JPH035339A - 紫外線透過用石英ガラス - Google Patents
紫外線透過用石英ガラスInfo
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- JPH035339A JPH035339A JP13583489A JP13583489A JPH035339A JP H035339 A JPH035339 A JP H035339A JP 13583489 A JP13583489 A JP 13583489A JP 13583489 A JP13583489 A JP 13583489A JP H035339 A JPH035339 A JP H035339A
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Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、変電なる紫外線の長時間反復照射によっても
着色(ソーラリゼーション)、失透を抑制する、紫外線
透過用石英ガラスに関する。
着色(ソーラリゼーション)、失透を抑制する、紫外線
透過用石英ガラスに関する。
半導体産業において、素子の微細化、高集積化は時代の
趨勢である。
趨勢である。
それに対処するために、例えば波長の短い紫外線を光源
とする露光機や、紫外線を照射しながら蒸着することに
より低温で高品位の被膜を得る光CVD法等が開発され
つつある。
とする露光機や、紫外線を照射しながら蒸着することに
より低温で高品位の被膜を得る光CVD法等が開発され
つつある。
これらの紫外線応用機器の光学系や光透過用の窓材、光
源用ランプ等には一般に、石英ガラスが使用される。
源用ランプ等には一般に、石英ガラスが使用される。
当該石英ガラスの材料は、紫外線透過率が良いことが必
須の条件となるので、例えば四塩化珪素の加水分解等で
合成される合成石英ガラスが使用される。
須の条件となるので、例えば四塩化珪素の加水分解等で
合成される合成石英ガラスが使用される。
しかしながら、・使用当初は紫外線透過率が高い石英ガ
ラスでも紫外線照射を長時間反復して行うと次第に着色
し透過率が減少する、いわゆるソーラリゼーションが起
こり、装置の再現性等に大きな影響を及ぼす問題点が存
する。
ラスでも紫外線照射を長時間反復して行うと次第に着色
し透過率が減少する、いわゆるソーラリゼーションが起
こり、装置の再現性等に大きな影響を及ぼす問題点が存
する。
そのため、ソーラリゼーションの低減した石英ガラスの
開発が強く望まれている。
開発が強く望まれている。
上記、従来の紫外′41A透過用石英ガラスは不純物と
してAl5V% Ti 、、Ni 、、Na 、、Cu
、H。
してAl5V% Ti 、、Ni 、、Na 、、Cu
、H。
C7!、K % F e等を含み、その各濃度を0.1
ppm以下に抑えた紫外線透過用石英ガラスは存在し
なかった。
ppm以下に抑えた紫外線透過用石英ガラスは存在し
なかった。
上記、不純物を高濃度に含む紫外線透過用石英ガラスは
不純物に起因する性能的な劣化現象が派生する。
不純物に起因する性能的な劣化現象が派生する。
即ち、Na、に、A1、Fe 、、Ti 、Niおよび
Cuの濃度の総和が0.2 ppm以上である石英ガラ
スにおいては上記不純物が、石英ガラスの紫外線エネル
ギー吸収に係わり、紫外線エネルギーの吸収とともに、
着色中心あるいは着色物質成長核の形成過程に何らかの
関与をし、石英ガラスが変電なる紫外線の長時間反復照
射によって着色し、透過率を下げるという性能的な劣化
現象が起こることを究明した。
Cuの濃度の総和が0.2 ppm以上である石英ガラ
スにおいては上記不純物が、石英ガラスの紫外線エネル
ギー吸収に係わり、紫外線エネルギーの吸収とともに、
着色中心あるいは着色物質成長核の形成過程に何らかの
関与をし、石英ガラスが変電なる紫外線の長時間反復照
射によって着色し、透過率を下げるという性能的な劣化
現象が起こることを究明した。
また、上記不純物に起因する劣化現象以外にも、石英ガ
ラスの主成分であるシリカに固有に含まれる酸素欠陥に
電子が捕獲されて着色中心を形成し石英ガラスが着色す
る現象も問題視される。
ラスの主成分であるシリカに固有に含まれる酸素欠陥に
電子が捕獲されて着色中心を形成し石英ガラスが着色す
る現象も問題視される。
上記、ソーラリゼーションの発生機構は解明されていな
い点も多々あるが、石英ガラス中に含まれるA1、Fe
、Na等の不純物に起因するものと酸素欠乏点等の石
英ガラス自体の構造欠陥に起因するものとに大別して本
発明が推進された。
い点も多々あるが、石英ガラス中に含まれるA1、Fe
、Na等の不純物に起因するものと酸素欠乏点等の石
英ガラス自体の構造欠陥に起因するものとに大別して本
発明が推進された。
紫外線照射により発生した電子またはホールがこれらの
不純物または欠陥に捕獲されたり、または直接紫外線を
吸収して、励起されたりして着色中心を形成するのがソ
ーラリゼーションの原因の一つであることが明らかにな
っている。
不純物または欠陥に捕獲されたり、または直接紫外線を
吸収して、励起されたりして着色中心を形成するのがソ
ーラリゼーションの原因の一つであることが明らかにな
っている。
上記着色中心は、吸収スペクトルの形等から同定するこ
とができる。
とができる。
即ち、石英ガラス中のAl不純物にホールが捕獲された
着色中心はAeV付近に極大を持つ幅広い吸収ピークを
生じ、酸素欠陥に電子が捕獲された着色中心は5eV、
および5.7eVの位置に吸収スペクトルを示す。
着色中心はAeV付近に極大を持つ幅広い吸収ピークを
生じ、酸素欠陥に電子が捕獲された着色中心は5eV、
および5.7eVの位置に吸収スペクトルを示す。
不純物に起因するソーラリゼーションは各不純物濃度を
1111pII+以下に抑えれば低減可能で、構造欠陥
によるソーラリゼーションに対しては石英ガラスの製造
方法の改良等が試みられてきたが欠陥の低減が困難で、
有効なソーラリゼーションに対する対策は無かった。
1111pII+以下に抑えれば低減可能で、構造欠陥
によるソーラリゼーションに対しては石英ガラスの製造
方法の改良等が試みられてきたが欠陥の低減が困難で、
有効なソーラリゼーションに対する対策は無かった。
C問題点を解決するための手段〕
本発明では上記問題点を解決するために、精製した高純
度の石英ガラス原料を使用し、厳密に不純物を排除した
雰囲気で石英ガラスを製造することにより、極小量に不
純物濃度を抑制した紫外線透過用石英ガラスを開発した
。
度の石英ガラス原料を使用し、厳密に不純物を排除した
雰囲気で石英ガラスを製造することにより、極小量に不
純物濃度を抑制した紫外線透過用石英ガラスを開発した
。
上記本発明の紫外線透過用石英ガラスは、不純物を極小
に抑えたことにより、従来の石英ガラスが紫外線の長時
間反復照射とともに、不可避的に経時変化し、着色劣化
した透過率を補正するために、正確な光量確認を常時モ
ニターし、石英ガラスを新品と定期的に交換しなければ
ならなかった煩雑さを解消することができる。
に抑えたことにより、従来の石英ガラスが紫外線の長時
間反復照射とともに、不可避的に経時変化し、着色劣化
した透過率を補正するために、正確な光量確認を常時モ
ニターし、石英ガラスを新品と定期的に交換しなければ
ならなかった煩雑さを解消することができる。
また本発明の紫外線透過用石英ガラスは、Al、■、F
e % Na % K% Ti s Ni sCuの各
濃度を0.1 ppm以下とすることにより、これら不
純物に起因するソーラリゼーシッンは勿論のこと、構造
欠陥に起因するソーラリゼーションも、不純物濃度制限
の製造過程をもってその構造欠陥の発生を抑制し、これ
を因子とする透過率の低下を抑制し得る。
e % Na % K% Ti s Ni sCuの各
濃度を0.1 ppm以下とすることにより、これら不
純物に起因するソーラリゼーシッンは勿論のこと、構造
欠陥に起因するソーラリゼーションも、不純物濃度制限
の製造過程をもってその構造欠陥の発生を抑制し、これ
を因子とする透過率の低下を抑制し得る。
更に、N a s K SA l 1F e s T
1% N iおよびCuの濃度の総和を0.2 ppm
以下にすることにより、より以上に本発明の効果を確実
なものとすることができる。
1% N iおよびCuの濃度の総和を0.2 ppm
以下にすることにより、より以上に本発明の効果を確実
なものとすることができる。
5iCA、を酸水素炎中に導き、火炎法で加水分解させ
て得られるS iO2を、回転するターゲット上に積載
する通常の合成石英ガラスの製造法において、原料とし
ての5i(J!、およびS i02を、充分に精製した
高純度のものを用い、石英ガラス溶融中の雰囲気を厳密
に清浄化して、表記の不純物濃度の石英ガラスを得る。
て得られるS iO2を、回転するターゲット上に積載
する通常の合成石英ガラスの製造法において、原料とし
ての5i(J!、およびS i02を、充分に精製した
高純度のものを用い、石英ガラス溶融中の雰囲気を厳密
に清浄化して、表記の不純物濃度の石英ガラスを得る。
上記方法で得られた、水酸基濃度1300ppm程度、
塩素濃度200ppm程度の石英ガラス(3)を30φ
×3In厚の形状に研磨し、第1図に示す弗化マグネシ
ウムの窓を持つ30Wの重水素ランプ(1)を用いて真
空中(2)で5eVの紫外線を500時間に渡って照射
し、照射前後の吸収スペクトルの差により透過率の変化
を分光光度計で測定した。
塩素濃度200ppm程度の石英ガラス(3)を30φ
×3In厚の形状に研磨し、第1図に示す弗化マグネシ
ウムの窓を持つ30Wの重水素ランプ(1)を用いて真
空中(2)で5eVの紫外線を500時間に渡って照射
し、照射前後の吸収スペクトルの差により透過率の変化
を分光光度計で測定した。
尚、5eVの紫外線は、石英ガラス(3)中の酸素欠陥
に起因する着色中心を派生する波長に相当するので、前
記不純物による透過率の変化とともに、酸素欠陥に起因
する透過率の変化も同時に測定し得る。
に起因する着色中心を派生する波長に相当するので、前
記不純物による透過率の変化とともに、酸素欠陥に起因
する透過率の変化も同時に測定し得る。
第2図は不純物濃度の異なる石英ガラスに、紫外線エネ
ルギーを変化させて照射した場合の吸光係数の変化を示
す。
ルギーを変化させて照射した場合の吸光係数の変化を示
す。
図中の曲線11は、/lとNaの各々が1 ppmを越
える濃度で含まれる試料、12は同じ不純物をそれぞれ
0.2ppff+含む試料である。
える濃度で含まれる試料、12は同じ不純物をそれぞれ
0.2ppff+含む試料である。
13はNaとAIとがそれぞれ0.05およびO0Q3
ppm、上述の他の不純物が9.01 ppm以下であ
る本発明の紫外yc透過用石英ガラスである。
ppm、上述の他の不純物が9.01 ppm以下であ
る本発明の紫外yc透過用石英ガラスである。
200時間の紫外線照射によって試料11は、/lとN
aが共存する場合に特有な吸収スペクトルを示し、試料
12は酸素欠陥に特有の吸収スペクトルを示す。
aが共存する場合に特有な吸収スペクトルを示し、試料
12は酸素欠陥に特有の吸収スペクトルを示す。
これに対し、試料13は200時間の紫外線照射程度で
は吸収を生じない。
は吸収を生じない。
不純物濃度を変化させた場合の透過率への影響を調べる
ため、実施例としての表1、および比較例としての表2
のような各種石英ガラスを作製し、1000時間にわた
って紫外線を照射した後、5eVにおける吸光係数の変
化を調査した。
ため、実施例としての表1、および比較例としての表2
のような各種石英ガラスを作製し、1000時間にわた
って紫外線を照射した後、5eVにおける吸光係数の変
化を調査した。
表1に示されるようにA l % F e 、Na %
K −。
K −。
Ti 、Ni 、Cuの濃度が0.1 ppmになると
効果が顕著になる。
効果が顕著になる。
上記試験結果の紫外線照射時間の条件は、1000時間
照射してもソーラリゼーションが起こらない試料は、更
に照射をつづけた場合でも、かなりの間、その効果が持
続するであろうとの意味合いを持つ。
(以下余白)表1 表2 上記表1において*欄はNa=Cuの不純物の総和(p
pm )を示す。
照射してもソーラリゼーションが起こらない試料は、更
に照射をつづけた場合でも、かなりの間、その効果が持
続するであろうとの意味合いを持つ。
(以下余白)表1 表2 上記表1において*欄はNa=Cuの不純物の総和(p
pm )を示す。
また、−印は、その元素が検出できなかったことを示す
。
。
上記表2において市本欄はNa −、K 、AI、Fe
以外のTis NisおよびCuの不純物濃度の和(p
pm )を示す。
以外のTis NisおよびCuの不純物濃度の和(p
pm )を示す。
また、*宰*欄は全不純物濃度の総和(ppm )を示
す。
す。
更に、−印は、その元素が検出できなかったことを示す
。
。
高品位被膜を得るために使用するCVD装置の場合、そ
の反応容器内に紫外線を導入する光CVD法はシリコン
等の高品位の膜を低温で形成し得るので極めて有用な手
法であるが、その紫外線導入用の窓材として本発明の紫
外線透過用石英ガラスを用いれば、透過率の経時変化が
極めて少ないので、同一品質の膜が再現性良く生産でき
る。
の反応容器内に紫外線を導入する光CVD法はシリコン
等の高品位の膜を低温で形成し得るので極めて有用な手
法であるが、その紫外線導入用の窓材として本発明の紫
外線透過用石英ガラスを用いれば、透過率の経時変化が
極めて少ないので、同一品質の膜が再現性良く生産でき
る。
また、半導体産業で使用されるエキシマレーザ露光機、
および塩素等を含む雰囲気中に半導体ウェハー等を静置
し、その表面に紫外線を照射してその受光部を活性化し
てエツチング等を行う光エツチング法の紫外線導入用窓
材として、本発明の紫外線透過用石英ガラスを用いれば
、条件の設定が容易で安定するので高精度の大量加工が
可能となる。
および塩素等を含む雰囲気中に半導体ウェハー等を静置
し、その表面に紫外線を照射してその受光部を活性化し
てエツチング等を行う光エツチング法の紫外線導入用窓
材として、本発明の紫外線透過用石英ガラスを用いれば
、条件の設定が容易で安定するので高精度の大量加工が
可能となる。
更に、水銀ランプ、キセノンランプ、水素ランプ等、紫
外線光源用ランプの管や窓材として本発明の紫外線透過
用石英ガラスを用いれば、着色による光量の経時変化と
いう光源用ランプに致命的な現象を回避し得る。
外線光源用ランプの管や窓材として本発明の紫外線透過
用石英ガラスを用いれば、着色による光量の経時変化と
いう光源用ランプに致命的な現象を回避し得る。
また、半導体パタニング用露光機のレンズ、フォトマス
ク、および紫外線を利用する化学産業分野、例えば紫外
線吸収スペクトル分析器の機材等に使用しても、光量の
経時変化を殆ど無視し得るので優れた性能の製品を量産
できる。
ク、および紫外線を利用する化学産業分野、例えば紫外
線吸収スペクトル分析器の機材等に使用しても、光量の
経時変化を殆ど無視し得るので優れた性能の製品を量産
できる。
更に、医学分野においても同様の貢献が期待できる。
第1図は本発明の紫外線透過用石英ガラスのソーラリゼ
ーション評価に用いた装置の概略図であり、第2図は各
不純物濃度における紫外線照射後の石英ガラスの吸収ス
ペクトルを示す。 (1)重水素ランプ (11) A7!とNaの各々が1 pI)Illを越
える濃度で含まれている試料 (12)Ai!とNaの各々を0.2 ppm含む試料
(1,3)NaとAIとがそれぞれ0.05および0、
O3ppm、上述の他の不純物が0.01 ppm以下
である試料 (2)真空容器 (3)石英ガラス試料 第1図
ーション評価に用いた装置の概略図であり、第2図は各
不純物濃度における紫外線照射後の石英ガラスの吸収ス
ペクトルを示す。 (1)重水素ランプ (11) A7!とNaの各々が1 pI)Illを越
える濃度で含まれている試料 (12)Ai!とNaの各々を0.2 ppm含む試料
(1,3)NaとAIとがそれぞれ0.05および0、
O3ppm、上述の他の不純物が0.01 ppm以下
である試料 (2)真空容器 (3)石英ガラス試料 第1図
Claims (1)
- 1、Na、K、Al、Fe、Ti、NiおよびCuの各
濃度が0.1ppm以下であり、前記7元素の濃度の総
和が0.2ppm以下である高純度シリカよりなること
を特徴とする紫外線透過用石英ガラス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13583489A JP2699107B2 (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 紫外線透過用石英ガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13583489A JP2699107B2 (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 紫外線透過用石英ガラス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH035339A true JPH035339A (ja) | 1991-01-11 |
| JP2699107B2 JP2699107B2 (ja) | 1998-01-19 |
Family
ID=15160864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13583489A Expired - Lifetime JP2699107B2 (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 紫外線透過用石英ガラス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2699107B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08166159A (ja) * | 1994-12-13 | 1996-06-25 | Seiki Suyama | 換気扇コントロールシステム |
| JP2001328807A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-11-27 | Mitsubishi Materials Corp | 石英粉末の精製方法と装置およびその石英ガラス製品 |
| DE112020001744T5 (de) | 2019-04-05 | 2021-12-23 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Titanhaltiges Quarzglas mit ausgezeichneter UV-Absorption und Verfahren zu dessen Herstellung |
-
1989
- 1989-05-31 JP JP13583489A patent/JP2699107B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08166159A (ja) * | 1994-12-13 | 1996-06-25 | Seiki Suyama | 換気扇コントロールシステム |
| JP2001328807A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-11-27 | Mitsubishi Materials Corp | 石英粉末の精製方法と装置およびその石英ガラス製品 |
| DE112020001744T5 (de) | 2019-04-05 | 2021-12-23 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Titanhaltiges Quarzglas mit ausgezeichneter UV-Absorption und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US12286374B2 (en) | 2019-04-05 | 2025-04-29 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | Titanium-containing quartz glass having excellent UV absorption, and method for producing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2699107B2 (ja) | 1998-01-19 |
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