JPH0353550A - Ｉｃパッケージ - Google Patents

Ｉｃパッケージ

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Publication number
JPH0353550A
JPH0353550A JP1189391A JP18939189A JPH0353550A JP H0353550 A JPH0353550 A JP H0353550A JP 1189391 A JP1189391 A JP 1189391A JP 18939189 A JP18939189 A JP 18939189A JP H0353550 A JPH0353550 A JP H0353550A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
package
ground terminal
present
resin layer
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1189391A
Other languages
English (en)
Inventor
Takahiro Ono
小野　高宏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP1189391A priority Critical patent/JPH0353550A/ja
Publication of JPH0353550A publication Critical patent/JPH0353550A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W42/00—Arrangements for protection of devices
    • H10W42/20—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons
    • H10W42/261—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons characterised by their shapes or dispositions
    • H10W42/276—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons characterised by their shapes or dispositions the arrangements being on an external surface of the package, e.g. on the outer surface of an encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はＩＣパッケージに関し、特に樹脂封止型のＩＣ
パッケージに関する． 〔従来の技術〕 従来のＩＣパッケージは、樹脂を用いてＩＣチップを封
入し、外面はその樹脂層表面が露出していた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のＩＣパッケージの楕造では、ＩＣチップ
を含む樹脂層に帯電した場合、その電荷は抜けにくい。
このため、電荷は樹脂層内に比較的長い時間帯電する．
そして、この電荷が発生する電位と、ＩＣチップ上の電
位による電位差がＩＣチップに影響を与えることにより
、ＩＣが誤動作するという欠点がある． 本発明の目的は、樹脂層の帯電によるＩＣの誤動作のな
いＩＣパッケージを提供することにある． 〔課題を解決するための手段〕 本発明のＩＣパッケージは、外表面に導伝性の被膜と、
該被膜とＩＣのグランド端子とを接続するグランド端子
接続部を有している。
〔実施例〕
次に、本発明の夾施例について図面を参照して説明する
． 第１図（ａ）．（ｂ）は本発明の第１の実施例の斜視図
及び断面図である。
第１の実施例は、第１図（ａ），（ｂ）に示すように、
ＩＣチップ１１を包む樹脂層１２の表面に金属を蒸着し
、導伝性蒸着膜１３の被膜とグランド端子接続部１４と
を形成する。このようにして、導伝性蒸着膜１３の被膜
は、ＩＣのグランド端子１５に接続され、ＩＣパッケー
ジの表面を被覆する。
第２図（ａ）．（ｂ）は本発明の第２の実施例の斜視図
及び断面図である． 第２の実施例は、第２図（ａ），（ｂ）に示すように、
ＩＣチップ１１を包む樹脂層１２の表面に接着剤２６に
より金属箔２３の被膜とグランド端子接続部１４を接着
し、グランド端子接続部２４の先端をグランド端子１５
に接続する．このようにして、グランド端子１５に接続
された金属箔２３の被膜がＩＣパッケージの表面を被覆
する。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、ＩＣパッケージ表面に導
伝性の被膜を有し、この導伝性被膜をクランド端子と接
続することにより、樹脂層の帯電を起りに＜＜シ、帯電
によるＩＣの誤動作を起さないという効果がある。
【図面の簡単な説明】 第１図（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施例の斜視図
及び断面図、第２図（ａ），（ｂ）は本発明の第２の実
施例の斜視図及び断面図である． １１・・・ＩＣチップ、１２・・・樹脂層、１３・・・
導伝性蒸着膜、１４．２４・・・グランド端子接続部、
１５・・・グランド端子、２３・・・金属箔、２６・・
・接着剤。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　外表面に導伝性の被膜と、該被膜とＩＣのグランド端
    子とを接続するグランド端子接続部を有することを特徴
    とするＩＣパッケージ。
JP1189391A 1989-07-21 1989-07-21 Ｉｃパッケージ Pending JPH0353550A (ja)

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JPH0353550A true JPH0353550A (ja) 1991-03-07

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2774810A1 (fr) * 1998-02-10 1999-08-13 St Microelectronics Sa Boitier semi-conducteur blinde et procede pour sa fabrication
JP2007156672A (ja) * 2005-12-02 2007-06-21 Akita Denshi Systems:Kk リーダライタモジュール
JP2014127707A (ja) * 2012-12-27 2014-07-07 Toshiba Corp 電子部品
US9217702B2 (en) 2002-08-06 2015-12-22 The Regents Of The University Of California Biomarker normalization
US9335243B2 (en) 2006-12-11 2016-05-10 Tearlab Research, Inc. Systems and methods for collecting tear film and measuring tear film osmolarity
US11536707B2 (en) 2014-09-23 2022-12-27 Tearlab Research, Inc. Systems and methods for integration of microfluidic tear collection and lateral flow analysis of analytes of interest

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2774810A1 (fr) * 1998-02-10 1999-08-13 St Microelectronics Sa Boitier semi-conducteur blinde et procede pour sa fabrication
US6312975B1 (en) 1998-02-10 2001-11-06 Stmicroelectronics S.A. Semiconductor package and method of manufacturing the same
US9217702B2 (en) 2002-08-06 2015-12-22 The Regents Of The University Of California Biomarker normalization
US9217701B2 (en) 2002-08-06 2015-12-22 The Regents Of The University Of California Biomarker normalization
JP2007156672A (ja) * 2005-12-02 2007-06-21 Akita Denshi Systems:Kk リーダライタモジュール
US9335243B2 (en) 2006-12-11 2016-05-10 Tearlab Research, Inc. Systems and methods for collecting tear film and measuring tear film osmolarity
JP2014127707A (ja) * 2012-12-27 2014-07-07 Toshiba Corp 電子部品
US11536707B2 (en) 2014-09-23 2022-12-27 Tearlab Research, Inc. Systems and methods for integration of microfluidic tear collection and lateral flow analysis of analytes of interest

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