JPH0353628B2 - - Google Patents
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- JPH0353628B2 JPH0353628B2 JP15942081A JP15942081A JPH0353628B2 JP H0353628 B2 JPH0353628 B2 JP H0353628B2 JP 15942081 A JP15942081 A JP 15942081A JP 15942081 A JP15942081 A JP 15942081A JP H0353628 B2 JPH0353628 B2 JP H0353628B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoreceptor
- protective layer
- layer
- comparative example
- weight
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/142—Inert intermediate layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は保護層を有する電子写真用感光体に関
するものである。
するものである。
帯電、露光、現像等のプロセスを含む電子写真
方式において用いられる感光体としては多くのも
のが実用化されている（例えば、米国特許第
2297619号参照）。例えば、適当な導電性基板上に
有機光導電材料を塗布あるいは蒸着などにより、
直接設けたもの、あるいは上記材料を適当な有機
バインダーとともに設けたもの、あるいはバイン
ダー中にZnO、CdS、TiO2等の無機光導電材料
を分散させたもの、あるいは無定形セレン又はそ
の合金などを蒸着したもの、あるいは上記の各種
の光導電層を２層以上に積層したものなどが用い
られている（例えば特公昭45−5394号、特公昭46
−3005号、特公昭49−14271号参照）。これらの感
光体では、その電気的及び光学的性質と機械的性
質とを両立させるために、あるいはこれらの性質
を一層向上かつ安定させるために、また場合によ
つては現像等のプロセスにおける特性を向上させ
るために、感光体表面に表面層を設けることが提
案されている。この表面層の１つは保護層と称さ
れるものであつて、例えば樹脂薄膜を表面に設
け、帯電及び画像露光（カールソンプロセス）に
より潜像形成を行うものである。しかし、この様
な保護層を設けた感光体を用いると多くの場合に
高い残留電位とその大幅なサイクル上昇が見られ
る。この高い残留電位とサイクル上昇は保護層を
1μ以下にすることで、かなり改善できるが、皮
膜がはなれやすくなり、長時間の使用に耐えない
ものになる。別な表面層としては、絶縁層と称さ
れる電気抵抗の高い樹脂層を設けたものであつ
て、除電プロセスを含む特別な方法（例えば、米
国特許第3041167号参照）により潜像形成するも
のである。しかし、この絶縁層を有する感光体は
特殊な潜像形成プロセスを用いなければならず、
少なくとも２回の帯電工程を要するため、装置の
複雑化を招き問題がある。
方式において用いられる感光体としては多くのも
のが実用化されている（例えば、米国特許第
2297619号参照）。例えば、適当な導電性基板上に
有機光導電材料を塗布あるいは蒸着などにより、
直接設けたもの、あるいは上記材料を適当な有機
バインダーとともに設けたもの、あるいはバイン
ダー中にZnO、CdS、TiO2等の無機光導電材料
を分散させたもの、あるいは無定形セレン又はそ
の合金などを蒸着したもの、あるいは上記の各種
の光導電層を２層以上に積層したものなどが用い
られている（例えば特公昭45−5394号、特公昭46
−3005号、特公昭49−14271号参照）。これらの感
光体では、その電気的及び光学的性質と機械的性
質とを両立させるために、あるいはこれらの性質
を一層向上かつ安定させるために、また場合によ
つては現像等のプロセスにおける特性を向上させ
るために、感光体表面に表面層を設けることが提
案されている。この表面層の１つは保護層と称さ
れるものであつて、例えば樹脂薄膜を表面に設
け、帯電及び画像露光（カールソンプロセス）に
より潜像形成を行うものである。しかし、この様
な保護層を設けた感光体を用いると多くの場合に
高い残留電位とその大幅なサイクル上昇が見られ
る。この高い残留電位とサイクル上昇は保護層を
1μ以下にすることで、かなり改善できるが、皮
膜がはなれやすくなり、長時間の使用に耐えない
ものになる。別な表面層としては、絶縁層と称さ
れる電気抵抗の高い樹脂層を設けたものであつ
て、除電プロセスを含む特別な方法（例えば、米
国特許第3041167号参照）により潜像形成するも
のである。しかし、この絶縁層を有する感光体は
特殊な潜像形成プロセスを用いなければならず、
少なくとも２回の帯電工程を要するため、装置の
複雑化を招き問題がある。
本発明は前者の保護層を設けた感光体に関する
ものであつて、特殊な潜像形成プロセスを用いる
ことなく、いわゆるカールソンプロセスで潜像の
形成が可能な感光体に関するものである。本出願
人は先に前述の欠点を解消するものとして、低抵
抗保護層の提案を行なつた（特願昭54−42118号、
同54−65671号、同54−65672号及び同54−65673
号参照）。しかし、これらの方法では106乃至
1013Ωcmの低抵抗保護層を設けることによつて10
〜20μの保護層とすることができ、又高い残留電
位及び大幅なサイクル上昇を防止できるものの、
時には感光体全体の帯電性が低下し、その結果と
して充分なコントラストを持つ画像が得られなく
なるという欠点を有し、特にこの傾向は光導電層
が高感度のものである場合に顕著であることが判
明した。
ものであつて、特殊な潜像形成プロセスを用いる
ことなく、いわゆるカールソンプロセスで潜像の
形成が可能な感光体に関するものである。本出願
人は先に前述の欠点を解消するものとして、低抵
抗保護層の提案を行なつた（特願昭54−42118号、
同54−65671号、同54−65672号及び同54−65673
号参照）。しかし、これらの方法では106乃至
1013Ωcmの低抵抗保護層を設けることによつて10
〜20μの保護層とすることができ、又高い残留電
位及び大幅なサイクル上昇を防止できるものの、
時には感光体全体の帯電性が低下し、その結果と
して充分なコントラストを持つ画像が得られなく
なるという欠点を有し、特にこの傾向は光導電層
が高感度のものである場合に顕著であることが判
明した。
本発明の目的はこの様な欠点を確実に除去する
ことのできる電子写真用感光体を提供する事にあ
る。
ことのできる電子写真用感光体を提供する事にあ
る。
本発明の目的は導電性支持体に、光導電層、有
機金属化合物（但し、有機チタン化合物及び有機
ジルコニウム化合物を除く）を主成分として含有
する中間層、及び低抵抗保護層を順次積層してな
る電子写真用感光体により達成することができ
る。
機金属化合物（但し、有機チタン化合物及び有機
ジルコニウム化合物を除く）を主成分として含有
する中間層、及び低抵抗保護層を順次積層してな
る電子写真用感光体により達成することができ
る。
本発明の電子写真用感光体の構成を添付図面に
示す。図中、１は適当な有機化合物を添加した有
機高分子化合物からなる低抵抗透明保護層、２は
有機金属化合物含有中間層、３は光導電層、４は
導電性支持体である。
示す。図中、１は適当な有機化合物を添加した有
機高分子化合物からなる低抵抗透明保護層、２は
有機金属化合物含有中間層、３は光導電層、４は
導電性支持体である。
２の中間層は、少なくとも上層の保護層の塗布
に用いる溶剤に浸されるものであつてはならな
い。この中間層はバリヤー層としての役割の他に
光導電体と保護層との接着層としての機能を持た
せることもできる。この中間層２に適した有機金
属化合物としては、アルミニウムトリス−（アセ
チルアセトネート）、鉄トリス−（アセチルアセト
ネート）、コバルトビス−（アセチルアセトネー
ト）、鋼ビス−（アセチルアセトネート）、マグネ
シウム−ビス（アセチルアセトネート）、マンガ
ン（）ビス−（アセチルアセトネート）、ニツケ
ル（）−ビス（アセチルアセトネート）、パナジ
ウムトリス−（アセチルアセトネート）、亜鉛ビス
−（アセチルアセトネート）、スズビス−（アセチ
ルアセトネート）等の金属アセチルアセトネート
化合物、アルミニウムイソプロピレート、モノ
sec−ブトキシアルミニウムジイソプロピレート、
アルミニウムsec−ブチレート、バナジウムエチ
レート、バナジールｎ−プロピレート、バナジウ
ムイソブチレート等の金属アルコラート化合物、
及びアルミニウム−ジ−ｎ−ブトキサイド−モノ
−エチルアセトアセテート、アルミニウムオキサ
イドオクテート、アルミニウムオキサイドステア
レート、アルミニウムオキサイドアクリレート等
の化合物を挙げることができる。これらの化合物
は、単独でも、２種以上の混合物としても用いる
ことができる。更に、接着性の改善、抵抗値の制
御、その他の理由から上記の有機金属化合物と他
の有機樹脂化合物との混合物として用いることも
できる。
に用いる溶剤に浸されるものであつてはならな
い。この中間層はバリヤー層としての役割の他に
光導電体と保護層との接着層としての機能を持た
せることもできる。この中間層２に適した有機金
属化合物としては、アルミニウムトリス−（アセ
チルアセトネート）、鉄トリス−（アセチルアセト
ネート）、コバルトビス−（アセチルアセトネー
ト）、鋼ビス−（アセチルアセトネート）、マグネ
シウム−ビス（アセチルアセトネート）、マンガ
ン（）ビス−（アセチルアセトネート）、ニツケ
ル（）−ビス（アセチルアセトネート）、パナジ
ウムトリス−（アセチルアセトネート）、亜鉛ビス
−（アセチルアセトネート）、スズビス−（アセチ
ルアセトネート）等の金属アセチルアセトネート
化合物、アルミニウムイソプロピレート、モノ
sec−ブトキシアルミニウムジイソプロピレート、
アルミニウムsec−ブチレート、バナジウムエチ
レート、バナジールｎ−プロピレート、バナジウ
ムイソブチレート等の金属アルコラート化合物、
及びアルミニウム−ジ−ｎ−ブトキサイド−モノ
−エチルアセトアセテート、アルミニウムオキサ
イドオクテート、アルミニウムオキサイドステア
レート、アルミニウムオキサイドアクリレート等
の化合物を挙げることができる。これらの化合物
は、単独でも、２種以上の混合物としても用いる
ことができる。更に、接着性の改善、抵抗値の制
御、その他の理由から上記の有機金属化合物と他
の有機樹脂化合物との混合物として用いることも
できる。
中間層２の膜厚は任意に設定されるが、10μｍ
以下、特に1μｍ以下が好適である。
以下、特に1μｍ以下が好適である。
この中間層の形成は、スプレー塗布、浸漬塗
布、ナイフ塗布、ロール塗布等の適宜の方法で塗
布することによつて行うことができる。
布、ナイフ塗布、ロール塗布等の適宜の方法で塗
布することによつて行うことができる。
本発明の感光体の光導電層としてはSe、Se−
Te合金、Se−As合金、あるいはこれらを適当に
組合せた多層型の真空蒸着膜やポリビニルカルバ
ゾール／２，４，７−トリニトロ−９−フルオレ
ノン（PVK／TNF）等の有機光導電体、ZnOや
CdS等の無機光導電体をバインダー中に分散した
もの、あるいは電荷発生層と電荷輸送層を積層し
たもの等を使用することができる。
Te合金、Se−As合金、あるいはこれらを適当に
組合せた多層型の真空蒸着膜やポリビニルカルバ
ゾール／２，４，７−トリニトロ−９−フルオレ
ノン（PVK／TNF）等の有機光導電体、ZnOや
CdS等の無機光導電体をバインダー中に分散した
もの、あるいは電荷発生層と電荷輸送層を積層し
たもの等を使用することができる。
また、保護層としては有機高分子化合物に適当
な有機化合物あるいは無機化合物を添加したもの
が一般に使用でき、例えば有機高分子化合物に電
子供与性化合物あるいは電子供与性化合物と電子
受容性化合物を添加した電子伝導性材料を用いた
場合、あるいは有機高分子に粒径0.3μｍ以下の金
属酸化物を分散した、電子伝導性材料を用いた場
合に著しい効果が得られる。具体的に言えば、こ
のような保護層に用いられる材料として、メタロ
セン及びその分子構造中に少なくとも１以上のメ
タロセン骨格を有する化合物；テトラゾール及び
その分子構造中に少なくとも１個以上のテトラゾ
ール骨格を有する化合物；平均粒径が0.3μ以下の
金、銀、アルミニウム、鉄、銅、ニツケル等の金
属粉及び酸化亜鉛、酸化チタン、酸化錫、酸化ビ
スマス、酸化インジウム、酸化アンチモン等の金
属酸化物の粉末；酸化錫と酸化アンチモンを単一
粒子中に含有する粉末等が挙げられる。
な有機化合物あるいは無機化合物を添加したもの
が一般に使用でき、例えば有機高分子化合物に電
子供与性化合物あるいは電子供与性化合物と電子
受容性化合物を添加した電子伝導性材料を用いた
場合、あるいは有機高分子に粒径0.3μｍ以下の金
属酸化物を分散した、電子伝導性材料を用いた場
合に著しい効果が得られる。具体的に言えば、こ
のような保護層に用いられる材料として、メタロ
セン及びその分子構造中に少なくとも１以上のメ
タロセン骨格を有する化合物；テトラゾール及び
その分子構造中に少なくとも１個以上のテトラゾ
ール骨格を有する化合物；平均粒径が0.3μ以下の
金、銀、アルミニウム、鉄、銅、ニツケル等の金
属粉及び酸化亜鉛、酸化チタン、酸化錫、酸化ビ
スマス、酸化インジウム、酸化アンチモン等の金
属酸化物の粉末；酸化錫と酸化アンチモンを単一
粒子中に含有する粉末等が挙げられる。
低抵抗保護層としては、106乃至1013Ωcmの抵抗
を有するものを用いることができる。
を有するものを用いることができる。
次に比較例及び実施例をあげて本発明の電子写
真感光体を説明する。
真感光体を説明する。
比較例 １
ポリカーボネート80重量部とジメチルフエロセ
ン20重量部をジクロルメタンに溶解させこの溶液
をAl基板上に設けたAs2Se3蒸着膜（55μ厚）上に
塗布、乾燥し、10μの保護層を有する感光体を得
た。上記の保護層を塗布する前のAs2Se3蒸着膜
を正帯電させ、初期電位を800Vにし、これを
460nｍの波長の光で露光する操作を毎分40回の
速度でくり返した。この時残留電位は0Vで安定
していた。一方保護層を設けたAs2Se3蒸着膜を
前記の条件で帯電露光したところ初期電位200V
であり残留電位は100Vで安定していた。
ン20重量部をジクロルメタンに溶解させこの溶液
をAl基板上に設けたAs2Se3蒸着膜（55μ厚）上に
塗布、乾燥し、10μの保護層を有する感光体を得
た。上記の保護層を塗布する前のAs2Se3蒸着膜
を正帯電させ、初期電位を800Vにし、これを
460nｍの波長の光で露光する操作を毎分40回の
速度でくり返した。この時残留電位は0Vで安定
していた。一方保護層を設けたAs2Se3蒸着膜を
前記の条件で帯電露光したところ初期電位200V
であり残留電位は100Vで安定していた。
したがつて保護層を有するAs2Se3感光体は、
保護層を持たない感光体に較べて著しく静電コン
トラストが小さかつた。
保護層を持たない感光体に較べて著しく静電コン
トラストが小さかつた。
実施例 １
比較例と同様にしてAl基板上にAs2Se3蒸着膜
を形成した。次にその上にエチルアセトアセテー
トアルミニウムジイソプロピレート（商品名
ALCH、川研フアインケミカル株式会社製）１
重量部とイソプロピルアルコール10重量部とから
なる樹脂液を浸漬塗布し、50℃にて２時間乾燥し
て0.5μ厚の中間層を設けた。次いでこの上に比較
例と同じ保護層を10μ厚に設けた。この感光体を
比較例１と同じ方法にて帯電露光を繰り返したと
ころ、初期電位は910V、残留電位は105Vであつ
た。従つて静電コントラストは805Vであり、保
護層のみの感光体に比べ、その特性を著しく改善
し、保護層を持たない感光体と等しい値であつ
た。
を形成した。次にその上にエチルアセトアセテー
トアルミニウムジイソプロピレート（商品名
ALCH、川研フアインケミカル株式会社製）１
重量部とイソプロピルアルコール10重量部とから
なる樹脂液を浸漬塗布し、50℃にて２時間乾燥し
て0.5μ厚の中間層を設けた。次いでこの上に比較
例と同じ保護層を10μ厚に設けた。この感光体を
比較例１と同じ方法にて帯電露光を繰り返したと
ころ、初期電位は910V、残留電位は105Vであつ
た。従つて静電コントラストは805Vであり、保
護層のみの感光体に比べ、その特性を著しく改善
し、保護層を持たない感光体と等しい値であつ
た。
実施例 ２
比較例１と同じ方法でAl基板上にAs2Se3蒸着
膜を形成させた。次にその上に、亜鉛ビス−（ア
セチルアセトネート）２重量部、シランカツプリ
ング剤（商品名、KBM503、信越化学工業株式
会社製）１重量部及びｎ−ブチルアルコール20重
量部からなる樹脂液をスプレー塗布し、100℃で
30分間乾燥し、0.5μ厚の中間層を設けた。次いで
この上に比較例１と同じ保護層を10μ厚に設け
た。この感光体を比較例１と同じ方法にて帯電露
光を繰り返したところ、初期電位900V、残留電
位105Vであつた。従つてこの感光体の静電コン
トラストは795Vであり保護層を持たない感光体
と同等の値であつた。
膜を形成させた。次にその上に、亜鉛ビス−（ア
セチルアセトネート）２重量部、シランカツプリ
ング剤（商品名、KBM503、信越化学工業株式
会社製）１重量部及びｎ−ブチルアルコール20重
量部からなる樹脂液をスプレー塗布し、100℃で
30分間乾燥し、0.5μ厚の中間層を設けた。次いで
この上に比較例１と同じ保護層を10μ厚に設け
た。この感光体を比較例１と同じ方法にて帯電露
光を繰り返したところ、初期電位900V、残留電
位105Vであつた。従つてこの感光体の静電コン
トラストは795Vであり保護層を持たない感光体
と同等の値であつた。
実施例 ３
比較例１と同様にしてAl基板上にAs2Se3蒸着
膜を形成させた。次にその上にコバルト（）ア
セチルアセトネート１重量部とｎ−ブチルアルコ
ール10重量部とからなる溶液をスプレー塗布し、
50℃にて２時間乾燥して0.3μ厚の中間層を設け
た。次いでこの上に比較例１と同じ保護層を10μ
厚に設けた。
膜を形成させた。次にその上にコバルト（）ア
セチルアセトネート１重量部とｎ−ブチルアルコ
ール10重量部とからなる溶液をスプレー塗布し、
50℃にて２時間乾燥して0.3μ厚の中間層を設け
た。次いでこの上に比較例１と同じ保護層を10μ
厚に設けた。
この感光体を比較例１と同じ方法にて帯電露光
を繰り返したところ初期電位910V、残留電位
100Vであつた。従つてこの感光体の静電コント
ラストは810Vであり、保護層を持たない感光体
の静電コントラストを更に改善した。
を繰り返したところ初期電位910V、残留電位
100Vであつた。従つてこの感光体の静電コント
ラストは810Vであり、保護層を持たない感光体
の静電コントラストを更に改善した。
比較例 ２
ポリアリレート樹脂（商品名、Ｕポリマー、ユ
ニチカ製）80重量部とフエロセン20重量部をジク
ロルメタンに溶解した。この溶液を長さ300mmの
Al円筒上に設けたSe（50μ厚）蒸着膜及びSe−Te
合金蒸着膜（1μ厚）よりなる二層型の光導電体
の上に塗布乾燥し、15μの保護層を有する感光体
を得た。この感光体を比較例１と保じ方法で帯電
露光を繰返したところ初期電位は400Vで、残留
電位は90Vで安定していた。
ニチカ製）80重量部とフエロセン20重量部をジク
ロルメタンに溶解した。この溶液を長さ300mmの
Al円筒上に設けたSe（50μ厚）蒸着膜及びSe−Te
合金蒸着膜（1μ厚）よりなる二層型の光導電体
の上に塗布乾燥し、15μの保護層を有する感光体
を得た。この感光体を比較例１と保じ方法で帯電
露光を繰返したところ初期電位は400Vで、残留
電位は90Vで安定していた。
一方、上記と同じSe／Se−Te二層蒸着膜から
なる感光体を保護層を塗布せずにそのまま上記の
条件で帯電露光したところ初期電位は900V、残
留電位は10Vであつた。従つて保護層を有する
Se／Se−Te二層感光体は保護層を持たない感光
体に較べて静電コントラストが著しく小さかつ
た。
なる感光体を保護層を塗布せずにそのまま上記の
条件で帯電露光したところ初期電位は900V、残
留電位は10Vであつた。従つて保護層を有する
Se／Se−Te二層感光体は保護層を持たない感光
体に較べて静電コントラストが著しく小さかつ
た。
実施例 ４
比較例２と同様にして、Al円筒上にSe／Se−
Te合金二層蒸着膜からなる感光層を形成させた。
ついでその層上に、亜鉛ビス−（アセチルアセト
ネート）１重量部とｎ−ブタノール10重量部から
なる溶液をスプレー塗布し、40℃で３時間乾燥し
て0.3μ厚の中間層を設けた。次いでこの上に比較
例２と同じ保護層を15μ厚に設けた。この感光体
を比較例２と同じ方法で帯電露光を繰り返したと
ころ初期電位は990V、残留電位は100Vであつ
た。従つてこの感光体の静電コントラストは
890Vとなり、保護層のない感光体と同じであつ
た。この感光体を用いて磁気ブラシ現像法による
コピーテストを行なつたところ、露光パターンと
同一の極めて詳明な画像が得られた。
Te合金二層蒸着膜からなる感光層を形成させた。
ついでその層上に、亜鉛ビス−（アセチルアセト
ネート）１重量部とｎ−ブタノール10重量部から
なる溶液をスプレー塗布し、40℃で３時間乾燥し
て0.3μ厚の中間層を設けた。次いでこの上に比較
例２と同じ保護層を15μ厚に設けた。この感光体
を比較例２と同じ方法で帯電露光を繰り返したと
ころ初期電位は990V、残留電位は100Vであつ
た。従つてこの感光体の静電コントラストは
890Vとなり、保護層のない感光体と同じであつ
た。この感光体を用いて磁気ブラシ現像法による
コピーテストを行なつたところ、露光パターンと
同一の極めて詳明な画像が得られた。
比較例 ３
比較例２と同じSe／Se−Te二層蒸着膜よりな
る感光体の上に、ポリウレタン樹脂（関西ペイン
ト社製、レタン4000）固形分70重量部に対し粒径
0.1μｍ以下の酸化スズ30重量部を加えて分散した
樹脂液を塗布乾燥し10μの保護層とした。この感
光体を比較例１と同じ方法にて帯電露光を繰り返
したところ、初期電位150V、残留電位85Vであ
り、著しく静電コントラストが少なかつた。
る感光体の上に、ポリウレタン樹脂（関西ペイン
ト社製、レタン4000）固形分70重量部に対し粒径
0.1μｍ以下の酸化スズ30重量部を加えて分散した
樹脂液を塗布乾燥し10μの保護層とした。この感
光体を比較例１と同じ方法にて帯電露光を繰り返
したところ、初期電位150V、残留電位85Vであ
り、著しく静電コントラストが少なかつた。
実施例 ５
比較例２と同様なるSe／Se−Te二層感光層の
上にエチルアセテートアルミニウムジイソプロピ
レート（商品名、ALCH、川研フアインケミカ
ル社製）１重量部とｎ−ブタノール10重量部より
なる溶液を浸漬塗布し、0.5μ厚の中間層を設け
た。次いでこの上に比較例３と同じ保護層を10μ
厚に設けた。この感光体を比較例１と同じ方法に
て帯電露光を繰り返したところ、初期電位990V、
残留電位100Vで安定していた。従つて静電コン
トラストは890Vとなり、保護層のない感光体に
等しかつた。
上にエチルアセテートアルミニウムジイソプロピ
レート（商品名、ALCH、川研フアインケミカ
ル社製）１重量部とｎ−ブタノール10重量部より
なる溶液を浸漬塗布し、0.5μ厚の中間層を設け
た。次いでこの上に比較例３と同じ保護層を10μ
厚に設けた。この感光体を比較例１と同じ方法に
て帯電露光を繰り返したところ、初期電位990V、
残留電位100Vで安定していた。従つて静電コン
トラストは890Vとなり、保護層のない感光体に
等しかつた。
この感光体を用いて磁気ブラシ現像法によるコ
ピーテストを行なつたところ露光パターンと同一
の極めて鮮明な画像が得られた。
ピーテストを行なつたところ露光パターンと同一
の極めて鮮明な画像が得られた。
図面は本発明の電子写真用感光体の構成を示
す。 図中符号：１……低抵抗透明保護層；２……中
間層；３……光導電層；４……導電性支持体。
す。 図中符号：１……低抵抗透明保護層；２……中
間層；３……光導電層；４……導電性支持体。
Claims (1)
- １ 導電性支持体上に、光導電層、有機金属化合
物（但し、有機チタン化合物及び有機ジルコニウ
ム化合物を除く）を主成分として含有する中間
層、及び低抵抗保護層を順次積層してなる電子写
真用感光体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15942081A JPS5860748A (ja) | 1981-10-08 | 1981-10-08 | 電子写真用感光体 |
| GB08221347A GB2106659B (en) | 1981-07-28 | 1982-07-23 | Electrophotographic photosensitive materials |
| US06/402,700 US4444862A (en) | 1981-07-28 | 1982-07-28 | Electrophotographic photosensitive materials having layer of organic metal compound |
| DE3228218A DE3228218C2 (de) | 1981-07-28 | 1982-07-28 | Elektrofotografische Aufzeichnungsmaterialien |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15942081A JPS5860748A (ja) | 1981-10-08 | 1981-10-08 | 電子写真用感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5860748A JPS5860748A (ja) | 1983-04-11 |
| JPH0353628B2 true JPH0353628B2 (ja) | 1991-08-15 |
Family
ID=15693349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15942081A Granted JPS5860748A (ja) | 1981-07-28 | 1981-10-08 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5860748A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0711707B2 (ja) * | 1985-12-19 | 1995-02-08 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真用感光体 |
| JPH0711714B2 (ja) * | 1985-12-19 | 1995-02-08 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真用感光体 |
| JPH0711709B2 (ja) * | 1985-12-19 | 1995-02-08 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真用感光体 |
| JPH0711711B2 (ja) * | 1985-12-19 | 1995-02-08 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真用感光体 |
| JPH0711712B2 (ja) * | 1985-12-19 | 1995-02-08 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真用感光体 |
| JPH0711713B2 (ja) * | 1985-12-19 | 1995-02-08 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真用感光体 |
| JPH0711708B2 (ja) * | 1985-12-19 | 1995-02-08 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真用感光体 |
| JPH0711710B2 (ja) * | 1985-12-19 | 1995-02-08 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真用感光体 |
| JPS63239459A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-10-05 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体 |
-
1981
- 1981-10-08 JP JP15942081A patent/JPS5860748A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5860748A (ja) | 1983-04-11 |
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