JPH064625Y2 - 筐体構造 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔概要〕 超高周波帯の無線機器の信号系回路部とバイアス系回路
部及び同軸導波管変換部を実装する筺体構造であって、
一方の面に信号系回路実装凹部と他方の面にバイアス系
回路実装凹部を設け、該バイアス系回路実装凹部を形成
した長手方向端部を切欠いた同軸変換部筺体嵌込部を形
成した回路部筺体と、同軸変換部筺体嵌込部に嵌着する
同軸変換部実装凹部を設けた同軸変換部筺体とで構成
し、前記回路部筺体の同軸変換部筺体嵌込部に、同軸変
換部筺体の開口部の一方が外側になるように螺着して、
回路部筺体の上部に信号系回路を実装し、下部にバイア
ス系回路を実装することによって、同軸導波管変換部と
信号系回路及びバイアス系回路が独立するので、電波漏
れによる相互干渉による特性障害を防止でき、筺体の精
密仕上げを必要としない構造で、加工工数が減少する。

〔産業上の利用分野〕 本考案は、無線機器の信号系回路部とバイアス系回路部
及び同軸導波管変換部を実装する筺体構造の改善に関す
る。

近年、無線通信の長足の進歩により、これら通信機に使
用される周波数は益々高く（波長の短いマイクロ波，ミ
リ波等）なる傾向にある。したがってこれら機器を構成
する信号系回路，バイアス系回路，同軸導波管変換回路
等の相互間の電波漏れを防止するために、各回路が遮蔽
された筺体構造となっているが、このような筺体構造で
は接触部を精密に仕上げないと間隙ができ、この間隙か
ら電波が漏れる恐れがあり、この接触部の間隙をなくす
るには仕上加工に多大の工数を要するので、精密な仕上
げ加工を要しない構造で電波漏れの解消できる筺体構造
の出現が要望されている。

〔従来の技術〕

第２図は、従来の筺体構造を説明する図で、同図(a)は
断面を示す正面図，(b)は側面図，(c)は分解斜視図であ
る。

図において、金属たとえば黄銅からなり、信号系回路実
装凹部11と、該信号系回路実装凹部11の裏面端部を切欠
いて同軸変換部実装凹部12を設け、裏面に複数のねじ孔
13設けた高周波部筺体１と、バイアス系回路孔21，21′
と複数（図面では８個を示す）の孔22を設けたバイアス
回路部筺体２とで構成する。

そうして、前記高周波部筺体１の信号系回路実装凹部11
に信号系のマイクロ波回路基板５を実装し、前記信号系
回路実装凹部11の裏面にバイアス系回路の低周波回路基
板５′を実装して、両回路基板５，５′はガラスで絶縁
された端子６で接続され、同軸導波管変換部と信号系回
路部は同軸変換器10で接続する。

さらに、前記高周波部筺体１の同軸変換部実装凹部12を
形成した反対側の側壁にマイクロ波回路基板５からの出
力を取出すガラスで絶縁された出力端子６′を取付け接
続する。

そうして、高周波部筺体１のバイアス系の低周波回路基
板５′側に、前記バイアス系回路部筺体２のバイアス系
回路部孔21，21′を合致せしめ締付ねじ７で螺着したる
のち、信号系回路部蓋３及びバイアス系回路部蓋４を付
設している。

〔考案が解決しようとする問題点〕

上記従来の筺体構造にあっては、上下に２分割された高
周波部筺体とバイアス系回路部筺体とを螺着しているの
で、この螺着した両筺体の接触面は平滑な共通面であっ
て間隙ができる恐れがあり、間隙ができると、この間隙
からバイアス系回路部と同軸変換部実装凹部即ち導波管
部相互に電波漏れを生じ、この電波漏れに起因する相互
干渉により特性に悪影響を及ぼすので、この間隙をなく
するためには個々の筺体の接触面を精密な仕上げをしな
ければならず、従って多大の工数を要するという問題点
があった。

〔問題点を解決するための手段〕

本考案は、上記の問題点を解決して精密加工を必要とし
ない構造で電波漏れを解消した筺体構造を提供するもの
である。

すなわち、信号系回路部とバイアス系回路部及び同軸導
波管変換部を実装する筺体構造を、一方の面に信号系回
路実装凹部と、他方の面にバイアス系回路実装凹部を設
け、このバイアス系実装凹部を形成した長手方向端部を
切欠いた同軸変換部筺体嵌込部を設けた回路部筺体と、
前記同軸変換部筺体嵌込部に嵌着する同軸変換部実装凹
部を設けた同軸変換部筺体とで構成し、この同軸変換部
筺体の同軸変換部実装凹部の開口面の一方が外側になる
ように、回路部筺体の同軸変換部筺体嵌込部に螺着する
ようにしたことによって解決される。

〔作用〕

このように、回路部筺体と同軸変換部筺体とで構成する
ので、回路間の接触面がなくなり、したがって筺体は精
密な仕上げ精度を必要とせず、加工工数が減少し、電波
漏れが解消して特性への悪影響を防止することができ
る。

〔実施例〕

第１図は、本考案の一実施例を説明する図で、同図(a)
は断面を示す正面図，(b)は側面図，(c)は分解斜視図
で、第２図と同等の部分については同一符号を付してい
る。

図において、金属たとえば黄銅からなり、信号系回路実
装凹部81と、その裏面にバイアス系回路実装凹部82，8
2′を穿設し、該バイアス系回路実装凹部82，82′を形
成した長手方向端部を切欠いた同軸変換部筺体嵌込部83
を形成して、該同軸変換部筺体嵌込部83の同軸変換部筺
体９の当接部で、該同軸変換部筺体９に形成した孔92に
対応する位置に複数のねじ孔85を設けた回路部筺体８
と、同軸変換部実装凹部91と複数（図面では４個を示
す）の孔92を設けた同軸変換部筺体９とで構成される。

そうして、同軸変換部筺体９を第１図(a)に示す如く、
同軸変換部実装凹部91の開口面の一方が外側になるよう
に締付ねじ７で螺着することにより独立した導波管部が
形成される。

このようにした、回路部筺体８の信号系回路実装凹部81
に複数（図面では３枚を示す）のマイクロ波基板５を実
装し、信号系回路実装凹部81の裏面に穿設されたバイア
ス系回路実装凹部82，82′のそれぞれにはバイアス系の
低周波回路基板５′を実装して、両回路基板５，５′を
ガラスで絶縁された端子６で接続し、さらに信号系回路
実装凹部81と同軸変換部筺体嵌込部83との境界部84に、
同軸変換器10を取着する。

さらに、回路部筺体８に形成した同軸変換部筺体嵌込部
83の反対側の信号系回路を実装した凹部81に、マイクロ
波回路基板５の出力を取出すガラスで絶縁された出力端
子６′を取付け接続し、信号系回路部蓋３及びバイアス
系回路部蓋４で密閉するので、各回路部が独立した形と
なり電波漏れを解消することができる。

なお、本実施例では筺体を黄銅を用いて説明したが、黄
銅に限らず導電性の良好な銅他の金属であっても良い。

〔考案の効果〕

以上の説明から明らかなように、本考案によれば筺体構
造を回路部筺体と同軸変換部筺体で構成したことによ
り、筺体の加工工数が減少しコストダウンが期待できる
とともに、電波漏れが解消でき信頼性の向上に極めて有
効である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本考案の一実施例を説明する図で、同図(a)
は断面を示す正面図，(b)は側面図，(c)は分解斜視図、 第２図は、従来の筺体構造を説明する図で、同図(a)は
断面を示す正面図，(b)は側面図，(c)は分解斜視図であ
る。 図において、１は高周波部筺体、２はバイアス系回路部
筺体、３は信号系回路部蓋、４はバイアス系回路部蓋、
５はマイクロ波回路基板、５′は低周波回路基板、６，
６′はガラスで絶縁された端子、７は締付ねじ、８は回
路部筺体、９は同軸変換部筺体、10は同軸変換器、11，
81は信号系回路実装凹部、12，91は同軸変換部実装凹
部、13，85はねじ孔、21，21′はバイアス系回路部孔、
22，92は孔、82，82′はバイアス系回路実装凹部、83は
同軸変換部筺体嵌込部、84は境界部、85はねじ孔、をそ
れぞれ示す。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 実開 昭60−163775（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭59−81084（ＪＰ，Ｕ) 実公 昭59−26676（ＪＰ，Ｙ２)

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】信号系回路部とバイアス系回路部及び同軸
   導波管変換部を実装する筺体構造を、一方の面に信号系
   回路実装凹部(81)と、他方の面にバイアス系回路実装凹
   部（82,82′）を設け、該バイアス系実装凹部（82,8
   2′）を形成した長手方向端部を切欠いた同軸変換部筺
   体嵌込部(83)を設けた回路部筺体(8)と、 前記同軸変換部筺体嵌込部(83)に嵌着する同軸変換部実
   装凹部(91)を設けた同軸変換部筺体(9)とで構成し、 該同軸変換部筺体(9)の同軸変換部実装凹部(91)の開口
   面の一方が外側になるように、回路部筺体(8)の同軸変
   換部筺体嵌込部(83)に螺着するようにしたことを特徴と
   する筺体構造。