JPH0353606A - 積層型ｌｒフィルタの製造方法 - Google Patents
積層型ｌｒフィルタの製造方法Info
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- JPH0353606A JPH0353606A JP1189988A JP18998889A JPH0353606A JP H0353606 A JPH0353606 A JP H0353606A JP 1189988 A JP1189988 A JP 1189988A JP 18998889 A JP18998889 A JP 18998889A JP H0353606 A JPH0353606 A JP H0353606A
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- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、ＮｉＺｎ系フェライトのグリーンシー１・を
積層して形成された積層型ＬＲフィルタの製造方法に関
する． ［背景技術］ 現在、ＥＭＩ（電磁干渉）除去用インダクタとしては、
巻線タイプのチップコイルや積層型のチップコイルが多
く使用されている。
積層して形成された積層型ＬＲフィルタの製造方法に関
する． ［背景技術］ 現在、ＥＭＩ（電磁干渉）除去用インダクタとしては、
巻線タイプのチップコイルや積層型のチップコイルが多
く使用されている。
このうち積層型のチップコイル５１は、第６図及び第７
図に示すように、複数枚のフェライトのグリーンシート
５２．５３及び５４を積層して形成したフェライト素体
５５の内部に、コイル状またはストレート状等の内部電
極５６を形成し、フェライト素体５５の外面に内部電極
５６と導通した外部電極５７を形成したものである。第
６図は、このような積層型チップコイル５１の外観斜視
図であり、第７図はその一製造過程を表している． 第７図を参照しながら、この積層型チップコイル５ｌの
製造方法を詳しく説明する．フェライト素体５５は、印
刷シ一ト５８の上下両面に複数枚のグリーンシート５２
．５４ （ダミーシ一ト）を積層することによって形成
されている．この印刷シート５８は、グリーンシート５
３の表裏両面に銀または銀パラジウムの導電ペーストを
印刷することにより、それぞれ０．７５ターンのコイル
部５９と外部引き出し電極６０からなる内部電極５６を
形戒したものであり、グリーンシート５３に穿孔された
スルーホール６１を通して表裏のコイル部５９の先端同
士を導通させ、外部引き出し電極６０間に１．５ターン
のコイル部５９を形成してある．しかして、上記のよう
な印刷シート５８の上下両面に何も印刷されていない複
数枚のグリーンシー｝５２．５４を積層して平面加圧す
ることにより一体化し、積層されたグリーンシート５２
，５３．５４によってフェライト素体５５が形成される
．この後、生のフェライト素体５５は空気中において適
当な温度で焼成され、一体焼成品のフェライト素体５５
が製作される。さらに、バレル研磨もしくは平面研磨に
よってフェライト素体５５の両端を研削し、内部の外部
引き出し電ｆ！６０を露出させた後、第６図に示すよう
にフェライト素体５５の両端外面に銀または銀パラジウ
ムの導電ペーストを塗布し、空気中で焼成することによ
り外部引き出し電極６０と導通した外部電極５７を形成
している．このようにして製造された積層型チップコイ
ル５１においては、空気中で焼成されたフェライト素体
５５は高抵抗の絶縁体であった． ［発明が解決しようとする課題］ 上記のようにして製造された積層型チップコイルをデシ
タル回路等のＥＭＩ除去フィルタ用として使用した場合
、このチップコイルは高周波域で必ず共振点ｆ。を持ち
、それ以上の周波数ではインダクタの働きをせず、むし
ろキャパシタとして働き、周波数−インピーダンス特性
は第８図に実線で示す曲線イのようになる．この共振点
ｆ。においては、インダクタとキャパシタの並列共振の
ため、使用される回路によっては異常発振が発生し、か
えって有害なノイズを発生させる．このような場合には
、インダクタに並列に抵抗体等のインピーダンス素子を
接続して用いられる．このようにインダクタに並列に抵
抗体等のインピーダンス素子を接続して用いると、周波
数−インピーダンス特性は第８図に破線で示す曲線ロの
ように滑らかになり、共振点がなくなる．したがって、
滑らかなノイズ除去特性を得ることができ、使用回路を
制限されることなく広い用途に利用できるようになる． このように積層型チップコイルを用いた場合には、使用
回路によっては異常発振が発生し、有害なノイズを生じ
ることがあるので、この対策としてインダクタに並列に
抵抗体等のインピーダンス素子を接続する必要があるが
、従来の積層型チップコイルには内部に抵抗体を内蔵し
たものはなかったので、このような場合には抵抗体等の
個別電気部品を外付けする必要があり、電子回路のコス
トが増大すると共に半田付け等の処理が必要となって面
倒が増し、また電子回路の小型化の妨げにもなっていた
。
図に示すように、複数枚のフェライトのグリーンシート
５２．５３及び５４を積層して形成したフェライト素体
５５の内部に、コイル状またはストレート状等の内部電
極５６を形成し、フェライト素体５５の外面に内部電極
５６と導通した外部電極５７を形成したものである。第
６図は、このような積層型チップコイル５１の外観斜視
図であり、第７図はその一製造過程を表している． 第７図を参照しながら、この積層型チップコイル５ｌの
製造方法を詳しく説明する．フェライト素体５５は、印
刷シ一ト５８の上下両面に複数枚のグリーンシート５２
．５４ （ダミーシ一ト）を積層することによって形成
されている．この印刷シート５８は、グリーンシート５
３の表裏両面に銀または銀パラジウムの導電ペーストを
印刷することにより、それぞれ０．７５ターンのコイル
部５９と外部引き出し電極６０からなる内部電極５６を
形戒したものであり、グリーンシート５３に穿孔された
スルーホール６１を通して表裏のコイル部５９の先端同
士を導通させ、外部引き出し電極６０間に１．５ターン
のコイル部５９を形成してある．しかして、上記のよう
な印刷シート５８の上下両面に何も印刷されていない複
数枚のグリーンシー｝５２．５４を積層して平面加圧す
ることにより一体化し、積層されたグリーンシート５２
，５３．５４によってフェライト素体５５が形成される
．この後、生のフェライト素体５５は空気中において適
当な温度で焼成され、一体焼成品のフェライト素体５５
が製作される。さらに、バレル研磨もしくは平面研磨に
よってフェライト素体５５の両端を研削し、内部の外部
引き出し電ｆ！６０を露出させた後、第６図に示すよう
にフェライト素体５５の両端外面に銀または銀パラジウ
ムの導電ペーストを塗布し、空気中で焼成することによ
り外部引き出し電極６０と導通した外部電極５７を形成
している．このようにして製造された積層型チップコイ
ル５１においては、空気中で焼成されたフェライト素体
５５は高抵抗の絶縁体であった． ［発明が解決しようとする課題］ 上記のようにして製造された積層型チップコイルをデシ
タル回路等のＥＭＩ除去フィルタ用として使用した場合
、このチップコイルは高周波域で必ず共振点ｆ。を持ち
、それ以上の周波数ではインダクタの働きをせず、むし
ろキャパシタとして働き、周波数−インピーダンス特性
は第８図に実線で示す曲線イのようになる．この共振点
ｆ。においては、インダクタとキャパシタの並列共振の
ため、使用される回路によっては異常発振が発生し、か
えって有害なノイズを発生させる．このような場合には
、インダクタに並列に抵抗体等のインピーダンス素子を
接続して用いられる．このようにインダクタに並列に抵
抗体等のインピーダンス素子を接続して用いると、周波
数−インピーダンス特性は第８図に破線で示す曲線ロの
ように滑らかになり、共振点がなくなる．したがって、
滑らかなノイズ除去特性を得ることができ、使用回路を
制限されることなく広い用途に利用できるようになる． このように積層型チップコイルを用いた場合には、使用
回路によっては異常発振が発生し、有害なノイズを生じ
ることがあるので、この対策としてインダクタに並列に
抵抗体等のインピーダンス素子を接続する必要があるが
、従来の積層型チップコイルには内部に抵抗体を内蔵し
たものはなかったので、このような場合には抵抗体等の
個別電気部品を外付けする必要があり、電子回路のコス
トが増大すると共に半田付け等の処理が必要となって面
倒が増し、また電子回路の小型化の妨げにもなっていた
。
しかして、本発明は叙上の従来例の欠点に鑑みてなされ
たものであり、その目的とするところは個別の電子部品
を外付けすることなく、滑らかなＥＭＩ除去特性を得る
ことのできる積層型ＬＲフィルタの製造方法を提供する
ことにある．［課題を解決するための手段コ このため、本発明の積層型ＬＲフィルタの製造方法は、
ＮｉＺｎ系フェライｌ・のグリーンシートを積層するこ
とによって形成したフェライト素体の内部に銀、銀パラ
ジウム，銅等の導電ペーストを用いてインダクタンスと
して働く内部電極を形成すると共に、このフェライト素
体の外面に銀、銀パラジウム、銅等の導電ペーストを用
いて外部電極を形成した後、このフェライト素体をＨ２
， ＣＯガス等の還元雰囲気もしくはＮ２， Ａｒガス
等の中性雰囲気で酸素濃度０１％以下の中で焼成するこ
とにより、前記フェライト素体を低抵抗化することを特
徴としている。
たものであり、その目的とするところは個別の電子部品
を外付けすることなく、滑らかなＥＭＩ除去特性を得る
ことのできる積層型ＬＲフィルタの製造方法を提供する
ことにある．［課題を解決するための手段コ このため、本発明の積層型ＬＲフィルタの製造方法は、
ＮｉＺｎ系フェライｌ・のグリーンシートを積層するこ
とによって形成したフェライト素体の内部に銀、銀パラ
ジウム，銅等の導電ペーストを用いてインダクタンスと
して働く内部電極を形成すると共に、このフェライト素
体の外面に銀、銀パラジウム、銅等の導電ペーストを用
いて外部電極を形成した後、このフェライト素体をＨ２
， ＣＯガス等の還元雰囲気もしくはＮ２， Ａｒガス
等の中性雰囲気で酸素濃度０１％以下の中で焼成するこ
とにより、前記フェライト素体を低抵抗化することを特
徴としている。
また、内部電極もしくは外部電極のうち少なくとも一方
を銅電極とするのが好ましい。
を銅電極とするのが好ましい。
さらに、外部電極の表面にはＮｉ， Ｓｎ等のメッキを
施しても良い。
施しても良い。
［作用コ
本発明にあっては、焼成前のフェライト素体に導電ペー
ストにより内部電極および外部電極を形成した後、これ
をＨ２， ＣＯガス等の還元雰囲気もしくはＮ２， Ａ
ｒガス等の中性雰囲気で酸素濃度０．１％以下の中で焼
戒したところ、ＮｉＺｎ系フェライト中のＦｅ２０３
， ＣｕＯの中の酸素の一部が抜けてフェライト素体が
半導体化され、低抵抗化した。このため、インダクタン
スとして働く内部電極の両端間に低抵抗のフェライト層
（フェライト素体〉が並列に配置され、内部電極による
インダクタンスとフェライト素体による抵抗を並列接続
したのと同じ等価回路を構成することができた． したがって、個別の抵抗体を外付けずることなく、従来
の積層型チップコイルに個別部品の抵抗体を外付けした
場合と同様な共振点のない周波数インピーダンス特性を
得ることができる。
ストにより内部電極および外部電極を形成した後、これ
をＨ２， ＣＯガス等の還元雰囲気もしくはＮ２， Ａ
ｒガス等の中性雰囲気で酸素濃度０．１％以下の中で焼
戒したところ、ＮｉＺｎ系フェライト中のＦｅ２０３
， ＣｕＯの中の酸素の一部が抜けてフェライト素体が
半導体化され、低抵抗化した。このため、インダクタン
スとして働く内部電極の両端間に低抵抗のフェライト層
（フェライト素体〉が並列に配置され、内部電極による
インダクタンスとフェライト素体による抵抗を並列接続
したのと同じ等価回路を構成することができた． したがって、個別の抵抗体を外付けずることなく、従来
の積層型チップコイルに個別部品の抵抗体を外付けした
場合と同様な共振点のない周波数インピーダンス特性を
得ることができる。
また、低濃度酸素雰囲気中で内部電極及び外部電極を焼
或することにより、両電極の酸化を防止することができ
る． ［実施例コ 以下、本発明の実施例を添付図に基づいて詳述する． フェライト素体４は、第１図に示すように、印刷シ一ト
７の上下両面にそれぞれ複数枚のＮｉＺｎ系フェライト
のグリーンシート１．３を積層し、平面加圧したもので
ある。印刷シ一ト７は、ＮｉＺｎ系フェライトのグリー
ンシート２の表面に銀、銀パラジウムもしくは銅等の内
部電極５を形成したものであり、第１図の図示例では、
グリーンシート２の一方表面において外部引き出し電極
８間にストレート状のインダクタ部９を設けてある。ま
た、印刷シ一ト７の上下のグリーンシート１．３は、ダ
ミーシ一トであって、電極等の設けられていないもので
みる．積層型ＬＲフィルタ１ｏは、上記のようにして積
層一体化した生のフェライト素体４を焼成して得た一体
焼成品の両端部外面に外部引き出し電極８と導通した銀
、銀パラジウムもしくは銅等の外部電極６を形成したも
のである．また、このＮｉＺｎ系フェライトがらなるフ
ェライト素体４は、半導体化させることによって低抵抗
化されており、この結果外部電極６間にはインダクタ部
９によって付与されるインダクタンスＬと低抵抗化され
たフェライト素体４によって付与された抵抗Ｒとが並列
に接続されており、この積層型ＬＲフィルタ１０の等価
回路は第３図のようになっている． つぎに、上記積層型ＬＲフィルタ１０の製造方法を説明
する．まず、ＮｉＺｎ系フェライト粉末及び有機溶媒、
バインダー等を混練して泥しようにした後、押し出し法
、引き上げ法あるいはブレード法によりシート状に或形
し、複数枚のＮｉＺｎ系フェライトのグリーンシート１
，２及び３を得る．ついで、グリーンシー１・２の表面
に銀、銀バラジウムもしくは銅等の導電ペーストを印刷
して所定パターンの内部ｔ％５を形成し、印刷シ一ト７
を得る．印刷シ一ト７の表裏両面に適宜の枚数のグリー
ンシート１，３をダミーシ一トとして重ね、ダミーシ一
ト間に印刷シ一ト７を挟み込み、上下から平面加圧し、
各グリーンシート１，２及び３を密着させ、生のフェラ
イト素体４を成形する。この後、フェライト素体４の両
端に外部引き出し電極８を露出させ、この外部引き出し
電極８の露出部分と導通させるようにしてフェライト素
体４の両端部外面に銀、銀パラジウムもしくは銅等の導
電ペーストを塗布し、外部電極６を形成する．この後、
生のフェライト素体４及び導電ペーストによりて形成さ
れている内部電極５及び外部電極６が同時に焼成され、
一体焼戒品の積層型ＬＲフィルタ１０が製造される．本
発明の実施例にあっては、この焼或工程で、Ｈ２， Ｃ
Ｏガス等の還元雰囲気もしくはＮ２， Ａｒガス等の中
性雰囲気で酸素濃度Ｏ．１％以下の雰囲気中において、
適宜温度で焼成される。このような低酸素濃度雰囲気中
で内部電極５及び外部電ｆ！６を焼成すれば、焼成中に
おける両電８ｉ！５及び６の酸化を防止することができ
る。しかも、スビネル型フェライトを還元または中性雰
囲気などの酸素分圧の低い雰囲気中で熱処理すると、フ
ェライト組成中のＦｅ２０３ ， ＣｕＯの中の酸素原
子の一部が抜け出てＦｅ及びＣｕの原子価の一部がＦｅ
”→Ｆｅ” ， Ｃｕ”→Ｃｕ＋と変化する．この結果
、フェライト素体４が半導体化して低抵抗となり、空気
中で焼成した場合のＮｉＺｎ系フェライトの固有抵抗が
１０９Ωｃｍ以上であるのに対し、１０〜１０４Ωｃｍ
という小さな抵抗率が得られた。
或することにより、両電極の酸化を防止することができ
る． ［実施例コ 以下、本発明の実施例を添付図に基づいて詳述する． フェライト素体４は、第１図に示すように、印刷シ一ト
７の上下両面にそれぞれ複数枚のＮｉＺｎ系フェライト
のグリーンシート１．３を積層し、平面加圧したもので
ある。印刷シ一ト７は、ＮｉＺｎ系フェライトのグリー
ンシート２の表面に銀、銀パラジウムもしくは銅等の内
部電極５を形成したものであり、第１図の図示例では、
グリーンシート２の一方表面において外部引き出し電極
８間にストレート状のインダクタ部９を設けてある。ま
た、印刷シ一ト７の上下のグリーンシート１．３は、ダ
ミーシ一トであって、電極等の設けられていないもので
みる．積層型ＬＲフィルタ１ｏは、上記のようにして積
層一体化した生のフェライト素体４を焼成して得た一体
焼成品の両端部外面に外部引き出し電極８と導通した銀
、銀パラジウムもしくは銅等の外部電極６を形成したも
のである．また、このＮｉＺｎ系フェライトがらなるフ
ェライト素体４は、半導体化させることによって低抵抗
化されており、この結果外部電極６間にはインダクタ部
９によって付与されるインダクタンスＬと低抵抗化され
たフェライト素体４によって付与された抵抗Ｒとが並列
に接続されており、この積層型ＬＲフィルタ１０の等価
回路は第３図のようになっている． つぎに、上記積層型ＬＲフィルタ１０の製造方法を説明
する．まず、ＮｉＺｎ系フェライト粉末及び有機溶媒、
バインダー等を混練して泥しようにした後、押し出し法
、引き上げ法あるいはブレード法によりシート状に或形
し、複数枚のＮｉＺｎ系フェライトのグリーンシート１
，２及び３を得る．ついで、グリーンシー１・２の表面
に銀、銀バラジウムもしくは銅等の導電ペーストを印刷
して所定パターンの内部ｔ％５を形成し、印刷シ一ト７
を得る．印刷シ一ト７の表裏両面に適宜の枚数のグリー
ンシート１，３をダミーシ一トとして重ね、ダミーシ一
ト間に印刷シ一ト７を挟み込み、上下から平面加圧し、
各グリーンシート１，２及び３を密着させ、生のフェラ
イト素体４を成形する。この後、フェライト素体４の両
端に外部引き出し電極８を露出させ、この外部引き出し
電極８の露出部分と導通させるようにしてフェライト素
体４の両端部外面に銀、銀パラジウムもしくは銅等の導
電ペーストを塗布し、外部電極６を形成する．この後、
生のフェライト素体４及び導電ペーストによりて形成さ
れている内部電極５及び外部電極６が同時に焼成され、
一体焼戒品の積層型ＬＲフィルタ１０が製造される．本
発明の実施例にあっては、この焼或工程で、Ｈ２， Ｃ
Ｏガス等の還元雰囲気もしくはＮ２， Ａｒガス等の中
性雰囲気で酸素濃度Ｏ．１％以下の雰囲気中において、
適宜温度で焼成される。このような低酸素濃度雰囲気中
で内部電極５及び外部電ｆ！６を焼成すれば、焼成中に
おける両電８ｉ！５及び６の酸化を防止することができ
る。しかも、スビネル型フェライトを還元または中性雰
囲気などの酸素分圧の低い雰囲気中で熱処理すると、フ
ェライト組成中のＦｅ２０３ ， ＣｕＯの中の酸素原
子の一部が抜け出てＦｅ及びＣｕの原子価の一部がＦｅ
”→Ｆｅ” ， Ｃｕ”→Ｃｕ＋と変化する．この結果
、フェライト素体４が半導体化して低抵抗となり、空気
中で焼成した場合のＮｉＺｎ系フェライトの固有抵抗が
１０９Ωｃｍ以上であるのに対し、１０〜１０４Ωｃｍ
という小さな抵抗率が得られた。
上記のようにして製造された積層型ＬＲフィルタ１０に
あっては、内部電極５によって付与されたインダンタン
スＬとフェライト素体４によってけ与された抵抗Ｒとに
よって第３図のようなインダクタンスＬと抵抗Ｒからな
るフィルタが構成されるので、従来のインダクタンス素
子としてのみ働く積層型チップコイルに外部抵抗体を外
付けしたのと同じ機能を得ることができる．すなわち、
この積層型ＬＲフィルタ１０の周波数−インピーダンス
特性は第４図に示すようになり、積層型チップコイルに
抵抗体を並列に外付けした時の周波数−インピーダンス
特性（第８図の曲線ロ）と同様、共振点のない滑らかな
周波数−インピーダンス特性を得ることができた。しか
も、フェライト素体４を低抵抗化することによって内部
抵抗を形成しているので、外形寸法が大きくなることが
なく、部品を小形化でき、従来のように外付け抵抗体を
用いる場合と比較すると、部品点数を少なくできて電気
回路をコンパクト化して高集積化を図れ、また外付け抵
抗体を半田付けする手間が省けると共に半田付け不良の
おそれがなくて接続信頼性が向上し、コストも安価にで
きる．また、電極材料として安価な銅を使用すると酸化
し易いという問題があるが、本発明にあっては内部及び
外部電極５．６を低酸素濃度雰囲気で焼成しているので
、電極材料に銅を使用しても焼成時における酸化を防止
でき、コストをより安価に抑えることができる。さらに
、外部に露出している外部電極６の表面にＮｉメッキや
Ｓｎメッキ等を施せば、焼成後も外部電ｉ６の酸化を防
止することができる． なお、上記の説明では、積層型ＬＲフィルタを個々に製
造するように述べたが、実際の量産工程では、内部電極
の繰り返しパターンを印刷された大きな印刷マザーシ一
トの両面に大きなダミーのマザーシ一トを積層して加圧
一体化し、この生成形体をカットして一度に多数のフェ
ライト素体を製作する． 第５図に示すものは本発明の他例であり，印刷シ一ト７
の一方表面において、外部引き出し電極８間にジグザグ
状のインダクタ部９を設けたものである． また、図示しないが、内部電極の構造としては、第７図
に従来例として示した内部電極のようにグリーンシート
の表裏に設けた０．７５ターンのＪ形電極をスルーホー
ルを通して連続させて１．５ターンのインダクタ部を形
成したものでもよい。
あっては、内部電極５によって付与されたインダンタン
スＬとフェライト素体４によってけ与された抵抗Ｒとに
よって第３図のようなインダクタンスＬと抵抗Ｒからな
るフィルタが構成されるので、従来のインダクタンス素
子としてのみ働く積層型チップコイルに外部抵抗体を外
付けしたのと同じ機能を得ることができる．すなわち、
この積層型ＬＲフィルタ１０の周波数−インピーダンス
特性は第４図に示すようになり、積層型チップコイルに
抵抗体を並列に外付けした時の周波数−インピーダンス
特性（第８図の曲線ロ）と同様、共振点のない滑らかな
周波数−インピーダンス特性を得ることができた。しか
も、フェライト素体４を低抵抗化することによって内部
抵抗を形成しているので、外形寸法が大きくなることが
なく、部品を小形化でき、従来のように外付け抵抗体を
用いる場合と比較すると、部品点数を少なくできて電気
回路をコンパクト化して高集積化を図れ、また外付け抵
抗体を半田付けする手間が省けると共に半田付け不良の
おそれがなくて接続信頼性が向上し、コストも安価にで
きる．また、電極材料として安価な銅を使用すると酸化
し易いという問題があるが、本発明にあっては内部及び
外部電極５．６を低酸素濃度雰囲気で焼成しているので
、電極材料に銅を使用しても焼成時における酸化を防止
でき、コストをより安価に抑えることができる。さらに
、外部に露出している外部電極６の表面にＮｉメッキや
Ｓｎメッキ等を施せば、焼成後も外部電ｉ６の酸化を防
止することができる． なお、上記の説明では、積層型ＬＲフィルタを個々に製
造するように述べたが、実際の量産工程では、内部電極
の繰り返しパターンを印刷された大きな印刷マザーシ一
トの両面に大きなダミーのマザーシ一トを積層して加圧
一体化し、この生成形体をカットして一度に多数のフェ
ライト素体を製作する． 第５図に示すものは本発明の他例であり，印刷シ一ト７
の一方表面において、外部引き出し電極８間にジグザグ
状のインダクタ部９を設けたものである． また、図示しないが、内部電極の構造としては、第７図
に従来例として示した内部電極のようにグリーンシート
の表裏に設けた０．７５ターンのＪ形電極をスルーホー
ルを通して連続させて１．５ターンのインダクタ部を形
成したものでもよい。
［発明の効果］
本発明によれば、フェライト素体を低抵抗化させること
によりワンチップの積層型ＬＲフィルタ内に抵抗体を形
成することができる。このため、内部電極によるインダ
クタンスにフェライト素１水による抵抗を並列に接続し
たのと等価な回路の積層型ＬＲフィルタを製造すること
ができ、共振点のない周波数インピーダ特性を得ること
ができる．すなわち、滑らかなＥＭＩ除去特性が得られ
、使用回路等の制限をなくすことができ、汎用性が増す
。
によりワンチップの積層型ＬＲフィルタ内に抵抗体を形
成することができる。このため、内部電極によるインダ
クタンスにフェライト素１水による抵抗を並列に接続し
たのと等価な回路の積層型ＬＲフィルタを製造すること
ができ、共振点のない周波数インピーダ特性を得ること
ができる．すなわち、滑らかなＥＭＩ除去特性が得られ
、使用回路等の制限をなくすことができ、汎用性が増す
。
また、外付け抵抗を必要としなくなるので、電子回路の
コストを安価にできると共に電子回路を小形化すること
ができ、外付け抵抗を半田付けずる必要がないので、接
続信頼性が増すと共に半田付け作業も不要となる。
コストを安価にできると共に電子回路を小形化すること
ができ、外付け抵抗を半田付けずる必要がないので、接
続信頼性が増すと共に半田付け作業も不要となる。
また、内部電極及び外部電極が、焼き付け時に酸化しな
いので、銅のような安価な電極材料を用いることができ
る。
いので、銅のような安価な電極材料を用いることができ
る。
第１図は本発明の一実施例における製造過程の斜視図、
第２図は同上の積層型ＬＲフィルタの断面図、第３図は
同上の等価回路図、第４図は同上の周波数一インピーダ
ンス特性を示すグラフ、第５図は本発明の他例における
製造過程の斜視図、第６図は従来例の斜視図、第７図は
従来例の製造過程における斜視図、第８図は従来例の周
波数一インピーダンス特性を示すグラフである。 １，２．３・・・グリーンシート ４・・・フェライト素体 ５・・・内部電極 ６・・・外部電極 第 １ 図 第 ２ 図 第 ４ 図 １２＋ 第 ６ 図 ５１ 第 ８ 図 １２＋
第２図は同上の積層型ＬＲフィルタの断面図、第３図は
同上の等価回路図、第４図は同上の周波数一インピーダ
ンス特性を示すグラフ、第５図は本発明の他例における
製造過程の斜視図、第６図は従来例の斜視図、第７図は
従来例の製造過程における斜視図、第８図は従来例の周
波数一インピーダンス特性を示すグラフである。 １，２．３・・・グリーンシート ４・・・フェライト素体 ５・・・内部電極 ６・・・外部電極 第 １ 図 第 ２ 図 第 ４ 図 １２＋ 第 ６ 図 ５１ 第 ８ 図 １２＋
Claims (3)
- （１）ＮｉＺｎ系フェライトのグリーンシートを積層す
ることによって形成したフェライト素体の内部に銀、銀
パラジウム、銅等の導電ペーストを用いてインダクタン
スとして働く内部電極を形成すると共に、このフェライ
ト素体の外面に銀、銀パラジウム、銅等の導電ペースト
を用いて外部電極を形成した後、 このフェライト素体をＨ＿２，ＣＯガス等の還元雰囲気
もしくはＮ＿２，Ａｒガス等の中性雰囲気で酸素濃度０
．１％以下の中で焼成することにより、前記フェライト
素体を低抵抗化することを特徴とする積層型ＬＲフィル
タの製造方法。 - （２）前記内部電極及び外部電極のうち少なくともいづ
れか一方を銅ペーストを用いて形成することを特徴とす
る請求項１に記載の積層型ＬＲフィルタの製造方法。 - （３）前記外部電極の表面にＮｉ、Ｓｎ等のメッキを施
したことを特徴とする請求項１又は２に記載の積層型Ｌ
Ｒフィルタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1189988A JP2710244B2 (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 積層型ｌｒフィルタとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1189988A JP2710244B2 (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 積層型ｌｒフィルタとその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0353606A true JPH0353606A (ja) | 1991-03-07 |
| JP2710244B2 JP2710244B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=16250512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1189988A Expired - Fee Related JP2710244B2 (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 積層型ｌｒフィルタとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2710244B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7317660B2 (en) | 1998-08-04 | 2008-01-08 | Teledyne Rd Instruments, Inc. | System and method for measuring wave directional spectrum and wave height |
| JP2010245088A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型セラミック電子部品の製造方法 |
| WO2012173147A1 (ja) * | 2011-06-15 | 2012-12-20 | 株式会社 村田製作所 | 積層コイル部品、及び該積層コイル部品の製造方法 |
| WO2013024807A1 (ja) * | 2011-08-18 | 2013-02-21 | 株式会社村田製作所 | 積層コイル部品およびその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5269563U (ja) * | 1975-11-20 | 1977-05-24 | ||
| JPS63102215A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-07 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層型インダクタの製造方法 |
| JPS63129604A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-02 | Fujitsu Ltd | 高周波チヨ−ク |
-
1989
- 1989-07-20 JP JP1189988A patent/JP2710244B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5269563U (ja) * | 1975-11-20 | 1977-05-24 | ||
| JPS63102215A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-07 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層型インダクタの製造方法 |
| JPS63129604A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-02 | Fujitsu Ltd | 高周波チヨ−ク |
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| US7317660B2 (en) | 1998-08-04 | 2008-01-08 | Teledyne Rd Instruments, Inc. | System and method for measuring wave directional spectrum and wave height |
| US7545705B2 (en) | 1998-08-04 | 2009-06-09 | Teledyne Rd Instruments, Inc. | System and method for measuring wave directional spectrum and wave height |
| JP2010245088A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型セラミック電子部品の製造方法 |
| WO2012173147A1 (ja) * | 2011-06-15 | 2012-12-20 | 株式会社 村田製作所 | 積層コイル部品、及び該積層コイル部品の製造方法 |
| JPWO2012173147A1 (ja) * | 2011-06-15 | 2015-02-23 | 株式会社村田製作所 | 積層コイル部品、及び該積層コイル部品の製造方法 |
| US9281113B2 (en) | 2011-06-15 | 2016-03-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated coil component, and method of manufacturing the laminated coil component |
| WO2013024807A1 (ja) * | 2011-08-18 | 2013-02-21 | 株式会社村田製作所 | 積層コイル部品およびその製造方法 |
| JPWO2013024807A1 (ja) * | 2011-08-18 | 2015-03-05 | 株式会社村田製作所 | 積層コイル部品およびその製造方法 |
| US9299487B2 (en) | 2011-08-18 | 2016-03-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated coil component and method for manufacturing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2710244B2 (ja) | 1998-02-10 |
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