
め、ＦＥＴ間の電波放射による干渉を防ぐために，側壁
２に仕切り板３Ａ〜３Ｃが設けられており、この仕切り
板３Ａ〜３Ｃに電波吸収体が貼り付けられることもある
． 発明が解決しようとする課題 しかしながら、このような従来方式では、底板１と側壁
２は分離されているため、底板１と側壁２の接合面から
電波が漏れ、他の機器に悪影響を与えるという問題があ
った．すなわち，底板１と側壁２の接合面は十分に面処
理されているが、非常に大きな出力のため，最終段ＦＥ
Ｔ付近での電波漏洩は無視することはできないものとな
っていた． 本発明はこのような問題を解決しようとするもので、筐
体からの電波漏洩の非常に少ない高周波電力増幅装置を
提供することを目的とするものである． 課題を解決するための手段 上記従来の問題を解決するために、本発明の高周波電力
増幅装置は、入力端子が同軸コネクター出力端子が導波
管からなり、前記入力端子と出力端子の間をマイクロス
トリップライン構造から平面回路で構成し，前記導波管
を一体化した１の箱状の金属筐体の底板の上に前記平面
回路を設け、前記平面回路上に実装されたそれぞれの高
周波電力増幅用トランジスタの間に、前記金属筐体の両
側壁から仕切り板をそれぞれくし形状に突き出すように
配設し，互いに向い合うくし形状の仕切り板の間を渡す
ように電波吸収体または導電性テープを貼り付け、前記
金属筐体上面より金属蓋を覆って全体としてシールドし
たものである．作用 上記構成により、従来の側壁と底板を一体化し，これに
さらに導波管を一体的に形成することになるので、側壁
と底板との隙間，およびこれらと導波管との隙間がなく
なり、金属筐体からの電波漏洩は非常に少なくなる．ま
た，くシ形状の仕切り板間も、ここに渡すように電波吸
収体または導電性テープを貼り付けることにより、ＦＥ
Ｔ間での電波干渉が抑えられ，高周波特性が劣化するは
防止できる． 実施例 以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明する． 第１図は本発明の一実施例の高周波電力増幅装置の分解
斜視図である．第１図において，２１は底板２１ａと側
Ｍ２ｌｂと導波管２１ｃが一体化された金属製のケース
であり、くし形状仕切り板２３Ａ〜２３Ｇと２３Ｄ〜２
３Ｆが相対向する側壁２ｌｂから突設されている．この
金属としては軽量の導電性の良いアルミニウム材が使わ
れている．２４は蓋で、アルミニウム材が使われている
．２５は誘電損失の少ないポリテトラフルオロエチレン
基板で作られた高周波回路基板であり、基板２５のマイ
クロストリップライン上にＦ Ｅ Ｔ２６Ａ ， ２６
Ｂ ， ２７Ａ ， ２７Ｂ、チップ部２８Ａ〜２８Ｃ
などの高周波部品が実装されており、ビス２９でケース
２ｌの底板２１ａに取り付けられる。このとき，マイク
ロストリップラインは仕切り板２３Ａ〜２３Ｇと２３Ｄ
〜２３Ｆとの間隙を通して延びている．同軸コネクター
３０はビス３１でケース２１の側壁２ｌｂに取り付けら
れ，同軸コネクター３０の中心導体３２は基板２５のマ
イクロストリップラインに半田付けされ、その後に蓋２
４がビス３３によりケース２ｌの側壁２ｌｂ上面に固定
される．３４は銅棒であり，ポリテトラフルオロエチレ
ン筒体からなる円筒形誘電体材３４に収められ，ケース
２ｌの導波管２１ｃの中に底板２１孕を通して挿入され
，導波管２１ｃとの間のモード変換用のアンテナビンを
構威しており、基板２５のマイクロストリップラインに
半田付けにより固定される．この基板２５はアンテナビ
ンが取り付けられてから，ケース２１の底板２１ａに固
定される。３７Ａ〜３１Ｇは電波吸収体であり，くシ形
状の仕切り板２３Ａ〜２３Ｇと２３Ｄ〜２３Ｆの間隙を
渡すようにそれぞれ貼り付けられている．このように構
成された高周波増幅装置について、以下その動作を説明
する。同軸コネクター３０から入力された信号は、基板
２５に形成されているマイクロストリップライン上を伝
送し、ＦＥＴ２６Ａ，２６Ｂ，２７Ａ，２７Ｂによって
増幅され，モード変換すなわち同輔導波管変換され、ケ
ース２１に形成されている導波管２１ｃより出力される
．上記動作過程において、増幅された信号は出力口であ
る導波管２１ｃ以外からはほとんど漏れることなく、か
つケース２１のくし形状の仕切り板２３Ａ〜２３Ｃと２
３Ｄ〜２３Ｆの間に貼り付けた電波吸収体３７Ａ〜３７
Ｇにより、Ｆ Ｅ Ｔ２６Ａ ， ２６Ｂ ， ２７Ａ
， ２７Ｂの間の電波干渉も抑えられ，高性能で電波
漏洩の少ない高周波電力増幅装置が得られることになる
．次に、本発明の他の実施例を第２図について説明する
．第１図との違いは、出力端子の導波管取り付け方向を
マイクロストリップラインと垂直の方向にした点である
。第２図において，４１は底板４１ａと側壁４ｌｂと導
波管４１ｃが一体化されたアルミニウム製のケースであ
り、導波管４１ｃは側壁４ｌｂに取り付けられ，その取
り付け方向は底板４１ａに固定される高周波回路基板４
５のマイクロストリップラインに対して垂直な方向にな
っている．４３Ａ〜４３Ｄ，４３Ｅ〜４３Ｈはケース４
１の側壁４ｌｂに突設された仕切り板、４４は側壁４ｌ
ｂの上面にビス５３により取り付けられるアルミニウム
製の蓋、４６Ａ，４６Ｂおよび４８Ａ〜４８Ｆはボリテ
トラブルオロエチレン材を使用した高周波回路基板４５
のマイクロストリップラインに実装されるＦＥＴおよび
チップ部品などの高周波部品．４９は基板４５を底板４
１ａに固定するビス，５０はビス５１によりケース５１
の底板４１ａに取り付−けられる同軸コネクター，５２
は同軸コネクター５０の中心導体，５３は蓋４４をケー
ス４ｌの側壁４ｌｂ上面に固定するビスである．また，
５４はアンテナビンを構威し，ポリテトラフルオロエチ
レン筒体からなる円筒形誘電体材５５に収められて導波
管４１ｃに挿入される銅棒、５７Ａ〜５７Ｄはくし形状
の仕切り板４３Ａ〜４３Ｄと４３Ｄ〜４３Ｈの間に渡っ
て貼り付けられる電波吸収体である．また５８Ａ〜５８
Ｅは高出力用ＦＥＴであり、ビス５９Ａ〜５９Ｈによっ
て直接ケース４１の底板４１ａに止められている． ここで本実施例のポイントについて説明する。
第３図（ａ）（ｂ）は本実施例と従来例の組立て後にお
ける部分斜視図であり、仕切り板部分を取り出したもの
である．ＦＥＴで増幅された信号はマイクロストリップ
ライン上を伝送されていくが、このとき同時に電波の輻
射も発生する．この電波輻射によるＦＥＴ６，７間の電
波干渉はＦＥＴの能力を妨げる方向に働くため、通常Ｆ
ＥＴ６とＦＥＴ７との間には第３図（ｂ）のように信号
ラインに垂直に仕切り板３が設けられており，その仕切
り板３を利用して極部的に導波管構造６１を構威し、Ｆ
ＥＴ６，７間の電波干渉を抑えていた．しかしながら，
この構造では、基板実装の関係上、側壁１と底板２を分
離しなくてはならず、筐体からの電波漏洩を引き起こし
、他のユニットに悪影響を与えていた．本実施例はこの
点を顧みたもので、第３図（ａ）に示すように底板，側
壁を一体として筐体からの電波漏洩を抑えるような構造
にしたものである。第３図（ａ）において、高周波回路
基板２５をケース２１に挿入できるようにするため、仕
切り板２３の一部はカットされ、仕切り板２３のカット
部分を渡すように電波吸収体３７が貼り付けられている
。この電波吸収体３７は、第３図（ｂ）の導波管構造６
１の特性を簡易的に導くための手段で、前記導波管構造
６ｌと同一寸法になるよう貼り付けられている．また、
電波吸収体３７は電波輻射を吸収する働きも持ち合せて
おり、高周波特性のさらに優れた高周波増幅装置が得ら
れることになる．第４図、第５図は第１図、第２図にお
いて、電波吸収体３７．５７の代わりに導電性テープ６
３．６４を使用した場合である。
ける部分斜視図であり、仕切り板部分を取り出したもの
である．ＦＥＴで増幅された信号はマイクロストリップ
ライン上を伝送されていくが、このとき同時に電波の輻
射も発生する．この電波輻射によるＦＥＴ６，７間の電
波干渉はＦＥＴの能力を妨げる方向に働くため、通常Ｆ
ＥＴ６とＦＥＴ７との間には第３図（ｂ）のように信号
ラインに垂直に仕切り板３が設けられており，その仕切
り板３を利用して極部的に導波管構造６１を構威し、Ｆ
ＥＴ６，７間の電波干渉を抑えていた．しかしながら，
この構造では、基板実装の関係上、側壁１と底板２を分
離しなくてはならず、筐体からの電波漏洩を引き起こし
、他のユニットに悪影響を与えていた．本実施例はこの
点を顧みたもので、第３図（ａ）に示すように底板，側
壁を一体として筐体からの電波漏洩を抑えるような構造
にしたものである。第３図（ａ）において、高周波回路
基板２５をケース２１に挿入できるようにするため、仕
切り板２３の一部はカットされ、仕切り板２３のカット
部分を渡すように電波吸収体３７が貼り付けられている
。この電波吸収体３７は、第３図（ｂ）の導波管構造６
１の特性を簡易的に導くための手段で、前記導波管構造
６ｌと同一寸法になるよう貼り付けられている．また、
電波吸収体３７は電波輻射を吸収する働きも持ち合せて
おり、高周波特性のさらに優れた高周波増幅装置が得ら
れることになる．第４図、第５図は第１図、第２図にお
いて、電波吸収体３７．５７の代わりに導電性テープ６
３．６４を使用した場合である。
発明の効果
以上のように本発明によれば、底板と側壁が一体構造と
なり、さらに，これに導波管が一体的に形成されている
ため、筐体からの電波洩漏が非常に少ない高周波電力増
幅装置を得ることができる。
なり、さらに，これに導波管が一体的に形成されている
ため、筐体からの電波洩漏が非常に少ない高周波電力増
幅装置を得ることができる。
また筐体のくし形状の仕切り板間を渡すように電波吸収
体を貼り付けることにより、ＦＥＴ間での電波干渉が抑
えられ、高周波特性の良い高周波電力増幅装置を得るこ
とができる． また，底板と側壁が一体構造となっているため，量産時
の金型数量を減少させることができ，金型費が節約でき
るとともに、底板と側壁の接合面を面処理するといった
作業の必要が無くなり，加工費が低減できる． さらに、底板と側壁をビス止めするといった作業が無く
なり一組立て工数が低減でき，品質が安定するとととも
にそれにまつわる治具も不要となる．
体を貼り付けることにより、ＦＥＴ間での電波干渉が抑
えられ、高周波特性の良い高周波電力増幅装置を得るこ
とができる． また，底板と側壁が一体構造となっているため，量産時
の金型数量を減少させることができ，金型費が節約でき
るとともに、底板と側壁の接合面を面処理するといった
作業の必要が無くなり，加工費が低減できる． さらに、底板と側壁をビス止めするといった作業が無く
なり一組立て工数が低減でき，品質が安定するとととも
にそれにまつわる治具も不要となる．
第１図および第２図はそれぞれ本発明の一実施例による
高周波電力増幅装置の分解斜視図，第３図（ａ）（ｂ）
は本実施例と従来例の組立て後における仕切り板付近を
示した部分図、第４図および第５図はそれぞれ本発明の
他の実施例による高周波電力増幅装置の分解斜視図，第
６図は従来例における高周波電力増幅装置の分解斜視図
である．２１．４１・・・ケース、２１ａ ， ４１ａ
−底板、２ｌｂ，４ｌｂ−・・側壁、２１ｃ，４１ｃ−
導波管．２３．２３Ａ〜２３Ｄ，４３Ａ〜４３Ｈ・・・
仕切り板、２４ ． ４４・・・蓋、２５．４５・・・
高周波回路基板、２６． ２６Ａ ， ２６Ｂ ， ４
６Ａ ， ４６Ｂ ，２７，２７Ａ，２７Ｂ・・・ＦＥ
Ｔ、２８Ａ〜２８Ｃ，４８Ａ〜４８Ｆ・・・チップ部品
、２９，４９，３３，５３，・・・ビス、３０．５０・
・・同軸コネクター、３４ ． ５４・・・銅棒、３５
．５５・・・円筒形誘導体材、３７． ３７Ａ〜３７Ｇ
，５７Ａ〜５７Ｄ・・・電波吸収体，５８Ａ〜５８Ｅ・
・・高出力用ＦＥＴ、６３Ａ〜６３Ｃ，６４Ａ〜６４Ｄ
・・・導電性テープ．
高周波電力増幅装置の分解斜視図，第３図（ａ）（ｂ）
は本実施例と従来例の組立て後における仕切り板付近を
示した部分図、第４図および第５図はそれぞれ本発明の
他の実施例による高周波電力増幅装置の分解斜視図，第
６図は従来例における高周波電力増幅装置の分解斜視図
である．２１．４１・・・ケース、２１ａ ， ４１ａ
−底板、２ｌｂ，４ｌｂ−・・側壁、２１ｃ，４１ｃ−
導波管．２３．２３Ａ〜２３Ｄ，４３Ａ〜４３Ｈ・・・
仕切り板、２４ ． ４４・・・蓋、２５．４５・・・
高周波回路基板、２６． ２６Ａ ， ２６Ｂ ， ４
６Ａ ， ４６Ｂ ，２７，２７Ａ，２７Ｂ・・・ＦＥ
Ｔ、２８Ａ〜２８Ｃ，４８Ａ〜４８Ｆ・・・チップ部品
、２９，４９，３３，５３，・・・ビス、３０．５０・
・・同軸コネクター、３４ ． ５４・・・銅棒、３５
．５５・・・円筒形誘導体材、３７． ３７Ａ〜３７Ｇ
，５７Ａ〜５７Ｄ・・・電波吸収体，５８Ａ〜５８Ｅ・
・・高出力用ＦＥＴ、６３Ａ〜６３Ｃ，６４Ａ〜６４Ｄ
・・・導電性テープ．
Claims (1)
- １．同軸コネクター構造からなる入力端子と導波管構造
からなる出力端子とを有し、前記入力端子と出力端子と
の間をマイクロストリップライン構造からなる平面回路
で構成し、前記導波管を一体化した１つの箱状の金属筐
体の底板の上に前記平面回路を設け、前記平面回路上に
実装されたそれぞれの高周波電力増幅用トランジスタの
間に、前記金属筺体の両側壁から仕切り板をそれぞれく
し形状に突き出すように配設し、互いに向い合うくし形
状の仕切り板の間を渡すように電波吸収体または導電性
テープを貼り付け、前記金属筐体上面より金属蓋を覆っ
て全体をシールドした高周波電力増幅装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1187998A JPH0352303A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 高周波電力増幅装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1187998A JPH0352303A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 高周波電力増幅装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0352303A true JPH0352303A (ja) | 1991-03-06 |
Family
ID=16215849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1187998A Pending JPH0352303A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 高周波電力増幅装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0352303A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0423309U (ja) * | 1990-06-21 | 1992-02-26 |
-
1989
- 1989-07-19 JP JP1187998A patent/JPH0352303A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0423309U (ja) * | 1990-06-21 | 1992-02-26 |
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