JPH0353546A - 半導体装置の製造方法およびその製造装置 - Google Patents

半導体装置の製造方法およびその製造装置

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JPH0353546A
JPH0353546A JP1187430A JP18743089A JPH0353546A JP H0353546 A JPH0353546 A JP H0353546A JP 1187430 A JP1187430 A JP 1187430A JP 18743089 A JP18743089 A JP 18743089A JP H0353546 A JPH0353546 A JP H0353546A
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wafer
tape
frame ring
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dicing
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JP1187430A
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Toshio Takeuchi
竹内　利夫
Ichiro Hayashi
一郎 林
Shuichi Osaka
大坂　修一
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Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、半導体装置の製造方法およびその製造装置
に関し、特に半導体ウェハを各ダイスに分割する方法お
よびこれを実行する製造装置に関するものである． ［従来の技術］ 第６八図ないし第６Ｄ図は従来の半導体装置の製造方法
を説明するための、各工程を概略的に示した図である．
第６Ａ図はグイシング工程、第６Ｂ図および第６Ｃ図は
ブレーク工程、第６Ｄ図はエキスバンド工程をそれぞれ
示す．まず第６Ａ図のダイシング工程においては、ダイ
シング装置のウェハバキュームテープル（２）上に固定
されたウェハ（１）に対し、ブレード（３）によってそ
の厚みの１／２程度の深さまで切込みが入れられ、各ダ
イスに仕切る溝が入れられる。溝が入れられたウェハ（
１）はウェハバキュームテープル（２）から外され、裏
面にエキスバンドシ一ト（４）が貼り付けられる。次に
第６Ｂ図もしくは第６Ｃ図のブレーク工程においては、
ウェハ（１）が各ダイスに分割される．第６Ｂ図の方法
の場合は、ブレークテープル（５）の上にウェハ（１）
を裏面を上にして載せ、笈面から回転可能なブレークロ
ーラ（６）を押し付け、切溝部分に亀裂を入れ各ダイス
に分割する。
第６Ｃ図の場合には、ウェハ（１）をおもて面を上にし
てブレーク台（７）に載せ、このブレーク台（７）の曲
率に沿って湾曲する薄板（８）をウェハ（１）のおもて
面側から押し付けて、ブレーク台（７）の＋ｌｈ率を使
って切溝部分に亀裂を入れ、各ダイスに分割する．ブレ
ークを完了したウェハは、エキスバンドシ一ト（４）を
伸張することにより、第６Ｄ図に示すようにブレーク時
に発生したへき開部分（１ａ）の幅Ｗ，より広く、各ダ
イスの間隔を広げ、この状態でエキスバンドリング（９
）によって固定される．そして第６Ｄ図の形態となった
ウェハ（ｌ）は次のグイボンド工程（図示せず）へと送
られる．なおウェハは、２０枚程度が入る１つのカセッ
ト（図示せず）を１製造ロットとし、製造ラインに製造
ロット単位で流される． ［発明が解決しようとする課題］ 従来、半導体装置は以上のように製造されていたので以
下のような課題があった． （ａ）ダイシング後の搬送時にウェハ割れが発生するた
め、ウェハへの切込みをセミフルカットもしくはフルカ
ットにすることができずハーフカットであり、このため
ブレークされない部分が生じる、（ｂ）ブレーク方法が
第７Ｂ図および第７Ｃ図ともダイス表面に圧迫を与える
方法であるため、ダイスに傷を１寸け歩留まり低下およ
び品質を下げる、（ｃ）ウェハへの切込みがハーフカッ
トであるためにへき開部分の幅が広く、ダイス間隔を広
げるエキスバンド工程が特に必要である、（ｄ）ウェハ
サイズが大口径化するにつれて、従来使用しているエキ
スバンドリングでは入らなくなってきた、（ｅ）人手に
よる工程も入っているため、品質にバラッキがある、お
よび（ｆ）各工程がロット単位で処理されることから各
工程が独立しており、このため処理の効率が悪い（工期
が長くかかる）。
この発明は上記のような課題を解決するためになされた
もので、ウェハの大口径化ができるとともに、切込みを
セミフルカットもしくはフルカットにすることができ、
従って品質が向上しかつ工期が短縮できる半導体装置の
製造方法およびその製造装置を得ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］ この発明に係る半導体装置の製造方法においては、紫外
線照射により粘着力が低下する紫外線硬化型テープ（以
下ＵＶテープとする）を使用し、ウェハをこのＵＶテー
プに貼付け、これをフレームリングに固定するウェハマ
ウント工程の後に、ウェハをフレームリングに固定した
状態のままでダイシング工程およびブレーク工程を行い
、その後にＵＶテープにＵＶ線を照射する工程を行うこ
とによって、ダイシングおよびブレーク工程中において
はＵ■テープは高粘着力を持たせるようにし、これらの
工程の後に行われるグイボンド工程に入る前に、ＵＶテ
ープにＵＶ光を照射してその粘着力を低下させ、グイボ
ンド工程においてダイスのビックアップを容易にするよ
うにした．またこの発明に係る製造装置は、上述したウ
ェハマウント工程からＵＶ照射工程までを連結して一貫
連続して処理する． ［作用］ この発明においては、ＵＶテープに貼付けられ、さらに
その状態でフレームリングに固定されたウェハに対して
、その形態のまま、ダイシング、ブレーク、ＵＶ照射の
各処理を施すので、これらの工程を枚葉単位で連続処理
でき、さらにＵＶ照射によりＵＶテープの粘着力を低下
させた状態で、次に行われるグイボンド工程へ複数に分
割された半導体ウェハを供給できる． ［実施例］ 以下、この発明の一実施例を図について説明する．第１
Ａ図ないし第１Ｄ図はこの発明による半導体装置の製造
方法の一実施例を説明するための、各工程を概略的に示
した図である。第１Ａ図はウェハマウント工程、第ＩＢ
図はダイシング工程、第１Ｃ図はブレーク工程、第１Ｄ
図はＵＶ照射工程をそれぞれ示す．各図において、上述
の従来のものと同一符号で示される部分は、同一もしく
は相当部分を示す．ＵＶテープ（１０）は通常は高粘着
力を有し、ＵＶ光が照射されると粘着力が低下する性質
を有するテープである．フレームリング（１１）は、ウ
ェハ（１）を貼り付けたＵＶテープ（１０）をこれに貼
り付け、ウェハ（１）を固定支持するリングである．こ
のフレームリング（１１）は、これのθ方向の位置決め
を行うための位置決め部（１ｈ）を有する．チャック（
１２〉はフレームリング（１１）を挟んで固定するもの
である。ブレーク治具（１３）はウェハ（１）の溝が切
られた部分を裏側から突き上げて、ブレークさせるもの
である．そしてＵＶランプ（１４）はＵ■テープ（１０
）にＵＶ光を照射して、ＵＶテープ《１０）の粘着力を
低下させるものである。第２図はこの発明による半導体
装置の製造装置の基本構成を概略的に示したものである
。第２図において、ウェハマウント部（１６〉の前段に
は、材料の投入を行うローダ部（１５）が設けられる．
以下、ウェハマウント部（１６）、ダイシング部（１７
）、ブレーク部（１８）およびＵＶ照射部〈１９）が順
番に設けられ、ＵＶ照射部（１９）の後段には処理が完
了したウェハの払い出しを行うアンローダ部（２０〉が
設けられる。この発明の製造装置は、この装置の前後の
工程、すなわちウェハマウント部（１６）の前段の工程
の装置、あるいはＵＶ照射部（１９）の後段の工程の装
置との関係から、実際にはこれに合わせて構成の一部が
変更されるが、基本的構成は第２図に示すものである．
なお、矢印（５０）は各工程の間をウェハ（１〉が固定
されたフレームリグ（ｌ１〉を搬送する手段、矢印（６
０〉はウェハマウント部（１６〉の前段、およびＵＶ照
射部（１９）の後段に設けられる材料の搬送を行う手段
を示す。
次に、第ＩＡ図〜第ＩＤ図および第２図に従ってこの発
明の製造装置の動作を簡単に説明する。
ウェハ（１）等の材料がローダ部（ｌ５）からウェハマ
ウント部（ｌ６）へ供給されると、ウェハマウント部（
１６）において、ウェハ（１〉に高粘着力のＵ■テープ
（１０）が貼り付けられ、さらにこのＵ■テープ（１０
）がフレームリング（１１〉に貼り付けられる。フレー
ムリング（１１）に固定されたウェハ（１）はその状態
のままでダイシング部（１７）へ自動搬送される．ダイ
シング部（１７〉においては、ウェハ（１）はバキュー
ムテープル（２）上に固定される．またフレームリング
（１１〉はチャック（ｌ２）に固定され、かつこのチャ
ック（１２）によって下方へ押さえられ、ＵＶテープ（
１０）に張りを与えるとともに、フレームリング（１１
）の上面がバキュームテープル（２）の上面より下位に
なるようにされる。その状態でブレード（３）はウェハ
（１）に対して、切り残す部分を３０μｍ（１）以下と
なるようなセミフルカットあるいはフルカツ１・を施す
。溝の切られたウェハ〈１〉はフレームリング（１ｌ）
に固定された状態のまま、ブレーク部（１８）へ自動搬
送される．ブレーク部（１８〉においては、フレームリ
ング（１１）はチャック（１２）により強固に固定され
、下方から突き上がるブレーク治具（１３）により溝の
入った全ての部分のブレークが行われる。ブレークを完
了したウェハ（１）は同様の形態でＵＶ照射部（１９）
へ自動搬送される．ＵＶ照射部（１９）においては、Ｕ
Ｖテープ（１０）にＵＶランブ（１４）から発生される
Ｕ■光が照射され、テープの粘着力が弱められる．これ
らの処理が完了したウェハ（１）はアンローダ部（２０
）へ自動搬送され、アンローダ部（２０）から払出され
る．以上の工程を枚葉単位で連続処理する．また、次の
工程を行うグイボンド装置へは、ウェハ（１〉をフレー
ムリング（１１〉に固定した状態のまま投入することも
できるし、ウェハ（１）を上述した形態のまま投入でき
ないダイボンド装置の場合には、従来技術に示したエキ
スバンドリングに付け換えてもよい． 上述したように、この発明の製造装置は実際にはその前
後の工程の装置との関係から、構成の一部が変更されて
使用される．そこで、以下に幾つかの実施例を示す．な
お、各実施例において、同一符号を付けた部分は同一も
しくは相当部分を示す。
第３図の実施例の場合、第１のローダ部（１５ａ）およ
び第ｌのアンローダ部（２０ａ）を含むウェハマウント
部（１６）が別に設けられている。ローダ部（１５ａ）
には、フレームリングにまだ固定されていない２０枚程
度のウェハが専用のウェハ・カセット（図示せず）に収
納されて送られてくる。従ってローダ部分（１５ａ）で
はウェハ・カセットがらウェハを１枚ずつ収り出す作業
が行われる。ウェハマウント部（１６）でフレームリン
グ（１１）に固定されたウェハ（１）はアンローダ部（
２０ａ）に送られ、アンローダ部（２０ａ）では、ウェ
ハ（１）がフレームリング（１ｌ）に固定された状態の
まま、専用のフレームリング・カセット（上述したウェ
ハ・カセットとは異なる）に、例えば２０枚程度の単位
で収納される。フレームリング（１１）に固定されたウ
ェハ（１〉は、フレームリング・カセットに収納された
状態で、カセット自動搬送路（２６）および工場内搬送
系（２３）を経由して各ユニット（１１０）へ供給され
る．ウェハマウント部（１６）はその処理速度が他の各
工程より早いため、１つのウェハマウント部（１６）で
複数のユニット（ｉｔｏ）に対して、フレームリング（
ｌ１〉に固定したウェハ（１〉を供給することができる
。供給されたカセットを待機させておく部分であるイン
プット・ステー　ション部（２４）からカセット自動搬
送路（２６〉によって送り出されたフレームリング・カ
セットは、第２のローダ部分（１５ｂ）へ投入される．
エレベータ部（２１）ではカセットに収納されている、
ウェハ（１〉を固定したフレームリング（１１）が一括
して取り出され、これらがエレベータ部に一括して収納
される．ブリアライメント部（２２〉では、エレベータ
部（２ｌ〉に収納されたフレームリング（１１）が１枚
ずつ取り出され、θ方向の簡易角度合わせが行われる。
第２のローダ部（１５ｂ）がら第２のアンローダ部（２
０ｂ）までの間の工程では、ウェハ（１）はフレームリ
ング（ｌ１）に固定されたままの状態でフレームリング
自動搬送路（２７）によって搬送される．第２のローダ
部（１５ｂ）でフレームリング〈１１〉が取り出された
フレームリング・カセットは第２のアンローダ部（２０
ｂ）へ送られ、処理済みのウェハ（１）を固定したフレ
ームリング（１１）を待機する．そして第２のアンロー
ダ部（２０ｂ）では、処理済みのウェハ（１〉を固定し
たフレームリング（１１）がカセットに再度収納される
．所定の枚数のフレームリング（１１）が収納されたカ
セットは、アウトプット・ステーション部〈２５）へ送
られ、その後、工場内搬送系（２３）によって次の工程
の装置，・例えばダイボンド装置に送られる。なお、第
１のローダ部分（１５ａ）と第２のローダ部（１５ｂ）
では、扱うカセットの種類が異なる。第１のアンローダ
部分（２０ａ）と第２のアンローダ部（２０ｂ）では、
同じ力セッＪ・を扱う。
第４図の実施例の場合、第１のアンローダ部（１５ａ）
を含むウェハマウント部（１６〉が別に設けられており
、フレームリング〈ｌ１）に固定されたウェハ（１）が
枚葉単位で工場内搬送系〈２３）を経由して各ユニット
（１１（ｊ）へ供給される。また、アンローダ部（２０
）もユニット（１１０）と別に設けられている。各ユニ
ット（１１０）において、工場内搬送系（２３）から受
け取った、ウェハ（１）を固定したフレームリング（１
１）はインプット・ステーション部（２４）で待機する
．ユニット（１１０）での各工程の処理作業は、全てウ
ェハ（１）がフレームリング（１１）に固定された状態
のままで行われる。所定の処理が完了したウェハ〈１）
が固定されたフレームリング（１１）は、このままの形
態でアウトプット・ステーション部（２５）から工場内
搬送系（２３）を経由して、アンローダ部《２０）に搬
送られる。
第５図の実施例の場合、第１のローダ部（１５ａ）から
アンローダ部（２０ａ）までの、ウェハマウント部（１
６）も含む各部一式づつ備えた複数のユニツ｝　（１２
０）が、工場内搬送系（２３〉に対して並列に設けられ
ている．第５図の各ユニット（１２０）において、第１
のローダ部（１５ａ）へは搬送系（２３）からウェハ（
１）がウェハ・カセットに収納された状態で投入される
．ローダ部分（１５ａ）では、カセットからウェハ（１
）をｌ枚ずつ取り出して単体ウェハ自動搬送路（２８）
でウェハ（１〉を１枚ずつウェハマウン１〜部（ｌ６〉
へ搬送する．ウントマウント部〈１６〉からアンローダ
部（２０ａ）までの間は、ウェハ（１〉は上述したフレ
ームリング（１１〉に固定された状態でフレームリング
自動搬送路〈２７〉によって搬送される．アンローダ部
（２０〉では、処理済みのウェハ（１〉を固定したフレ
ームリング（１ｌ）がフレームリング・カセットに２０
枚程度の単位で収納され、そのフレームリング・カセッ
トがカセット自動搬送路《２６）でアウトプット・ステ
ーション部（２５〉へ送られる．このアウトプット・ス
テーション部（２５）はカセットを次の工程へ送るまで
待機させておく場所である。
［発明の効果］ 以上のようにこの発明によれば、Ｕ■照射により粘着力
が低下するＵＶテープを使用し、ウェハをＵＶテープに
貼り付け、さらにこのＵＶテープをフレームリングに貼
り付けて、ウェハをフレームリングに固定した状態で，
ダイシング、ブレーク、ＵＶ照射を枚葉単位で連続処理
できるようにしたので、工期を短縮することができ、全
自動化による省人化が図れるようになった．また、ダイ
シングの最のウェハへの切り込みを深くすることができ
るようになったことにより、ウェハ表面への非接触処理
が可能となったこと、およびこの発明の製造装置の次段
のダイボンド装置へ、ＵＶテープの粘着力を低下させた
状態でウェハを供給できるようになったことにより、品
質および歩留まりの向上が得られる効果がるる。さらに
、ウェハが大口径化に対しても、安定した状態で処理で
きるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１Ａ図ないし第１Ｄ図はそれぞれこの発明によるウェ
ハマウント工程、ダイシング工程、ブレーク工程および
ＵＶ照射工程を説明するための図、第２図はこの発明に
よる半導体装置の製造装置の基本的構戒を示す構成図、
第３図はこの発明の一実施例による半導体装置の製造装
置の構成図、第４図はこの発明による製造装置の他の実
施例の構戒図、第５図はこの発明によるの製造装置の別
の実施例の構成図、第６Ａ図ないし第６Ｄ図は従来の半
導体装置の製造方法およびその製造装置を説明するため
の図である． 図において、（１）はウェハ、（２）はウェハバキュー
ムテープル、（３〉はブレード、（１０）はＵＶテープ
、（１１）はフレームリング、（１２）はチャック、（
１３）はブレーク治具、（１４）はＵＶランプ、（ｌ５
）と（１５ａ）と（１５ｂ）はローダ部、（１６）はウ
ェハマウント部、（ｌ７）はダイシング部、（１８）は
ブレーク部、（１９）はＵＶ照射部、（２　０　）ト（
２０ａ）と（２０ｂ）はアンローダ部、（２１）はエレ
ベータ部、（２２）はアリアライメント部、（２３）は
工場内搬送系、（２４）はインプット・ステーション部
、（２５）はアウトプット・ステーション部、（２６〉
はカセット自動搬送路、（２７）はフレームリング自動
搬送路、（２８）は単体ウェハ自動搬送路である。 尚、図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体ウェハを複数のダイスに分割する過程にお
    いて、 上記半導体ウェハをＵＶテープに貼り付け、このＵＶテ
    ープをさらにフレームリング貼り付けて、上記ウェハを
    フレームリングに固定するウェハマウント工程と、 上記半導体ウェハに複数のダイスに分割するための溝を
    切るダイシング工程と、 上記半導体ウェハの溝が切られた部分をブレーク治具に
    より裏側から突き上げて半導体ウェハを各ダイスに分割
    するブレーク工程と、 上記ＵＶテープにＵＶ光を照射するＵＶ照射工程と、 を備え、上記ダイシング工程、ブレーク工程およびＵＶ
    照射工程を、上記半導体ウェハをフレームリングに固定
    された形態で処理する半導体装置の製造方法。
  2. （２）半導体ウェハを複数のダイスに分割するための半
    導体装置の製造装置であって、 上記半導体ウェハをＵＶテープに貼り付け、このＵＶテ
    ープをさらにフレームリング貼り付けて、上記ウェハを
    フレームリングに固定するウェハマウント手段と、 上記半導体ウェハに複数のダイスに分割するための溝を
    入れるダイシング手段と、 上記半導体ウェハの溝が切られた部分をブレーク治具に
    より裏側から突き上げて半導体ウェハを各ダイスに分割
    するブレーク手段と、 上記ＵＶテープにＵＶ光を照射するＵＶ照射手段と、 上記ウェハマウント手段、ダイシング手段、ブレーク手
    段およびＵＶ照射手段の順番で上記半導体ウェハを、上
    記フレームリングに固定された状態のままで搬送する搬
    送手段と、 を備えた、上記ウェハマウント手段からＵＶ照射手段ま
    での工程を連結して、一貫連続して行う半導体装置の製
    造装置。
  3. （３）上記ウェハマウント手段の前段およびＵＶ照射手
    段の後段に材料を自動で授受する材料搬送手段を備えた
    ことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の半導体装
    置の製造装置。
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