JPH0353625B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0353625B2 JPH0353625B2 JP11710881A JP11710881A JPH0353625B2 JP H0353625 B2 JPH0353625 B2 JP H0353625B2 JP 11710881 A JP11710881 A JP 11710881A JP 11710881 A JP11710881 A JP 11710881A JP H0353625 B2 JPH0353625 B2 JP H0353625B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoreceptor
- protective layer
- layer
- weight
- comparative example
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/142—Inert intermediate layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子写真用感光体、更に詳しく言えば
光導電層の表面に保護層を設けた電子写真用感光
体の改良に関するものである。
光導電層の表面に保護層を設けた電子写真用感光
体の改良に関するものである。
帯電、露光、現像等のプロセスを含む電子写真
方式において用いられる感光体としては多くのも
のが実用化されている（例えば、米国特許第
2297619号参照）。例えば、適当な導電性基板上に
有機光導電材料を塗布あるいは蒸着などにより直
接設けたもの、あるいは上記材料を適当な有機バ
インダーとともに設けたもの、あるいはバインダ
ー中にZnO、CdS、TiO2等の無機光導電材料を
分散させたもの、あるいは無定形セレン又はその
合金などを蒸着したもの、あるいは上記の各種の
光導電層を２層以上に積層したものなどが用いら
れている（例えば、特公昭45−5394号、特公昭46
−3005号、特公昭49−14271号参照）。これらの感
光体では、その電気的及び光学的性質と機械的性
質とを両立させるために、あるいはこれらの性質
を一層向上させ、かつ安定させるために、また場
合によつては現像等のプロセスにおける特性を向
上させるために、感光体表面に表面層を設けるこ
とが提案されている。この表面層の１つは保護層
と称されるものであつて、例えば樹脂薄膜を表面
に設け、帯電及び画像露光（カールソンプロセ
ス）により潜像形成を行うものである。しかし、
この様な保護層を設けた感光体を用いると多くの
場合に高い残留電位とその大幅なサイクル上昇が
見られる。この高い残留電位とサイクル上昇は保
護層を1μ以下にすることでかなり改善できるが、
皮膜がはなれやすくなり長時間の使用に耐えない
ものにある。別の表面層としては、絶縁層と称さ
れる電気抵抗の高い樹脂層を設けたものであつ
て、除電プロセスを含む特別な方法（例えば、米
国特許第3041167号参照）により潜像形成するも
のである。しかし、この絶縁層を有する感光体は
特殊な潜像形成プロセスを用いなければならず、
少なくとも２回の帯電工程を要するため、装置の
複雑化を招くという問題がある。
方式において用いられる感光体としては多くのも
のが実用化されている（例えば、米国特許第
2297619号参照）。例えば、適当な導電性基板上に
有機光導電材料を塗布あるいは蒸着などにより直
接設けたもの、あるいは上記材料を適当な有機バ
インダーとともに設けたもの、あるいはバインダ
ー中にZnO、CdS、TiO2等の無機光導電材料を
分散させたもの、あるいは無定形セレン又はその
合金などを蒸着したもの、あるいは上記の各種の
光導電層を２層以上に積層したものなどが用いら
れている（例えば、特公昭45−5394号、特公昭46
−3005号、特公昭49−14271号参照）。これらの感
光体では、その電気的及び光学的性質と機械的性
質とを両立させるために、あるいはこれらの性質
を一層向上させ、かつ安定させるために、また場
合によつては現像等のプロセスにおける特性を向
上させるために、感光体表面に表面層を設けるこ
とが提案されている。この表面層の１つは保護層
と称されるものであつて、例えば樹脂薄膜を表面
に設け、帯電及び画像露光（カールソンプロセ
ス）により潜像形成を行うものである。しかし、
この様な保護層を設けた感光体を用いると多くの
場合に高い残留電位とその大幅なサイクル上昇が
見られる。この高い残留電位とサイクル上昇は保
護層を1μ以下にすることでかなり改善できるが、
皮膜がはなれやすくなり長時間の使用に耐えない
ものにある。別の表面層としては、絶縁層と称さ
れる電気抵抗の高い樹脂層を設けたものであつ
て、除電プロセスを含む特別な方法（例えば、米
国特許第3041167号参照）により潜像形成するも
のである。しかし、この絶縁層を有する感光体は
特殊な潜像形成プロセスを用いなければならず、
少なくとも２回の帯電工程を要するため、装置の
複雑化を招くという問題がある。
本発明は前者の保護層を設けた感光体に関する
ものであつて、特殊な潜像形成プロセスを用いる
ことなく、いわゆるカールソンプロセスで潜像の
形成が可能な感光体に関するものである。本出願
人は先に前述の欠点を解消するものとして、低抵
抗保護層の提案を行なつた（特願昭54−42118号、
同54−65671号、同54−65672号及び同54−65673
号参照）。しかし、これらの方法では低抵抗保護
層を設けることによつて10〜20μの保護層とする
ことができ、又高い残留電位及び大幅なサイクル
上昇を防止できるものの、時には感光体全体の帯
電性が低下し、その結果として充分なコントラス
トを持つ画像が得られなくなるという欠点を有
し、特にこの傾向は光導電層が高感度のものであ
る場合に顕著であることが判明した。
ものであつて、特殊な潜像形成プロセスを用いる
ことなく、いわゆるカールソンプロセスで潜像の
形成が可能な感光体に関するものである。本出願
人は先に前述の欠点を解消するものとして、低抵
抗保護層の提案を行なつた（特願昭54−42118号、
同54−65671号、同54−65672号及び同54−65673
号参照）。しかし、これらの方法では低抵抗保護
層を設けることによつて10〜20μの保護層とする
ことができ、又高い残留電位及び大幅なサイクル
上昇を防止できるものの、時には感光体全体の帯
電性が低下し、その結果として充分なコントラス
トを持つ画像が得られなくなるという欠点を有
し、特にこの傾向は光導電層が高感度のものであ
る場合に顕著であることが判明した。
本発明の目的はこの様な欠点を確実に除去する
ことのできる電子写真用感光体を提供する事にあ
る。
ことのできる電子写真用感光体を提供する事にあ
る。
本発明の目的は導電性支持体上に光導電層、中
間層及び保護層を順次積層してなる電子写真用感
光体において、中間層が有機チタン化合物を少な
くとも１種類用いて層形成してなるものであるこ
とを特徴とする電子写真用感光体により達成する
ことができる。
間層及び保護層を順次積層してなる電子写真用感
光体において、中間層が有機チタン化合物を少な
くとも１種類用いて層形成してなるものであるこ
とを特徴とする電子写真用感光体により達成する
ことができる。
本発明の電子写真用感光体の構成を添付図面に
示す。図中、１は適当な有機化合物を添加した有
機高分子化合物あるいは金属酸化物（平均粒径
0.3μｍ以下）等を分散させた有機高分子化合物か
らなる低抵抗透明保護層、２は有機チタン化合物
含有中間層、３は光導電層、４は導電性支持体で
ある。
示す。図中、１は適当な有機化合物を添加した有
機高分子化合物あるいは金属酸化物（平均粒径
0.3μｍ以下）等を分散させた有機高分子化合物か
らなる低抵抗透明保護層、２は有機チタン化合物
含有中間層、３は光導電層、４は導電性支持体で
ある。
２の中間層は、少なくとも上層の保護層の塗布
に用いる溶剤に浸されるものであつてはならな
い。この中間層はバリヤー層としての役割の他に
光導電体と保護層との接着層としての機能を持た
せることもできる。
に用いる溶剤に浸されるものであつてはならな
い。この中間層はバリヤー層としての役割の他に
光導電体と保護層との接着層としての機能を持た
せることもできる。
この中間層２に適した有機チタン化合物として
はチタンオルソエステルの如きオルソチタン酸の
有機誘導体、ポリオルソチタン酸エステルあるい
はチタンキレート等が挙げられる。
はチタンオルソエステルの如きオルソチタン酸の
有機誘導体、ポリオルソチタン酸エステルあるい
はチタンキレート等が挙げられる。
チタンオルソエステルは、次の一般式（）
（式中、R1、R2、R3、R4は互に独立したもので
あつてそれぞれメチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチ
ル基、クレジル（Cresyl）基、ステアリル基、ヘ
キシル基、ノニル基、セチル基を示す。） で示される化合物であり、ポリオルソチタン酸エ
ステルは、次の一般式（） （式中、R1、R2、R3、R4はそれぞれ前記の式
の場合と同じ意味を表わす。） で示される化合物であり、又チタンキレートは次
の一般式（） Ti（Ｌ）oX4-o （） （式中、Ｌはキレート基、Ｘはエステル基、ｎは
１〜４を示す。） で示されるＯ（酸素）配位の化合物であり、配位
子種としてはオクチレングリコール、ヘキサンジ
オール等のグリコール；アセチルアセトン等のβ
−ジケトン；乳酸、リンゴ酸、酒石酸、サリチル
酸等のヒドロキシカルボン酸；アセト酢酸エステ
ル等のケトエステル；及びジアセトンアルコール
等のケトアルコールが挙げられる。
あつてそれぞれメチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチ
ル基、クレジル（Cresyl）基、ステアリル基、ヘ
キシル基、ノニル基、セチル基を示す。） で示される化合物であり、ポリオルソチタン酸エ
ステルは、次の一般式（） （式中、R1、R2、R3、R4はそれぞれ前記の式
の場合と同じ意味を表わす。） で示される化合物であり、又チタンキレートは次
の一般式（） Ti（Ｌ）oX4-o （） （式中、Ｌはキレート基、Ｘはエステル基、ｎは
１〜４を示す。） で示されるＯ（酸素）配位の化合物であり、配位
子種としてはオクチレングリコール、ヘキサンジ
オール等のグリコール；アセチルアセトン等のβ
−ジケトン；乳酸、リンゴ酸、酒石酸、サリチル
酸等のヒドロキシカルボン酸；アセト酢酸エステ
ル等のケトエステル；及びジアセトンアルコール
等のケトアルコールが挙げられる。
これらの化合物は、単独でも、２種以上の混合
物としても用いることができる。更に、接着性の
改善、抵抗値の制御、その他の理由から上記の有
機チタン化合物と他の有機樹脂化合物との混合物
として用いることもできる。
物としても用いることができる。更に、接着性の
改善、抵抗値の制御、その他の理由から上記の有
機チタン化合物と他の有機樹脂化合物との混合物
として用いることもできる。
中間層２の膜厚は任意に設定されるが、10μｍ
以下、特には1μｍ以下が好適である。
以下、特には1μｍ以下が好適である。
この中間層の形成は、スプレー塗布、浸漬塗
布、ナイフ塗布、ロール塗布等の適宜の方法で塗
布することによつて行うことができる。
布、ナイフ塗布、ロール塗布等の適宜の方法で塗
布することによつて行うことができる。
本発明の感光体の光導電層としてはSe、Se−
Te合金、Se−As合金、あるいはこれらを適当に
組合せた多層型の真空蒸着膜やポリビニルカルバ
ゾール／２，４，７−トリニトロ−９−フルオレ
ノン（PVK／TNF）等の有機光導電体、ZnOや
CdS等の無機光導電体をバインダー中に分散した
もの、あるいは電荷発生層と電荷輸送層を積層し
たもの等を使用することができる。
Te合金、Se−As合金、あるいはこれらを適当に
組合せた多層型の真空蒸着膜やポリビニルカルバ
ゾール／２，４，７−トリニトロ−９−フルオレ
ノン（PVK／TNF）等の有機光導電体、ZnOや
CdS等の無機光導電体をバインダー中に分散した
もの、あるいは電荷発生層と電荷輸送層を積層し
たもの等を使用することができる。
また、保護層としては有機高分子化合物に適当
な有機化合物あるいは無機化合物を添加したもの
が一般に使用でき、例えば有機高分子化合物に電
子供与性化合物あるいは電子供与性化合物と電子
受容性化合物を添加した電子伝導性材料を用いた
場合、あるいは有機高分子に粒径0.3μｍ以下の金
属及び金属酸化物を分散した、電子伝導性材料を
用いた場合に著しい効果が得られる。即ち、粒径
が0.3μｍ以上では不透明であるが、0.3μｍ以下に
なると実質的に透明になり、光の透過が妨げられ
ない。
な有機化合物あるいは無機化合物を添加したもの
が一般に使用でき、例えば有機高分子化合物に電
子供与性化合物あるいは電子供与性化合物と電子
受容性化合物を添加した電子伝導性材料を用いた
場合、あるいは有機高分子に粒径0.3μｍ以下の金
属及び金属酸化物を分散した、電子伝導性材料を
用いた場合に著しい効果が得られる。即ち、粒径
が0.3μｍ以上では不透明であるが、0.3μｍ以下に
なると実質的に透明になり、光の透過が妨げられ
ない。
なお、このような保護層に用いられる材料を具
体的に挙げると、メロセン及びその分子構造中に
少なくとも１以上のメタロセン骨格を有する化合
物；テトラゾール及びその分子構造中に少なくと
も１個以上のテトラゾール骨格を有する化合物；
平均粒径が0.3μ以下の、金、銀、アルミニウム、
鉄、銅、ニツケル等の金属粉及び酸化亜鉛、酸化
チタン、酸化錫、酸化ビスマス、酸化インジウ
ム、酸化アンチモン等の金属酸化物の粉末；酸化
錫と酸化アンチモンを単一粒子中に含有する粉末
等がある。
体的に挙げると、メロセン及びその分子構造中に
少なくとも１以上のメタロセン骨格を有する化合
物；テトラゾール及びその分子構造中に少なくと
も１個以上のテトラゾール骨格を有する化合物；
平均粒径が0.3μ以下の、金、銀、アルミニウム、
鉄、銅、ニツケル等の金属粉及び酸化亜鉛、酸化
チタン、酸化錫、酸化ビスマス、酸化インジウ
ム、酸化アンチモン等の金属酸化物の粉末；酸化
錫と酸化アンチモンを単一粒子中に含有する粉末
等がある。
次に比較例及び実施例をあげて本発明の電子写
真感光体を説明する。
真感光体を説明する。
比較例 １
ポリカーボネート80重量部とジメチルフエロセ
ン20重量部をジクロルメタンに溶解させ、この溶
液をAl基板上に設けたAs2Se3蒸着膜（55μ厚）上
に塗布、乾燥し、10μの保護層を有する感光体を
得た。上記の保護層を塗布する前のAs2Se3蒸着
膜を正帯電させ、初期電位を800Vにし、これを
460nｍの波長の光で露光する操作を毎分40回の
速度でくり返した。この時残留電位は0Vで安定
していた。一方保護層を設けたAs2Se3蒸着膜を
前記の条件で帯電露光したところ初期電位200V
であり残留電位は100Vで安定していた。
ン20重量部をジクロルメタンに溶解させ、この溶
液をAl基板上に設けたAs2Se3蒸着膜（55μ厚）上
に塗布、乾燥し、10μの保護層を有する感光体を
得た。上記の保護層を塗布する前のAs2Se3蒸着
膜を正帯電させ、初期電位を800Vにし、これを
460nｍの波長の光で露光する操作を毎分40回の
速度でくり返した。この時残留電位は0Vで安定
していた。一方保護層を設けたAs2Se3蒸着膜を
前記の条件で帯電露光したところ初期電位200V
であり残留電位は100Vで安定していた。
したがつて保護層を有するAs2Se3感光体は、
保護層を持たない感光体に較べて著しく静電コン
トラストが小さかつた。
保護層を持たない感光体に較べて著しく静電コン
トラストが小さかつた。
実施例 １
比較例と同様にしてAl基板上にAs2Se3蒸着膜
を形成した。次にその上にテトラノルマルブチル
チタネート（商品名オルガチークスTA25、マツ
モト交商株式会社製）１重量部、イソプロピルア
ルコール10重量部からなる樹脂液を浸漬塗布し、
100℃にて２時間乾燥して、0.5μ厚の中間層を設
けた。次いでこの上に比較例と同じ保護層を10μ
厚に設けた。この感光体を比較例１と同じ方法に
て帯電露光を繰り返したところ、初期電位は
900V、残留電位は105Vであつた。従つて静電コ
ントラストは795Vであり、保護層のみの感光体
に比べ、その特性を著しく改善し、保護層を持た
ない感光体と同様な値であつた。
を形成した。次にその上にテトラノルマルブチル
チタネート（商品名オルガチークスTA25、マツ
モト交商株式会社製）１重量部、イソプロピルア
ルコール10重量部からなる樹脂液を浸漬塗布し、
100℃にて２時間乾燥して、0.5μ厚の中間層を設
けた。次いでこの上に比較例と同じ保護層を10μ
厚に設けた。この感光体を比較例１と同じ方法に
て帯電露光を繰り返したところ、初期電位は
900V、残留電位は105Vであつた。従つて静電コ
ントラストは795Vであり、保護層のみの感光体
に比べ、その特性を著しく改善し、保護層を持た
ない感光体と同様な値であつた。
実施例 ２
比較例１と同じ方法でAl基板上にAs2Se3蒸着
膜を形成させた。次にその上に、テトラノルマル
ブチルチタネート１重量部、メチル（トリメトキ
シ）シラン１重量部、イソプロピルアルコール30
重量部、ｎ−ブチルアルコール５重量部からなる
樹脂液をスプレー塗布し、50℃、80％RHの高湿
環境で加水分解を行なわせ、その後100℃で２時
間乾燥し、0.3μ厚の中間層を設けた。次いでこの
上に比較例１と同じ保護層を15μ厚に設けた。こ
の感光体を比較例１と同じ方法にて帯電露光を繰
り返したところ、初期電位935V、残留電位140V
であつた。従つてこの感光体の静電コントラスト
は795Vであり保護層を持たない感光体と同等の
値であつた。
膜を形成させた。次にその上に、テトラノルマル
ブチルチタネート１重量部、メチル（トリメトキ
シ）シラン１重量部、イソプロピルアルコール30
重量部、ｎ−ブチルアルコール５重量部からなる
樹脂液をスプレー塗布し、50℃、80％RHの高湿
環境で加水分解を行なわせ、その後100℃で２時
間乾燥し、0.3μ厚の中間層を設けた。次いでこの
上に比較例１と同じ保護層を15μ厚に設けた。こ
の感光体を比較例１と同じ方法にて帯電露光を繰
り返したところ、初期電位935V、残留電位140V
であつた。従つてこの感光体の静電コントラスト
は795Vであり保護層を持たない感光体と同等の
値であつた。
実施例 ３
比較例１と同様にしてAl基板上にAs2Se3蒸着
膜を形成させた。次にその上にジイソプロポキシ
チタンビス（アセチルアセトネート）２重量部、
γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン
（商品名KBM503、信越化学社製）１重量部、ｎ
−ブタノール20重量部からなる溶液をスプレー塗
布し、100℃にて２時間乾燥して0.6μ厚の中間層
を設けた。次いでこの上に比較例１と同じ保護層
を10μ厚に設けた。
膜を形成させた。次にその上にジイソプロポキシ
チタンビス（アセチルアセトネート）２重量部、
γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン
（商品名KBM503、信越化学社製）１重量部、ｎ
−ブタノール20重量部からなる溶液をスプレー塗
布し、100℃にて２時間乾燥して0.6μ厚の中間層
を設けた。次いでこの上に比較例１と同じ保護層
を10μ厚に設けた。
この感光体を比較例１と同じ方法にて帯電露光
を繰り返したところ初期電位920V、残留電位
120Vであつた。従つてこの感光体の静電コント
ラストは800Vであり、保護層を持たない感光体
の静電コントラストと同じであつた。
を繰り返したところ初期電位920V、残留電位
120Vであつた。従つてこの感光体の静電コント
ラストは800Vであり、保護層を持たない感光体
の静電コントラストと同じであつた。
比較例 ２
長さ300mmのAl円筒上に設けたSe（50μ厚）蒸着
膜及びSe−Te合金蒸着膜（1μ厚）よりなる二層
型の光導電体の上にポリウレタン樹脂（関西ペイ
ント社製、レタン4000）固形分70重量部に対し粒
径0.1μｍ以下の酸化スズ30重量部を加えて分散し
た樹脂液を塗布乾燥し、10μの保護層とした。こ
の感光体を比較例１と同じ方法にて帯電露光を繰
り返したところ初期電位150V、残留電位85Vで
あり、著しく静電コントラストが少なかつた。
膜及びSe−Te合金蒸着膜（1μ厚）よりなる二層
型の光導電体の上にポリウレタン樹脂（関西ペイ
ント社製、レタン4000）固形分70重量部に対し粒
径0.1μｍ以下の酸化スズ30重量部を加えて分散し
た樹脂液を塗布乾燥し、10μの保護層とした。こ
の感光体を比較例１と同じ方法にて帯電露光を繰
り返したところ初期電位150V、残留電位85Vで
あり、著しく静電コントラストが少なかつた。
実施例 ４
比較例２と同様なるSe／Se−Te二層感光層の
上にジイソプロポキシチタンビス（アセチルアセ
トネート）２重量部、シリコンエポキシ樹脂（商
品名SR2115、東レシリコン社製）１重量部、酢
酸ブチル20重量部からなる溶液をスプレー塗布
し、40℃で３時間乾燥して、0.5μ厚の中間層を設
けた。
上にジイソプロポキシチタンビス（アセチルアセ
トネート）２重量部、シリコンエポキシ樹脂（商
品名SR2115、東レシリコン社製）１重量部、酢
酸ブチル20重量部からなる溶液をスプレー塗布
し、40℃で３時間乾燥して、0.5μ厚の中間層を設
けた。
次いでこの上に比較例２と同じ保護層を20μ厚
に設けた。この感光体を比較例２と同じ方法で帯
電露光を繰り返したところ初期電位は1000V残留
電位は200Vであつた。従つてこの感光体の静電
コントラストは800Vとなり、保護層のない感光
体と同じであつた。この感光体を用いて磁気ブラ
シ現像法によるコピーテストを行なつたところ、
露光パターンと同一の極めて詳明な画像が得られ
た。
に設けた。この感光体を比較例２と同じ方法で帯
電露光を繰り返したところ初期電位は1000V残留
電位は200Vであつた。従つてこの感光体の静電
コントラストは800Vとなり、保護層のない感光
体と同じであつた。この感光体を用いて磁気ブラ
シ現像法によるコピーテストを行なつたところ、
露光パターンと同一の極めて詳明な画像が得られ
た。
図面は本発明の電子写真用感光体の構成を示
す。 図中符号：１……低抵抗保護層；２……中間
層；３……光導電層；４……導電性支持体。
す。 図中符号：１……低抵抗保護層；２……中間
層；３……光導電層；４……導電性支持体。
Claims (1)
- １ 導電性支持体上に、光導電層、中間層、及び
保護層を順次積層してなる電子写真用感光体にお
いて、中間層が有機チタン化合物を少なくとも１
種類用いて層形成してなるものであることを特徴
とする電子写真用感光体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11710881A JPS5818637A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | 電子写真用感光体 |
| GB08221347A GB2106659B (en) | 1981-07-28 | 1982-07-23 | Electrophotographic photosensitive materials |
| DE3228218A DE3228218C2 (de) | 1981-07-28 | 1982-07-28 | Elektrofotografische Aufzeichnungsmaterialien |
| US06/402,700 US4444862A (en) | 1981-07-28 | 1982-07-28 | Electrophotographic photosensitive materials having layer of organic metal compound |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11710881A JPS5818637A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | 電子写真用感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5818637A JPS5818637A (ja) | 1983-02-03 |
| JPH0353625B2 true JPH0353625B2 (ja) | 1991-08-15 |
Family
ID=14703600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11710881A Granted JPS5818637A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5818637A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4895783A (en) * | 1989-01-03 | 1990-01-23 | Xerox Corporation | Overcoated electrophotographic photoreceptor contains metal acetyl acetonate in polymer layer |
-
1981
- 1981-07-28 JP JP11710881A patent/JPS5818637A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5818637A (ja) | 1983-02-03 |
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