JPH0443633A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0443633A JPH0443633A JP15213690A JP15213690A JPH0443633A JP H0443633 A JPH0443633 A JP H0443633A JP 15213690 A JP15213690 A JP 15213690A JP 15213690 A JP15213690 A JP 15213690A JP H0443633 A JPH0443633 A JP H0443633A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mass flow
- gas
- reaction chamber
- flow controller
- flow controllers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
化学気相成長（ＣＶＩ））装置やエツチング装置に供給
するガス系に関し。
するガス系に関し。
ガスを複数の反応室に供給するに際し、装置相互間の干
渉のない流量制御が行えるガス供給系を提供することを
目的とし。
渉のない流量制御が行えるガス供給系を提供することを
目的とし。
■）複数の反応室に対するガス供給系を有する装置であ
って、該ガス供給系は反応室ごとに該反応室に接続する
マスフローコントローラと該マスフローコントローラの
入口側に接続されたガス圧調整装置を有し、各々の該ガ
ス圧調整装置にガスが供給されるように構成する。
って、該ガス供給系は反応室ごとに該反応室に接続する
マスフローコントローラと該マスフローコントローラの
入口側に接続されたガス圧調整装置を有し、各々の該ガ
ス圧調整装置にガスが供給されるように構成する。
２）複数の反応室に対するガス供給系を有する装置であ
って、該ガス供給系は反応室ごとに該反応室に接続する
マスフローコントローラと該マスフローコントローラの
人Ｌ」側に接続された液化ガスボンベを有するように構
成する。
って、該ガス供給系は反応室ごとに該反応室に接続する
マスフローコントローラと該マスフローコントローラの
人Ｌ」側に接続された液化ガスボンベを有するように構
成する。
本発明は半導体製造装置に係り、特に化学気相成長（Ｃ
ＶＤ）装置やエツチング装置に供給するガス系に関する
。
ＶＤ）装置やエツチング装置に供給するガス系に関する
。
半導体製造装置等のガス供給系においては、マスフロー
コントローラ（ＭＦＣ）が質量流量の制御に数多く使用
されているが、過渡時における制御特性が十分でな（対
策が要望されている。
コントローラ（ＭＦＣ）が質量流量の制御に数多く使用
されているが、過渡時における制御特性が十分でな（対
策が要望されている。
本発明はこの要望に対応して多数の装置に供給するガス
系の構成に利用することかできる。
系の構成に利用することかできる。
従来のガス供給系の構成は第２図のようになっている。
第２図は従来のガス供給系の構成図である。
図において、ｌは反応室Ａ、２は反応室Ｂ、 ３〜６
はマスフローコントローラ、７〜１４はバルブ。
はマスフローコントローラ、７〜１４はバルブ。
１５はレギュレータ（圧力調整装置）である。
図のガス１は一般の高圧ガス、ガス２はレギュレータに
よるガス圧調整ができない液化ガスで直接ボンベより供
給する。
よるガス圧調整ができない液化ガスで直接ボンベより供
給する。
上記の従来構成で９反応室Ａで処理中に９反応室Ｂで処
理を開始すると９反応室Ａに流れ込むガスの真の流量が
変化することが分かった。
理を開始すると９反応室Ａに流れ込むガスの真の流量が
変化することが分かった。
第３図は従来例の問題点を説明する図である。
図は１反応室Ａに接続されるマスフローコントローラ３
または５及び反応室Ｂに接続されるマスフローコントロ
ーラ４または６の流量と経過時間の関係を示す。
または５及び反応室Ｂに接続されるマスフローコントロ
ーラ４または６の流量と経過時間の関係を示す。
図のＡは反応室Ａの処理開始時刻、Ｂは反応室Ｂの処理
開始時刻である。
開始時刻である。
時刻Ｂで反応室Ａに供給さるガス流量の変動が認められ
る。
る。
流量変動の原因を調査した結果１反応室Ａで処理中（Ｍ
ＦＣ３，５でガスの質量流量を制御中）に。
ＦＣ３，５でガスの質量流量を制御中）に。
反応室Ｂで処理を開始する（ＭＦＣ４，６にガスが流れ
始める）と、−瞬マスフローコントローラの入口側圧力
が変動し、ガスの流れに乱れが起きるために、流量変動
が起きることが分かった。
始める）と、−瞬マスフローコントローラの入口側圧力
が変動し、ガスの流れに乱れが起きるために、流量変動
が起きることが分かった。
この流量変動の大きさは最近の高速応答型マスフローコ
ントローラではより小さくなることが確認されたが、十
分とはいえない。
ントローラではより小さくなることが確認されたが、十
分とはいえない。
本発明はガスを複数の反応室に供給するに際し。
装置相互間の干渉のない流量制御が行えるガス供給系を
提供することを目的とする。
提供することを目的とする。
上記課題の解決は。
１）複数の反応室に対するガス供給系を有する装置であ
って、該ガス供給系は反応室ごとに該反応室に接続スる
マスフローコントローラと該マスフローコントローラの
入口側に接続されたガス圧調整装置を有し、各々の該ガ
ス圧調整装置にガスか供給されるように構成されている
半導体製造装置。
って、該ガス供給系は反応室ごとに該反応室に接続スる
マスフローコントローラと該マスフローコントローラの
入口側に接続されたガス圧調整装置を有し、各々の該ガ
ス圧調整装置にガスか供給されるように構成されている
半導体製造装置。
あるいは
２）複数の反応室に対するガス供給系を有する装置であ
って、該ガス供給系は反応室ごとに該反応室に接続する
マスフローコントローラと該マスフローコントローラの
入［１側に接続された液化ガスホンベを有する半導体製
造装置によって達成される。
って、該ガス供給系は反応室ごとに該反応室に接続する
マスフローコントローラと該マスフローコントローラの
入［１側に接続された液化ガスホンベを有する半導体製
造装置によって達成される。
本発明は各反応室に接続するマスフローコントローラに
供給するガスの圧力を共通のレギュレータで制御してい
たためにマスフローコントローラ間に干渉か起きること
が分かったので、各マスフローコントローラごとに独立
してレギュレータを設けるようにしたものである。
供給するガスの圧力を共通のレギュレータで制御してい
たためにマスフローコントローラ間に干渉か起きること
が分かったので、各マスフローコントローラごとに独立
してレギュレータを設けるようにしたものである。
また、液化ガスにおいてはレギュレータが使用できない
ため、各マスフローコントローラごとに独立して液化ガ
スボンベを接続して マスフローコントローラ相互間の
干渉をなくするようにしたものである。
ため、各マスフローコントローラごとに独立して液化ガ
スボンベを接続して マスフローコントローラ相互間の
干渉をなくするようにしたものである。
第１図は本発明の一実施例によるガス供給系の構成図で
ある。
ある。
図において、ｌは反応室Ａ、２は反応室Ｂ、 ３〜６
はマスフローコントローラ、７〜１４はバルブ。
はマスフローコントローラ、７〜１４はバルブ。
１５、１６はレギュレータ（圧力調整装置） 、 １７
．１８はボンベである。
．１８はボンベである。
一般高圧ガスに対しては、マスフローコントローラ１個
に対してその入口に１個のレギュレータをつけ、液化ガ
スに対してはマスフローコントローラ１個に対してその
入口に１本の液化ガスボンベをつける。
に対してその入口に１個のレギュレータをつけ、液化ガ
スに対してはマスフローコントローラ１個に対してその
入口に１本の液化ガスボンベをつける。
このようにすることにより９個々のマスフローコントロ
ーラ間の干渉をなくしている。
ーラ間の干渉をなくしている。
ガス種としては、高圧ガスの例としてドライエツチング
に使用する四弗化炭素（ＣＣＩ４）がある。
に使用する四弗化炭素（ＣＣＩ４）がある。
この場合は各反応室に接続するマスフローコントローラ
の入口側に独立してレギュレータを設ける。
の入口側に独立してレギュレータを設ける。
また、液化ガスの例として、メタルのプラズマエツチン
グに使用する三塩化硼素（ＢＣｌ２）がある。
グに使用する三塩化硼素（ＢＣｌ２）がある。
この場合は、各反応室に接続するマスフローコントロー
ラの入「１側に独立してＢＣｌ２のガスボンベを設ける
。
ラの入「１側に独立してＢＣｌ２のガスボンベを設ける
。
このようにすれば９片方の反応室で処理中に他方の反応
室で処理を開始すると、プラズマ発光強度が変化するこ
とがあったが、ボンベを独立に持つことでこのような現
象は見られなくなった。
室で処理を開始すると、プラズマ発光強度が変化するこ
とがあったが、ボンベを独立に持つことでこのような現
象は見られなくなった。
以上説明したように本発明によれば、ガスを複数の反応
室に供給するに際し、装置相互間の干渉のない流量制御
が行えるガス供給系を得ることができた。
室に供給するに際し、装置相互間の干渉のない流量制御
が行えるガス供給系を得ることができた。
この結果、特に半導体装置の製造に使用するＣＶＤ装置
、プラズマＣＶＤ装置、ドライエツチング装置等での処
理が安定し、製造歩留が向上する。
、プラズマＣＶＤ装置、ドライエツチング装置等での処
理が安定し、製造歩留が向上する。
第１図は本発明の一実施例によるガス供給系の構成図。
第２図は従来のガス供給系の構成図。
第３図は従来例の問題点を説明する図である。
図において。
Ｉは反応室Ａ。
２は反応室Ｂ。
３〜６はマスフローコントローラ。
７〜Ｉ４はバルブ
１５、１６はレギュレータ（圧力調整装置）。
１７、 １８はボンベ
尖先例／′）構成図
第７０
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）複数の反応室に対するガス供給系を有する装置であ
って、該ガス供給系は反応室ごとに該反応室に接続する
マスフローコントローラと該マスフローコントローラの
入口側に接続されたガス圧調整装置を有し、各々の該ガ
ス圧調整装置にガスが供給されるように構成されている
ことを特徴とする半導体製造装置。 ２）複数の反応室に対するガス供給系を有する装置であ
って、該ガス供給系は反応室ごとに該反応室に接続する
マスフローコントローラと該マスフローコントローラの
入口側に接続された液化ガスボンベを有することを特徴
とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15213690A JPH0443633A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15213690A JPH0443633A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0443633A true JPH0443633A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15533834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15213690A Pending JPH0443633A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0443633A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6273954B2 (en) | 1998-09-03 | 2001-08-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | System for manufacturing a semiconductor device |
| WO2006087777A1 (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-24 | Youtec Co., Ltd. | 加圧式ランプアニール装置、加圧式ランプアニール処理方法、薄膜及び電子部品 |
-
1990
- 1990-06-11 JP JP15213690A patent/JPH0443633A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6273954B2 (en) | 1998-09-03 | 2001-08-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | System for manufacturing a semiconductor device |
| WO2006087777A1 (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-24 | Youtec Co., Ltd. | 加圧式ランプアニール装置、加圧式ランプアニール処理方法、薄膜及び電子部品 |
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