JPH0354875A - 超電導体回路の形成方法 - Google Patents
超電導体回路の形成方法Info
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- JPH0354875A JPH0354875A JP1191019A JP19101989A JPH0354875A JP H0354875 A JPH0354875 A JP H0354875A JP 1191019 A JP1191019 A JP 1191019A JP 19101989 A JP19101989 A JP 19101989A JP H0354875 A JPH0354875 A JP H0354875A
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- JP
- Japan
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- superconductor
- layer
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- mask pattern
- forming
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0661—Processes performed after copper oxide formation, e.g. patterning
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、電子素子、コイル、回路基板等に使用される
超電導体園路の形成方法に関する。
超電導体園路の形成方法に関する。
［従来の挾術及びその課題コ
近年、液体ヘリウム温度の極低温で超電導現象を生じる
金属超電導体に代わり、液体窒素温度以上の温度におい
て超電導現象を生じるセラミック系超電導導体、すなわ
ち、臨界温度Ｔ。が液体窒素温度以上であるセラミック
系超電導導体の開発が盛んに行われている。なかでもＹ
Ｂａ２Ｃｕ３０ｒ−ａ （Ｔｃ−９０〜９５Ｋ）等の
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系（Ｙを他のレアアースと置換した
ものを含む）や、Ｂ ｉ２ Ｓ ｒ２ＣａＣｕ２ ０ｓ
，Ｂ ｉ２Ｓ ｒ２Ｃａ２Ｃｕ３０，。（Ｔｃ −８０
〜１ １ ０Ｋ）等のＢ ｔ−ｓ ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−
０系およびＴＪｌ’２Ｂａ２ＣａＣｕ２０６ ＊ Ｔ
ｌｌ ２ Ｂａ２ Ｃａ２ＣＵｖ Ｏ＋ｏ．Ｔ（ｌ Ｂ
ａ２ Ｃａ２Ｃｕ３０ｎ（Ｔｃ ＝９０〜１ ２５Ｋ）
等のＴρ−Ｂａ−ｃａ−Ｃ ｕ−０系（Ｂｉ，Ｔｊ７の
一部をｐｂ．ｓｂＩｎで固溶したものを含む）が注目さ
れている。
金属超電導体に代わり、液体窒素温度以上の温度におい
て超電導現象を生じるセラミック系超電導導体、すなわ
ち、臨界温度Ｔ。が液体窒素温度以上であるセラミック
系超電導導体の開発が盛んに行われている。なかでもＹ
Ｂａ２Ｃｕ３０ｒ−ａ （Ｔｃ−９０〜９５Ｋ）等の
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系（Ｙを他のレアアースと置換した
ものを含む）や、Ｂ ｉ２ Ｓ ｒ２ＣａＣｕ２ ０ｓ
，Ｂ ｉ２Ｓ ｒ２Ｃａ２Ｃｕ３０，。（Ｔｃ −８０
〜１ １ ０Ｋ）等のＢ ｔ−ｓ ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−
０系およびＴＪｌ’２Ｂａ２ＣａＣｕ２０６ ＊ Ｔ
ｌｌ ２ Ｂａ２ Ｃａ２ＣＵｖ Ｏ＋ｏ．Ｔ（ｌ Ｂ
ａ２ Ｃａ２Ｃｕ３０ｎ（Ｔｃ ＝９０〜１ ２５Ｋ）
等のＴρ−Ｂａ−ｃａ−Ｃ ｕ−０系（Ｂｉ，Ｔｊ７の
一部をｐｂ．ｓｂＩｎで固溶したものを含む）が注目さ
れている。
これらのセラミック系超電導導体は、液体窒素温度以上
における臨界温度で優れた電気的特性を発押するため、
例えば、電子素子、電線ケーブル、マグネットコイル、
回路導体、並びに磁気シールド体等の用途に適している
。
における臨界温度で優れた電気的特性を発押するため、
例えば、電子素子、電線ケーブル、マグネットコイル、
回路導体、並びに磁気シールド体等の用途に適している
。
超電導体回路の形成方法は、通常の回路基板導体の形成
方法と同様に、感光性レジスト樹脂を用いてパターン形
成をｉテい、このパターンをエッチングマスクとして用
いた湿式或いは乾式のエッチングによって同路を形成す
るものである。
方法と同様に、感光性レジスト樹脂を用いてパターン形
成をｉテい、このパターンをエッチングマスクとして用
いた湿式或いは乾式のエッチングによって同路を形成す
るものである。
しかしながら、この形成方法は、エッチングの際に起こ
るオーバーエッチやサイドエッチによって回路部を損傷
させて導体としての特性に悪影響を及ぼしたり、得られ
る回路部の寸法誤差を生じさせたりする欠点を有する。
るオーバーエッチやサイドエッチによって回路部を損傷
させて導体としての特性に悪影響を及ぼしたり、得られ
る回路部の寸法誤差を生じさせたりする欠点を有する。
また、非回路部はエッチングで除去することにより形戊
されているので、回路部と非回路部で段差が生じ、基板
としての平坦度が悪くなり、基板上に素子等を設ける際
に問題となる。このため、非回路部に絶縁物を形成して
回路部と非回路部の段差を小さくする作業が必要となる
。
されているので、回路部と非回路部で段差が生じ、基板
としての平坦度が悪くなり、基板上に素子等を設ける際
に問題となる。このため、非回路部に絶縁物を形成して
回路部と非回路部の段差を小さくする作業が必要となる
。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、多層
形成が可能で、平坦度が良く、サイドエッチ等のエッチ
ング特有の問題が発土せず、所望の微細パターンを迅速
に形成でき、しかも、ＴＣ（臨弄温度）が液体窒素温度
以上で冷却の容易な、電子機器等の用途に適するセラミ
ック系超電導体に適応できる超電導体回路の形成方法を
提供することを目的とする。
形成が可能で、平坦度が良く、サイドエッチ等のエッチ
ング特有の問題が発土せず、所望の微細パターンを迅速
に形成でき、しかも、ＴＣ（臨弄温度）が液体窒素温度
以上で冷却の容易な、電子機器等の用途に適するセラミ
ック系超電導体に適応できる超電導体回路の形成方法を
提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明は、超電導体層上に、マスクパターンを形成する
工程と、マスクパターンが形成された該超電導体層に超
電導体変性元素を含有する被着層を形戊する工程と、該
被着層中の超電導体変性元素を超電導体層に拡散させて
非超電導体層に女性させる工程とを具備することを特徴
とする。
工程と、マスクパターンが形成された該超電導体層に超
電導体変性元素を含有する被着層を形戊する工程と、該
被着層中の超電導体変性元素を超電導体層に拡散させて
非超電導体層に女性させる工程とを具備することを特徴
とする。
また、本発明は、部分的に変性した超電導体層上に、２
層目の超電導体層を形成し、この上にマスクパターンを
形成する工程と、マスクパターンが形成された該超電導
体層に超電導体変性元素を含有する被着層を形成する工
程と、該被着層巾の超電導体変性元素を超電導体層に拡
散させて非超電導体層に変性させる工程を順次繰り返し
施して多層超電導体回路を形成せしめることを特徴とす
る。
層目の超電導体層を形成し、この上にマスクパターンを
形成する工程と、マスクパターンが形成された該超電導
体層に超電導体変性元素を含有する被着層を形成する工
程と、該被着層巾の超電導体変性元素を超電導体層に拡
散させて非超電導体層に変性させる工程を順次繰り返し
施して多層超電導体回路を形成せしめることを特徴とす
る。
ここで、マスクパターンを形成する方法は、フォトリソ
グラフィー法等の通常行われているものである。
グラフィー法等の通常行われているものである。
超電導体層の超電導体は、セラミック系の超電導体であ
ってもよいし、Ｎｂ，ＮｂＴｉ等の金属系の超電導体で
あってもよい。
ってもよいし、Ｎｂ，ＮｂＴｉ等の金属系の超電導体で
あってもよい。
超電導体変性元素を含有する被着層を形成する方法は、
一般に薄膜を形成させる方法であればよく、スパッタリ
ング、蒸着、イオンプレーテイング等が挙げられる。ま
た、披着層の厚さは、超電導体層を変性させてＴ。等の
物理的特性を変化させることができるように設定する。
一般に薄膜を形成させる方法であればよく、スパッタリ
ング、蒸着、イオンプレーテイング等が挙げられる。ま
た、披着層の厚さは、超電導体層を変性させてＴ。等の
物理的特性を変化させることができるように設定する。
前記に示すようなセラミックス系超電導体では、特定の
元素を選ぶことによって薄い膜厚で大幅に超電導体の物
理的特性を変化させることができる。
元素を選ぶことによって薄い膜厚で大幅に超電導体の物
理的特性を変化させることができる。
超電導体変性元素を含有する披百層ψの変性元素は、所
定の処理を施すことによって、超電導体中に拡散し、超
電導体を変性できるもの、例えば、超電導体のＴｃを変
化させることができるものであればよい。このようなも
のとして、Ｚｎ，Ａ，Ｑ，Ｇａ，ＦｅＳＣｏ，ＮｉＳＬ
ａ，Ｃｄ，並びにＢｅ等が挙げられる。
定の処理を施すことによって、超電導体中に拡散し、超
電導体を変性できるもの、例えば、超電導体のＴｃを変
化させることができるものであればよい。このようなも
のとして、Ｚｎ，Ａ，Ｑ，Ｇａ，ＦｅＳＣｏ，ＮｉＳＬ
ａ，Ｃｄ，並びにＢｅ等が挙げられる。
超電導体変性元素を含有する被着層中の変性元素を超電
導体層に拡散させる方法は、容易に、且つ、迅速に超電
導体中に拡散できるものであればよい。このような方法
として、加熱拡散処理等が挙げられる。
導体層に拡散させる方法は、容易に、且つ、迅速に超電
導体中に拡散できるものであればよい。このような方法
として、加熱拡散処理等が挙げられる。
さらに、部分的に変性した超電導体層上に２層目の超電
導体層を形成し、この上にマスクパターンを形成して、
さらに、超電導体変性元素を含有する披着層を設けて、
１層目と同様に該被着層巾の変性元素を２層目の超電導
体層に拡散させることによって、２層以上の多層超電導
体回路を形成してもよい。この場合、１つの超電導体層
中に拡散させた超電導体変性元素を含有する被着層由の
変性元素を他の超電導体層にまで拡散させないように、
１つの超電導体層とその上に設ける他の超電導体層との
間にバッファ層を設けてもよい。バッファ層は、超電導
体と整合性の良い結晶構造を持つものであればよ＜、Ｍ
ｇＯ，Ｓ ｒＴｉＯ．、Ａ，１７ Ｇａｐ３、Ｚｎ０２
、ＢａＺ ｒｏ３、ＬａＡ４２０２等が挙げられる。
導体層を形成し、この上にマスクパターンを形成して、
さらに、超電導体変性元素を含有する披着層を設けて、
１層目と同様に該被着層巾の変性元素を２層目の超電導
体層に拡散させることによって、２層以上の多層超電導
体回路を形成してもよい。この場合、１つの超電導体層
中に拡散させた超電導体変性元素を含有する被着層由の
変性元素を他の超電導体層にまで拡散させないように、
１つの超電導体層とその上に設ける他の超電導体層との
間にバッファ層を設けてもよい。バッファ層は、超電導
体と整合性の良い結晶構造を持つものであればよ＜、Ｍ
ｇＯ，Ｓ ｒＴｉＯ．、Ａ，１７ Ｇａｐ３、Ｚｎ０２
、ＢａＺ ｒｏ３、ＬａＡ４２０２等が挙げられる。
なお、各層間の導通は、第１図に示すように、基板１０
上に形成された第１層の回路部１１、非回路部１２のう
ち、非回路部１２のみにバッファ層１３を設け、第２層
の回路部１４を第１層の回路部１１と重ねるようにして
形成することにより容易に行われる。
上に形成された第１層の回路部１１、非回路部１２のう
ち、非回路部１２のみにバッファ層１３を設け、第２層
の回路部１４を第１層の回路部１１と重ねるようにして
形成することにより容易に行われる。
［作 用］
本発明の超電導体回路の形成方法は、超電導体鳩にマス
クパターンを形成し、その上に超電導体変性元素を含有
する披着層を設け、該被着層中の変性元素を加熱等の方
法によって拡散させて当該部分の超電導体を選択的に変
性している。この結果、超電導体層の非回路部のＴ。が
液体窒素温度である７７Ｋ未満に低下して、超電導現象
が起こる７７Ｋにおいては、非回路部の電気抵抗が大き
くなる。これにより、その超電導体のＴｃにおいて回路
部のみが導体となり、超電導体回路が形成されることに
なる。
クパターンを形成し、その上に超電導体変性元素を含有
する披着層を設け、該被着層中の変性元素を加熱等の方
法によって拡散させて当該部分の超電導体を選択的に変
性している。この結果、超電導体層の非回路部のＴ。が
液体窒素温度である７７Ｋ未満に低下して、超電導現象
が起こる７７Ｋにおいては、非回路部の電気抵抗が大き
くなる。これにより、その超電導体のＴｃにおいて回路
部のみが導体となり、超電導体回路が形成されることに
なる。
このように、本発明の方法によると、エッチングを施さ
ないため回路面が平坦であり、容易に多層超電導体回路
構造にすることができる。この場合、特定元素を拡散さ
せた非回路部も超電導体と近似した結晶構造を有するの
で、次層をエビタキシャル状に配向させて成膜すること
ができる。さらに、この形成方法によれば、実用的とさ
れる結情軸のＣ軸を基板に垂直に配向させて成膜するこ
とを多層にわたって実現することができる。これによっ
て、得られた超電導体層が２次元性等の異方性の結晶構
造を有し、良好な超電導性を発揮することができる。
ないため回路面が平坦であり、容易に多層超電導体回路
構造にすることができる。この場合、特定元素を拡散さ
せた非回路部も超電導体と近似した結晶構造を有するの
で、次層をエビタキシャル状に配向させて成膜すること
ができる。さらに、この形成方法によれば、実用的とさ
れる結情軸のＣ軸を基板に垂直に配向させて成膜するこ
とを多層にわたって実現することができる。これによっ
て、得られた超電導体層が２次元性等の異方性の結晶構
造を有し、良好な超電導性を発揮することができる。
［実施例］
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
？施例１
マグネトロンスパッタリング装置にＭｇＯ（１００）基
板を取り付け、セラミックス系超電導体のＹＢａ，■Ｃ
ｕ２■ＯＸ夕一ゲットを用いて、基板を６５０℃に加熱
しながらＹＢ ａ２Ｃｕ２■Ｏｘをスパッタリングし、
基板上に厚さ０．３μｍの超電導体層を設けた。なお、
スパッタリングの条件は、電力２５０Ｗ、雰囲気ガス圧
力１ ０ ０ｍＴｏｒｒ （Ａ ｒ．＋ ５ ０％０
２）でＣ軸配向で行った。第２図（ａ）は、超電導体層
を設けた基板の断面図である。図中２０は基板であり、
２１は超電導体層である。超電導体層を設けた基板を９
００℃で３０分間加熱し、その後、２℃／ Ｉｎｉｎ．
の割合で徐冷した。
板を取り付け、セラミックス系超電導体のＹＢａ，■Ｃ
ｕ２■ＯＸ夕一ゲットを用いて、基板を６５０℃に加熱
しながらＹＢ ａ２Ｃｕ２■Ｏｘをスパッタリングし、
基板上に厚さ０．３μｍの超電導体層を設けた。なお、
スパッタリングの条件は、電力２５０Ｗ、雰囲気ガス圧
力１ ０ ０ｍＴｏｒｒ （Ａ ｒ．＋ ５ ０％０
２）でＣ軸配向で行った。第２図（ａ）は、超電導体層
を設けた基板の断面図である。図中２０は基板であり、
２１は超電導体層である。超電導体層を設けた基板を９
００℃で３０分間加熱し、その後、２℃／ Ｉｎｉｎ．
の割合で徐冷した。
次に、超電導体層２１上に感光性レジスト樹脂を用いて
、通常のレジスト塗布および露光を行うことにより、形
状が幅４μｍ１長さ１００μｍでその両端部に１００μ
ｍ角のパッドを有するマスクパターン２２を形成した。
、通常のレジスト塗布および露光を行うことにより、形
状が幅４μｍ１長さ１００μｍでその両端部に１００μ
ｍ角のパッドを有するマスクパターン２２を形成した。
マスクパターン２２を設けた基板２０上全面に前記と同
様にスパッタリングにより、Ｚｎを厚さ０．０４μｍで
被着させた。第２図（ｂ）は、被着層を設けた基仮の断
面図である。図中２３ａは回路部予定領域のＺｎ層、２
３ｂは非回路部予定領域上のＺｎ層であり、両者は段切
れしている。
様にスパッタリングにより、Ｚｎを厚さ０．０４μｍで
被着させた。第２図（ｂ）は、被着層を設けた基仮の断
面図である。図中２３ａは回路部予定領域のＺｎ層、２
３ｂは非回路部予定領域上のＺｎ層であり、両者は段切
れしている。
その後、マスクパターン２２をその上に彼着しているＺ
ｎ層２３ａと共にリフトオフし、マスクパターン２２リ
フトオフ後の基板２０をＡｒ気流中において４５０℃で
２時間加熱し、続いて雰囲気ガスを０２気流に置換して
５００℃で４時間加熱して、Ｚｎを超電導体層２１中に
拡散させた。このようにして超電導体回路を形成した。
ｎ層２３ａと共にリフトオフし、マスクパターン２２リ
フトオフ後の基板２０をＡｒ気流中において４５０℃で
２時間加熱し、続いて雰囲気ガスを０２気流に置換して
５００℃で４時間加熱して、Ｚｎを超電導体層２１中に
拡散させた。このようにして超電導体回路を形成した。
第２図（ｃ）は、Ｚｎ層リフトオフ後の基板の断面図で
あり、第２図（ｄ）は、加熱拡散後の基板の断面図であ
る。第２図（ｄ）中２４は回路部であり、２５は非回路
部である。
あり、第２図（ｄ）は、加熱拡散後の基板の断面図であ
る。第２図（ｄ）中２４は回路部であり、２５は非回路
部である。
得られた超電導体回路の回路部のＴｃは８５Ｋ、Ｊｃ
（電流密度）は７７Ｋにおいて１．３×１０６Ａ／ｃ
−であった。また、超電導体回路の非回路部のＴ。は、
ＯＮ状態において３０Ｋであり、電気抵抗が０であるＴ
ｃのＯＦＦ状態は４．２Ｋまで実測できなかった。なお
、回路部、非回路部をＸ線回折装置により解析したとこ
ろ両者ともＣ軸配向をして戊膜されていた。
（電流密度）は７７Ｋにおいて１．３×１０６Ａ／ｃ
−であった。また、超電導体回路の非回路部のＴ。は、
ＯＮ状態において３０Ｋであり、電気抵抗が０であるＴ
ｃのＯＦＦ状態は４．２Ｋまで実測できなかった。なお
、回路部、非回路部をＸ線回折装置により解析したとこ
ろ両者ともＣ軸配向をして戊膜されていた。
丈施例２
厚さ０．０４μｍのＺｎ層に代えて厚さ０．０３μｍの
Ａｆｉ層にすること除いて、実施例１と同様にしてＹ
Ｂ ａ ２．Ｉ Ｃ ｕ ２．２ ０ｘの超電導体回路
を形成した。
Ａｆｉ層にすること除いて、実施例１と同様にしてＹ
Ｂ ａ ２．Ｉ Ｃ ｕ ２．２ ０ｘの超電導体回路
を形成した。
得られた超電導体回路の回路部のＴｃは８５Ｋ１Ｊｃは
７７Ｋにおいて１．２Ｘ１０６Ａ／ｃ−であった。また
、超電導体回路の非回路部のＴ。は、ＯＮ状態において
５５Ｋであり、ＯＦＦ状態において１５Ｋであった。
７７Ｋにおいて１．２Ｘ１０６Ａ／ｃ−であった。また
、超電導体回路の非回路部のＴ。は、ＯＮ状態において
５５Ｋであり、ＯＦＦ状態において１５Ｋであった。
実施例３
実施例１と同様にして第１層のＹＢ ａ２Ｃｕ２２０．
の超電導体回路を形成した。
の超電導体回路を形成した。
次に、第１層の超電導体回路上全面にバッファ層として
ＳｒＴｉＯ．を厚さ０．０５μｍで彼着した。バッファ
層上に実施例１と同様にして、第２層のＹ Ｂ ａ ２
，Ｉ Ｃ Ｌｌ ２．２ ０ｘの超電導体回路を厚さ０
．０３μｍで形成した。第３図は、第２層の超電導体回
路形成後の基板の断面図である。図中２６はバッファ層
であり、２７は第２層の回路部、２８は第２層の非回路
部である。
ＳｒＴｉＯ．を厚さ０．０５μｍで彼着した。バッファ
層上に実施例１と同様にして、第２層のＹ Ｂ ａ ２
，Ｉ Ｃ Ｌｌ ２．２ ０ｘの超電導体回路を厚さ０
．０３μｍで形成した。第３図は、第２層の超電導体回
路形成後の基板の断面図である。図中２６はバッファ層
であり、２７は第２層の回路部、２８は第２層の非回路
部である。
得られた超電導体回路の回路部のＴｃは８４Ｋ、Ｊｃは
７７Ｋにおいて１．０５Ｘ１０６Ａ／ｃＪであった。
７７Ｋにおいて１．０５Ｘ１０６Ａ／ｃＪであった。
実施例４
バッファ層を設けることを除いて実施例３と同様にして
２層の超電導体回路を形成した。
２層の超電導体回路を形成した。
得られた超電導体同路の同路部のＴｃは８４Ｋ１Ｊｃは
７７Ｋにおいて０． ８ ５ Ｘ １ ０６Ａ／ｃ−で
あった。
７７Ｋにおいて０． ８ ５ Ｘ １ ０６Ａ／ｃ−で
あった。
［発明の効果］
以上説明した如く、本発明の超電導体回路の形戊方法は
、平坦度が良く、サイドエッチ等のエッチング特有の問
題が発生せず、所望の微細パタンを追速に形成できるも
のであり、多層回路の形成に適しており、超電導応用機
器の高度化を可能にするものである。
、平坦度が良く、サイドエッチ等のエッチング特有の問
題が発生せず、所望の微細パタンを追速に形成できるも
のであり、多層回路の形成に適しており、超電導応用機
器の高度化を可能にするものである。
第１図、第３図は本発明の超電導体回路の形成方法によ
って得られた多層回路の断面図、第２図（ａ）〜第２図
（ｄ）は本発明の超電導回路の形成方法の工程ごとの断
面図である。 １０．２０・・・基板、１１．２４・・・回路部、１２
，２５・・・非回路部、１３．２６・・・バツファ層、
１４２７・・・第２層の回路部、２１・・・超電導体層
、２２・・・レジスト層、２３ａ・・・回路部予定領域
のＺｎ層、２３ｂ・・・非回路部予定領域のＺｎ層、２
８・・・第２層の非回路部。
って得られた多層回路の断面図、第２図（ａ）〜第２図
（ｄ）は本発明の超電導回路の形成方法の工程ごとの断
面図である。 １０．２０・・・基板、１１．２４・・・回路部、１２
，２５・・・非回路部、１３．２６・・・バツファ層、
１４２７・・・第２層の回路部、２１・・・超電導体層
、２２・・・レジスト層、２３ａ・・・回路部予定領域
のＺｎ層、２３ｂ・・・非回路部予定領域のＺｎ層、２
８・・・第２層の非回路部。
Claims (2)
- （１）超電導体層上に、マスクパターンを形成する工程
と、マスクパターンが形成された該超電導体層に超電導
体変性元素を含有する被着層を形成する工程と、該被着
層巾の超電導体変性元素を超電導体層に拡散させて非超
電導体層に変性させる工程とを具備することを特徴とす
る超電導体回路の形成方法。 - （２）部分的に変性した超電導体層上に、２層目の超電
導体層を形成し、この上にマスクパターンを形成する工
程と、マスクパターンが形成された該超電導体層に超電
導体変性元素を含有する被着層を形成する工程と、該被
着層中の超電導体変性元素を超電導体層に拡散させて非
超電導体層に変性させる工程を順次繰り返し施して多層
超電導体回路を形成せしめることを特徴とする超電導体
回路の形成方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1191019A JPH0354875A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 超電導体回路の形成方法 |
| KR1019900011216A KR910003751A (ko) | 1989-07-24 | 1990-07-23 | 초전도체 회로의 형성방법 |
| EP90114151A EP0410373B1 (en) | 1989-07-24 | 1990-07-24 | Method for forming a superconducting circuit |
| DE69015721T DE69015721T2 (de) | 1989-07-24 | 1990-07-24 | Verfahren zur Herstellung einer supraleitenden Schaltung. |
| US07/831,006 US5229360A (en) | 1989-07-24 | 1992-02-06 | Method for forming a multilayer superconducting circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1191019A JPH0354875A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 超電導体回路の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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