JPH0353703B2 - - Google Patents
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- JPH0353703B2 JPH0353703B2 JP57048193A JP4819382A JPH0353703B2 JP H0353703 B2 JPH0353703 B2 JP H0353703B2 JP 57048193 A JP57048193 A JP 57048193A JP 4819382 A JP4819382 A JP 4819382A JP H0353703 B2 JPH0353703 B2 JP H0353703B2
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
- C08J7/12—Chemical modification
- C08J7/16—Chemical modification with polymerisable compounds
- C08J7/18—Chemical modification with polymerisable compounds using wave energy or particle radiation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B23/00—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/0057—Intermediate mediums, i.e. mediums provided with an information structure not specific to the method of reproducing or duplication such as matrixes for mechanical pressing of an information structure ; record carriers having a relief information structure provided with or included in layers not specific for a single reproducing method; apparatus or processes specially adapted for their manufacture
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Toxicology (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は少なくとも一側上に放射線によつて硬
化されるラツカの情報層を有する基板プレートを
具え、この情報層は情報トラツクに沿つて高い位
置と低い位置とを交互に有する情報区域をもつた
光学読取可能な当該情報トラツクを見えて成る光
学読取可能情報デイスクに関する。
化されるラツカの情報層を有する基板プレートを
具え、この情報層は情報トラツクに沿つて高い位
置と低い位置とを交互に有する情報区域をもつた
光学読取可能な当該情報トラツクを見えて成る光
学読取可能情報デイスクに関する。
斯様な情報デイスクは特開昭53−86756号から
も既知である。
も既知である。
このデイスクの製造に当り、種々のアクリレー
トの混合物を含むアクリル酸エステル（アクリレ
ート）を基礎としたラツカが使用されている。こ
のような多成分ラツカは特に60〜90重量％のモノ
アクリレートと、80〜20重量％のジアクリレー
ト、トリアクリレート又はテトラアクリレートと
の組合わせから成つている。特に、多量のモノア
クリレートと約20重量％のジアクリレート及び／
又はトリアクリレートとの組合わせが度々生じ
る。オランダ国特許出願第7803069号には多層情
報デイスクについて開示されており、放射線で硬
化し得るラツカ、特に紫外線で硬化し得るラツカ
について記載されている。このラツカは50〜80重
量％のモノアクリレート、５〜40重量％のジ−、
トリ−又はテトラ−アクリレート、並びに１〜３
重量％の開始剤を含んでいる。上述したオランダ
特許出願第7803069号に記載された例では78重量
％の２−エチルヘキシル・アクリレート、20重量
％の１，１，１−トリメチロールプロパン・トリ
アクリレート及び２重量％のベンゾイン−イソブ
チル・エーテル（開始剤）から成る多層ラツカに
ついて述べられている。ラツカは度々非常に多く
の矛盾する要件を満足しなければならないので、
これら多成分ラツカの使用も可能である。互いに
異なる物理的及び化学的性質をもつた種々の成分
を混合することによつてラツカの性質を所望の如
く多様化にすると共に、矛盾する要求間に適当な
妥協を見出すような努力が行なわれている。
トの混合物を含むアクリル酸エステル（アクリレ
ート）を基礎としたラツカが使用されている。こ
のような多成分ラツカは特に60〜90重量％のモノ
アクリレートと、80〜20重量％のジアクリレー
ト、トリアクリレート又はテトラアクリレートと
の組合わせから成つている。特に、多量のモノア
クリレートと約20重量％のジアクリレート及び／
又はトリアクリレートとの組合わせが度々生じ
る。オランダ国特許出願第7803069号には多層情
報デイスクについて開示されており、放射線で硬
化し得るラツカ、特に紫外線で硬化し得るラツカ
について記載されている。このラツカは50〜80重
量％のモノアクリレート、５〜40重量％のジ−、
トリ−又はテトラ−アクリレート、並びに１〜３
重量％の開始剤を含んでいる。上述したオランダ
特許出願第7803069号に記載された例では78重量
％の２−エチルヘキシル・アクリレート、20重量
％の１，１，１−トリメチロールプロパン・トリ
アクリレート及び２重量％のベンゾイン−イソブ
チル・エーテル（開始剤）から成る多層ラツカに
ついて述べられている。ラツカは度々非常に多く
の矛盾する要件を満足しなければならないので、
これら多成分ラツカの使用も可能である。互いに
異なる物理的及び化学的性質をもつた種々の成分
を混合することによつてラツカの性質を所望の如
く多様化にすると共に、矛盾する要求間に適当な
妥協を見出すような努力が行なわれている。
種々の要求を必要とする場合にはさらに複雑な
多成分ラツカさえも使用するというはつきりとし
た傾向がある。
多成分ラツカさえも使用するというはつきりとし
た傾向がある。
これに関連して留意すべきことは、放射線で硬
化可能なラツカはこれを情報デイスクに使用する
と、次のような多くの要求の組合わせを満足する
必要があるということである。すなわち、例えば １ 層厚を薄く出来るように低粘度であること。
層厚が厚くなると、収縮が生じて下側にある基
板を変形してしまう； ２ 急速かつ良好に硬化すること； ３ 基板プレートに良好に付着すること； ４ 情報デイスクの製造の際に使用される金属マ
トリツクス表面に付着しないこと； ５ 硬化後、例えば銀又はアルミニウムの層のよ
うな反射層を備えるのに好適であること； ６ 光学的に透明であること； ７ 硬化後は、気候条件が変化した場合でも、変
形しないことかつ化学的に安定であること。
化可能なラツカはこれを情報デイスクに使用する
と、次のような多くの要求の組合わせを満足する
必要があるということである。すなわち、例えば １ 層厚を薄く出来るように低粘度であること。
層厚が厚くなると、収縮が生じて下側にある基
板を変形してしまう； ２ 急速かつ良好に硬化すること； ３ 基板プレートに良好に付着すること； ４ 情報デイスクの製造の際に使用される金属マ
トリツクス表面に付着しないこと； ５ 硬化後、例えば銀又はアルミニウムの層のよ
うな反射層を備えるのに好適であること； ６ 光学的に透明であること； ７ 硬化後は、気候条件が変化した場合でも、変
形しないことかつ化学的に安定であること。
本発明の目的は、要求が複雑な場合に複雑な多
成分ラツカを開発してこれを使用する必要のない
情報デイスクを提供することにある。
成分ラツカを開発してこれを使用する必要のない
情報デイスクを提供することにある。
本発明によれば、0.1〜５重量％の通常の補助
物質に加えて、前記ラツカは、放射線の影響を受
けて架橋可能な95〜99.9重量％の一種の単量体化
合物を含有し、該単量体化合物は末端位置にアク
リレート基又はメタクリレート基を有するアルケ
ン・グリコール・ジメタクリレート、アルケン・
グリコール・ジアクリレート、アルカンジオー
ル・ジメタクリレート及びアルカンジオール・ジ
アクリレートから成る群から選ばれており、該単
量体化合物のアルカン及びアルケン部分は４〜12
個の炭素原子を有しており、さらに硬化したラツ
カは前記補助物質は別として抽出可能な物質を全
く又はほとんど含有しないようにして成ることを
特徴とする。
物質に加えて、前記ラツカは、放射線の影響を受
けて架橋可能な95〜99.9重量％の一種の単量体化
合物を含有し、該単量体化合物は末端位置にアク
リレート基又はメタクリレート基を有するアルケ
ン・グリコール・ジメタクリレート、アルケン・
グリコール・ジアクリレート、アルカンジオー
ル・ジメタクリレート及びアルカンジオール・ジ
アクリレートから成る群から選ばれており、該単
量体化合物のアルカン及びアルケン部分は４〜12
個の炭素原子を有しており、さらに硬化したラツ
カは前記補助物質は別として抽出可能な物質を全
く又はほとんど含有しないようにして成ることを
特徴とする。
本発明による情報デイスクは、単成分ラツカを
使用することにより、上述した要求を満足するば
かりではなく多成分システムを使用する場合の重
要な利益をも奏し得るという利点がある。単成分
ラツカとは一種の架橋性単量体化合物を含んだラ
ツカと解する。これに対し多層ラツカは少なくと
も二種の架橋性単量体化合物から成るものであ
る。
使用することにより、上述した要求を満足するば
かりではなく多成分システムを使用する場合の重
要な利益をも奏し得るという利点がある。単成分
ラツカとは一種の架橋性単量体化合物を含んだラ
ツカと解する。これに対し多層ラツカは少なくと
も二種の架橋性単量体化合物から成るものであ
る。
本発明によれば、特に情報デイスクを大規模生
産する際に、ラツカ組成が単純であることによ
り、著しく純粋なラツカを得ることが出来、その
結果品質の優れた情報デイスクを再現出来るとい
う実用上重要な利益を得る。多成分ラツカにおい
ては汚染は回避出来ないが、汚染が僅かであつて
も、デイスク製造工程及び所望の品質の再現性に
悪影響を及ぼすことが度々ある。多成分ラツカの
場合には、それらの成分の多数の異性体が形成さ
れるか又は存在し製造工程従つてその結果得られ
たデイスクの品質の再現性に悪影響を及ぼす。
産する際に、ラツカ組成が単純であることによ
り、著しく純粋なラツカを得ることが出来、その
結果品質の優れた情報デイスクを再現出来るとい
う実用上重要な利益を得る。多成分ラツカにおい
ては汚染は回避出来ないが、汚染が僅かであつて
も、デイスク製造工程及び所望の品質の再現性に
悪影響を及ぼすことが度々ある。多成分ラツカの
場合には、それらの成分の多数の異性体が形成さ
れるか又は存在し製造工程従つてその結果得られ
たデイスクの品質の再現性に悪影響を及ぼす。
本発明の主要な利益は本発明によるデイスクの
硬化したすなわち硬化剤ラツカが抽出可能な物質
を全く又はほとんど含んでいないという点にあ
る。実験により、既知の情報デイスクではその品
質が時間の経過とともに劣下することが判つた。
本発明の発明者等はこの品質の劣下は硬化済ラツ
カ層に起因していることをつかみかつ、特に、紫
外光で十分時間を掛けて硬化させた後であつても
この既知デイスクに使用されている硬化した多成
分ラツカがこの硬化したラツカの表面に向かつて
十分に拡散移動し得る成分を含んでいることを実
証した。その結果、情報トラツクの形状従つてそ
の品質が連続作用の際には悪影響を受ける。その
上さらに、斯様な移動成分がラツカ層上に設けら
れた例えば銀の蒸着反射層に悪い作用を及ぼしそ
してこの反射層のラツカ層に対する付着状態を変
えてしまう。
硬化したすなわち硬化剤ラツカが抽出可能な物質
を全く又はほとんど含んでいないという点にあ
る。実験により、既知の情報デイスクではその品
質が時間の経過とともに劣下することが判つた。
本発明の発明者等はこの品質の劣下は硬化済ラツ
カ層に起因していることをつかみかつ、特に、紫
外光で十分時間を掛けて硬化させた後であつても
この既知デイスクに使用されている硬化した多成
分ラツカがこの硬化したラツカの表面に向かつて
十分に拡散移動し得る成分を含んでいることを実
証した。その結果、情報トラツクの形状従つてそ
の品質が連続作用の際には悪影響を受ける。その
上さらに、斯様な移動成分がラツカ層上に設けら
れた例えば銀の蒸着反射層に悪い作用を及ぼしそ
してこの反射層のラツカ層に対する付着状態を変
えてしまう。
本発明による光学読取情報デイスクでは、これ
らの問題を除去することが出来る。
らの問題を除去することが出来る。
ラツカに使用される補助物質は、例えば、0.1
〜５重量％の量の感光性開始剤、、0.01〜0.05重
量％の量の安定剤及び０〜３重量％の量の促進剤
である。例えば紫外光に露光させたとき所望の重
合反応を開始するラジカルを形成する好適感光性
開始剤は芳香族カルボニル化合物、例えば、ベン
ゾイン−イソブチル・エーテル又はケタール例え
ばベンジルジメチルケタールである。好適な安定
剤はヒドロキシのモノメチル・エーテルである。
有用な促進剤の一例はメチルジエタノールアミン
である。
〜５重量％の量の感光性開始剤、、0.01〜0.05重
量％の量の安定剤及び０〜３重量％の量の促進剤
である。例えば紫外光に露光させたとき所望の重
合反応を開始するラジカルを形成する好適感光性
開始剤は芳香族カルボニル化合物、例えば、ベン
ゾイン−イソブチル・エーテル又はケタール例え
ばベンジルジメチルケタールである。好適な安定
剤はヒドロキシのモノメチル・エーテルである。
有用な促進剤の一例はメチルジエタノールアミン
である。
本発明によるデイスクに容易に使用されかつ末
端位置にアクリレート基又はメタクリレート基を
有する有益なアクリレート又はメタクリレートの
例として、１，６−ヘキサンジオール・ジアクリ
レート；１，６−ヘキサンジオール・ジメタクリ
レート、１，７−ヘプタンジオール・ジアクリレ
ート；１，７−ヘプタンジオール・ジメタクリレ
ート；１，８−オクタンジオール・ジアクリレー
ト；１，８−オクタンジオール・ジメタクリレー
ト；１，10−デカンジオール・ジアクリレート；
１，10−デカンジオール・ジメタクリレート；ジ
−、トリ−、及びテトラ−エチレン・グリコー
ル・ジアクリレート及びジ−・トリ−、及びテト
ラ−エチレン・グリコール・ジメタクリレートが
ある。
端位置にアクリレート基又はメタクリレート基を
有する有益なアクリレート又はメタクリレートの
例として、１，６−ヘキサンジオール・ジアクリ
レート；１，６−ヘキサンジオール・ジメタクリ
レート、１，７−ヘプタンジオール・ジアクリレ
ート；１，７−ヘプタンジオール・ジメタクリレ
ート；１，８−オクタンジオール・ジアクリレー
ト；１，８−オクタンジオール・ジメタクリレー
ト；１，10−デカンジオール・ジアクリレート；
１，10−デカンジオール・ジメタクリレート；ジ
−、トリ−、及びテトラ−エチレン・グリコー
ル・ジアクリレート及びジ−・トリ−、及びテト
ラ−エチレン・グリコール・ジメタクリレートが
ある。
情報デイスクの好適実施例においては、ラツカ
は95〜99.9重量％のアルカンジオール・ジアクリ
レートを含み、そのアルカン部分は６〜10の炭素
原子を含んでいる。これは特に少なくとも96重量
％の１，６−ヘキサンジオール・ジアクリレート
及び残りは一種以上の補助物質から成るラツカに
適合する。
は95〜99.9重量％のアルカンジオール・ジアクリ
レートを含み、そのアルカン部分は６〜10の炭素
原子を含んでいる。これは特に少なくとも96重量
％の１，６−ヘキサンジオール・ジアクリレート
及び残りは一種以上の補助物質から成るラツカに
適合する。
本発明はさらに上述した情報デイスクの製造方
法にも関するものであつて、本発明によれば透明
基板プレートの表面と、光学読取可能情報トラツ
クを有するマトリツクスの表面との間に微小の層
厚でラツカの層を設け、該ラツカを周囲温度又は
高い温度で前記透明基板プレートを介して照射す
ることによつて硬化させ、前記透明基板プレート
と、これに付着しかつ情報トラツクが写されてい
る硬化したラツカ層とを前記マトリツクスの表面
から取り去り及びこのラツカ層を周囲温度又は高
い温度で照射することによつて後硬化させること
を特徴とする。
法にも関するものであつて、本発明によれば透明
基板プレートの表面と、光学読取可能情報トラツ
クを有するマトリツクスの表面との間に微小の層
厚でラツカの層を設け、該ラツカを周囲温度又は
高い温度で前記透明基板プレートを介して照射す
ることによつて硬化させ、前記透明基板プレート
と、これに付着しかつ情報トラツクが写されてい
る硬化したラツカ層とを前記マトリツクスの表面
から取り去り及びこのラツカ層を周囲温度又は高
い温度で照射することによつて後硬化させること
を特徴とする。
このタイプの工程は前述した特開昭53−86756
号に開示されている。従つて本発明の特徴はラツ
カ層をマトリツクス表面から除去した後にこのラ
ツカ層を例えば紫外線露光させることによつて後
硬化させる点にある。本発明の他の特徴は好まし
くは硬化及び／又は後硬化を高い温度で行なう点
にある。この硬化の程度換言すれば形成される架
橋結合の数は温度の影響を受ける。温度を好適な
レベルに選定することによつて、最適な重合度を
得ることが出来る。温度範囲を30〜120℃特に30
〜90℃、例えば、40〜50℃とすると、良好な結果
が得られる。好ましくは層厚を10μm以下とする。
号に開示されている。従つて本発明の特徴はラツ
カ層をマトリツクス表面から除去した後にこのラ
ツカ層を例えば紫外線露光させることによつて後
硬化させる点にある。本発明の他の特徴は好まし
くは硬化及び／又は後硬化を高い温度で行なう点
にある。この硬化の程度換言すれば形成される架
橋結合の数は温度の影響を受ける。温度を好適な
レベルに選定することによつて、最適な重合度を
得ることが出来る。温度範囲を30〜120℃特に30
〜90℃、例えば、40〜50℃とすると、良好な結果
が得られる。好ましくは層厚を10μm以下とする。
以下、図面により本発明の実施例につき説明す
る。
る。
第１図ないし第４図に示すデータは、５×５cm2
の面積を有するガラスプレート（バイレツクスガ
ラス）に紫外光によつて硬化可能なラツカ層を
10μmの厚さで設けて行なつて実験から、得られ
たものである。第１図及び第２図に示されたデー
タは情報デイスクに使用するための次の組成を有
する既知の多成分ラツカに関するものである：す
なわちその組成は 58重量％のトリプロピレン・グリコール・ジア
クリレート 28重量％のＮ−ビニルピロリドン 10重量％のトリメチロールプロパン・トリアク
リレート ４重量％のベンジルジメチルケタール である 第３図及び第４図に示されたデータは本発明に
よるデイスクに使用されかつ96重量％の１，６−
ヘキサンジオール・ジアクリレート及び４重量％
のベンジルジメチルケタールから成るラツカ（一
種の架橋性成分を含んでいる）に関するものであ
る。
の面積を有するガラスプレート（バイレツクスガ
ラス）に紫外光によつて硬化可能なラツカ層を
10μmの厚さで設けて行なつて実験から、得られ
たものである。第１図及び第２図に示されたデー
タは情報デイスクに使用するための次の組成を有
する既知の多成分ラツカに関するものである：す
なわちその組成は 58重量％のトリプロピレン・グリコール・ジア
クリレート 28重量％のＮ−ビニルピロリドン 10重量％のトリメチロールプロパン・トリアク
リレート ４重量％のベンジルジメチルケタール である 第３図及び第４図に示されたデータは本発明に
よるデイスクに使用されかつ96重量％の１，６−
ヘキサンジオール・ジアクリレート及び４重量％
のベンジルジメチルケタールから成るラツカ（一
種の架橋性成分を含んでいる）に関するものであ
る。
ラツカ層を有したガラスプレートをこの層上で
10mW／cm2の強度の紫外光に露光させた。第１図
〜第４図の横軸には各実験での露光時間を秒単位
でプロツトして示した。硬化したラツカ層を有す
るガラスプレートをクロロホルム中に18時間にわ
たり浸漬させ、その後に恒量まで乾燥させた。ク
ロロホルムによる抽出のための損失重量を測定し
た。残留ラツカの重量をラツカ層の初めの重量の
重量％で表わし、第１図〜第４図に露光時間の関
数としてプロツトして示した。この結果から明ら
かなように、本発明によるデイスクに使用される
ラツカは、約10秒の露光時間後には（第３図参
照）すでにベンジルジメチルケタール（開始剤）
は別として抽出可能な材料を全く又はほとんど含
んでいないことがわかつた。これに対し既知のラ
ツカは第２図に示すように露光時間を数百秒とし
ても15〜20重量％の程度の著しい重量損失がある
ことがわかる。
10mW／cm2の強度の紫外光に露光させた。第１図
〜第４図の横軸には各実験での露光時間を秒単位
でプロツトして示した。硬化したラツカ層を有す
るガラスプレートをクロロホルム中に18時間にわ
たり浸漬させ、その後に恒量まで乾燥させた。ク
ロロホルムによる抽出のための損失重量を測定し
た。残留ラツカの重量をラツカ層の初めの重量の
重量％で表わし、第１図〜第４図に露光時間の関
数としてプロツトして示した。この結果から明ら
かなように、本発明によるデイスクに使用される
ラツカは、約10秒の露光時間後には（第３図参
照）すでにベンジルジメチルケタール（開始剤）
は別として抽出可能な材料を全く又はほとんど含
んでいないことがわかつた。これに対し既知のラ
ツカは第２図に示すように露光時間を数百秒とし
ても15〜20重量％の程度の著しい重量損失がある
ことがわかる。
次に本発明による情報デイスクの製造方法につ
き説明する。
き説明する。
紫外光で硬化可能な５cm3のラツカを、光学読取
可能な情報トラツクを備えるニツケル・マトリツ
クスの表面上に設ける。このラツカは96重量％の
１，６−ヘキサンジオール・ジアクリレート及び
４重量％の２，２−ジメトキシ−２−フエニルア
セトフエノン（ベンジルメチルカタール）から成
る。特開昭53−116105号に記載されているよう
に、このラツカ上に直径30cm及び厚さ1.2mmのポ
リメチルメタクリレートの基板プレートを設け
る。この目的のため、基板プレートを僅かにアー
チ状（vaulted）となしてラツカ堆積物の中央を
押圧する。このラツカはマトリツクスの表面上を
円形の液面で拡がり同時にアーチ状基板プレート
を平らにする。最終位置においては、基板プレー
トは内部応力を有することなく形成されたラツカ
層上に存在する。マトリツクスをこのラツカ層と
基板プレートと一緒に2000rpmの速度で回転させ
る。余分なラツカ層を除去する。その結果得られ
たラツカ層の厚さは1.5μmであつた。この組立体
を80℃の温度となし続いて透明基板プレートを介
して２〜３秒間紫外光に露光させる。光強度はラ
ツカ層上で1.8mW／cm2であつた。露光後、その
結果得られた基板プレートとこのプレートに結合
された硬化したラツカ層との組立体をマトリツク
スの表面から取り外しこの組立体のラツカ層側に
アルミニウムの層を蒸着して形成した。
可能な情報トラツクを備えるニツケル・マトリツ
クスの表面上に設ける。このラツカは96重量％の
１，６−ヘキサンジオール・ジアクリレート及び
４重量％の２，２−ジメトキシ−２−フエニルア
セトフエノン（ベンジルメチルカタール）から成
る。特開昭53−116105号に記載されているよう
に、このラツカ上に直径30cm及び厚さ1.2mmのポ
リメチルメタクリレートの基板プレートを設け
る。この目的のため、基板プレートを僅かにアー
チ状（vaulted）となしてラツカ堆積物の中央を
押圧する。このラツカはマトリツクスの表面上を
円形の液面で拡がり同時にアーチ状基板プレート
を平らにする。最終位置においては、基板プレー
トは内部応力を有することなく形成されたラツカ
層上に存在する。マトリツクスをこのラツカ層と
基板プレートと一緒に2000rpmの速度で回転させ
る。余分なラツカ層を除去する。その結果得られ
たラツカ層の厚さは1.5μmであつた。この組立体
を80℃の温度となし続いて透明基板プレートを介
して２〜３秒間紫外光に露光させる。光強度はラ
ツカ層上で1.8mW／cm2であつた。露光後、その
結果得られた基板プレートとこのプレートに結合
された硬化したラツカ層との組立体をマトリツク
スの表面から取り外しこの組立体のラツカ層側に
アルミニウムの層を蒸着して形成した。
第１図及び第２図は横軸に既知情報デイスクに
使用されるラツカの露光時間をプロツトし、縦軸
にクロロホルムで抽出した後のラツカの残留量の
百分率をプロツトして示して得られた曲線図、第
３図及び第４図はクロロホルムで抽出した後の、
本発明によるデイスクに使用されたラツカ材料の
残留量の百分率を露光時間の関数としてプロツト
して得られた曲線図である。
使用されるラツカの露光時間をプロツトし、縦軸
にクロロホルムで抽出した後のラツカの残留量の
百分率をプロツトして示して得られた曲線図、第
３図及び第４図はクロロホルムで抽出した後の、
本発明によるデイスクに使用されたラツカ材料の
残留量の百分率を露光時間の関数としてプロツト
して得られた曲線図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 少なくとも一側上に放射線によつて硬化され
るラツカの情報層を有する基板プレートを具え、
この情報層は情報トラツクに沿つて高い位置と低
い位置とを交互に有する情報区域をもつた光学読
取可能な当該情報トラツクを具えて成る光学読取
可能情報デイスクにおいて、0.1〜５重量％の通
常の補助物質に加えて、前記ラツカは、放射線の
影響を受けて架橋可能な95〜99.9重量％の一種の
単量体化合物を含有し、該単量体化合物は末端位
置にアクリレート基又はメタクリレート基を有す
るアルケン・グリコール・ジメタクリレート、ア
ルケン・グリコール・ジアクリレート、アルカン
ジオール・ジメタクリレート及びアルカンジオー
ル・ジアクリレートから成る群から選ばれてお
り、該単量体化合物のアルカン及びアルケン部分
は４〜12個の炭素原子を有しており、さらに硬化
したラツカは前記補助物質は別として抽出可能な
物質を全く又はほとんど含有しないようにして成
ることを特徴とする情報デイスク。 ２ 前記ラツカは６〜10個の炭素原子を有する95
〜99.9重量％のアルカンジオール・ジアクリレー
トを含有することを特徴とする特許請求の範囲１
記載の情報デイスク。 ３ 前記ラツカは少なくとも96重量％の１，６−
ヘキサンジオール・ジアクリレートと残りの部分
としての一種以上の補助物質とから成ることを特
徴とする特許請求の範囲２記載の情報デイスク。 ４ 透明基板プレートの表面と、光学読取可能情
報トラツクを有するマトリツクスの表面との間に
微小の層厚でラツカの層を設け、該ラツカを周囲
温度又は高い温度で前記透明基板プレートを介し
て照射することによつて硬化させ、前記透明基板
プレートと、これに付着しかつ情報トラツクが写
されている硬化したラツカ層とを前記マトリツク
スの表面から取り去り及びこのラツカ層を周囲温
度又は高い温度で照射することによつて後硬化さ
せることを特徴とする情報デイスクの製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8101515A NL8101515A (nl) | 1981-03-27 | 1981-03-27 | Optisch uitleesbare informatieschijf en werkwijze voor de vervaardiging ervan. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57169940A JPS57169940A (en) | 1982-10-19 |
| JPH0353703B2 true JPH0353703B2 (ja) | 1991-08-15 |
Family
ID=19837238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57048193A Granted JPS57169940A (en) | 1981-03-27 | 1982-03-27 | Information disk and its manufacture |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4446549A (ja) |
| EP (1) | EP0062366B1 (ja) |
| JP (1) | JPS57169940A (ja) |
| KR (1) | KR880000900B1 (ja) |
| AU (1) | AU543486B2 (ja) |
| CA (1) | CA1184298A (ja) |
| DE (1) | DE3264495D1 (ja) |
| NL (1) | NL8101515A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8401383A (nl) * | 1983-07-04 | 1985-02-01 | Philips Nv | Magneetkop en werkwijze voor zijn vervaardiging. |
| JPS6055531A (ja) * | 1983-09-06 | 1985-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録担体およびその製造方法 |
| JPS60202557A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-14 | Hitachi Ltd | 光デイスク用基板の製造方法 |
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| US4668550A (en) * | 1985-08-28 | 1987-05-26 | Hitachi, Ltd. | Optical disc |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS55113140A (en) * | 1979-02-24 | 1980-09-01 | Mansei Kogyo Kk | Recording disk for optical information |
| NL7904113A (nl) * | 1979-05-25 | 1980-11-27 | Philips Nv | Optisch uitleesbare informatieschijf, werkwijze voor de vervaardiging ervan alsmede een inrichting voor het uitvoeren van deze werkwijze. |
| DE2928512A1 (de) * | 1979-07-14 | 1981-01-29 | Roehm Gmbh | Verfahren zur herstellung einer kratzfesten beschichtung auf einem kunststoff-formkoerper |
| JPS5687203A (en) * | 1979-12-18 | 1981-07-15 | Toppan Printing Co Ltd | Manufacture of disk |
| JPS56106829A (en) * | 1980-01-16 | 1981-08-25 | Toppan Printing Co Ltd | Manufacture of disc |
| JPS56126132A (en) * | 1980-03-06 | 1981-10-02 | Toppan Printing Co Ltd | Manufacture of disk |
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-
1981
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- 1981-09-30 US US06/307,131 patent/US4446549A/en not_active Expired - Fee Related
-
1982
- 1982-03-11 DE DE8282200317T patent/DE3264495D1/de not_active Expired
- 1982-03-11 EP EP82200317A patent/EP0062366B1/en not_active Expired
- 1982-03-24 KR KR8201254A patent/KR880000900B1/ko not_active Expired
- 1982-03-25 CA CA000399337A patent/CA1184298A/en not_active Expired
- 1982-03-25 AU AU81889/82A patent/AU543486B2/en not_active Ceased
- 1982-03-27 JP JP57048193A patent/JPS57169940A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57169940A (en) | 1982-10-19 |
| NL8101515A (nl) | 1982-10-18 |
| EP0062366A1 (en) | 1982-10-13 |
| KR880000900B1 (ko) | 1988-05-30 |
| EP0062366B1 (en) | 1985-07-03 |
| KR830009572A (ko) | 1983-12-22 |
| AU8188982A (en) | 1982-09-30 |
| CA1184298A (en) | 1985-03-19 |
| AU543486B2 (en) | 1985-04-18 |
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| US4446549A (en) | 1984-05-01 |
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