JPH0354855B2 - - Google Patents
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- JPH0354855B2 JPH0354855B2 JP60095204A JP9520485A JPH0354855B2 JP H0354855 B2 JPH0354855 B2 JP H0354855B2 JP 60095204 A JP60095204 A JP 60095204A JP 9520485 A JP9520485 A JP 9520485A JP H0354855 B2 JPH0354855 B2 JP H0354855B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体素子の組立方法に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
従来の半導体素子の組立方法では、第６図に示
す如く、リードフレーム１のマウント床に装着さ
れた半導体ペレツト２上の電極パツド３と外部リ
ード４との接続は、金線で作られたボンデイング
線５を架設することにより行われている。このよ
うにボンデイング線５に金線を採用するもので
は、次のような問題がある。
す如く、リードフレーム１のマウント床に装着さ
れた半導体ペレツト２上の電極パツド３と外部リ
ード４との接続は、金線で作られたボンデイング
線５を架設することにより行われている。このよ
うにボンデイング線５に金線を採用するもので
は、次のような問題がある。
高温でボンデイング線５の架設を行うと、
Al製の電極パツド３とボンデイング線５の接
合部に金とアルミニウムの化合物が生じる。こ
のため接合部で電気特性の劣化が生じる。
Al製の電極パツド３とボンデイング線５の接
合部に金とアルミニウムの化合物が生じる。こ
のため接合部で電気特性の劣化が生じる。
金線からなるボンデイング線５自身に酸化が
起きない場合であつても、接合部の電気特性の
劣化によつて半導体素子の信頼性が低下する。
起きない場合であつても、接合部の電気特性の
劣化によつて半導体素子の信頼性が低下する。
金とアルミニウムの化合物はボンデイング処
理後の放置された状態下でも発生するため、電
気特性の安定した半導体素子が得られない。
理後の放置された状態下でも発生するため、電
気特性の安定した半導体素子が得られない。
金線は高価であるため、製造価格が高くな
る。
る。
このような問題を解消するために特願昭55−
88318号公報にて被ボンデイング領域を選択的に
活性化することにより、銅線からなるボンデイン
グ線と銅製のリードフレーム間でボンデイング線
の架設を行う技術が開示されている。しかしなが
ら、この技術ではボンデイング線の方に発生する
酸化物によつて接合不良が発生すると共に、ボン
デイング線の先端部に所定のボールを形成するの
が難しいため、接合不良を招く問題がある。更
に、各々のボンデイング処理毎に被ボンデイング
領域の活性化を行うため、作業性が悪い。
88318号公報にて被ボンデイング領域を選択的に
活性化することにより、銅線からなるボンデイン
グ線と銅製のリードフレーム間でボンデイング線
の架設を行う技術が開示されている。しかしなが
ら、この技術ではボンデイング線の方に発生する
酸化物によつて接合不良が発生すると共に、ボン
デイング線の先端部に所定のボールを形成するの
が難しいため、接合不良を招く問題がある。更
に、各々のボンデイング処理毎に被ボンデイング
領域の活性化を行うため、作業性が悪い。
また、特願昭57−51237号公報では、ボンデイ
ング線を導出するキヤピラリの先端部を還元雰囲
気に保たれたカバー内に導入して、所望形状のボ
ールを形成すると共にボンデイング線の酸化防止
をしてボンデイング処理を行う技術が開示されて
いる。しかしながら、この技術では還元雰囲気を
保つためのカバーを含んだ複雑な機構が必要とな
り、１秒以下の処理速度で行われるボンデイング
処理の下では、故障が起き易すく保守管理に手間
を要する問題がある。また、外部リードが形成さ
れたリードフレーム側の酸化物を除去できないた
め、銅線からなるボンデイング線と銅製のリード
フレームとの間では信頼性の高いボンデイング処
理を行うことができない問題がある。
ング線を導出するキヤピラリの先端部を還元雰囲
気に保たれたカバー内に導入して、所望形状のボ
ールを形成すると共にボンデイング線の酸化防止
をしてボンデイング処理を行う技術が開示されて
いる。しかしながら、この技術では還元雰囲気を
保つためのカバーを含んだ複雑な機構が必要とな
り、１秒以下の処理速度で行われるボンデイング
処理の下では、故障が起き易すく保守管理に手間
を要する問題がある。また、外部リードが形成さ
れたリードフレーム側の酸化物を除去できないた
め、銅線からなるボンデイング線と銅製のリード
フレームとの間では信頼性の高いボンデイング処
理を行うことができない問題がある。
本発明は、半導体ペレツトに高い信頼性と高い
強度の下に、しかも安価にワイヤボンデイングを
施すことができる半導体素子の組立方法を提供す
ることをその目的とするものである。
強度の下に、しかも安価にワイヤボンデイングを
施すことができる半導体素子の組立方法を提供す
ることをその目的とするものである。
本発明は、リードフレームの搬送路、ボンデイ
ング処理を行うボンデイング処理部及びボンデイ
ング線を導出するキヤピラリの周辺領域を常に十
分な還元雰囲気に保つと共に、内側がH2：O2＝
２：１の混合ガスで外側がO2：N2＝20〜100％：
80〜０％の混合ガスからなる酸水素炎でボンデイ
ング線の先端部を加熱してボールを形成し、この
ボールを還元性ガス雰囲気中で半導体部材の所定
領域に熱圧着することにより、半導体ペレツトに
高い信頼性と高い強度の下に、しかも安価にワイ
ヤボンデイングを施すことができる半導体素子の
組立方法である。
ング処理を行うボンデイング処理部及びボンデイ
ング線を導出するキヤピラリの周辺領域を常に十
分な還元雰囲気に保つと共に、内側がH2：O2＝
２：１の混合ガスで外側がO2：N2＝20〜100％：
80〜０％の混合ガスからなる酸水素炎でボンデイ
ング線の先端部を加熱してボールを形成し、この
ボールを還元性ガス雰囲気中で半導体部材の所定
領域に熱圧着することにより、半導体ペレツトに
高い信頼性と高い強度の下に、しかも安価にワイ
ヤボンデイングを施すことができる半導体素子の
組立方法である。
なお、本発明者等は、上述の問題点を解消する
発明として既に特願昭59−219902号及び特願昭59
−219903号の出願をした。特願昭59−219902号の
発明は、要約すると半導体部材及びボンデイング
線を銅若しくは銅合金で形成し、これらを還元性
ガスを満した搬送路から不活性ガスまたは還元性
ガス雰囲気のボンデイング部に供給して、同雰囲
気中で加熱によつてボンデイング線に形成したボ
ールを少なくとも、半導体部材に熱圧着する工程
を具備する第１の発明と、所謂半導体ペレツト側
の電極パツドとボンデイング線とを第１の発明と
同様の条件下でボンデイング処理する第１ボンデ
イング部と、このボンデイング処理によつて電極
パツドに熱圧着されたボンデイング線の他端部側
を第１の発明と同様の条件下で所謂ポスト側と称
せられる外部リードに熱圧着する第２ボンデイン
グ部とを設けて半導体ペレツト側及びポスト側の
双方で所定の材質及び所定の雰囲気下で確実にボ
ンデイング処理する工程を具備する第２の発明か
らなるものである。
発明として既に特願昭59−219902号及び特願昭59
−219903号の出願をした。特願昭59−219902号の
発明は、要約すると半導体部材及びボンデイング
線を銅若しくは銅合金で形成し、これらを還元性
ガスを満した搬送路から不活性ガスまたは還元性
ガス雰囲気のボンデイング部に供給して、同雰囲
気中で加熱によつてボンデイング線に形成したボ
ールを少なくとも、半導体部材に熱圧着する工程
を具備する第１の発明と、所謂半導体ペレツト側
の電極パツドとボンデイング線とを第１の発明と
同様の条件下でボンデイング処理する第１ボンデ
イング部と、このボンデイング処理によつて電極
パツドに熱圧着されたボンデイング線の他端部側
を第１の発明と同様の条件下で所謂ポスト側と称
せられる外部リードに熱圧着する第２ボンデイン
グ部とを設けて半導体ペレツト側及びポスト側の
双方で所定の材質及び所定の雰囲気下で確実にボ
ンデイング処理する工程を具備する第２の発明か
らなるものである。
また、特願昭59−219903号の発明は、要約する
と前号の第１の発明と同様の条件下で、かつ、半
導体部材の所定領域へのボンデイング線の接続を
少なくともボールの肉厚の0.5〜3μｍが喰込むよ
うにして行う工程を具備する発明である。
と前号の第１の発明と同様の条件下で、かつ、半
導体部材の所定領域へのボンデイング線の接続を
少なくともボールの肉厚の0.5〜3μｍが喰込むよ
うにして行う工程を具備する発明である。
これらの発明に対し本願発明は、ボンデイング
線の先端部に形成するボールを内側がH2：O2＝
２：１の混合ガスで外側がO2：N2＝20〜100％：
80〜０％の混合ガスからなる酸水素炎で形成する
ようにしたことを重要な構成とするものである。
線の先端部に形成するボールを内側がH2：O2＝
２：１の混合ガスで外側がO2：N2＝20〜100％：
80〜０％の混合ガスからなる酸水素炎で形成する
ようにしたことを重要な構成とするものである。
以下、本発明の実施例について図面を参照して
説明する。第１図は、本発明方法をリードフレー
ムの移動順路に従つて示す説明図である。図中１
０は、リードフレーム１１を搬送する搬送路であ
る。搬送路１０内には例えばガス源からN2と
H210％のような還元性のガスが連続的に供給さ
れ、十分に還元性の雰囲気に保たれている。搬送
路１０内には、ダイボンデイング部１２、ワイヤ
ボンデイング部１３、ポストボンデイング部１
４、ポストベーキング部３７が所定の間隔を設け
て配置されている。ダイボンデイング部の搬送路
１０の天井部には、半導体ペレツト１５をダイボ
ンデイング部１２に供給するコレツト等の把持具
が出入する窓１６が開口している。ワイヤボンデ
イング部１３の搬送路１０の天井部には、ボンデ
イング線１７を供給するキヤピラリ１８をボンデ
イング部１２内に出入させるための窓１９が開口
されている。ポストボンデイング部１４の搬送路
１０の天井部には、ボンデイング線１７をリード
フレーム１２の外部リード２１側に熱圧着させる
ための押圧具２０が出入する窓２２が開口されて
いる。また、搬送路１０の床部には、ガイドレー
ル等からなる搬送手段が設けられている。ダイボ
ンデイング部１２、ワイヤボンデイング部１３、
ポストボンデイング部１４、ポストベーキング部
３７の床部には、リードフレーム１１を所定温度
に加熱するためのヒータ２３，２４，２５，３４
が内蔵され、更にN2＋H210％のガスが供給され
る構造になつている。また、ボンデイング部１３
につづく搬送路１０の天井部３８、ポストボンデ
イング部１４につづく搬送路１０の天井部４０及
びポストベーキング部３７の天井部４０から搬送
路１０内にN2＋H210％のガスが供給されるよう
になつている。
説明する。第１図は、本発明方法をリードフレー
ムの移動順路に従つて示す説明図である。図中１
０は、リードフレーム１１を搬送する搬送路であ
る。搬送路１０内には例えばガス源からN2と
H210％のような還元性のガスが連続的に供給さ
れ、十分に還元性の雰囲気に保たれている。搬送
路１０内には、ダイボンデイング部１２、ワイヤ
ボンデイング部１３、ポストボンデイング部１
４、ポストベーキング部３７が所定の間隔を設け
て配置されている。ダイボンデイング部の搬送路
１０の天井部には、半導体ペレツト１５をダイボ
ンデイング部１２に供給するコレツト等の把持具
が出入する窓１６が開口している。ワイヤボンデ
イング部１３の搬送路１０の天井部には、ボンデ
イング線１７を供給するキヤピラリ１８をボンデ
イング部１２内に出入させるための窓１９が開口
されている。ポストボンデイング部１４の搬送路
１０の天井部には、ボンデイング線１７をリード
フレーム１２の外部リード２１側に熱圧着させる
ための押圧具２０が出入する窓２２が開口されて
いる。また、搬送路１０の床部には、ガイドレー
ル等からなる搬送手段が設けられている。ダイボ
ンデイング部１２、ワイヤボンデイング部１３、
ポストボンデイング部１４、ポストベーキング部
３７の床部には、リードフレーム１１を所定温度
に加熱するためのヒータ２３，２４，２５，３４
が内蔵され、更にN2＋H210％のガスが供給され
る構造になつている。また、ボンデイング部１３
につづく搬送路１０の天井部３８、ポストボンデ
イング部１４につづく搬送路１０の天井部４０及
びポストベーキング部３７の天井部４０から搬送
路１０内にN2＋H210％のガスが供給されるよう
になつている。
このような搬送路１０を使用して次のように半
導体素子の組立を行う。先ず、リードフレーム１
１を搬送手段によりダイボンデイング部１２に供
給する。リードフレーム１１は、無酸素銅、リン
脱酸銅等の銅または銅合金で形成されている。ダ
イボンデイング部１２に供給されたリードフレー
ム１１は、ヒータ２３で所定温度に加熱される。
この状態で窓１６から半導体ペレツト１５が供給
され、リードフレーム１１のマウント部に半田層
２６を介して半導体ペレツト１５が装着される。
導体素子の組立を行う。先ず、リードフレーム１
１を搬送手段によりダイボンデイング部１２に供
給する。リードフレーム１１は、無酸素銅、リン
脱酸銅等の銅または銅合金で形成されている。ダ
イボンデイング部１２に供給されたリードフレー
ム１１は、ヒータ２３で所定温度に加熱される。
この状態で窓１６から半導体ペレツト１５が供給
され、リードフレーム１１のマウント部に半田層
２６を介して半導体ペレツト１５が装着される。
次に、第２図Ａに示す如く、半導体ペレツト１
５が装着されたリードフレーム１１は、ワイヤボ
ンデイング部１３に供給される。ワイヤボンデイ
ング部１３の所定位置に設定されると、リードフ
レーム１１はヒータ２４によつて約300℃に加熱
され、半導体ペレツト１５上の電極も所定温度に
加熱される。次いで窓１９の入口部までキヤピラ
リ１８が降下し窓１９の近傍に設けられたバーナ
２８によりキヤピラリ１８の先端部から導出した
ボンデイング線１７の先端部分にボール２９を形
成する。ボンデイング線１７は無酸素銅、リン脱
酸銅、CU−20％AU等の銅または銅合金で形成
されている。ここでバーナー２８は第３図に示す
如く外管２８ａとこれよりも僅に内側に入つた内
管２８ｂとからなる２重構造を有している。内管
２８ｂからはH2とO2を２：１にした混合ガスを
噴出して酸水素炎３０を形成し、この酸水素炎３
０によりボールを形成するようになつている。外
管２８ａからはO2＋N2が噴出し酸水素炎３０を
囲むエアーカーテン３１を形成している。バーナ
ー２８によるボール２９の形成は窓１９を構成す
るカバー３２，３２′でボンデイング線１７の先
端部を囲みながらヒーターブロツク２４から
H2：N2（５％〜20％）：（95％〜80％）の混合ガ
スからなる還元性ガス３３を出しワイヤボンデイ
ング部１３を還元雰囲気としている。バーナー２
８の外管からのO2とN2の混合ガスにしているの
は、ワイヤボンデイング部１３が還元性雰囲気の
ためバーナー内管からの酸水素炎３０が消えてし
まうのを防止するためである。しかしO2が多す
ぎるとボンデイング部１３の還元性雰囲気が十分
でなくなり、適正条件は、O2：N2は（20％〜100
％）：（80％〜０％）の範囲である。還元性ガスも
還元力を上げるには、H2を増せばよいが20％以
上にすると爆発の危険性があり５％以下では還元
力が低下する。このためH2：N2のガス適正混合
比は（５％〜20％）：（95％〜80％）とした。更に
還元性を良くするため第２図Ｆの如くヒーターブ
ロツク２４，２５，３４のワイヤボンデイング部
１３及びポスト部に近接する部分にガス噴出し口
３６，３６′を設けるのが好ましい。次にキヤピ
ラリー１８を降下して電極パツド２７上にボール
２９の部分を介してボンデイング線１７を熱圧着
する。この時、本発明の効果を更に高めるために
ボール２９はボンデイング線１７を押し出す荷重
に応じて第４図Ａ，Ｂに示す如く少なくともボー
ル２９の肉厚の0.5〜3μｍの厚（Ｘ）さ分だけ電
極パツド２７内に喰込んだ状態で押し漬されて扁
平した端部２９ａとなつて電極パツド２７と一体
化させるのが好ましい。この扁平した端部２９の
喰込み深さ（Ｘ）は例えば、電極パツド２７が１
〜3μ厚さのAl層で形成されており、ボンデイン
グ線１７が25μｍφの銅線である場合50〜100ｇ
の荷重をボンデイング線１７に加えると、0.5〜
2.5μｍの範囲に設定することが出来る。次に第２
図Ｂに示す如くキヤピラリ１８を引き上げて窓１
９の部分でバーナー２８によりボンデイング線１
７を所定の長さに切断すると共に電極パツド２７
に接続したボンデイング線１７ａの端部及びキヤ
ピラリ１８側に残つたボンデイング線１７ｂの端
部前述の酸水素炎３０によりボール２９ａ，２９
ｂを夫々形成する。この時もボンデイング線１７
ａ，１７ｂは還元性ガス３３で囲まれている。次
に第２図Ｃに示す如くボンデイング線１７ａを外
部リード２１側に所定の角度で折曲してホーミン
グしてから、リードフレーム１１を次のポストボ
ンデイング部１４に供給する。この時搬送路１０
内の還元雰囲気ガスの温度は200〜300℃に保たれ
てボンデイング線１７ａ、ボール２９ａを還元す
る。次に第２図Ｄに示す如くリードフレーム１１
がポストボンデイング部１４の所定位置に設定さ
れたところでこれを約300℃以上の温度で加熱し
ながら押圧具２０を窓２２から挿入降下し、ホー
ミングされたボンデイング線１７ａの端部のボー
ル２９ａの部分を、銅又は銅合金からなる外部リ
ード２１に熱圧着する。このとき例えばボンデイ
ング線１７が銅ワイヤ25μｍφの時300〜500grの
荷重を加えて外部リード２１にボール２９ａを20
〜50μｍの深さまで喰込ませるのが好ましい。こ
のポストボンデイング処理の際にも押圧具２０、
ボール２９ａ及びボンデイング線１７ａは還元性
ガス３３で包まれている。次に第２図Ｅに示す如
く、電極パツド２７、外部リード２１にボンデイ
ングの完了したリードフレーム１１をポストベー
キング部３７のゾーンを通過させ、電極パツド２
７に片側を接続したボンデイング線１７ａのボー
ル２９ａを外部リード２１に熱圧着する。この
時、ポストベーキング部３４の床部にはリードフ
レーム１１を300℃以上に加熱するヒータが設け
られ、還元性ガスの噴出口３９′も天井部に設け
られている。このようにして銅または銅合金から
なるリードフレーム１１に装着された半導体プレ
ツト１５に銅または銅合金からなるボンデイング
線１７を架設する。
５が装着されたリードフレーム１１は、ワイヤボ
ンデイング部１３に供給される。ワイヤボンデイ
ング部１３の所定位置に設定されると、リードフ
レーム１１はヒータ２４によつて約300℃に加熱
され、半導体ペレツト１５上の電極も所定温度に
加熱される。次いで窓１９の入口部までキヤピラ
リ１８が降下し窓１９の近傍に設けられたバーナ
２８によりキヤピラリ１８の先端部から導出した
ボンデイング線１７の先端部分にボール２９を形
成する。ボンデイング線１７は無酸素銅、リン脱
酸銅、CU−20％AU等の銅または銅合金で形成
されている。ここでバーナー２８は第３図に示す
如く外管２８ａとこれよりも僅に内側に入つた内
管２８ｂとからなる２重構造を有している。内管
２８ｂからはH2とO2を２：１にした混合ガスを
噴出して酸水素炎３０を形成し、この酸水素炎３
０によりボールを形成するようになつている。外
管２８ａからはO2＋N2が噴出し酸水素炎３０を
囲むエアーカーテン３１を形成している。バーナ
ー２８によるボール２９の形成は窓１９を構成す
るカバー３２，３２′でボンデイング線１７の先
端部を囲みながらヒーターブロツク２４から
H2：N2（５％〜20％）：（95％〜80％）の混合ガ
スからなる還元性ガス３３を出しワイヤボンデイ
ング部１３を還元雰囲気としている。バーナー２
８の外管からのO2とN2の混合ガスにしているの
は、ワイヤボンデイング部１３が還元性雰囲気の
ためバーナー内管からの酸水素炎３０が消えてし
まうのを防止するためである。しかしO2が多す
ぎるとボンデイング部１３の還元性雰囲気が十分
でなくなり、適正条件は、O2：N2は（20％〜100
％）：（80％〜０％）の範囲である。還元性ガスも
還元力を上げるには、H2を増せばよいが20％以
上にすると爆発の危険性があり５％以下では還元
力が低下する。このためH2：N2のガス適正混合
比は（５％〜20％）：（95％〜80％）とした。更に
還元性を良くするため第２図Ｆの如くヒーターブ
ロツク２４，２５，３４のワイヤボンデイング部
１３及びポスト部に近接する部分にガス噴出し口
３６，３６′を設けるのが好ましい。次にキヤピ
ラリー１８を降下して電極パツド２７上にボール
２９の部分を介してボンデイング線１７を熱圧着
する。この時、本発明の効果を更に高めるために
ボール２９はボンデイング線１７を押し出す荷重
に応じて第４図Ａ，Ｂに示す如く少なくともボー
ル２９の肉厚の0.5〜3μｍの厚（Ｘ）さ分だけ電
極パツド２７内に喰込んだ状態で押し漬されて扁
平した端部２９ａとなつて電極パツド２７と一体
化させるのが好ましい。この扁平した端部２９の
喰込み深さ（Ｘ）は例えば、電極パツド２７が１
〜3μ厚さのAl層で形成されており、ボンデイン
グ線１７が25μｍφの銅線である場合50〜100ｇ
の荷重をボンデイング線１７に加えると、0.5〜
2.5μｍの範囲に設定することが出来る。次に第２
図Ｂに示す如くキヤピラリ１８を引き上げて窓１
９の部分でバーナー２８によりボンデイング線１
７を所定の長さに切断すると共に電極パツド２７
に接続したボンデイング線１７ａの端部及びキヤ
ピラリ１８側に残つたボンデイング線１７ｂの端
部前述の酸水素炎３０によりボール２９ａ，２９
ｂを夫々形成する。この時もボンデイング線１７
ａ，１７ｂは還元性ガス３３で囲まれている。次
に第２図Ｃに示す如くボンデイング線１７ａを外
部リード２１側に所定の角度で折曲してホーミン
グしてから、リードフレーム１１を次のポストボ
ンデイング部１４に供給する。この時搬送路１０
内の還元雰囲気ガスの温度は200〜300℃に保たれ
てボンデイング線１７ａ、ボール２９ａを還元す
る。次に第２図Ｄに示す如くリードフレーム１１
がポストボンデイング部１４の所定位置に設定さ
れたところでこれを約300℃以上の温度で加熱し
ながら押圧具２０を窓２２から挿入降下し、ホー
ミングされたボンデイング線１７ａの端部のボー
ル２９ａの部分を、銅又は銅合金からなる外部リ
ード２１に熱圧着する。このとき例えばボンデイ
ング線１７が銅ワイヤ25μｍφの時300〜500grの
荷重を加えて外部リード２１にボール２９ａを20
〜50μｍの深さまで喰込ませるのが好ましい。こ
のポストボンデイング処理の際にも押圧具２０、
ボール２９ａ及びボンデイング線１７ａは還元性
ガス３３で包まれている。次に第２図Ｅに示す如
く、電極パツド２７、外部リード２１にボンデイ
ングの完了したリードフレーム１１をポストベー
キング部３７のゾーンを通過させ、電極パツド２
７に片側を接続したボンデイング線１７ａのボー
ル２９ａを外部リード２１に熱圧着する。この
時、ポストベーキング部３４の床部にはリードフ
レーム１１を300℃以上に加熱するヒータが設け
られ、還元性ガスの噴出口３９′も天井部に設け
られている。このようにして銅または銅合金から
なるリードフレーム１１に装着された半導体プレ
ツト１５に銅または銅合金からなるボンデイング
線１７を架設する。
このようにして電極パツド２７と外部リード２
１間にボンデイング線１７を架設した半導体装置
について高温放置試験を行つたところ、200時間
経過した時点でも不良品の発生率はほとんど零で
あり、従来の方法によるものに比べて遥かに優れ
ていることが判つた。また、架設後のボンデイン
グの熱サイクル試験及び機械的強度試験において
も、従来方法によるものに比べ実施例によるもの
は遥かに優れていることが判つた。
１間にボンデイング線１７を架設した半導体装置
について高温放置試験を行つたところ、200時間
経過した時点でも不良品の発生率はほとんど零で
あり、従来の方法によるものに比べて遥かに優れ
ていることが判つた。また、架設後のボンデイン
グの熱サイクル試験及び機械的強度試験において
も、従来方法によるものに比べ実施例によるもの
は遥かに優れていることが判つた。
このようなことから本発明方法によるものでは
更に次の効果を有する。
更に次の効果を有する。
熱サイクルや高温放置に対して極めて耐久性
の高い半導体装置を得ることができる。
の高い半導体装置を得ることができる。
銅又は銅合金からなるボンデイング線１７及
びリードフレーム１１を使用するので、材料コ
ストを安くし、且つ、歩留りの高い半導体装置
を安価に得ることができる。
びリードフレーム１１を使用するので、材料コ
ストを安くし、且つ、歩留りの高い半導体装置
を安価に得ることができる。
信頼性の高い、大電力用の樹脂封止型半導体
装置を容易に実現することができる。
装置を容易に実現することができる。
第１図は、本発明方法にて使用する搬送路の概
略構成を示す説明図、第２図Ａ乃至同図Ｆは、本
発明方法を工程順に示す説明図、第３図は、本発
明方法で使用するバーナーの炎の状態を示す説明
図、第４図Ａ，Ｂは、本発明方法で接続されたボ
ンデイング線の接続部を示す説明図、第５図は、
従来方法でボンデイング線を架設したリードフレ
ームの要部の斜視図である。 １０…搬送路、１１…リードフレーム、１２…
ダイボンデイング部、１３…ワイヤボンデイング
部、１４…ポストボンデイング部、１５…半導体
ペレツト、１６，１９，２２…窓、１７…ボンデ
イング線、１８…キヤピラリ、２０…押圧具、２
１…外部リード、２３，２４，２５，３４…ヒー
ターブロツク、２６…半田層、２７…電極パツ
ド、２８…バーナー、２９…ボール、３０…酸水
素炎、３１…カーテン、３２，３２′…カバー、
３３…還元性ガス、３６，３６′，３８，３８′，
３９，３９′…ガス噴出口、３７…ポストベーキ
ング部、３３，３３′…還元性ガス、４０…天井
部。
略構成を示す説明図、第２図Ａ乃至同図Ｆは、本
発明方法を工程順に示す説明図、第３図は、本発
明方法で使用するバーナーの炎の状態を示す説明
図、第４図Ａ，Ｂは、本発明方法で接続されたボ
ンデイング線の接続部を示す説明図、第５図は、
従来方法でボンデイング線を架設したリードフレ
ームの要部の斜視図である。 １０…搬送路、１１…リードフレーム、１２…
ダイボンデイング部、１３…ワイヤボンデイング
部、１４…ポストボンデイング部、１５…半導体
ペレツト、１６，１９，２２…窓、１７…ボンデ
イング線、１８…キヤピラリ、２０…押圧具、２
１…外部リード、２３，２４，２５，３４…ヒー
ターブロツク、２６…半田層、２７…電極パツ
ド、２８…バーナー、２９…ボール、３０…酸水
素炎、３１…カーテン、３２，３２′…カバー、
３３…還元性ガス、３６，３６′，３８，３８′，
３９，３９′…ガス噴出口、３７…ポストベーキ
ング部、３３，３３′…還元性ガス、４０…天井
部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 還元性ガスを満たした搬送路に結合してボン
デイング部を設け、この搬送路を通過した銅若し
くは銅合金からなる半導体部材を固着する搬送部
材と、銅若しくは銅合金からなるボンデイング線
とを前記ボンデイング部に供給し、不活性ガス及
び還元性ガスからなる群から選定されるいずれか
一方のガスを前記ボンデイング部に供給し、還元
性ガス雰囲気中でH2：O2の比率が２：１の内側
の混合ガスとO2：N2の比率が20〜100％：80〜０
％の外側の混合ガスからなる酸水素炎による加熱
より、前記ボンデイング線の先端部にボールを形
成し、前記還元性ガス雰囲気の前記搬送部材を所
定温度に加熱後、この搬送部材の固着する前記半
導体部材の所定領域に前記ボールを熱圧着するこ
とを特徴とする半導体素子の組立方法。 ２ ボンデイング線の架設後、該ボンデイング線
と半導体素子及び半導体部材の所定領域との接続
部に200℃以上の還元性ガス中で熱処理を施す工
程を具備することを特徴とする特許請請求の範囲
第１項記載の半導体素子の組立方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60095204A JPS61253825A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 半導体素子の組立方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60095204A JPS61253825A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 半導体素子の組立方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61253825A JPS61253825A (ja) | 1986-11-11 |
| JPH0354855B2 true JPH0354855B2 (ja) | 1991-08-21 |
Family
ID=14131217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60095204A Granted JPS61253825A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 半導体素子の組立方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61253825A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5411553B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2014-02-12 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 半導体装置の製造方法 |
| JP5411529B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2014-02-12 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 半導体装置の製造方法 |
| JP2010258286A (ja) * | 2009-04-27 | 2010-11-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-05-02 JP JP60095204A patent/JPS61253825A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61253825A (ja) | 1986-11-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |