JPH01102976A - 酸化物高温超伝導体薄膜パターン形成方法 - Google Patents
酸化物高温超伝導体薄膜パターン形成方法Info
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- JPH01102976A JPH01102976A JP62260933A JP26093387A JPH01102976A JP H01102976 A JPH01102976 A JP H01102976A JP 62260933 A JP62260933 A JP 62260933A JP 26093387 A JP26093387 A JP 26093387A JP H01102976 A JPH01102976 A JP H01102976A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、酸化物高温超伝導体薄膜パターン形成方法に
関するものである。
関するものである。
（従来の技術）
第２図は従来性われている酸化物高温超伝導体薄膜パタ
ーン形成方法を示している。第２図（１）では、基板２
１上にスパッタ法等により酸化物高温超伝導体薄膜２２
を形成する（第２図（１））。
ーン形成方法を示している。第２図（１）では、基板２
１上にスパッタ法等により酸化物高温超伝導体薄膜２２
を形成する（第２図（１））。
さらに、レジスト等のマスク２３を光や電子ビーム露光
法により形成する（第２図（２））。次に、マスク２３
を用いて、ドライエツチングにより、酸化物高温超伝導
体２２をエツチングし、パターン転写を行う（第２図（
３））。その後、酸素プラズマによりレジストを除去す
る（第２図４）〉。この様にして、基板２１上に酸化物
高温超伝導体薄膜パターンを形成したのち、熱処理を行
い、超伝導特性をもたせる。
法により形成する（第２図（２））。次に、マスク２３
を用いて、ドライエツチングにより、酸化物高温超伝導
体２２をエツチングし、パターン転写を行う（第２図（
３））。その後、酸素プラズマによりレジストを除去す
る（第２図４）〉。この様にして、基板２１上に酸化物
高温超伝導体薄膜パターンを形成したのち、熱処理を行
い、超伝導特性をもたせる。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、この従来の方法では、工程が複雑である
という欠点を有していた。本発明の目的は、リフトオフ
プロセスを用いることにより、工程が簡素化された酸化
物高温超伝導体薄膜パターン形成方法を提゛供すること
である。
という欠点を有していた。本発明の目的は、リフトオフ
プロセスを用いることにより、工程が簡素化された酸化
物高温超伝導体薄膜パターン形成方法を提゛供すること
である。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、基板上に所望のパターンをレジストにより形
成した後、酸化物高温超伝導体材料を蒸着し、リフトオ
フ法により所望の酸化物高温超伝導体薄膜パターンを得
る。その後、熱処理することにより、超伝導体薄膜パタ
ーンを得ることを特徴とする酸化物高温超伝導体薄膜パ
ターン形成方法である。
成した後、酸化物高温超伝導体材料を蒸着し、リフトオ
フ法により所望の酸化物高温超伝導体薄膜パターンを得
る。その後、熱処理することにより、超伝導体薄膜パタ
ーンを得ることを特徴とする酸化物高温超伝導体薄膜パ
ターン形成方法である。
（作用）
本発明の原理と作用について述べる。酸化物高温超伝導
体として現在知られている代表的な材料はＹ−Ｂａ−Ｃ
ｕ−０である。この材料はきわめて不安定で他の物質と
反応しやすい。そのために、図２で示した、従来のプロ
セスでは、ドライエツチングのマスク材と反応し、パタ
ーン転写した後の超伝導特性の劣化が見られる。そこで
、リフトオフプロセスを用いることによりマクスの界面
反応の問題が解決される。
体として現在知られている代表的な材料はＹ−Ｂａ−Ｃ
ｕ−０である。この材料はきわめて不安定で他の物質と
反応しやすい。そのために、図２で示した、従来のプロ
セスでは、ドライエツチングのマスク材と反応し、パタ
ーン転写した後の超伝導特性の劣化が見られる。そこで
、リフトオフプロセスを用いることによりマクスの界面
反応の問題が解決される。
（実施例）
以下、本発明の実施例について、第１図を用いて説明す
る。第１図（１）では、基板１１上にレジスト等のマス
ク１２を光や電子、イオンビーム露光法により形成する
（第１図（１１）、ここでは、基板としてマグネシア（
ＭｇＯ＞を用いた。また、レジストとして、ポリメチル
メタクリレイト（ＰＭＭＡ）を用いた。さらに、集束イ
オンビームリソグラフィによりパターニングを行った。
る。第１図（１）では、基板１１上にレジスト等のマス
ク１２を光や電子、イオンビーム露光法により形成する
（第１図（１１）、ここでは、基板としてマグネシア（
ＭｇＯ＞を用いた。また、レジストとして、ポリメチル
メタクリレイト（ＰＭＭＡ）を用いた。さらに、集束イ
オンビームリソグラフィによりパターニングを行った。
次に、イオンビームスパッタ法等の蒸着法により酸化物
高温超伝導体薄膜を蒸着する（第１図（２１）。ここで
は、９０にの転移温度が得られるＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０酸
化物高温超伝導材料を用いた。さらに、蒸着法としては
、イオンビームスパッタ法を用いた。次に、アセトン等
の有機溶剤によりレジストマスクを除去し、酸化物高温
超伝導体薄膜パターンをえる（第１図（３）〉。この様
にして、基板１１上に超伝導体薄膜パターンを形成した
後、熱処理を行い、超伝導特性をもたせる。本実施例で
は、基板としてＭｇＯを用いたがチタンサンストロンチ
ウム等の他の基板でもよい。さらに、超伝導体材料とし
て、Ｌａ−Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０等の他の酸化物高温超伝
導体でもよい。
高温超伝導体薄膜を蒸着する（第１図（２１）。ここで
は、９０にの転移温度が得られるＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０酸
化物高温超伝導材料を用いた。さらに、蒸着法としては
、イオンビームスパッタ法を用いた。次に、アセトン等
の有機溶剤によりレジストマスクを除去し、酸化物高温
超伝導体薄膜パターンをえる（第１図（３）〉。この様
にして、基板１１上に超伝導体薄膜パターンを形成した
後、熱処理を行い、超伝導特性をもたせる。本実施例で
は、基板としてＭｇＯを用いたがチタンサンストロンチ
ウム等の他の基板でもよい。さらに、超伝導体材料とし
て、Ｌａ−Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０等の他の酸化物高温超伝
導体でもよい。
（発明の効果）
以上説明した様に、本発明の超伝導体薄膜パターン形成
方法によれば、基板上にレジストパターンを形成した後
、酸化物高温超伝導体材料を蒸着しリフトオフ法を用い
て、酸化膜高温超伝導体薄膜パターン形成を行うことが
できる。
方法によれば、基板上にレジストパターンを形成した後
、酸化物高温超伝導体材料を蒸着しリフトオフ法を用い
て、酸化膜高温超伝導体薄膜パターン形成を行うことが
できる。
第１図は本発明の一実施例を模敷き的に示す部分断面図
、第２図は従来の酸化物高温超伝導体薄膜パターン形成
方法を示す断面図である。 １１．２１：基板、１２．２３：マスク１３．２３：酸
化物高温超伝導体薄膜
、第２図は従来の酸化物高温超伝導体薄膜パターン形成
方法を示す断面図である。 １１．２１：基板、１２．２３：マスク１３．２３：酸
化物高温超伝導体薄膜
Claims (1)
- 基板上にパターン化したレジストを形成させる工程と
、基板上に高温超伝導体材料を蒸着する工程と、上記レ
ジストを除去するリフトオフ法により酸化物高温超伝導
体薄膜パターンを形成させる工程と、続いて熱処理する
工程とより構成されることを特徴とする酸化物高温超伝
導体薄膜パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62260933A JPH01102976A (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | 酸化物高温超伝導体薄膜パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62260933A JPH01102976A (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | 酸化物高温超伝導体薄膜パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01102976A true JPH01102976A (ja) | 1989-04-20 |
Family
ID=17354786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62260933A Pending JPH01102976A (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | 酸化物高温超伝導体薄膜パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01102976A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01236663A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 超電導配線の製造方法 |
| JPH0354875A (ja) * | 1989-07-24 | 1991-03-08 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 超電導体回路の形成方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5646582A (en) * | 1979-09-21 | 1981-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | Formation of pattern of filmlike article |
| JPS63299193A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-06 | Hitachi Chem Co Ltd | 超電導プリント基板の製造方法 |
-
1987
- 1987-10-15 JP JP62260933A patent/JPH01102976A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5646582A (en) * | 1979-09-21 | 1981-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | Formation of pattern of filmlike article |
| JPS63299193A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-06 | Hitachi Chem Co Ltd | 超電導プリント基板の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01236663A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 超電導配線の製造方法 |
| JPH0354875A (ja) * | 1989-07-24 | 1991-03-08 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 超電導体回路の形成方法 |
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