JPH0354443B2 - - Google Patents
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- JPH0354443B2 JPH0354443B2 JP6027884A JP6027884A JPH0354443B2 JP H0354443 B2 JPH0354443 B2 JP H0354443B2 JP 6027884 A JP6027884 A JP 6027884A JP 6027884 A JP6027884 A JP 6027884A JP H0354443 B2 JPH0354443 B2 JP H0354443B2
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気メモリーや光磁気メモリーとし
て用いて好適なガーネツト薄膜素子及びその製造
方法に関する。
て用いて好適なガーネツト薄膜素子及びその製造
方法に関する。
近年、希土類鉄ガーネツトR3（Fe，Ｍ）5O12
（Ｒ：希土類元素、Ｍ：Al3+、Ga3+、Sc3+、
Tl3+、（Co2+＋Ti4+）など）のＲの一部をBiで置
換した鉄ガーネツトR3-xBix（Fe，Ｍ）5O12が注目
されている。このBi置換希土類鉄ガーネツトは、
Ｒの一部をBiで置換することにより、吸収係数
αをあまり大きくすることなくフアラデー回転角
θFを大きくすることができるという性質を有し、
光熱磁気記録材料として一般に優れたものであ
る。
（Ｒ：希土類元素、Ｍ：Al3+、Ga3+、Sc3+、
Tl3+、（Co2+＋Ti4+）など）のＲの一部をBiで置
換した鉄ガーネツトR3-xBix（Fe，Ｍ）5O12が注目
されている。このBi置換希土類鉄ガーネツトは、
Ｒの一部をBiで置換することにより、吸収係数
αをあまり大きくすることなくフアラデー回転角
θFを大きくすることができるという性質を有し、
光熱磁気記録材料として一般に優れたものであ
る。
このような性質を有するBi置換希土類鉄ガー
ネツトの光熱磁気記録材料としての性能を高める
ためには、Bi置換量ｘを大きくしてフアラデー
回転角θFを大きくすればよいが、従来の液相エピ
タキシヤル法等の製造方法ではBi置換量ｘが大
きいBi置換希土類鉄ガーネツト薄膜を製造する
ことは困難であつた。
ネツトの光熱磁気記録材料としての性能を高める
ためには、Bi置換量ｘを大きくしてフアラデー
回転角θFを大きくすればよいが、従来の液相エピ
タキシヤル法等の製造方法ではBi置換量ｘが大
きいBi置換希土類鉄ガーネツト薄膜を製造する
ことは困難であつた。
本発明者等は、特願昭58−216750号において、
固溶限界（十二面体位置の50％）までBiが固溶
している高濃度Bi置換希土類鉄ガーネツト単結
晶薄膜をスパツタリング法によりGGG基板上に
エピタキシヤル成長させることのできる磁性薄膜
の製造方法を提案した。しかし、この製造方法
は、用いることのできる基板がGGG基板に限定
されてしまう点で不利であるため、例えばガラス
基板等の非晶質基板上に高濃度Bi置換希土類鉄
ガーネツト薄膜を形成することのできる製造方法
が望まれていた。
固溶限界（十二面体位置の50％）までBiが固溶
している高濃度Bi置換希土類鉄ガーネツト単結
晶薄膜をスパツタリング法によりGGG基板上に
エピタキシヤル成長させることのできる磁性薄膜
の製造方法を提案した。しかし、この製造方法
は、用いることのできる基板がGGG基板に限定
されてしまう点で不利であるため、例えばガラス
基板等の非晶質基板上に高濃度Bi置換希土類鉄
ガーネツト薄膜を形成することのできる製造方法
が望まれていた。
このような要求は上記以外の希土類鉄ガーネツ
ト薄膜についても従来からあり、種々の試みがな
されている。しかしながら、現在までに得られて
いる薄膜はその面と平行な方向に磁化が存在する
多結晶の面内磁化膜であり、磁気記録及び光熱磁
気記録材料として好ましい垂直磁化膜は未だ得ら
れていない。また特にBi置換希土類鉄ガーネツ
ト垂直磁化膜を非晶質基板上に形成する試みは全
くなされていないのが現状である。
ト薄膜についても従来からあり、種々の試みがな
されている。しかしながら、現在までに得られて
いる薄膜はその面と平行な方向に磁化が存在する
多結晶の面内磁化膜であり、磁気記録及び光熱磁
気記録材料として好ましい垂直磁化膜は未だ得ら
れていない。また特にBi置換希土類鉄ガーネツ
ト垂直磁化膜を非晶質基板上に形成する試みは全
くなされていないのが現状である。
本発明は、上述の問題にかんがみ、垂直磁化特
性が極めて良好なガーネツト薄膜で構成されるガ
ーネツト薄膜素子及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
性が極めて良好なガーネツト薄膜で構成されるガ
ーネツト薄膜素子及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
即ち、本発明に係るガーネツト薄膜素子は、所
定の基板上に設けられている（111）配向Ba1-x-y
SrxCayF2膜（但し０≦ｘ＋ｙ＜１）と、この
Ba1-x-ySrxCayF2膜上に設けられているガーネツ
ト薄膜とをそれぞれ具備している。このように構
成することによつて、垂直磁化特性を極めて良好
にすることができる。
定の基板上に設けられている（111）配向Ba1-x-y
SrxCayF2膜（但し０≦ｘ＋ｙ＜１）と、この
Ba1-x-ySrxCayF2膜上に設けられているガーネツ
ト薄膜とをそれぞれ具備している。このように構
成することによつて、垂直磁化特性を極めて良好
にすることができる。
また本発明に係るガーネツト薄膜素子の製造方
法は、所定の基板上にBa1-x-ySrxCayF2膜（但し
０≦ｘ＋ｙ＜１）を（111）面方位に方位成長さ
せ、次いで上記Ba1-x-ySrxCayF2膜上にガーネツ
ト薄膜を方位成長させるようにしている。このよ
うにすることによつて、垂直磁化特性が極めて良
好なガーネツト薄膜素子を製造することができ、
また基板の材質を種々に選ぶことができるため製
造上極めて好都合である。
法は、所定の基板上にBa1-x-ySrxCayF2膜（但し
０≦ｘ＋ｙ＜１）を（111）面方位に方位成長さ
せ、次いで上記Ba1-x-ySrxCayF2膜上にガーネツ
ト薄膜を方位成長させるようにしている。このよ
うにすることによつて、垂直磁化特性が極めて良
好なガーネツト薄膜素子を製造することができ、
また基板の材質を種々に選ぶことができるため製
造上極めて好都合である。
以下本発明に係るガーネツト薄膜素子及びその
製造方法の一実施例につき図面を参照しながら説
明する。なお本実施例においては、ガーネツト薄
膜として（Ｙ、Bi）3（Fe、Al）5O12で表されるBi
置換希土類鉄ガーネツト薄膜を用い、Ba1-x-ySrx
CayF2膜としてBaF2膜を用い、また基板として
石英ガラス基板を用いた。なおこの（Ｙ、Bi）3
（Fe、Al）5O12は、イツトリウム鉄ガーネツト
Y3Fe5O12（YIG）において、Ｙの一部をBiで置換
すると共にFeの一部をAlで置換したものであり、
前者は吸収係数αをあまり増大することなくフア
ラデー回転角θFを高め、後者は吸収係数αを減少
させると共に飽和磁化を小さくして垂直磁化膜を
得られやすくし、またキユリー温度も下げること
が知られている。
製造方法の一実施例につき図面を参照しながら説
明する。なお本実施例においては、ガーネツト薄
膜として（Ｙ、Bi）3（Fe、Al）5O12で表されるBi
置換希土類鉄ガーネツト薄膜を用い、Ba1-x-ySrx
CayF2膜としてBaF2膜を用い、また基板として
石英ガラス基板を用いた。なおこの（Ｙ、Bi）3
（Fe、Al）5O12は、イツトリウム鉄ガーネツト
Y3Fe5O12（YIG）において、Ｙの一部をBiで置換
すると共にFeの一部をAlで置換したものであり、
前者は吸収係数αをあまり増大することなくフア
ラデー回転角θFを高め、後者は吸収係数αを減少
させると共に飽和磁化を小さくして垂直磁化膜を
得られやすくし、またキユリー温度も下げること
が知られている。
まず第１Ａ図に示すように、真空蒸着装置の試
料台１の上に石英ガラス基板２を載置すると共
に、加熱源を構成するフイラメント３の中空部分
に蒸着物質としてBaF2４を挿入する。次に真空
蒸着装置内を所定の真空度、例えば10-4Pa程度
の真空度に排気した後、フイラメント３によつて
BaF2４を所定温度に加熱する。これにより、
BaF2４を構成するBa、Ｆ、BaF2の原子及び分
子が蒸発して、試料台１を介してヒータ５により
例えば650℃に加熱されている石英ガラス基板２
上に被着し、この石英ガラス基板２上に（111）
面が優勢的に成長した多結晶状のBaF2膜６が形
成される。なおBaF2膜６の膜厚は、本実施例に
おいては0.4μｍとした。
料台１の上に石英ガラス基板２を載置すると共
に、加熱源を構成するフイラメント３の中空部分
に蒸着物質としてBaF2４を挿入する。次に真空
蒸着装置内を所定の真空度、例えば10-4Pa程度
の真空度に排気した後、フイラメント３によつて
BaF2４を所定温度に加熱する。これにより、
BaF2４を構成するBa、Ｆ、BaF2の原子及び分
子が蒸発して、試料台１を介してヒータ５により
例えば650℃に加熱されている石英ガラス基板２
上に被着し、この石英ガラス基板２上に（111）
面が優勢的に成長した多結晶状のBaF2膜６が形
成される。なおBaF2膜６の膜厚は、本実施例に
おいては0.4μｍとした。
次に第１Ｂ図に示すように、高周波（RF）ス
パツタリング装置のステンレス製の電極板（試料
台）７の上に、上述のBaF2膜６が形成された石
英ガラス基板２を載置すると共に、電極板８にタ
ーゲツト９を取り付ける。なおこのターゲツト９
は、組成式Bi2.0Y1.0Fe3.8Al1.2O12で表される多結
晶状の鉄ガーネツトの円盤状の焼結体から成つて
いる。
パツタリング装置のステンレス製の電極板（試料
台）７の上に、上述のBaF2膜６が形成された石
英ガラス基板２を載置すると共に、電極板８にタ
ーゲツト９を取り付ける。なおこのターゲツト９
は、組成式Bi2.0Y1.0Fe3.8Al1.2O12で表される多結
晶状の鉄ガーネツトの円盤状の焼結体から成つて
いる。
次にスパツタリング装置内を所定の真空度に排
気した後、このスパツタリング装置内にArとO2
との混合ガス（Ar：O2＝９：１）を7Pa程度ま
で導入する。真空度が安定した状態で、電極板７
と電極板８との間に所定の高周波電圧を印加して
グロー放電を開始させる。この放電で生じたAr+
イオンはターゲツト９の表面をスパツタし、この
スパツタにより上記ターゲツト９からBi、Ｙ、
Fe、Al、Ｏ等の原子が離脱する。これらの離脱
した原子は、電極板７を介してヒータ１０により
例えば450℃に加熱されているBaF2膜６上に被着
し、このBaF2膜６上に（Ｙ、Bi）3（Fe、Al）5O12
薄膜（以下薄膜と称する）１１が形成されて、石
英ガラス基板２、BaF2膜６及び薄膜１１から成
るガーネツト薄膜素子が完成される。なおスパツ
タに用いる電力を110Wとし、またスパツタ時間
を２時間30分とした場合、得られた薄膜１１の膜
厚は0.8μｍであつた。
気した後、このスパツタリング装置内にArとO2
との混合ガス（Ar：O2＝９：１）を7Pa程度ま
で導入する。真空度が安定した状態で、電極板７
と電極板８との間に所定の高周波電圧を印加して
グロー放電を開始させる。この放電で生じたAr+
イオンはターゲツト９の表面をスパツタし、この
スパツタにより上記ターゲツト９からBi、Ｙ、
Fe、Al、Ｏ等の原子が離脱する。これらの離脱
した原子は、電極板７を介してヒータ１０により
例えば450℃に加熱されているBaF2膜６上に被着
し、このBaF2膜６上に（Ｙ、Bi）3（Fe、Al）5O12
薄膜（以下薄膜と称する）１１が形成されて、石
英ガラス基板２、BaF2膜６及び薄膜１１から成
るガーネツト薄膜素子が完成される。なおスパツ
タに用いる電力を110Wとし、またスパツタ時間
を２時間30分とした場合、得られた薄膜１１の膜
厚は0.8μｍであつた。
上述の実施例により製造された薄膜１１の結晶
性をＸ線回折により調べたところ、膜面に平行に
（111）面が優勢的に成長した（即ち方位成長し
た）多結晶であることが判明した。そして、光学
顕微鏡による観察の結果、薄膜１１は唐草模様状
及びバブル状の磁区構造を有し、また次のような
優れた特性を有する極めて良好な垂直磁化膜であ
ることが測定によつて明らかにされた。
性をＸ線回折により調べたところ、膜面に平行に
（111）面が優勢的に成長した（即ち方位成長し
た）多結晶であることが判明した。そして、光学
顕微鏡による観察の結果、薄膜１１は唐草模様状
及びバブル状の磁区構造を有し、また次のような
優れた特性を有する極めて良好な垂直磁化膜であ
ることが測定によつて明らかにされた。
即ち、第２図に示すように、膜面に垂直な方向
の磁界Ｈに対する薄膜１１のフアラデー回転角θF
のヒステリシス特性を測定したところ、角形性が
良好なループが得られ、磁気トルク測定から垂直
磁化膜であることが判明した。またフアラデー回
転角θFは約1.5°と極めて大きく、また保磁力Hcも
約200Oeと十分に大きい。このように、薄膜１１
は磁気記録材料として極めて好ましい性質を有
し、従つてガーネツト薄膜素子が極めて良好な特
性を有していることがわかる。なお第２図に示す
ような優れた特性を有する垂直磁化膜が得られる
ことから、薄膜１１中にはより大きな垂直磁気異
方性を賦与するBiが固溶限界程度まで固溶して
いることが推定される。なお第２図において、フ
アラデー回転角θF測定用の光源としては、He−
Neレーザー（波長6328Å）を用いた。また測定
は、上記薄膜１１に光を透過させて行つた。
の磁界Ｈに対する薄膜１１のフアラデー回転角θF
のヒステリシス特性を測定したところ、角形性が
良好なループが得られ、磁気トルク測定から垂直
磁化膜であることが判明した。またフアラデー回
転角θFは約1.5°と極めて大きく、また保磁力Hcも
約200Oeと十分に大きい。このように、薄膜１１
は磁気記録材料として極めて好ましい性質を有
し、従つてガーネツト薄膜素子が極めて良好な特
性を有していることがわかる。なお第２図に示す
ような優れた特性を有する垂直磁化膜が得られる
ことから、薄膜１１中にはより大きな垂直磁気異
方性を賦与するBiが固溶限界程度まで固溶して
いることが推定される。なお第２図において、フ
アラデー回転角θF測定用の光源としては、He−
Neレーザー（波長6328Å）を用いた。また測定
は、上記薄膜１１に光を透過させて行つた。
なお上述の実施例において、BaF2膜６上に薄
膜１１が方位成長するのは、薄膜１１を構成する
（Ｙ、Bi）3（Fe、Al）5O12の格子定数（Bi置換量に
より異なるが例えば12.42Å）がBaF2の格子定数
（6.187Å）のほぼ２倍であり、BaF2と（Ｙ、
Bi）3（Fe、Al）5O12との格子のミスフイツトが極
めて小さいためである。さらに、一般にBi置換
希土類鉄ガーネツトR3-xBix（Fe，Ｍ）5O12の格子
定数は、Ｒの種類及びBi置換量ｘによつて12.30
〜12.54Åの範囲で変化することが知られており、
このことからＲの種類及びBi置換量ｘを適当に
選択することによつて、上述のミスフイツトを実
質的に０とすることが可能である。なお（111）
に方位成長したBi置換希土類鉄ガーネツト薄膜
は、その成長方向がガーネツトの磁化容易軸であ
るために良好な磁気特性を示す。
膜１１が方位成長するのは、薄膜１１を構成する
（Ｙ、Bi）3（Fe、Al）5O12の格子定数（Bi置換量に
より異なるが例えば12.42Å）がBaF2の格子定数
（6.187Å）のほぼ２倍であり、BaF2と（Ｙ、
Bi）3（Fe、Al）5O12との格子のミスフイツトが極
めて小さいためである。さらに、一般にBi置換
希土類鉄ガーネツトR3-xBix（Fe，Ｍ）5O12の格子
定数は、Ｒの種類及びBi置換量ｘによつて12.30
〜12.54Åの範囲で変化することが知られており、
このことからＲの種類及びBi置換量ｘを適当に
選択することによつて、上述のミスフイツトを実
質的に０とすることが可能である。なお（111）
に方位成長したBi置換希土類鉄ガーネツト薄膜
は、その成長方向がガーネツトの磁化容易軸であ
るために良好な磁気特性を示す。
なお上述の実施例においては、薄膜１１の形成
しにスパツタ法を用い、そのターゲツトの材料と
して組成式Bi2.0Y1.0Fe3.8Al1.2O12で表される多結
晶状の鉄ガーネツトを用いたが、ターゲツト組成
はこれに限定されるものではなく、例えば上述の
組成式に含まれる元素をそれぞれ含む混合物であ
つてもよい。より一般的には、（Bi2O3）x（R2O3）
y（Fe2O3）z（M2O3）uで表されるような少なくと
もBi原子、Fe原子及び希土類原子を含む酸化物
から成る材料を用いることができる。ここで、０
＜ｘ≦３／２、０＜ｙ≦３／２、０＜ｚ＜５／
２、０≦ｕ≦５／２である。またＲはＹ、Sm等
の希土類元素であり、ＭはAl3+、Ga3+、Sc3+、
Tl3+、（Co2+＋Ti4+）等である。
しにスパツタ法を用い、そのターゲツトの材料と
して組成式Bi2.0Y1.0Fe3.8Al1.2O12で表される多結
晶状の鉄ガーネツトを用いたが、ターゲツト組成
はこれに限定されるものではなく、例えば上述の
組成式に含まれる元素をそれぞれ含む混合物であ
つてもよい。より一般的には、（Bi2O3）x（R2O3）
y（Fe2O3）z（M2O3）uで表されるような少なくと
もBi原子、Fe原子及び希土類原子を含む酸化物
から成る材料を用いることができる。ここで、０
＜ｘ≦３／２、０＜ｙ≦３／２、０＜ｚ＜５／
２、０≦ｕ≦５／２である。またＲはＹ、Sm等
の希土類元素であり、ＭはAl3+、Ga3+、Sc3+、
Tl3+、（Co2+＋Ti4+）等である。
また上述の実施例においては、BaF2膜６を形
成すべき基板として石英ガラス基板２を用いたが
他の種類のガラス、例えばアルミナ硅酸ガラス
（例えばコーニング社製1723）、硅酸ガラス（例え
ばバイコール・ガラス）、硼硅酸ガラス（例えば
パイレツクス・ガラス）等のガラスまたはSiO2
等から成る非晶質基板を用いてもよいことは勿
論、ステンレス等の金属（陽極酸化された金属を
含む）、Si等の半導体、BN等の絶縁体、アルミ
ナ等のセラミツクス等の結晶性基板を用いてもよ
い。また上述の実施例においては、薄膜１１を形
成すべき膜としてBaF2膜６を用いたが、薄膜１
１を方位成長させることができればBaF2膜６以
外の他の種類の膜を用いてもよく、一般にBaF2
膜におけるBaの一部をSrまたはCaで置換した
Ba1-x-ySrxCayF2膜（但し０≦ｘ＋ｙ＜１）を用
いてもよい。
成すべき基板として石英ガラス基板２を用いたが
他の種類のガラス、例えばアルミナ硅酸ガラス
（例えばコーニング社製1723）、硅酸ガラス（例え
ばバイコール・ガラス）、硼硅酸ガラス（例えば
パイレツクス・ガラス）等のガラスまたはSiO2
等から成る非晶質基板を用いてもよいことは勿
論、ステンレス等の金属（陽極酸化された金属を
含む）、Si等の半導体、BN等の絶縁体、アルミ
ナ等のセラミツクス等の結晶性基板を用いてもよ
い。また上述の実施例においては、薄膜１１を形
成すべき膜としてBaF2膜６を用いたが、薄膜１
１を方位成長させることができればBaF2膜６以
外の他の種類の膜を用いてもよく、一般にBaF2
膜におけるBaの一部をSrまたはCaで置換した
Ba1-x-ySrxCayF2膜（但し０≦ｘ＋ｙ＜１）を用
いてもよい。
また上述の実施例においては、BaF2膜６を形
成するのに真空蒸着法を用いたが、このBaF2膜
６さらに一般にBa1-x-ySrxCayF2膜の形成には例
えばスパツタ法、CVD法等の他の気相成長法等
を用いることができる。同様に、上述の実施例に
おいては、薄膜１１を形成するのにスパツタ法を
用いたが、例えば蒸着法、CVD法、イオンプレ
ーテイング法等の他の気相成長法または液相エピ
タキシヤル法（LPE法）等を用いてもよい。
成するのに真空蒸着法を用いたが、このBaF2膜
６さらに一般にBa1-x-ySrxCayF2膜の形成には例
えばスパツタ法、CVD法等の他の気相成長法等
を用いることができる。同様に、上述の実施例に
おいては、薄膜１１を形成するのにスパツタ法を
用いたが、例えば蒸着法、CVD法、イオンプレ
ーテイング法等の他の気相成長法または液相エピ
タキシヤル法（LPE法）等を用いてもよい。
さらにBaF2膜６及び薄膜１１を形成するとき
の基板温度も実施例の温度に限定されるものでは
なく、これらのBaF2膜６及び薄膜１１が方位成
長すれば他の温度に用いてもよい。しかし、
BaF2膜６を形成するときの基板温度が550℃以下
及び800℃以上ではBaF2膜６、一般にBa1-x-ySrx
CayF2膜を方位成長させるのが難しいので、550
〜800℃であるのが好ましい。また薄膜１１を形
成するときの基板温度は、350℃以下では薄膜１
１が方位成長せずに非晶質膜となつてしまい、
700℃以上ではBiの蒸気圧が高くなるためにBi置
換量ｘの大きな薄膜１１を得るのが難しいので、
350〜700℃であるのが好ましい。
の基板温度も実施例の温度に限定されるものでは
なく、これらのBaF2膜６及び薄膜１１が方位成
長すれば他の温度に用いてもよい。しかし、
BaF2膜６を形成するときの基板温度が550℃以下
及び800℃以上ではBaF2膜６、一般にBa1-x-ySrx
CayF2膜を方位成長させるのが難しいので、550
〜800℃であるのが好ましい。また薄膜１１を形
成するときの基板温度は、350℃以下では薄膜１
１が方位成長せずに非晶質膜となつてしまい、
700℃以上ではBiの蒸気圧が高くなるためにBi置
換量ｘの大きな薄膜１１を得るのが難しいので、
350〜700℃であるのが好ましい。
なお上述の実施例においては、ガーネツト薄膜
として（Ｙ、Bi）3（Fe、Al）5O12薄膜を用いた場
合につき説明したが、一般に希土類ガーネツト
R3M5O12（ＲまたはＭの一部を他の元素で置換し
たものを含む）、ガドリニウム・ガリウムガーネ
ツト（GGG）等から成る他の種類のガーネツト
薄膜を用いてもよい。
として（Ｙ、Bi）3（Fe、Al）5O12薄膜を用いた場
合につき説明したが、一般に希土類ガーネツト
R3M5O12（ＲまたはＭの一部を他の元素で置換し
たものを含む）、ガドリニウム・ガリウムガーネ
ツト（GGG）等から成る他の種類のガーネツト
薄膜を用いてもよい。
以上述べたように、本発明に係るガーネツト薄
膜素子によれば、特にBa1-x-ySrxCayF2膜（但し
０≦ｘ＋ｙ＜１）上にガーネツト薄膜を設けるよ
うにしたので、極めて良好な垂直磁化特性を有す
るガーネツト薄膜素子を提供することができる。
膜素子によれば、特にBa1-x-ySrxCayF2膜（但し
０≦ｘ＋ｙ＜１）上にガーネツト薄膜を設けるよ
うにしたので、極めて良好な垂直磁化特性を有す
るガーネツト薄膜素子を提供することができる。
また本発明に係るガーネツト薄膜素子の製造方
法によれば、特にBa1-x-ySrxCayF2膜（但し０≦
ｘ＋ｙ＜１）上にガーネツト薄膜を方位成長させ
るようにしているので、極めて良好な垂直磁化特
性を有するガーネツト薄膜素子を製造することが
でき、また基板の材質を種々に選ぶことができる
ので、製造上極めて好都合である。
法によれば、特にBa1-x-ySrxCayF2膜（但し０≦
ｘ＋ｙ＜１）上にガーネツト薄膜を方位成長させ
るようにしているので、極めて良好な垂直磁化特
性を有するガーネツト薄膜素子を製造することが
でき、また基板の材質を種々に選ぶことができる
ので、製造上極めて好都合である。
第１Ａ図及び第１Ｂ図は本発明に係るガーネツ
ト薄膜素子の製造方法の一実施例を工程順に示す
断面図、第２図は第１Ａ図及び第１Ｂ図に示す実
施例により製造されたガーネツト薄膜素子を構成
する（Ｙ、Bi）3（Fe、Al）5O12薄膜のヒステリシ
ス特性を示すグラフである。 ３なお図面に用いた符号において、１……試料
台、２……石英ガラス基板、３……フイラメン
ト、４……BaF2、５，１０……ヒータ、６……
BaF2膜、７……電極板（試料台）、８……電極
板、９……ターゲツト、１１……（Ｙ、Bi）3
（Fe、Al）5O12薄膜である。
ト薄膜素子の製造方法の一実施例を工程順に示す
断面図、第２図は第１Ａ図及び第１Ｂ図に示す実
施例により製造されたガーネツト薄膜素子を構成
する（Ｙ、Bi）3（Fe、Al）5O12薄膜のヒステリシ
ス特性を示すグラフである。 ３なお図面に用いた符号において、１……試料
台、２……石英ガラス基板、３……フイラメン
ト、４……BaF2、５，１０……ヒータ、６……
BaF2膜、７……電極板（試料台）、８……電極
板、９……ターゲツト、１１……（Ｙ、Bi）3
（Fe、Al）5O12薄膜である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 所定の基板上に設けられているBa1-x-ySrx
CayF2膜（但し０≦ｘ＋ｙ＜１）と、この
Ba1-x-ySrxCayF2膜上に設けられているガーネツ
ト薄膜とをそれぞれ具備することを特徴とするガ
ーネツト薄膜素子。 ２ 所定の基板上にBa1-x-ySrxCayF2膜（但し０
≦ｘ＋ｙ＜１）を方位成長させ、次いで上記
Ba1-x-ySrxCayF2膜上にガーネツト薄膜を方位成
長させるようにしたことを特徴とするガーネツト
薄膜素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6027884A JPS60202914A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | ガ−ネツト薄膜素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6027884A JPS60202914A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | ガ−ネツト薄膜素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60202914A JPS60202914A (ja) | 1985-10-14 |
| JPH0354443B2 true JPH0354443B2 (ja) | 1991-08-20 |
Family
ID=13137513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6027884A Granted JPS60202914A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | ガ−ネツト薄膜素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60202914A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2834123B2 (ja) * | 1987-09-14 | 1998-12-09 | 松下電器産業株式会社 | 光アイソレータ用磁気光学結晶の成長方法 |
-
1984
- 1984-03-28 JP JP6027884A patent/JPS60202914A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60202914A (ja) | 1985-10-14 |
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