JPH0352686B2 - - Google Patents

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JPH0352686B2
JPH0352686B2 JP57209632A JP20963282A JPH0352686B2 JP H0352686 B2 JPH0352686 B2 JP H0352686B2 JP 57209632 A JP57209632 A JP 57209632A JP 20963282 A JP20963282 A JP 20963282A JP H0352686 B2 JPH0352686 B2 JP H0352686B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gates
circuit
channel type
transistor
mos transistors
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP57209632A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS59100614A (ja
Inventor
Norishige Tanaka
Kenji Matsuo
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority to JP57209632A priority Critical patent/JPS59100614A/ja
Publication of JPS59100614A publication Critical patent/JPS59100614A/ja
Publication of JPH0352686B2 publication Critical patent/JPH0352686B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/027Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of logic circuits, with internal or external positive feedback
    • H03K3/037Bistable circuits

Description

【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕 本発明はセツト、リセツト機能等を有するフリ
ツプフロツプ回路に関する。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 第1図、第2図に示されるマスタースレーブ型
フリツプフロツプは、セツト(プリセツト)、リ
セツト(クリア)信号をNAND、NORゲートを
介して制御する回路である。図中1,2はデータ
ラインに設けられたクロツクドインバータ、3,
4はNANDゲート、5,6はクロツクドインバ
ータ、7,8はNORゲート、9〜12はNAND
ゲート3,4、NORゲート7,8をスタテイツ
ク動作させるためのクロツクドインバータ、13
はインバータである。第3図はクロツクドインバ
ータの記号とその詳細回路、第4図は第2図のフ
リツプフロツプ回路の動作を示すタイミングチヤ
ート、第5図aはインバータ、第5図bは2入力
NANDゲート、第5図cは2入力NORゲートの
詳細回路図である。下記の第1表は第1図の動作
を示す真理値表、第2表は第2図の動作を示す真
理値表である。
【表】
〔発明の目的〕
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、セ
ツト、リセツト機能等を有するフリツプフロツプ
において、高速化に対し、パターン占有面積を小
さくする、換言すれば各MOSトランジスタのチ
ヤネル幅を極力小さくできるフリツプフロツプ回
路を提供しようとするものである。 〔発明の概要〕 本発明はセツト、リセツト等のコントロール信
号を、保持(帰還)回路のゲートに直接入力する
ことにより、セツト或いはリセツトが働いていな
い時の回路動作に対する影響をなくするようにし
たものである。 〔発明の実施例〕 以下図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。第6図は同実施例を示すが、これは第1図の
ものと対応させた場合の例であるから、対応個所
には同一符号を付して説明を省略し、特徴とする
点の説明を行なう。図中21はクロツクドインバ
ータ2の出力データラインに介挿されたインバー
タである。電源VDDと出力端O1との間には、Pチ
ヤネル型のMOSトランジスタ22〜24を直列
接続し、出力端O1と電源VSSとの間にはNチヤネ
ル型のMOSトランジスタ25,26を直列接続
し、出力端O1と電源VSSとの間にはNチヤネル型
トランジスタ27を設ける。トランジスタ22,
27のゲートにはセツト信号を供給し、トランジ
スタ24,25のゲートはデータQラインに接続
し、トランジスタ23,26のゲートにはそれぞ
れクロツク信号φ、を供給する。 第6図の回路は、セツト端子が“1”の時トラ
ンジスタ27がオンで、出力Qは強制的に“0”、
出力Qは強制的に“1”となり、第1図と同じ動
作である。一方、セツト端子が“0”の時トラン
ジスタ22がオン、トランジスタ27がオフで、
ブロツク28は第1図のクロツクドインバータ1
0と等価になり、第1図の場合と同じ動作となる
ものである。 第6図の回路にあつては、出力ラインの負荷
を考えると、インバータ21のゲート容量は、第
5図aの場合と同様で小である。またブロツク2
8の帰還ループの接合容量は、トランジスタ27
のみが大きければよいから、小さくて済む。従つ
てラインの負荷容量は小さくなるから、クロツ
クドインバータ2は高速となるものである。 第7図は本発明の他の実施例を示すが、これは
第2図のものと対応させた場合の例であるから、
対応個所には同一符号を付して説明を省略し、特
徴とする点の説明を行なう。クロツク信号φ、
は、原クロツクとリセツト信号を入力とする
NORゲート31、インバータ32,33で形成
される。34はクロツクドインバータ5の出力デ
ータラインに介挿されたインバータである。電源
VDDと出力端O2との間にはPチヤネル型トランジ
スタ35,36を直列接続し、出力端O2と電源
VSSとの間にはNチヤネル型トランジスタ37〜
39を直列接続する。また出力端O2と電源VDD
の間にはPチヤネル型トランジスタ40を設け
る。トランジスタ39,40のゲートにはリセツ
ト信号を、インバータ41を介して供給し、トラ
ンジスタ36,37のゲートはインバータ34の
出力データラインに接続し、トランジスタ35,
38のゲートにはそれぞれクロツク信号、φを
供給する。クロツクドインバータ6の出力データ
ラインにはインバータ42が介挿される。 第7図の回路はリセツト端子が“1”の時、ク
ロツクφ=“1”、=“0”となり、クロツクド
インバータ6がオン状態となる。一方、トランジ
スタ40がオンし、出力端O2が“1”となつて
a点が“0”となり、第2表の真理値表のリセツ
トが成立つまり第2図の場合と同じ動作となるも
のである。またリセツト端子が“0”の時、
NORゲート31はクロツク信号のみに影響され、
クロツクφ、がきまる。そしてトランジスタ4
0がオフし、トランジスタ39がオンする。従つ
てブロツク43は第2図のクロツクドインバータ
11と等価になり、第2図の場合と同じ動作とな
るものである。 第7図の回路にあつては、クロツクドインバー
タ5の出力ラインを考えると、インバータ34の
ゲート容量は前記の場合と同様に小である。また
クロツクドインバータ5の出力ラインの接合容量
は、トランジスタ40のみを大きくすればよいか
ら、小さくて済む。従つてクロツクドインバータ
5の負荷容量は小となるから、該インバータ5は
高速となるものである。 第8図は第6図の変形例で、電源VDDと出力端
O1との間にPチヤネル型トランジスタ271を設
け、トランジスタ26と電源VSSとの間にNチヤ
ネル型トランジスタ221を介挿し、これらトラ
ンジスタのゲートをコントロール信号入力端に接
続して、リセツトなる信号を与え、第6図のトラ
ンジスタ27,22は省略した場合の例である。
この場合は第6図のNANDゲート3に相当する
部分は、NORゲート3′とされ反転リセツト型の
フリツプフロツプとなる。 第9図は第7図の変形例で、電源VSSと出力端
O1との間にNチヤネル型トランジスタ401を設
け、トランジスタ35と電源VDDとの間にPチヤ
ネル型トランジスタ391を介挿し、これらトラ
ンジスタのゲートをコントロール信号入力端に接
続し、第7図のトランジスタ40,39を省略し
た場合の例である。この場合はセツト型のフリツ
プフロツプ型となるものである。 〔発明の効果〕 以上説明した如く本発明によれば、回路動作の
高速化に対し少数のトランジスタのデイメンジヨ
ンを大きくすればよいから、小さいパターン占有
面積で済むフリツプフロツプ回路が提供できるも
のである。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図は従来のフリツプフロツプ回路
図、第3図はクロツクドインバータの記号及び回
路図、第4図は従来回路の動作を示すタイミング
チヤート、第5図はゲート回路の詳細図、第6図
は本発明の一実施例の回路図、第7図ないし第9
図は本発明の他の実施例の回路図である。 1,2,5,6,9,12……クロツクドイン
バータ、3……NANDゲート、13,21,3
4,42……インバータ、22〜24,35,3
6,40……Pチヤネル型MOSトランジスタ、
25〜27,37〜39……Nチヤネル型MOS
トランジスタ、O1,O2……出力端。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 クロツクドインバータと反転ゲートを交互に
    並べてカスケード接続した回路本体と、前記反転
    ゲートをスタテイツク動作させるための保持ルー
    プとを具備し、前記回路本体における前段側の反
    転ゲートの保持ループ及び後段側の反転ゲートの
    保持ループのうちの一方は、第1の電位供給端と
    出力端との間に第1チヤネル型の第1ないし第3
    のMOSトランジスタの直列回路を設け、第2の
    電位供給端と前記出力端との間に第2チヤネル型
    の第4、第5のMOSトランジスタの直列回路を
    設け、第2の電位供給端と前記出力端との間に第
    2チヤネル型の第6のMOSトランジスタを設け、
    前記第3、第4のMOSトランジスタのゲートは
    前記一方の反転ゲートの出力ラインに接続し、前
    記第2、第5のMOSトランジスタのゲートには
    互に反転関係を有するクロツク信号を供給し、前
    記出力端は前記一方の反転ゲートの入力端に接続
    し、前記第1、第6のMOSトランジスタのゲー
    トには、前記回路本体の出力レベルを設定するコ
    ントロール信号を印加することを特徴とするフリ
    ツプフロツプ回路。
JP57209632A 1982-11-30 1982-11-30 フリツプフロツプ回路 Granted JPS59100614A (ja)

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JPS59100614A JPS59100614A (ja) 1984-06-09
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4924032B2 (ja) * 2006-12-28 2012-04-25 富士通セミコンダクター株式会社 ラッチ回路及びそれを備えたフリップフロップ回路並びに論理回路
JP5875996B2 (ja) * 2013-02-13 2016-03-02 株式会社東芝 フリップフロップ回路

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