JPH0353627B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0353627B2 JPH0353627B2 JP282682A JP282682A JPH0353627B2 JP H0353627 B2 JPH0353627 B2 JP H0353627B2 JP 282682 A JP282682 A JP 282682A JP 282682 A JP282682 A JP 282682A JP H0353627 B2 JPH0353627 B2 JP H0353627B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- protective layer
- photoreceptor
- particle size
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/147—Cover layers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子写真感光体、特に保護層を有する
電子写真感光体に関する。
電子写真感光体に関する。
電子写真感光体はSeあるいはSe合金の蒸着膜、
ZnOあるいはCdS等の無機粒子やアゾ顔料、シア
ニン顔料等の有機顔料を結着樹脂中に分散した塗
布膜等の感光層を支持体上に設けてなるものであ
り、帯電及び露光により静電潜像を形成し、現像
後トナー像を転写紙に転写し、次いで定着して複
写物を得る電子写真方法に用いられるものであ
る。
ZnOあるいはCdS等の無機粒子やアゾ顔料、シア
ニン顔料等の有機顔料を結着樹脂中に分散した塗
布膜等の感光層を支持体上に設けてなるものであ
り、帯電及び露光により静電潜像を形成し、現像
後トナー像を転写紙に転写し、次いで定着して複
写物を得る電子写真方法に用いられるものであ
る。
感光層が表面に露出した感光体は取扱い中に表
面に傷を生じたり、あるいはトナーの目づまりを
生じたりして、感光体の寿命をそこなうものであ
つた。そこで従来この欠点を解消するため、感光
体表面に感光層とは異なる表面層を設ける試みが
なされている。表面層としては、１つには絶縁層
が用いられ、他のものとして保護層が用いられて
いる。前者の絶縁層は電気絶縁性の樹脂等の膜を
感光体表面に設けたものであり、一次帯電→二次
帯電→像露光あるいは一次帯電→逆極性二次帯電
→一様露光の工程により静電潜像が形成される。
この絶縁層を有する感光体は絶縁層を厚くでき、
又機械的強度を高くできるという利点を有するも
のの、潜像形成工程が特殊なものとなり、又潜像
の除電が困難であるという欠点を有する。後者の
保護層は絶縁層に比べ、抵抗が低い層であり、帯
電→像露光のいわゆるカールゾン法により静電潜
像を形成する。この保護層を有する感光体はカー
ルソン法により潜像が形成できるものの、残留電
位が高くなり、また絶縁層に比べ膜が薄く機械的
強度に劣るものであつた。
面に傷を生じたり、あるいはトナーの目づまりを
生じたりして、感光体の寿命をそこなうものであ
つた。そこで従来この欠点を解消するため、感光
体表面に感光層とは異なる表面層を設ける試みが
なされている。表面層としては、１つには絶縁層
が用いられ、他のものとして保護層が用いられて
いる。前者の絶縁層は電気絶縁性の樹脂等の膜を
感光体表面に設けたものであり、一次帯電→二次
帯電→像露光あるいは一次帯電→逆極性二次帯電
→一様露光の工程により静電潜像が形成される。
この絶縁層を有する感光体は絶縁層を厚くでき、
又機械的強度を高くできるという利点を有するも
のの、潜像形成工程が特殊なものとなり、又潜像
の除電が困難であるという欠点を有する。後者の
保護層は絶縁層に比べ、抵抗が低い層であり、帯
電→像露光のいわゆるカールゾン法により静電潜
像を形成する。この保護層を有する感光体はカー
ルソン法により潜像が形成できるものの、残留電
位が高くなり、また絶縁層に比べ膜が薄く機械的
強度に劣るものであつた。
そこで第四級アンモニウム塩等の電気抵抗調節
剤を保護層中に添加し、保護層表面あるいは内部
への電荷の蓄積を防止する試みがなされている。
この試みによりある程度残留電位を小さくするこ
とができるものの帯電電位が湿度の影響を受けて
変化してしまうという欠点を有する。更に帯電し
た保護層表面の電荷が引き続き行なわれる像露光
工程あるいは現像工程迄の間に感光層内部に注入
されて放電してしまい、潜像電位が低下するとい
う欠点を有する。
剤を保護層中に添加し、保護層表面あるいは内部
への電荷の蓄積を防止する試みがなされている。
この試みによりある程度残留電位を小さくするこ
とができるものの帯電電位が湿度の影響を受けて
変化してしまうという欠点を有する。更に帯電し
た保護層表面の電荷が引き続き行なわれる像露光
工程あるいは現像工程迄の間に感光層内部に注入
されて放電してしまい、潜像電位が低下するとい
う欠点を有する。
本発明はこの後者の保護層を有する感光体の改
良に関するものであり、これら従来の欠点を解消
した感光体を提供することを目的とする。
良に関するものであり、これら従来の欠点を解消
した感光体を提供することを目的とする。
本発明の目的は光導電層、ジルコニウム錯体と
シランカツプリング剤とを含む硬化物からなる中
間層、および導電性金属酸化物を結着樹脂中に分
散した保護層を導電性支持体上に順次積層してな
り、前記導電性酸化物の微粉末はその粒径分布が
粒径5μｍ以上のもの５重量％以下で粒径0.03μｍ
以下のもの20重量％以下であることを特徴とする
電子写真感光体により達成することができる。
シランカツプリング剤とを含む硬化物からなる中
間層、および導電性金属酸化物を結着樹脂中に分
散した保護層を導電性支持体上に順次積層してな
り、前記導電性酸化物の微粉末はその粒径分布が
粒径5μｍ以上のもの５重量％以下で粒径0.03μｍ
以下のもの20重量％以下であることを特徴とする
電子写真感光体により達成することができる。
本発明の電子写真用感光体の構成を添付図面に
示す。図中、１は透明保護層、２はジルコニウム
錯体とシランカツプリング剤とを含む硬化物から
なる中間層、３は主としてSeからなる光導電層
であり、４は導電性支持体である。
示す。図中、１は透明保護層、２はジルコニウム
錯体とシランカツプリング剤とを含む硬化物から
なる中間層、３は主としてSeからなる光導電層
であり、４は導電性支持体である。
保護層１としては有機高分子に導電性金属酸化
物微粉末を分散した電子伝導性材料が用いられ
る。特に平均粒径が0.3μｍ、好ましくは0.15μｍ
の金属酸化物微粉末を用いた場合に著しい効果が
得られる。即ち、平均粒径が0.3μｍ以上では不透
明であるが、0.3μｍ以下になると実質的に透明に
なり、光の透過が妨げられない。この微粉末はそ
の粒径分布が、粒径5μｍ以上のもの５重量％以
下で粒径0.03μｍ以下のもの20重量％以下である
ものが用いられる。粒径5μｍ以上のものを５重
量％以上含むと微粉末の分散性が悪くなり、保護
層表面に微細な凹凸を生じクリーニング性が低下
し、又保護層の透明度が低下する。粒径0.03μｍ
以下のものを20重量％以上含むと感光体の残留電
位が上昇する。
物微粉末を分散した電子伝導性材料が用いられ
る。特に平均粒径が0.3μｍ、好ましくは0.15μｍ
の金属酸化物微粉末を用いた場合に著しい効果が
得られる。即ち、平均粒径が0.3μｍ以上では不透
明であるが、0.3μｍ以下になると実質的に透明に
なり、光の透過が妨げられない。この微粉末はそ
の粒径分布が、粒径5μｍ以上のもの５重量％以
下で粒径0.03μｍ以下のもの20重量％以下である
ものが用いられる。粒径5μｍ以上のものを５重
量％以上含むと微粉末の分散性が悪くなり、保護
層表面に微細な凹凸を生じクリーニング性が低下
し、又保護層の透明度が低下する。粒径0.03μｍ
以下のものを20重量％以上含むと感光体の残留電
位が上昇する。
なお、このような保護層に用いられる材料を具
体的に挙げると酸化亜鉛、酸化チタン、酸化錫、
酸化ビスマス、酸化インジウム、酸化アンチモン
等の金属酸化物の粉末；酸化錫と酸化アンチモン
を単一粒子中に含有する粉末等がある。金属酸化
物の樹脂に対する添加量は３〜65重量％の間にあ
ることが望ましい。
体的に挙げると酸化亜鉛、酸化チタン、酸化錫、
酸化ビスマス、酸化インジウム、酸化アンチモン
等の金属酸化物の粉末；酸化錫と酸化アンチモン
を単一粒子中に含有する粉末等がある。金属酸化
物の樹脂に対する添加量は３〜65重量％の間にあ
ることが望ましい。
好ましい保護層は導電性金属酸化物粉末を結着
樹脂中に分散した層であり、導電性金属酸化物粉
末としては特に酸化スズと酸化アンチモンとを同
一粒子中に含有する粉末が好ましい。ここで同一
粒子中に酸化スズと酸化アンチモンとを含有する
とは酸化スズと酸化アンチモンとの固溶体あるい
は融着体を意味する。
樹脂中に分散した層であり、導電性金属酸化物粉
末としては特に酸化スズと酸化アンチモンとを同
一粒子中に含有する粉末が好ましい。ここで同一
粒子中に酸化スズと酸化アンチモンとを含有する
とは酸化スズと酸化アンチモンとの固溶体あるい
は融着体を意味する。
上記の粉末を分散する樹脂としては被膜を形成
する能力を有する全ての樹脂を用いることができ
る。具体的にはポリエステル樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、フツ素樹脂、ポリスチレン樹脂、セル
ロース樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリウレタン樹
脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹
脂、アルキツド樹脂、塩ビ−酢ビ共重合体樹脂等
を用いることができる。金属酸化物の分散層の膜
厚は２〜30μｍ、特に５〜15μｍの間にあること
が好ましい。
する能力を有する全ての樹脂を用いることができ
る。具体的にはポリエステル樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、フツ素樹脂、ポリスチレン樹脂、セル
ロース樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリウレタン樹
脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹
脂、アルキツド樹脂、塩ビ−酢ビ共重合体樹脂等
を用いることができる。金属酸化物の分散層の膜
厚は２〜30μｍ、特に５〜15μｍの間にあること
が好ましい。
保護層の形成はスプレー法、デイビイング法、
ブレード法等公知の技術を用いることによつて行
うことができる。
ブレード法等公知の技術を用いることによつて行
うことができる。
２の中間層は、少なくとも上層の低絶縁性であ
る保護層１よりも高抵抗でなければならない。ま
た２の中間層は、少なくとも上層の保護層の塗布
に用いる溶剤に浸されるものであつてはならな
い。
る保護層１よりも高抵抗でなければならない。ま
た２の中間層は、少なくとも上層の保護層の塗布
に用いる溶剤に浸されるものであつてはならな
い。
この中間層は表面からの電荷注入を抑止し、静
電コントラストを高くするバリヤー層としての役
割の他に光導電体と保護層との接着層としての機
能を持たせることもできる。
電コントラストを高くするバリヤー層としての役
割の他に光導電体と保護層との接着層としての機
能を持たせることもできる。
中間層はジルコニウム錯体とシランカツプリン
グ剤から成る溶液の乾燥硬化物によつて形成され
る。これらのジルコニウム錯体とシランカツプリ
ング剤は任意の割合でまぜ合わせることが可能で
ある。
グ剤から成る溶液の乾燥硬化物によつて形成され
る。これらのジルコニウム錯体とシランカツプリ
ング剤は任意の割合でまぜ合わせることが可能で
ある。
中間層に適したジルコニウム錯体としては、例
えばジルコニウムアセチルアセトネート、ジルコ
ニウムトリフロロアセチルアセトネート等のアセ
チルアセトン錯体がある。また中間層に適したシ
ランカツプリング剤としては、例えば以下のもの
があげられる。ビニルトリクロルシラン、ビニル
トリエトキシシラン、ビニルトリス（β−メトキ
シエトキシ）シラン、γ−グリシドキシプロピル
トリメトキシシラン、γ−メタアクリロキシプロ
ピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）
γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β
（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメ
トキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシ
シラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシ
ラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、
メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシ
シラン、トリメチルモノメトキシシラン、ジフエ
ニルジメトキシシラン、ジフエニルジエトキシシ
ラン、モノフエニルトリメトキシシラン。
えばジルコニウムアセチルアセトネート、ジルコ
ニウムトリフロロアセチルアセトネート等のアセ
チルアセトン錯体がある。また中間層に適したシ
ランカツプリング剤としては、例えば以下のもの
があげられる。ビニルトリクロルシラン、ビニル
トリエトキシシラン、ビニルトリス（β−メトキ
シエトキシ）シラン、γ−グリシドキシプロピル
トリメトキシシラン、γ−メタアクリロキシプロ
ピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）
γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β
（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメ
トキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシ
シラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシ
ラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、
メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシ
シラン、トリメチルモノメトキシシラン、ジフエ
ニルジメトキシシラン、ジフエニルジエトキシシ
ラン、モノフエニルトリメトキシシラン。
中間層の膜厚は任意に設定されるが、10μｍ以
下特に1μｍ以下が好適である。この中間層の形
成は、スプレー塗布、浸漬塗布、ナイフ塗布、ロ
ール塗布等の適宜の方法で塗布した後、50℃〜
200℃の温度に加熱して乾燥硬化することによつ
て行うことができる。
下特に1μｍ以下が好適である。この中間層の形
成は、スプレー塗布、浸漬塗布、ナイフ塗布、ロ
ール塗布等の適宜の方法で塗布した後、50℃〜
200℃の温度に加熱して乾燥硬化することによつ
て行うことができる。
光導電層３は光照射による電荷発生能と電荷輸
送能とを併せ持つ層であり、単層でもあるいは２
層以上の積層であつても良い。光導電層は主とし
てセレンによつて形成される。例えばセレン、セ
レン−テルル、セレン−ヒ素、セレン−テルル−
ヒ素、酸化亜鉛、酸化チタン、硫化カドミウム、
セレン化カドミウム、硫化亜鉛、無定形シリコン
などの無機物質、またポリビニルカルバゾール及
びその誘導体、芳香族アミン類、アゾ顔料、フタ
ロシアニン、オキサゾール、トリアゾール、イミ
ダゾール、ブロムピレンなどの有機物質が挙げら
れる。この光導電層は真空蒸着法等の公知の方法
によつて形成させることができる。光導電層の膜
厚は任意に設定されるが5μｍ〜200μｍ、特に20
〜100μｍが好適である。
送能とを併せ持つ層であり、単層でもあるいは２
層以上の積層であつても良い。光導電層は主とし
てセレンによつて形成される。例えばセレン、セ
レン−テルル、セレン−ヒ素、セレン−テルル−
ヒ素、酸化亜鉛、酸化チタン、硫化カドミウム、
セレン化カドミウム、硫化亜鉛、無定形シリコン
などの無機物質、またポリビニルカルバゾール及
びその誘導体、芳香族アミン類、アゾ顔料、フタ
ロシアニン、オキサゾール、トリアゾール、イミ
ダゾール、ブロムピレンなどの有機物質が挙げら
れる。この光導電層は真空蒸着法等の公知の方法
によつて形成させることができる。光導電層の膜
厚は任意に設定されるが5μｍ〜200μｍ、特に20
〜100μｍが好適である。
次に比較例及び実施例をあげて本発明の電子写
真感光体を説明する。
真感光体を説明する。
比較例 １
アルミパイプ上に設けたAs2Se3蒸着膜（60μｍ
厚）上に、ポリアクリルウレタン65重量部と平均
粒径0.3μｍの酸化スズ／酸化アンチモン微粉末35
重量部をセロソルブアセテートと酢酸ブチルとと
もにボールミルに入れて分散させ、これに硬化剤
を適量加えたものを塗布、乾燥し、10μｍ保護層
を有する感光体を得た。この保護層を塗布する前
のAs2Se3蒸着膜を正帯電させ、初期電位を900V
にし、これを460mmの波長の光で露光する操作を
毎分40回の速度で５分間くり返した。この時、残
留電位は0Vで安定していた。一方、保護層を設
けたAs2Se3蒸着膜を前記の条件で帯電、露光し
たところ、初期電位120V、残留電位55Vで安定
していた。従つて保護層を有するAs2Se3感光体
はほとんど静電コントラストを持たなかつた。
厚）上に、ポリアクリルウレタン65重量部と平均
粒径0.3μｍの酸化スズ／酸化アンチモン微粉末35
重量部をセロソルブアセテートと酢酸ブチルとと
もにボールミルに入れて分散させ、これに硬化剤
を適量加えたものを塗布、乾燥し、10μｍ保護層
を有する感光体を得た。この保護層を塗布する前
のAs2Se3蒸着膜を正帯電させ、初期電位を900V
にし、これを460mmの波長の光で露光する操作を
毎分40回の速度で５分間くり返した。この時、残
留電位は0Vで安定していた。一方、保護層を設
けたAs2Se3蒸着膜を前記の条件で帯電、露光し
たところ、初期電位120V、残留電位55Vで安定
していた。従つて保護層を有するAs2Se3感光体
はほとんど静電コントラストを持たなかつた。
実施例 １
比較例１と同じ方法でアルミパイプ上に
As2Se3の蒸着膜を形成させた。次にその上にジ
ルコニウムアセチルアセトネート２重量部、γ−
メタアクリロキシプロピルトリメトキシシラン１
重量部、ｎ−ブタノール20重量部からなる溶液を
スプレー塗布し、100℃にて２時間乾燥して、
0.6μｍ厚の中間層を設けた。次いでこの上に比較
例１と同じ保護層を10μｍ厚に設け、比較例１と
同じ方法で帯電露光を繰り返したところ、初期電
位960V、残留電位55Vであつた。従つてこの感
光体の静電コントラストは905Vであり、保護層
を持たない感光体と同等の値であつた。又、この
感光体を用いてコピーを採つたところ、背景部に
汚れのない鮮明な画質が得られた。この解像力は
7lp／mmであり、保護層を持たない感光体と同等
である。さらにこの感光体は高温高湿（30℃、85
％RH）環境下においても低温低湿（10℃、15％
RH）環境下においても画質に変化がなく良好な
コピーを得ることが出来た。又、この感光体をブ
レードクリーニング装置及び用紙剥離部に常時感
光体と圧接している鋼鉄製の剥離爪を有する複写
機に入れて100000枚の複写を行つたところ画質に
変化はなく、又保護層表面にも傷を生ずることな
く、良好な画質を得ることができた。
As2Se3の蒸着膜を形成させた。次にその上にジ
ルコニウムアセチルアセトネート２重量部、γ−
メタアクリロキシプロピルトリメトキシシラン１
重量部、ｎ−ブタノール20重量部からなる溶液を
スプレー塗布し、100℃にて２時間乾燥して、
0.6μｍ厚の中間層を設けた。次いでこの上に比較
例１と同じ保護層を10μｍ厚に設け、比較例１と
同じ方法で帯電露光を繰り返したところ、初期電
位960V、残留電位55Vであつた。従つてこの感
光体の静電コントラストは905Vであり、保護層
を持たない感光体と同等の値であつた。又、この
感光体を用いてコピーを採つたところ、背景部に
汚れのない鮮明な画質が得られた。この解像力は
7lp／mmであり、保護層を持たない感光体と同等
である。さらにこの感光体は高温高湿（30℃、85
％RH）環境下においても低温低湿（10℃、15％
RH）環境下においても画質に変化がなく良好な
コピーを得ることが出来た。又、この感光体をブ
レードクリーニング装置及び用紙剥離部に常時感
光体と圧接している鋼鉄製の剥離爪を有する複写
機に入れて100000枚の複写を行つたところ画質に
変化はなく、又保護層表面にも傷を生ずることな
く、良好な画質を得ることができた。
比較例 ２
比較例１と同様に作成したAs2Se3蒸着膜に中
間層及び保護層を設けることなく帯電、露光を繰
り返したところ、比較例１の場合と同様に初期電
位910V、残留電位0Vで安定していた。この感光
体を実施例１と同一の複写機に入れて複写を行つ
たところ地汚れのない鮮明な画像が得られた。さ
らに複写を続けたところ、約30000枚目のコピー
付近から、微細な欠陥が認められた。すなわち、
ベタ黒部に極く細い白筋が発生し、複写枚数と共
に白筋が増加する兆しがみられたが文字部では白
筋はほとんどみられなかつた。しかし100000枚コ
ピー後ではベタ黒部で微細ではあるがかなり多数
の白筋がみられ、文字部にも白筋がみられた。
間層及び保護層を設けることなく帯電、露光を繰
り返したところ、比較例１の場合と同様に初期電
位910V、残留電位0Vで安定していた。この感光
体を実施例１と同一の複写機に入れて複写を行つ
たところ地汚れのない鮮明な画像が得られた。さ
らに複写を続けたところ、約30000枚目のコピー
付近から、微細な欠陥が認められた。すなわち、
ベタ黒部に極く細い白筋が発生し、複写枚数と共
に白筋が増加する兆しがみられたが文字部では白
筋はほとんどみられなかつた。しかし100000枚コ
ピー後ではベタ黒部で微細ではあるがかなり多数
の白筋がみられ、文字部にも白筋がみられた。
実施例 ２
比較例１と同じ方法でアルミパイプ上に
As2Se3の蒸着膜を形成させ、その上にジルコニ
ウムトリフロロアセチルアセトネート１重量部、
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン１
重量部、ｎ−ブタノール20重量部からなる溶液を
スプレー塗布し、100℃にて２時間乾燥して0.5μ
ｍ厚の中間層を設けた。次いでこの上に比較例１
と同じ保護層を10μｍ厚に設け、比較例１と同じ
方法で、帯電、露光を繰り返したところ初期電位
955V、残留電位55Vであつた。従つてこの感光
体の静電コントラストは900Vであり、保護層を
持たない感光体及び実施例１の感光体と同等の値
であつた。又、この感光体を用いて実施例１の場
合と同様にコピーテスト、環境テスト、耐久テス
トを行つたところ同様に好結果を得た。
As2Se3の蒸着膜を形成させ、その上にジルコニ
ウムトリフロロアセチルアセトネート１重量部、
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン１
重量部、ｎ−ブタノール20重量部からなる溶液を
スプレー塗布し、100℃にて２時間乾燥して0.5μ
ｍ厚の中間層を設けた。次いでこの上に比較例１
と同じ保護層を10μｍ厚に設け、比較例１と同じ
方法で、帯電、露光を繰り返したところ初期電位
955V、残留電位55Vであつた。従つてこの感光
体の静電コントラストは900Vであり、保護層を
持たない感光体及び実施例１の感光体と同等の値
であつた。又、この感光体を用いて実施例１の場
合と同様にコピーテスト、環境テスト、耐久テス
トを行つたところ同様に好結果を得た。
図面は本発明の電子写真用感光体の構成を示
す。 図中符号：１……低抵抗透明保護層；２……中
間層；３……光導電層；４……導電性支持体。
す。 図中符号：１……低抵抗透明保護層；２……中
間層；３……光導電層；４……導電性支持体。
Claims (1)
- １ 光導電層、ジルコニウム錯体とシランカツプ
リング剤とを含む硬化物からなる中間層、および
導電性金属酸化物を結着樹脂中に分散した保護層
を導電性支持体上に順次積層してなり、前記導電
性酸化物の微粉末はその粒径分布が粒径5μｍ以
上のもの５重量％以下で粒径0.03μｍ以下のもの
20重量％以下であることを特徴とする電子写真感
光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP282682A JPS58121045A (ja) | 1982-01-13 | 1982-01-13 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP282682A JPS58121045A (ja) | 1982-01-13 | 1982-01-13 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58121045A JPS58121045A (ja) | 1983-07-19 |
| JPH0353627B2 true JPH0353627B2 (ja) | 1991-08-15 |
Family
ID=11540213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP282682A Granted JPS58121045A (ja) | 1982-01-13 | 1982-01-13 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58121045A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63239459A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-10-05 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS6448065A (en) * | 1987-08-19 | 1989-02-22 | Ricoh Kk | Electrophotographic sensitive body |
| JP2719135B2 (ja) * | 1987-09-08 | 1998-02-25 | 株式会社リコー | 電子写真感光体 |
| JP2742264B2 (ja) * | 1988-06-03 | 1998-04-22 | 株式会社リコー | 電子写真用感光体 |
| JPH06103401B2 (ja) * | 1989-08-16 | 1994-12-14 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体 |
-
1982
- 1982-01-13 JP JP282682A patent/JPS58121045A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58121045A (ja) | 1983-07-19 |
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