JPH1050523A - インピーダンス素子及びその製造方法 - Google Patents
インピーダンス素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH1050523A JPH1050523A JP8215343A JP21534396A JPH1050523A JP H1050523 A JPH1050523 A JP H1050523A JP 8215343 A JP8215343 A JP 8215343A JP 21534396 A JP21534396 A JP 21534396A JP H1050523 A JPH1050523 A JP H1050523A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- impedance
- resistance
- circuit
- frequency characteristic
- value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 特定の高周波領域でインピーダンス値を目的
の値に形状に支配されずに容易に制御でき、磁性材料と
して一つの材質が多種のインピーダンス値の素子に共用
できるインピーダンス素子及びその製造方法を提供する
こと。 【解決手段】 酸化物磁性粉末及び金属粉末からなるセ
ラミックペーストと導体用ペーストを交互に積層した磁
性体２の中に、導体用ペーストからなるスパイラル状の
コイル１を形成し、これを一体焼成した積層素子の表面
に形成された導電物質の皮膜からなる抵抗素子と、スパ
イラルコイルの両端と並列に結線されたインピーダンス
素子。
の値に形状に支配されずに容易に制御でき、磁性材料と
して一つの材質が多種のインピーダンス値の素子に共用
できるインピーダンス素子及びその製造方法を提供する
こと。 【解決手段】 酸化物磁性粉末及び金属粉末からなるセ
ラミックペーストと導体用ペーストを交互に積層した磁
性体２の中に、導体用ペーストからなるスパイラル状の
コイル１を形成し、これを一体焼成した積層素子の表面
に形成された導電物質の皮膜からなる抵抗素子と、スパ
イラルコイルの両端と並列に結線されたインピーダンス
素子。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、信号回路内のノイ
ズ吸収を目的にし、信号波の歪みや遅延の少ない積層型
インピーダンス素子及びその製造方法に関する。
ズ吸収を目的にし、信号波の歪みや遅延の少ない積層型
インピーダンス素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器のＥＭＩ対策の手法とし
て信号系にインピーダンス素子を直列に挿入しノイズを
遮断することが一般的に行われている。
て信号系にインピーダンス素子を直列に挿入しノイズを
遮断することが一般的に行われている。
【０００３】また、パワーアンプ等の電源ライン系に対
しても、インピーダンス素子を直列に挿入してアクチブ
素子から信号系のノイズが電源ラインに漏洩することを
抑制することも行われている。
しても、インピーダンス素子を直列に挿入してアクチブ
素子から信号系のノイズが電源ラインに漏洩することを
抑制することも行われている。
【０００４】しかしながら、インピーダンス素子による
ＥＭＩ対策は、リアクタンス成分が信号波形に歪みを与
えたり、位相の遅れを生じさせるマイナスの効果も認め
られる。
ＥＭＩ対策は、リアクタンス成分が信号波形に歪みを与
えたり、位相の遅れを生じさせるマイナスの効果も認め
られる。
【０００５】インピーダンス素子のインピーダンスＺa
は、実数部の抵抗成分Ｒaと虚数部のリアクタンス成分
Ｘaの合成であり、Ｒa＋ｊＸaの式で表される。ノイズ
吸収に有効で歪みや位相遅れを生じさせない理想的なイ
ンピーダンス素子は、ノイズ成分を有する特定の高周波
領域で、実数部の抵抗成分Ｒaが大きな値を示し、信号
域の周波領域では、実数部の抵抗成分Ｒaと虚数部のリ
アクタンス成分Ｘaは、小さい値を示す周波数特性を有
するものである。
は、実数部の抵抗成分Ｒaと虚数部のリアクタンス成分
Ｘaの合成であり、Ｒa＋ｊＸaの式で表される。ノイズ
吸収に有効で歪みや位相遅れを生じさせない理想的なイ
ンピーダンス素子は、ノイズ成分を有する特定の高周波
領域で、実数部の抵抗成分Ｒaが大きな値を示し、信号
域の周波領域では、実数部の抵抗成分Ｒaと虚数部のリ
アクタンス成分Ｘaは、小さい値を示す周波数特性を有
するものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ノイズ吸収に作用する
高周波領域での抵抗値は、また使用される回路によっ
て、特定の値が要求される。今日、この目的で用いられ
ている素子は、所望の周波数特性に近付ける手段として
は、磁性材料の持つ固有の損失の周波数特性及び形成さ
れるスパイラルコイルの巻数の調整等によって実現され
ているが、フェライトのような材料の持つ損失特性は自
由度が低く、目的の周波数特性が必ずしも得られないこ
とが問題となっている。
高周波領域での抵抗値は、また使用される回路によっ
て、特定の値が要求される。今日、この目的で用いられ
ている素子は、所望の周波数特性に近付ける手段として
は、磁性材料の持つ固有の損失の周波数特性及び形成さ
れるスパイラルコイルの巻数の調整等によって実現され
ているが、フェライトのような材料の持つ損失特性は自
由度が低く、目的の周波数特性が必ずしも得られないこ
とが問題となっている。
【０００７】本発明の課題は、特定の高周波領域でイン
ピーダンス値を目的の値に容易に制御でき、一つの磁性
材料が多種のインピーダンス値の素子に共用できるイン
ピーダンス素子及びその製造方法を提供することにあ
る。
ピーダンス値を目的の値に容易に制御でき、一つの磁性
材料が多種のインピーダンス値の素子に共用できるイン
ピーダンス素子及びその製造方法を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、酸化物磁性材
料からなるセラミックペーストを積層し、その上に前記
セラミックペーストと導体用ペーストを交互に積層し、
導体をスパイラルコイル状に形成し、その上に前記セラ
ミックペーストを積層して積層体を作り、該積層体を焼
成し、該積層体の表面に形成された導電物質からなる皮
膜と、スパイラルコイルの両端と並列に結線したことを
特徴とするインピーダンス素子である。
料からなるセラミックペーストを積層し、その上に前記
セラミックペーストと導体用ペーストを交互に積層し、
導体をスパイラルコイル状に形成し、その上に前記セラ
ミックペーストを積層して積層体を作り、該積層体を焼
成し、該積層体の表面に形成された導電物質からなる皮
膜と、スパイラルコイルの両端と並列に結線したことを
特徴とするインピーダンス素子である。
【０００９】又、本発明は、上記皮膜の形成手段とし
て、酸化物の焼結体からなる素子の表面を部分的に還元
させて所定の導電率を有する膜を形成することを特徴と
するインピーダンス素子の製造方法である。
て、酸化物の焼結体からなる素子の表面を部分的に還元
させて所定の導電率を有する膜を形成することを特徴と
するインピーダンス素子の製造方法である。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について、図
面を用いて説明する。
面を用いて説明する。
【００１１】図１は、インダクタンスＬと抵抗Ｒの並列
回路を示している。この回路の端子間のインピーダンス
は、式で与えられる。
回路を示している。この回路の端子間のインピーダンス
は、式で与えられる。
【００１２】 Ｚ＝（ω2Ｌ2Ｒ＋ｊωＬＲ2）／（Ｒ2+ω2Ｌ2）・・・・・・
【００１３】本発明のインピーダンス素子では、セラミ
ックペーストと導体用ペーストとを交互に積層し、導体
をスパイラルコイル状に形成し、その上に前記セラミッ
クペーストを積層して積層体を作り、この積層体を焼成
し、前記積層体の表面に抵抗素子の導電物質からなる皮
膜を形成し、この皮膜と前記スパイラルコイルの両端と
を並列に結線した複合素子とすることにより、目的の周
波数特性を得ることができる。
ックペーストと導体用ペーストとを交互に積層し、導体
をスパイラルコイル状に形成し、その上に前記セラミッ
クペーストを積層して積層体を作り、この積層体を焼成
し、前記積層体の表面に抵抗素子の導電物質からなる皮
膜を形成し、この皮膜と前記スパイラルコイルの両端と
を並列に結線した複合素子とすることにより、目的の周
波数特性を得ることができる。
【００１４】前記回路のインダクタンスＬの値を１μ
Ｈ、または２μＨとし、前記回路の抵抗Ｒの値を５００
Ωとした場合、両端子間のインピーダンスＺ1及びその
実数部の抵抗成分Ｒ1、虚数部のリアクタンス成分Ｘ1の
周波数特性を各々順にＡ1，Ｂ1，Ｃ1，Ｄ1，Ｅ1，Ｆ1の
曲線として図２に示す。
Ｈ、または２μＨとし、前記回路の抵抗Ｒの値を５００
Ωとした場合、両端子間のインピーダンスＺ1及びその
実数部の抵抗成分Ｒ1、虚数部のリアクタンス成分Ｘ1の
周波数特性を各々順にＡ1，Ｂ1，Ｃ1，Ｄ1，Ｅ1，Ｆ1の
曲線として図２に示す。
【００１５】Ａ1は、回路の抵抗Ｒが５００Ωで、回路
のインダクンスＬが１μＨの時のインピーダンスＺ1の
周波数特性を示す。Ｂ1は、回路の抵抗Ｒが５００Ω
で、回路のインダクンスＬが１μＨの時の実数部の抵抗
Ｒ1の周波数特性を示す。Ｃ1は、回路の抵抗Ｒが５００
Ωで、回路のインダクンスＬが１μＨの時の虚数部のリ
アクタンス成分Ｘ1の周波数特性を示す。Ｄ1は、回路の
抵抗Ｒが５００Ωで、回路のインダクンスＬが２μＨの
時のインピーダンスＺ1の周波数特性を示す。Ｅ1は、回
路の抵抗Ｒが５００Ωで、回路のインダクンスＬが２μ
Ｈの時の実数部の抵抗Ｒ1の周波数特性を示す。Ｆ1は、
回路の抵抗Ｒが５００Ωで、インダクンスＬが２μＨの
時の虚数部のリアクタンス成分Ｘ1の周波数特性を示
す。
のインダクンスＬが１μＨの時のインピーダンスＺ1の
周波数特性を示す。Ｂ1は、回路の抵抗Ｒが５００Ω
で、回路のインダクンスＬが１μＨの時の実数部の抵抗
Ｒ1の周波数特性を示す。Ｃ1は、回路の抵抗Ｒが５００
Ωで、回路のインダクンスＬが１μＨの時の虚数部のリ
アクタンス成分Ｘ1の周波数特性を示す。Ｄ1は、回路の
抵抗Ｒが５００Ωで、回路のインダクンスＬが２μＨの
時のインピーダンスＺ1の周波数特性を示す。Ｅ1は、回
路の抵抗Ｒが５００Ωで、回路のインダクンスＬが２μ
Ｈの時の実数部の抵抗Ｒ1の周波数特性を示す。Ｆ1は、
回路の抵抗Ｒが５００Ωで、インダクンスＬが２μＨの
時の虚数部のリアクタンス成分Ｘ1の周波数特性を示
す。
【００１６】前記回路のインダクタンスＬの値を１μ
Ｈ、または２μＨとし、前記回路の抵抗Ｒの値を３００
Ωにした場合、その各々の両端子間のインピーダンスＺ
2及びその実数部の抵抗成分Ｒ2、虚数部のリアクタンス
成分Ｘ2の周波数特性を各々順にＡ2，Ｂ2，Ｃ2，Ｄ2，
Ｅ2，Ｆ2の曲線として図３に示す。
Ｈ、または２μＨとし、前記回路の抵抗Ｒの値を３００
Ωにした場合、その各々の両端子間のインピーダンスＺ
2及びその実数部の抵抗成分Ｒ2、虚数部のリアクタンス
成分Ｘ2の周波数特性を各々順にＡ2，Ｂ2，Ｃ2，Ｄ2，
Ｅ2，Ｆ2の曲線として図３に示す。
【００１７】Ａ2は、回路の抵抗Ｒが３００Ωで、回路
のインダクンスＬが１μＨの時のインピーダンスＺ2の
周波数特性を示す。Ｂ2は、回路の抵抗Ｒが３００Ω
で、回路のインダクンスＬが１μＨの時の実数部の抵抗
成分Ｒ2の周波数特性を示す。Ｃ2は、回路の抵抗Ｒが３
００Ωで、回路のインダクンスＬが１μＨの時の虚数部
のリアクタンス成分Ｘ2の周波数特性を示す。Ｄ2は、回
路の抵抗Ｒが３００Ωで、回路のインダクンスＬが２μ
Ｈの時のインピーダンスＺ2の周波数特性を示す。Ｅ2
は、回路の抵抗Ｒが３００Ωで、回路のインダクンスＬ
が２μＨの時の実数部の抵抗成分Ｒ2の周波数特性を示
す。Ｆ2は、回路の抵抗Ｒが３００Ωで、回路のインダ
クンスＬが２μＨの時の虚数部のリアクタンス成分Ｘ2
の周波数特性を示す。
のインダクンスＬが１μＨの時のインピーダンスＺ2の
周波数特性を示す。Ｂ2は、回路の抵抗Ｒが３００Ω
で、回路のインダクンスＬが１μＨの時の実数部の抵抗
成分Ｒ2の周波数特性を示す。Ｃ2は、回路の抵抗Ｒが３
００Ωで、回路のインダクンスＬが１μＨの時の虚数部
のリアクタンス成分Ｘ2の周波数特性を示す。Ｄ2は、回
路の抵抗Ｒが３００Ωで、回路のインダクンスＬが２μ
Ｈの時のインピーダンスＺ2の周波数特性を示す。Ｅ2
は、回路の抵抗Ｒが３００Ωで、回路のインダクンスＬ
が２μＨの時の実数部の抵抗成分Ｒ2の周波数特性を示
す。Ｆ2は、回路の抵抗Ｒが３００Ωで、回路のインダ
クンスＬが２μＨの時の虚数部のリアクタンス成分Ｘ2
の周波数特性を示す。
【００１８】図２、図３から明らかなように、低周波領
域では、インピーダンス値の低いコイル部分のインピー
ダンス値が支配的となり、２端子間のインピーダンス値
を決めるが、高周波領域になり、インダクタンスのイン
ピーダンス値が回路の抵抗を越えるようになってくる
と、２端子間のインピーダンス値は、実数部の抵抗成分
が支配的となり、実数部の抵抗成分の値に収束してしま
う。
域では、インピーダンス値の低いコイル部分のインピー
ダンス値が支配的となり、２端子間のインピーダンス値
を決めるが、高周波領域になり、インダクタンスのイン
ピーダンス値が回路の抵抗を越えるようになってくる
と、２端子間のインピーダンス値は、実数部の抵抗成分
が支配的となり、実数部の抵抗成分の値に収束してしま
う。
【００１９】又、インダクタンス値によって、インピー
ダンス値の周波数特性でインピーダンス値の立ち上がり
に変化を与えることも可能である。
ダンス値の周波数特性でインピーダンス値の立ち上がり
に変化を与えることも可能である。
【００２０】ところで、インピーダンス素子をフェライ
トのような磁性材料をコアに用いて作製すると、周波数
の上昇に伴いリアクタンス成分は減少し、同時に損失が
増大する。
トのような磁性材料をコアに用いて作製すると、周波数
の上昇に伴いリアクタンス成分は減少し、同時に損失が
増大する。
【００２１】結果として、インピーダンス値の周波数特
性は、前述の純インダクタンスＬと抵抗Ｒの並列回路の
周波数特性に似た変化を示す。
性は、前述の純インダクタンスＬと抵抗Ｒの並列回路の
周波数特性に似た変化を示す。
【００２２】ところが、所望の周波数特性を得る場合、
周波数特性を制御するものは、材料の損失特性が主で、
他はスパイラルコイルの巻数、形状調整によるインダク
タンス値程度で自由度が少なく、必ずしも目的の周波数
特性が得られる訳ではない。
周波数特性を制御するものは、材料の損失特性が主で、
他はスパイラルコイルの巻数、形状調整によるインダク
タンス値程度で自由度が少なく、必ずしも目的の周波数
特性が得られる訳ではない。
【００２３】しかしながら、このインダクタンス素子と
並列に抵抗を結線した場合、高周波領域でのインピーダ
ンスの実数部の成分は、抵抗と並列に接続することによ
る効果を示し、インピーダンスの実数部の成分を制御す
ることが可能で、高周波領域の抵抗値は、きわめて容易
にコントロールすることが可能になる。
並列に抵抗を結線した場合、高周波領域でのインピーダ
ンスの実数部の成分は、抵抗と並列に接続することによ
る効果を示し、インピーダンスの実数部の成分を制御す
ることが可能で、高周波領域の抵抗値は、きわめて容易
にコントロールすることが可能になる。
【００２４】しかしながら、抵抗素子を新たに付加する
ことは、部品の小型化や表面実装作業の場合、工数増加
の点で好ましくない。インダクタンス素子の表面に抵抗
素子を形成することが可能であれば、きわめて実用性に
富むインピーダンス素子の提供が可能になる。
ことは、部品の小型化や表面実装作業の場合、工数増加
の点で好ましくない。インダクタンス素子の表面に抵抗
素子を形成することが可能であれば、きわめて実用性に
富むインピーダンス素子の提供が可能になる。
【００２５】
【実施例】本発明の実施例について説明する。
【００２６】セラミック粉末として、Ｎｉ−Ｃｕフェラ
イトの粉末を用意した。この粉末をそれぞれバインダ、
溶剤と表１の比率で配合し、配合物を三本ロールで混練
して酸化物磁性材料からなるセラミックペーストを作製
した。
イトの粉末を用意した。この粉末をそれぞれバインダ、
溶剤と表１の比率で配合し、配合物を三本ロールで混練
して酸化物磁性材料からなるセラミックペーストを作製
した。
【００２７】
【００２８】導体用粉末として、平均粒径０.５μｍの
ＡｇとＰｄの混合粉（Ａｇ７０％、Ｐｄ３０％）を用意
した。
ＡｇとＰｄの混合粉（Ａｇ７０％、Ｐｄ３０％）を用意
した。
【００２９】この粉末を表２の比率でバインダ、溶剤と
配合し、三本ロールで混練して、導体用ペーストを作製
した。
配合し、三本ロールで混練して、導体用ペーストを作製
した。
【００３０】
【００３１】次に、作製したセラミックペーストを印刷
法により、所定の厚さ５００μｍに積層した。この上
に、セラミックペーストと導体用ペーストを用いて、
３.５ターンの導電体のスパイラルコイルを形成し、順
次積層を行い、この上に、セラミックペーストを３００
μｍの印刷法で積層した。
法により、所定の厚さ５００μｍに積層した。この上
に、セラミックペーストと導体用ペーストを用いて、
３.５ターンの導電体のスパイラルコイルを形成し、順
次積層を行い、この上に、セラミックペーストを３００
μｍの印刷法で積層した。
【００３２】上記作製した積層体は、所定の寸法（２.
４ｍｍ×１.５ｍｍ）に切断し、これを脱脂した後、９
５０℃で一体焼成した。図４は、このコイル１と磁性体
２からなる素子の内部構造を示している。コイル１のリ
ード部が露出している面に、Ａｇを主とする導電性ペー
ストを塗布して、外部端子とした。この状態の素子を試
料Ａとした。
４ｍｍ×１.５ｍｍ）に切断し、これを脱脂した後、９
５０℃で一体焼成した。図４は、このコイル１と磁性体
２からなる素子の内部構造を示している。コイル１のリ
ード部が露出している面に、Ａｇを主とする導電性ペー
ストを塗布して、外部端子とした。この状態の素子を試
料Ａとした。
【００３３】次に、電極端子間のセラミック表面にカー
ボンを薄く蒸着した後、直流抵抗計を用いて抵抗を測定
しながらトリミング装置で端子間の直流抵抗を１８０Ω
に調整したものを試料Ｂとした。
ボンを薄く蒸着した後、直流抵抗計を用いて抵抗を測定
しながらトリミング装置で端子間の直流抵抗を１８０Ω
に調整したものを試料Ｂとした。
【００３４】又、外部端子を形成したものについて、環
状炉に入れて水素雰囲気中で、７００℃×３０分、及び
１０分の熱処理を行った。この試料について、端子間の
直流抵抗を測定したところ、それぞれ４８０Ω、及び９
７０Ω抵抗値を確認した。これを試料Ｃ、及びＤとし
た。
状炉に入れて水素雰囲気中で、７００℃×３０分、及び
１０分の熱処理を行った。この試料について、端子間の
直流抵抗を測定したところ、それぞれ４８０Ω、及び９
７０Ω抵抗値を確認した。これを試料Ｃ、及びＤとし
た。
【００３５】上記のようにして作製した積層インダクタ
ーのインピーダンスの周波数特性をＹＨＰ製インピーダ
ンスアナライザーＨＰ４１９１Ａを用いて評価した。試
料Ａ、試料Ｂ、試料Ｃ、試料Ｄの結果をそれぞれ図５、
図６、図７、及び図８に示す。
ーのインピーダンスの周波数特性をＹＨＰ製インピーダ
ンスアナライザーＨＰ４１９１Ａを用いて評価した。試
料Ａ、試料Ｂ、試料Ｃ、試料Ｄの結果をそれぞれ図５、
図６、図７、及び図８に示す。
【００３６】図５に示すように、ＺAは、抵抗素子を付
加しない時の試料ＡのインピーダンスＺAの周波数特性
を示す。ＲAは、抵抗素子を付加しない時の試料Ａの実
数部の抵抗成分ＲAの周波数特性を示す。ＸAは、抵抗素
子を付加しない時の試料Ａの虚数部のリアクタンス成分
ＸAの周波数特性を示す。
加しない時の試料ＡのインピーダンスＺAの周波数特性
を示す。ＲAは、抵抗素子を付加しない時の試料Ａの実
数部の抵抗成分ＲAの周波数特性を示す。ＸAは、抵抗素
子を付加しない時の試料Ａの虚数部のリアクタンス成分
ＸAの周波数特性を示す。
【００３７】図６に示すように、ＺBは、試料Ｂのイン
ピーダンスＺBの周波数特性を示す。ＲBは、試料Ｂの実
数部の抵抗成分ＲBの周波数特性を示す。ＸBは、試料Ｂ
の虚数部のリアクタンス成分ＸBの周波数特性を示す。
ピーダンスＺBの周波数特性を示す。ＲBは、試料Ｂの実
数部の抵抗成分ＲBの周波数特性を示す。ＸBは、試料Ｂ
の虚数部のリアクタンス成分ＸBの周波数特性を示す。
【００３８】図７に示すように、ＺCは、試料Ｃのイン
ピーダンスＺCの周波数特性を示す。ＲCは、試料Ｃの実
数部の抵抗成分ＲCの周波数特性を示す。ＸCは、試料Ｃ
の虚数部のリアクタンス成分ＸCの周波数特性を示す。
ピーダンスＺCの周波数特性を示す。ＲCは、試料Ｃの実
数部の抵抗成分ＲCの周波数特性を示す。ＸCは、試料Ｃ
の虚数部のリアクタンス成分ＸCの周波数特性を示す。
【００３９】図８に示すように、ＺDは、試料Ｄのイン
ピーダンスＺDの周波数特性を示す。ＲDは、試料Ｄの実
数部の抵抗成分ＲDの周波数特性を示す。ＸDは、試料Ｄ
の虚数部のリアクタンス成分ＸDの周波数特性を示す。
ピーダンスＺDの周波数特性を示す。ＲDは、試料Ｄの実
数部の抵抗成分ＲDの周波数特性を示す。ＸDは、試料Ｄ
の虚数部のリアクタンス成分ＸDの周波数特性を示す。
【００４０】図５において、抵抗素子を付加しない試料
Ａの高周波領域（＞５０ＭＨｚ）でのインピーダンス
値、約２００Ωを決定しているものは、ＮｉＺｎフェラ
イトの損失係数が持つ周波数特性と素子の形状に係わ
る。ところが、素子形状は、表面実装部品の場合、寸法
に関する制約が多く、高域周波数のインピーダンス特性
の制御は、容易ではない。
Ａの高周波領域（＞５０ＭＨｚ）でのインピーダンス
値、約２００Ωを決定しているものは、ＮｉＺｎフェラ
イトの損失係数が持つ周波数特性と素子の形状に係わ
る。ところが、素子形状は、表面実装部品の場合、寸法
に関する制約が多く、高域周波数のインピーダンス特性
の制御は、容易ではない。
【００４１】一方、図６、図７、図８に示す試料Ｂ、試
料Ｃ、及び試料Ｄの場合、高周波数領域でのインピーダ
ンス値は、ほぼ付加した抵抗素子の値によって制御され
ており、作製上、きわめて容易に高周波領域でのインピ
ーダンス特性を制御できることが証明された。
料Ｃ、及び試料Ｄの場合、高周波数領域でのインピーダ
ンス値は、ほぼ付加した抵抗素子の値によって制御され
ており、作製上、きわめて容易に高周波領域でのインピ
ーダンス特性を制御できることが証明された。
【００４２】更に、試料Ｃ、試料Ｄから還元雰囲気中の
熱処理によって、素子表面に導電層が形成され、これが
抵抗素子として利用できること、更に、熱処理の条件に
よって抵抗値が制御できることも確認できた。
熱処理によって、素子表面に導電層が形成され、これが
抵抗素子として利用できること、更に、熱処理の条件に
よって抵抗値が制御できることも確認できた。
【００４３】
【発明の効果】以上、説明したとおり、本発明によれ
ば、形状寸法に関して制約の多いＳＭＤ部品であるイン
ピーダンス素子について、特定の高周波領域でインピー
ダンス値を目的の値に形状に支配されず、容易に制御で
きる素子及びその製造方法の提供が可能になった。又、
一つの磁性材料が多種のインピーダンス値の素子及びそ
の製造方法に共用できることの利点があり、工業上、き
わめて有益な発明である。
ば、形状寸法に関して制約の多いＳＭＤ部品であるイン
ピーダンス素子について、特定の高周波領域でインピー
ダンス値を目的の値に形状に支配されず、容易に制御で
きる素子及びその製造方法の提供が可能になった。又、
一つの磁性材料が多種のインピーダンス値の素子及びそ
の製造方法に共用できることの利点があり、工業上、き
わめて有益な発明である。
【図１】インダクタンスＬと抵抗Ｒからなる並列回路を
示す図。
示す図。
【図２】回路のインダクタンスＬの値を１μＨ、または
２μＨとし、回路の抵抗の値を５００Ωとした場合、そ
の各々の両端子間のインピーダンスＺ1、及びその実数
部の抵抗成分Ｒ1、虚数部のリアクタンス成分Ｘ1の周波
数特性を示す図。
２μＨとし、回路の抵抗の値を５００Ωとした場合、そ
の各々の両端子間のインピーダンスＺ1、及びその実数
部の抵抗成分Ｒ1、虚数部のリアクタンス成分Ｘ1の周波
数特性を示す図。
【図３】回路のインダクタンスＬの値を１μＨ、または
２μＨとし、回路の抵抗の値を３００Ωとした場合、そ
の各々の両端子間のインピーダンスＺ2、及びその実数
部の抵抗成分Ｒ2、虚数部のリアクタンス成分Ｘ2の周波
数特性を示す図。
２μＨとし、回路の抵抗の値を３００Ωとした場合、そ
の各々の両端子間のインピーダンスＺ2、及びその実数
部の抵抗成分Ｒ2、虚数部のリアクタンス成分Ｘ2の周波
数特性を示す図。
【図４】試料Ａを示す斜視図。
【図５】試料Ａの周波数特性を示す図。
【図６】試料Ｂの周波数特性を示す図。
【図７】試料Ｃの周波数特性を示す図。
【図８】試料Ｄの周波数特性を示す図。
１ コイル ２ 磁性体
Claims (2)
- 【請求項１】 酸化物磁性材料からなるセラミックペー
ストを積層し、その上に前記セラミックペーストと導体
用ペーストを交互に積層し、導体をスパイラルコイル状
に形成し、その上に前記セラミックペーストを積層して
積層体を作り、該積層体を焼成し、該積層体の表面に形
成された導電物質からなる皮膜と、スパイラルコイルの
両端と並列に結線したことを特徴とするインピーダンス
素子。 - 【請求項２】 請求項１記載の皮膜の形成手段として、
酸化物の焼結体からなる素子の表面を部分的に還元させ
て所定の導電率を有する膜を形成することを特徴とする
インピーダンス素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8215343A JPH1050523A (ja) | 1996-07-26 | 1996-07-26 | インピーダンス素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8215343A JPH1050523A (ja) | 1996-07-26 | 1996-07-26 | インピーダンス素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1050523A true JPH1050523A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16670738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8215343A Pending JPH1050523A (ja) | 1996-07-26 | 1996-07-26 | インピーダンス素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1050523A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2397441A (en) * | 2003-01-10 | 2004-07-21 | Murata Manufacturing Co | Noise filter with alternating ground and line conductor arrangements laminated in a magnetic oxide body |
| US10074467B2 (en) | 2017-01-06 | 2018-09-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resistance element and method for manufacturing the same |
-
1996
- 1996-07-26 JP JP8215343A patent/JPH1050523A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2397441A (en) * | 2003-01-10 | 2004-07-21 | Murata Manufacturing Co | Noise filter with alternating ground and line conductor arrangements laminated in a magnetic oxide body |
| GB2397441B (en) * | 2003-01-10 | 2006-11-01 | Murata Manufacturing Co | Noise filter |
| US7161446B2 (en) | 2003-01-10 | 2007-01-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Noise filter |
| US10074467B2 (en) | 2017-01-06 | 2018-09-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resistance element and method for manufacturing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6525395B1 (en) | Chip-type composite electronic component and manufacturing method thereof | |
| JP4216917B2 (ja) | チップビーズ素子およびその製造方法 | |
| JP2000182834A (ja) | 積層型インダクタンス素子及びその製造方法 | |
| CN101441921B (zh) | 一种电感器及其制造方法 | |
| JPH1197256A (ja) | 積層型チップインダクタ | |
| JPH1050523A (ja) | インピーダンス素子及びその製造方法 | |
| CN101441920B (zh) | 一种电感器及其制造方法 | |
| JP2710244B2 (ja) | 積層型ｌｒフィルタとその製造方法 | |
| JPH1050525A (ja) | インピーダンス素子及びその製造方法 | |
| JPH1027712A (ja) | 高電流型積層チップインダクタ | |
| JPH05121241A (ja) | インダクタンス部品およびその製造方法 | |
| JPH05121240A (ja) | インダクタンス部品およびその製造方法 | |
| CN201285697Y (zh) | 一种电感器 | |
| JP2705706B2 (ja) | 積層型ｌｒフィルタの製造方法 | |
| JPH04239107A (ja) | 電磁障害防止素子 | |
| JPH0353607A (ja) | 積層型ｌｒフィルタの製造方法 | |
| JPH08167523A (ja) | 積層インダクタ及びその製造方法 | |
| JP3035479B2 (ja) | 積層型インダクタンス素子 | |
| JPH08148338A (ja) | 積層チップインダクタとその製造方法 | |
| JP3948269B2 (ja) | コイル部品の製造方法 | |
| JP2705705B2 (ja) | 積層型ｌｒフィルタの製造方法 | |
| JPH0210607A (ja) | 導電性ペーストおよびそれを用いた厚膜部品 | |
| JPH09326318A (ja) | 積層型インピーダンス素子 | |
| JPH0513240A (ja) | チツプ形フエライトビーズコアおよびその製造方法 | |
| JPH03106005A (ja) | チップ型ｌｒフィルタの製造方法 |