JPH0354820A - 有機金属ガスの供給装置 - Google Patents
有機金属ガスの供給装置Info
- Publication number
- JPH0354820A JPH0354820A JP19109589A JP19109589A JPH0354820A JP H0354820 A JPH0354820 A JP H0354820A JP 19109589 A JP19109589 A JP 19109589A JP 19109589 A JP19109589 A JP 19109589A JP H0354820 A JPH0354820 A JP H0354820A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- flow rate
- organometallic
- vent
- valve
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、複数の有機金属ガスをＭＯＣＶＤ装置など
の気相成長装置（以下、反応室とも記す）に供給するガ
ス供給装置の構戒に係り、詳しくは、それぞれキャリア
ガスのバプリングによりガス化された複数の有機金属を
、該有機金属ガス発生量変更のための前記キャリアガス
のｔＬＮ変更に伴う該有機金属ガス系統のガス流量変化
を流量補償ラインを介したキャリアガスにより補いつつ
ベント／ランバルプを介してＭＯＣＶＤ装置などの気相
成長装置に供給する有機金属ガスの供給装置の構或に関
する． 〔従来の技術〕 通常、この種ガス供給装置は、第２図に示される８ １
つの有機金属ガスを供給する装置をユニットとし、この
ユニノトを複数並列に並べたものが用いられる。このユ
ニットは、室温付近で液状を呈する，比較的高い蒸気圧
を持つ有機金属を溜めたボンベ３に、Ｈ８ガスで代表さ
れるキャリアガスをマスフローコントローラ１を介して
導き、液状の有機金属をバブリングして発生した有機金
属ガスをキャリアガス中の飽和蒸気として有機金属ガス
系統４を通り流量調整バルブ７と、ベント／ランバルプ
（流入したガスの出口を反応室側と反応室をバイパスさ
せて外へ排出するベントライン側とのいずれか一方から
他方へ切り換えるバルブ）８とを介して外部へ送り出す
ものであり、気相或長装置に送り込む有機金属ガスのモ
ル分率すなわち気相或長装置に送り込まれる，他のプロ
セスガスを含む全ガス流量中に占める有機金属ガスの割
合をキャリアガスの流量に比例して変化させる場合、ベ
ント／ランバルブから流出する全ガス流量を一定に保ち
他のプロセスガスの条件や気相威長装置の運転条件を変
えることなく反応を進行させることができるよう、流量
調整バルブ７の流入口側に流量がマスフローコントロー
ラ２によっテ制御されたキャリアガスを導く流量補償ラ
イン６がボンベ３をバイパスして設けられ、通常は流量
調整バルブ７を用いて大気圧に調整されたボンベ内圧力
を一定に保持するようにしている。
の気相成長装置（以下、反応室とも記す）に供給するガ
ス供給装置の構戒に係り、詳しくは、それぞれキャリア
ガスのバプリングによりガス化された複数の有機金属を
、該有機金属ガス発生量変更のための前記キャリアガス
のｔＬＮ変更に伴う該有機金属ガス系統のガス流量変化
を流量補償ラインを介したキャリアガスにより補いつつ
ベント／ランバルプを介してＭＯＣＶＤ装置などの気相
成長装置に供給する有機金属ガスの供給装置の構或に関
する． 〔従来の技術〕 通常、この種ガス供給装置は、第２図に示される８ １
つの有機金属ガスを供給する装置をユニットとし、この
ユニノトを複数並列に並べたものが用いられる。このユ
ニットは、室温付近で液状を呈する，比較的高い蒸気圧
を持つ有機金属を溜めたボンベ３に、Ｈ８ガスで代表さ
れるキャリアガスをマスフローコントローラ１を介して
導き、液状の有機金属をバブリングして発生した有機金
属ガスをキャリアガス中の飽和蒸気として有機金属ガス
系統４を通り流量調整バルブ７と、ベント／ランバルプ
（流入したガスの出口を反応室側と反応室をバイパスさ
せて外へ排出するベントライン側とのいずれか一方から
他方へ切り換えるバルブ）８とを介して外部へ送り出す
ものであり、気相或長装置に送り込む有機金属ガスのモ
ル分率すなわち気相或長装置に送り込まれる，他のプロ
セスガスを含む全ガス流量中に占める有機金属ガスの割
合をキャリアガスの流量に比例して変化させる場合、ベ
ント／ランバルブから流出する全ガス流量を一定に保ち
他のプロセスガスの条件や気相威長装置の運転条件を変
えることなく反応を進行させることができるよう、流量
調整バルブ７の流入口側に流量がマスフローコントロー
ラ２によっテ制御されたキャリアガスを導く流量補償ラ
イン６がボンベ３をバイパスして設けられ、通常は流量
調整バルブ７を用いて大気圧に調整されたボンベ内圧力
を一定に保持するようにしている。
マスフローコントローラは通常、与えられる制御信号電
圧に比例した流量を通過させる機能を有Ｌ、１．２のマ
スフローコントローラのフルスケール流量が等しい場合
、このフルスケール流量を与える制御信号電圧を５ボル
ト．１に与える制御信号電圧をＶ，とすると、２に与え
る制御信号電圧を、 ■．謬５ Ｖ＋ としたときにベント／ランバルブ８を介して流出するガ
ス流量が一定に保たれ、流量調整バルプ７によって調整
されたボンベ内圧力が一定に保たれる．また、ｖ１に対
する反転信号■２は公知の変換器を用いて容易に発生さ
せることができる。
圧に比例した流量を通過させる機能を有Ｌ、１．２のマ
スフローコントローラのフルスケール流量が等しい場合
、このフルスケール流量を与える制御信号電圧を５ボル
ト．１に与える制御信号電圧をＶ，とすると、２に与え
る制御信号電圧を、 ■．謬５ Ｖ＋ としたときにベント／ランバルブ８を介して流出するガ
ス流量が一定に保たれ、流量調整バルプ７によって調整
されたボンベ内圧力が一定に保たれる．また、ｖ１に対
する反転信号■２は公知の変換器を用いて容易に発生さ
せることができる。
複数の有機金属ガス供給装置として、前述のように構成
されたガス供給装置のユニットを並列に並べて使用する
場合の問題点は次の通りである。
されたガス供給装置のユニットを並列に並べて使用する
場合の問題点は次の通りである。
気相成長装置内で作製される反応生底物が３元あるいは
４元の混晶である場合、２種以上の有機金属ガスを同時
に気相威長装置内へ切り換える場合が生しる．このとき
、１つの有機金属ガスに対して１つのベント／ランバル
ブが対応していると、各ベント／ランバルブに同時に信
号を入れてベント側から反応室側へガスを切り換える際
に、それぞれのヘント／ランバルブから反応室へは僅か
ではあるが配管の長さが異なるため、有機金属ガスがそ
れぞれ反応室へ到達するまでの時間に差が生じ、作製さ
れる反応生戒物が基板上の膜である場合、この膜の下地
層との境界層において組戒比の設計値からのずれを生じ
る。これは作製された膜の結晶性および電気的特性の劣
化をもたらす．また、この構戊では、有機金属の種類の
２倍の数のマスフローコントローラを必要とするほか、
有機金属のａｌ類と同数の流ｉ＊整バルブおよびベント
／ランバルブを必要とする。
４元の混晶である場合、２種以上の有機金属ガスを同時
に気相威長装置内へ切り換える場合が生しる．このとき
、１つの有機金属ガスに対して１つのベント／ランバル
ブが対応していると、各ベント／ランバルブに同時に信
号を入れてベント側から反応室側へガスを切り換える際
に、それぞれのヘント／ランバルブから反応室へは僅か
ではあるが配管の長さが異なるため、有機金属ガスがそ
れぞれ反応室へ到達するまでの時間に差が生じ、作製さ
れる反応生戒物が基板上の膜である場合、この膜の下地
層との境界層において組戒比の設計値からのずれを生じ
る。これは作製された膜の結晶性および電気的特性の劣
化をもたらす．また、この構戊では、有機金属の種類の
２倍の数のマスフローコントローラを必要とするほか、
有機金属のａｌ類と同数の流ｉ＊整バルブおよびベント
／ランバルブを必要とする。
この発明の目的は、複数の有機金属ガスを用いて作製さ
れる反応生成物中に設計値と異なる組或の生或物が含ま
れないように複数の有機金属ガスを反応室に供給するこ
とのできるガス供給装置の樽戒を提供することである． （Ｌｌ！ａを解決するための手段〕 上記課題を解決するために、この発明においては、それ
ぞれキャリアガスのバブリングによりガス化された複数
の有機金属を、該有機金属ガス発生量変更のための前記
キャリアガスの流量変更に伴う該有機金属ガス系統のガ
ス２ｉＩＬ量変化を流量補償ラインを介したキャリアガ
スにより補いつつベント／ランバルブを介してＭ Ｏ
Ｃ Ｖ Ｄ 装置などの気相威長装置に供給する有機金
属ガスの供給装置を、前記複数の有機金属ガス系統が１
個のベント／ランバルブの流入口側に接続され、複数の
有機金属ガスが該ｌ個のベント／ランバルブを介して送
り出される構戒とするものとする。なお、この構戒にお
いて有機金属をバブリングするキャリアガスの流Ｗ１変
更に伴う有機金属ガス系統のガス流量変化を補うキャリ
アガスが通る流量補償ラインを１ラインで構戒すればさ
らに好適である。
れる反応生成物中に設計値と異なる組或の生或物が含ま
れないように複数の有機金属ガスを反応室に供給するこ
とのできるガス供給装置の樽戒を提供することである． （Ｌｌ！ａを解決するための手段〕 上記課題を解決するために、この発明においては、それ
ぞれキャリアガスのバブリングによりガス化された複数
の有機金属を、該有機金属ガス発生量変更のための前記
キャリアガスの流量変更に伴う該有機金属ガス系統のガ
ス２ｉＩＬ量変化を流量補償ラインを介したキャリアガ
スにより補いつつベント／ランバルブを介してＭ Ｏ
Ｃ Ｖ Ｄ 装置などの気相威長装置に供給する有機金
属ガスの供給装置を、前記複数の有機金属ガス系統が１
個のベント／ランバルブの流入口側に接続され、複数の
有機金属ガスが該ｌ個のベント／ランバルブを介して送
り出される構戒とするものとする。なお、この構戒にお
いて有機金属をバブリングするキャリアガスの流Ｗ１変
更に伴う有機金属ガス系統のガス流量変化を補うキャリ
アガスが通る流量補償ラインを１ラインで構戒すればさ
らに好適である。
ガス供給装置をこのように構或すると、複数の有機金属
ガス系統が共通に１つのベント／ランバルブの流入口側
に接続されているため、ヘント／ランバルブを反応室側
へ切り換えたとき、複数の有機金属ガスがこの１つのベ
ント／ランバルプから１本の管路を通って同時に反応室
へ到達する。
ガス系統が共通に１つのベント／ランバルブの流入口側
に接続されているため、ヘント／ランバルブを反応室側
へ切り換えたとき、複数の有機金属ガスがこの１つのベ
ント／ランバルプから１本の管路を通って同時に反応室
へ到達する。
また、流量補償ラインを１ラインで構戊することにより
、有機金属ガスの種類の数と関係な＜’ａ景補償ライン
の２ｉ １ ｆｉｌｌ御に必要なマスフローコントロー
ラは１個ですみ、ガス供給装置の構成が簡素かつ安価と
なる． 〔実施例〕 第１図に本発明による有機金属ガス供給装買構戒の一実
施例を示す．この実施例は有機金属が２種類の場合のガ
ス供給装置の構戒を示し、有機金属はそれぞれボンベ１
４．１５内に溜められている．このボンベ１４ｌ５にそ
れぞれマスフローコントローラ１１．１２により流量１
１１１ ｆｌされたキャリアガスが導かれ、ボンベ内の
液状有機金属をバブリングしてガス化する。ガス化され
た有機金属はそれぞれ有機金属ガス系統１６． １７を
通って流量調整バルブｌ９の流入口側で合流し、流ｆｉ
！ＩＮ整バルブ１９を介してベント／ランバルブ２０に
導かれる．反応室へ供給される有機金属ガスの一方ある
いは両方のモル分率を変えるためマスフローコントロー
ラ１１およびまたは１２の設定流量を変えボンベ１４お
よびまたは１５に送り込まれるキャリアガスのｔｉｔを
変えると、流！調整バルブ１９８ ベント／ランバルブ
２０を介して外部へ送り出されるガス流量が変わる．こ
の流量変化を補償するためにｌラインのみで構成されマ
スフローコントローラ１３を介してキャリアガスを送る
流量補償ラインｌ８が、ボンベ１４．１５をバイパスし
てキャリアガス源と流量調整バルプ１９の流入口側とに
接続されている．マスフローコントローラ１３の流量設
定のための制御信号は次のように与えられる。いま、マ
スフローコントローラ１１．１２のフルスケール流量を
それぞれＡ，Ｂとすると、マスフローコントローラ１３
のフルスケール流量はＡ＋Ｂであることが必要である。
、有機金属ガスの種類の数と関係な＜’ａ景補償ライン
の２ｉ １ ｆｉｌｌ御に必要なマスフローコントロー
ラは１個ですみ、ガス供給装置の構成が簡素かつ安価と
なる． 〔実施例〕 第１図に本発明による有機金属ガス供給装買構戒の一実
施例を示す．この実施例は有機金属が２種類の場合のガ
ス供給装置の構戒を示し、有機金属はそれぞれボンベ１
４．１５内に溜められている．このボンベ１４ｌ５にそ
れぞれマスフローコントローラ１１．１２により流量１
１１１ ｆｌされたキャリアガスが導かれ、ボンベ内の
液状有機金属をバブリングしてガス化する。ガス化され
た有機金属はそれぞれ有機金属ガス系統１６． １７を
通って流量調整バルブｌ９の流入口側で合流し、流ｆｉ
！ＩＮ整バルブ１９を介してベント／ランバルブ２０に
導かれる．反応室へ供給される有機金属ガスの一方ある
いは両方のモル分率を変えるためマスフローコントロー
ラ１１およびまたは１２の設定流量を変えボンベ１４お
よびまたは１５に送り込まれるキャリアガスのｔｉｔを
変えると、流！調整バルブ１９８ ベント／ランバルブ
２０を介して外部へ送り出されるガス流量が変わる．こ
の流量変化を補償するためにｌラインのみで構成されマ
スフローコントローラ１３を介してキャリアガスを送る
流量補償ラインｌ８が、ボンベ１４．１５をバイパスし
てキャリアガス源と流量調整バルプ１９の流入口側とに
接続されている．マスフローコントローラ１３の流量設
定のための制御信号は次のように与えられる。いま、マ
スフローコントローラ１１．１２のフルスケール流量を
それぞれＡ，Ｂとすると、マスフローコントローラ１３
のフルスケール流量はＡ＋Ｂであることが必要である。
またマスフローコントローラＩＬ１２の流’！設定信号
電圧をＶ，，Ｖ．とすると、マスフローコントローラ１
３に与える信号電圧を、Ａ＋Ｂ としたときにベント／ランバルブ２０を介して反応室へ
送られるガス流量が一定に保たれる．ここで式中の５は
、それぞれのマスフローコントローラのフルスケール流
量を与える信号電圧である．なお、上式で与えられる信
号電圧は公知の変換器を用いて実現できるが、マスフロ
ーコントローラの精度上、Ａ＝Ｂであることが望ましい
．〔発明の効果〕 以上に述べたように、本発明においては、複数の有機金
属ガス系統を有し、ベント／ランバルプを介して気相威
長装置に複数の有機金属ガスを供給するガス供給装置を
、前記複数の有機金属ガス系統が１個のベント／ランバ
ルプの流入口側に接続され、複数の有機金属ガスが咳ｌ
個のベント／ランバルブを介して送り出される構成とし
たので、ベント／ランバルブから流出するガス流をベン
ト側から反応室側へ切り換えたとき、複数の有機金属ガ
スは到達時間のずれを生ずることなく同時に気相成長装
置に到達し、気相或長装置内での反応生底物たとえば膜
の境界層において設計植どおりの組戒を実現することが
できる．また、この装置構戒において、気相或長装置に
供給される有機金属ガスのモル分率変更に伴うベント／
ランバルブからのガス流量の変化を補償して該ガス流量
を一定に保つための流量補償ラインを１ラインで構或す
ることにより、流量補償ラインの流量制御に必要な高価
なマスフローコントローラが１個ですみ、装置本体側の
流量調整バルブやベント／ランバルブがそれぞれ１個で
すむこととあわせ、ガス供給装置が簡素かつ安価となる
メリットが得られる．
電圧をＶ，，Ｖ．とすると、マスフローコントローラ１
３に与える信号電圧を、Ａ＋Ｂ としたときにベント／ランバルブ２０を介して反応室へ
送られるガス流量が一定に保たれる．ここで式中の５は
、それぞれのマスフローコントローラのフルスケール流
量を与える信号電圧である．なお、上式で与えられる信
号電圧は公知の変換器を用いて実現できるが、マスフロ
ーコントローラの精度上、Ａ＝Ｂであることが望ましい
．〔発明の効果〕 以上に述べたように、本発明においては、複数の有機金
属ガス系統を有し、ベント／ランバルプを介して気相威
長装置に複数の有機金属ガスを供給するガス供給装置を
、前記複数の有機金属ガス系統が１個のベント／ランバ
ルプの流入口側に接続され、複数の有機金属ガスが咳ｌ
個のベント／ランバルブを介して送り出される構成とし
たので、ベント／ランバルブから流出するガス流をベン
ト側から反応室側へ切り換えたとき、複数の有機金属ガ
スは到達時間のずれを生ずることなく同時に気相成長装
置に到達し、気相或長装置内での反応生底物たとえば膜
の境界層において設計植どおりの組戒を実現することが
できる．また、この装置構戒において、気相或長装置に
供給される有機金属ガスのモル分率変更に伴うベント／
ランバルブからのガス流量の変化を補償して該ガス流量
を一定に保つための流量補償ラインを１ラインで構或す
ることにより、流量補償ラインの流量制御に必要な高価
なマスフローコントローラが１個ですみ、装置本体側の
流量調整バルブやベント／ランバルブがそれぞれ１個で
すむこととあわせ、ガス供給装置が簡素かつ安価となる
メリットが得られる．
第１図は本発明の一実施例による有機金属ガス供給装置
の構戒図、第２図は複数の有機金属ガスを供給するため
に複数並列に並べられる．１つの有機金属ガスを供給す
る従来のガス供給装置の例を示す装置構成図である。 Ｌ２，１１，１２．１３ ：マスフローコントローラ、
４．１６１７：有機金属ガス系統、６．１８＝流量補償
ライン、八“冫トヘ 反烏室へ 第１図
の構戒図、第２図は複数の有機金属ガスを供給するため
に複数並列に並べられる．１つの有機金属ガスを供給す
る従来のガス供給装置の例を示す装置構成図である。 Ｌ２，１１，１２．１３ ：マスフローコントローラ、
４．１６１７：有機金属ガス系統、６．１８＝流量補償
ライン、八“冫トヘ 反烏室へ 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）それぞれキャリアガスのバブリングによりガス化さ
れた複数の有機金属を、該有機金属ガス発生量変更のた
めの前記キャリアガスの流量変更に伴う該有機金属ガス
系統のガス流量変化を流量補償ラインを介したキャリア
ガスにより補いつつベント／ランバルブを介してＭＯＣ
ＶＤ装置などの気相成長装置に供給する有機金属ガスの
供給装置において、前記複数の有機金属ガス系統が１個
のベント／ランバルブの流入口側に接続され、複数の有
機金属ガスが該１個のベント／ランバルブを介して送り
出されることを特徴とする有機金属ガスの供給装置。 ２）請求項第１項に記載の有機金属ガスの供給装置にお
いて、有機金属をバブリングするキャリアガスの流量変
更に伴う有機金属ガス系統のガス流量変化を補うキャリ
アガスが通る流量補償ラインが１ラインで構成されるこ
とを特徴とする有機金属ガスの供給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19109589A JPH0354820A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 有機金属ガスの供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19109589A JPH0354820A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 有機金属ガスの供給装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0354820A true JPH0354820A (ja) | 1991-03-08 |
Family
ID=16268772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19109589A Pending JPH0354820A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 有機金属ガスの供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0354820A (ja) |
-
1989
- 1989-07-24 JP JP19109589A patent/JPH0354820A/ja active Pending
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