JPH0354902B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0354902B2 JPH0354902B2 JP59006442A JP644284A JPH0354902B2 JP H0354902 B2 JPH0354902 B2 JP H0354902B2 JP 59006442 A JP59006442 A JP 59006442A JP 644284 A JP644284 A JP 644284A JP H0354902 B2 JPH0354902 B2 JP H0354902B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- current
- thyristor
- sensor circuit
- short
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 17
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0824—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in thyristor switches
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
本発明は負荷と電源間に直列に接続され検知出
力に基づいて直接負荷を制御するように構成され
ている二線式の光電スイツチや近接スイツチ等の
電子スイツチに関するものである。
力に基づいて直接負荷を制御するように構成され
ている二線式の光電スイツチや近接スイツチ等の
電子スイツチに関するものである。
従来技術とその問題点
負荷を直接制御するように構成されている光電
スイツチや近接スイツチ等の二線式電子スイツチ
は、検知部とサイリスタ等のスイツチング素子と
を有し、検知出力に基づいてスイツチング素子が
駆動され負荷への電力の供給が制御されるよう構
成されている。ところで事故によつて負荷が内部
短絡状態となつた場合や誤つて負荷を接続するこ
となく電源を直接電子スイツチに接続することが
ある。このような短絡状態から内部回路を保護す
るために電子スイツチ内部に短絡保護のための保
護回路が設けられる。ところで負荷短絡時に短絡
保護回路が動作している場合、その短絡保護動作
を示す表示がなければ電子スイツチ自体の故障で
あるのか負荷短絡のために動作しないのかが使用
者にとつてわかりにくいという問題点がある。そ
のため短絡保護の動作時に点灯する発光ダイオー
ド等の表示素子を設けた電子スイツチがあるが、
動作表示用の表示器とは別に短絡保護用の表示器
を設ける必要があるため、電子スイツチの構造が
複雑となり組立作業時に手間がかかるため価格が
上昇するという欠点があつた。又表示器が多数に
なればその表示器の点灯が何を示すかがわかりに
くくなり、短絡保護の警告であると一見してわか
りにくくなるという問題点もあつた。
スイツチや近接スイツチ等の二線式電子スイツチ
は、検知部とサイリスタ等のスイツチング素子と
を有し、検知出力に基づいてスイツチング素子が
駆動され負荷への電力の供給が制御されるよう構
成されている。ところで事故によつて負荷が内部
短絡状態となつた場合や誤つて負荷を接続するこ
となく電源を直接電子スイツチに接続することが
ある。このような短絡状態から内部回路を保護す
るために電子スイツチ内部に短絡保護のための保
護回路が設けられる。ところで負荷短絡時に短絡
保護回路が動作している場合、その短絡保護動作
を示す表示がなければ電子スイツチ自体の故障で
あるのか負荷短絡のために動作しないのかが使用
者にとつてわかりにくいという問題点がある。そ
のため短絡保護の動作時に点灯する発光ダイオー
ド等の表示素子を設けた電子スイツチがあるが、
動作表示用の表示器とは別に短絡保護用の表示器
を設ける必要があるため、電子スイツチの構造が
複雑となり組立作業時に手間がかかるため価格が
上昇するという欠点があつた。又表示器が多数に
なればその表示器の点灯が何を示すかがわかりに
くくなり、短絡保護の警告であると一見してわか
りにくくなるという問題点もあつた。
更に従来の短絡保護を有する電子スイツチにお
いては、短絡保護回路が動作した場合に短絡状態
を解消させると共に、電源を遮断するか被検知物
を取り除かなければ正常状態に復旧させることが
できず、瞬時短絡等の場合に動作の復旧に手間が
かかるという問題点もあつた。
いては、短絡保護回路が動作した場合に短絡状態
を解消させると共に、電源を遮断するか被検知物
を取り除かなければ正常状態に復旧させることが
できず、瞬時短絡等の場合に動作の復旧に手間が
かかるという問題点もあつた。
発明の目的
本発明はこのような従来の電子スイツチの問題
点を解決するものであつて、動作用の表示器をそ
のまま用いてその表示を点滅させることにより負
荷の短絡状態を明確に表示することができ、自動
的に短絡の復旧ができる電子スイツチを提供する
ものである。
点を解決するものであつて、動作用の表示器をそ
のまま用いてその表示を点滅させることにより負
荷の短絡状態を明確に表示することができ、自動
的に短絡の復旧ができる電子スイツチを提供する
ものである。
発明の構成と効果
本発明はセンサ回路と、負荷及び電源に直列に
接続され該センサ回路の出力に基づいて負荷への
電力供給を制御する出力開閉用スイツチング素子
と、を有する電子スイツチであつて、出力開閉用
スイツチング素子に直列に接続された電流制限用
トランジスタと、電流制限用トランジスタの制御
端子と電源入力端間に設けられ短絡時に導通して
電流制限用トランジスタを遮断すると共に、セン
サ回路より保持電流が与えられるサイリスタと、
センサ回路に電源を供給する蓄電素子と、センサ
回路出力に基づいて出力開閉用スイツチング素子
をトリガすると共に、定電流素子を有しサイリス
タの保持電流以下の電流を蓄電素子に充電電流と
して供給する充電回路と、蓄電素子を急速充電す
る急速充電回路とをを設けたトリガ回路と、トリ
ガ回路の急速充電回路に設けられ、物体の検知時
に点灯すると共に短絡時に充電回路の充電電流と
前記サイリスタの保持電流との差に基づく周期に
よつて点滅して短絡状態を報知する表示器と、を
具備することを特徴とするものである。
接続され該センサ回路の出力に基づいて負荷への
電力供給を制御する出力開閉用スイツチング素子
と、を有する電子スイツチであつて、出力開閉用
スイツチング素子に直列に接続された電流制限用
トランジスタと、電流制限用トランジスタの制御
端子と電源入力端間に設けられ短絡時に導通して
電流制限用トランジスタを遮断すると共に、セン
サ回路より保持電流が与えられるサイリスタと、
センサ回路に電源を供給する蓄電素子と、センサ
回路出力に基づいて出力開閉用スイツチング素子
をトリガすると共に、定電流素子を有しサイリス
タの保持電流以下の電流を蓄電素子に充電電流と
して供給する充電回路と、蓄電素子を急速充電す
る急速充電回路とをを設けたトリガ回路と、トリ
ガ回路の急速充電回路に設けられ、物体の検知時
に点灯すると共に短絡時に充電回路の充電電流と
前記サイリスタの保持電流との差に基づく周期に
よつて点滅して短絡状態を報知する表示器と、を
具備することを特徴とするものである。
このような特徴を有する本発明によれば、短絡
時に導通するサイリスタの保持電流をセンサ回路
の電源となる蓄電素子への充電電流よりも小さく
なるようにし、所定のサイクルでセンサ回路の動
作を停止させることによつて動作用の表示器を点
滅させるようにしている。従つて動作表示器をそ
のまま用いて短絡表示をすることが可能となる。
又短絡時には電源を遮断したり被検知物体を取り
除いたりして保護状態を解除する必要はなく、短
絡状態でなくなれば自動的に保護状態が解除され
る。従つて瞬時短絡の場合等短絡状態が解消すれ
ば、そのまま復旧させることができるため極めて
使い易い電子スイツチとすることが可能である。
時に導通するサイリスタの保持電流をセンサ回路
の電源となる蓄電素子への充電電流よりも小さく
なるようにし、所定のサイクルでセンサ回路の動
作を停止させることによつて動作用の表示器を点
滅させるようにしている。従つて動作表示器をそ
のまま用いて短絡表示をすることが可能となる。
又短絡時には電源を遮断したり被検知物体を取り
除いたりして保護状態を解除する必要はなく、短
絡状態でなくなれば自動的に保護状態が解除され
る。従つて瞬時短絡の場合等短絡状態が解消すれ
ば、そのまま復旧させることができるため極めて
使い易い電子スイツチとすることが可能である。
実施例の説明
第1図は本発明による交流二線式の近接スイツ
チの一実施例を示す回路図である。本図において
端子1,2間にサージ電圧吸収用のZNR3とダ
イオードブリツジ4が接続され、ダイオードブリ
ツジ4の正負端間にサージ電圧吸収用のアバラン
シエダイオード5が接続される。そしてアバラン
シエダイオード5に並列に負荷Lを開閉するサイ
リスタ6と短絡時に動作する電流制限用トランジ
スタが直列に接続される。電流制限用トランジス
タは例えば電圧によつて駆動できる電力用の電界
効果型トランジスタ(パワーMOSFET)7を用
いる。FET7のゲート、ソース間には短絡時に
動作してFET7をカツトオフするサイリスタ8
が接続されている。更にダイオードブリツジ4の
正負端間には定電圧回路9が並列に接続される。
定電圧回路9はICとして形成されている検知部
であるセンサ回路10にトリガ回路11を介して
定電圧を供給するものである。トリガ回路11に
はセンサ回路10の出力を電流増幅してサイリス
タ6にゲート信号を与えるトランジスタ12と、
電源用のコンデンサを充電するためのトランジス
タ13とが設けられる。定電圧回路9の出力端は
電源表示用の発光ダイオード14、動作表示用の
発光ダイオード15を介してトランジスタ13の
エミツタに接続され、そのベースがツエナダイオ
ード16を介してトランジスタ12のコレクタに
接続される。又トランジスタ13のコレクタはダ
イオード16を介してセンサ回路10の電源入力
端Vccに接続される。センサ回路10の電源端子
間には平滑用及び電力供給用のコンデンサC18
が接続される。発光ダイオード14のカソードと
トランジスタ13のコレクタ間には、トランジス
タ13のオフ時にコンデンサC18への突入電流
を防いで一定の電流で充電すると共にセンサ回路
10に電源電圧を与えるための定電流ダイオード
19が接続されている。更にセンサ回路10には
検知コイル20とコンデンサC21との共振回路
が接続されている。そしてセンサ回路10が物体
を検出しないときに“L”レベルであり、物体検
出時に“H”レベルの出力を出すセンサ回路10
のNL出力端がトランジスタ12のベースに接続
されると共に、抵抗R22を介してサイリスタ8
のアノードに接続されている。又サイリスタ6の
カソードとダイオードブリツジ4の負端子間には
抵抗R23,R24の分圧回路が接続され、これ
らの抵抗の共通接続端にサイリスタ8のゲート端
子が接続されている。
チの一実施例を示す回路図である。本図において
端子1,2間にサージ電圧吸収用のZNR3とダ
イオードブリツジ4が接続され、ダイオードブリ
ツジ4の正負端間にサージ電圧吸収用のアバラン
シエダイオード5が接続される。そしてアバラン
シエダイオード5に並列に負荷Lを開閉するサイ
リスタ6と短絡時に動作する電流制限用トランジ
スタが直列に接続される。電流制限用トランジス
タは例えば電圧によつて駆動できる電力用の電界
効果型トランジスタ(パワーMOSFET)7を用
いる。FET7のゲート、ソース間には短絡時に
動作してFET7をカツトオフするサイリスタ8
が接続されている。更にダイオードブリツジ4の
正負端間には定電圧回路9が並列に接続される。
定電圧回路9はICとして形成されている検知部
であるセンサ回路10にトリガ回路11を介して
定電圧を供給するものである。トリガ回路11に
はセンサ回路10の出力を電流増幅してサイリス
タ6にゲート信号を与えるトランジスタ12と、
電源用のコンデンサを充電するためのトランジス
タ13とが設けられる。定電圧回路9の出力端は
電源表示用の発光ダイオード14、動作表示用の
発光ダイオード15を介してトランジスタ13の
エミツタに接続され、そのベースがツエナダイオ
ード16を介してトランジスタ12のコレクタに
接続される。又トランジスタ13のコレクタはダ
イオード16を介してセンサ回路10の電源入力
端Vccに接続される。センサ回路10の電源端子
間には平滑用及び電力供給用のコンデンサC18
が接続される。発光ダイオード14のカソードと
トランジスタ13のコレクタ間には、トランジス
タ13のオフ時にコンデンサC18への突入電流
を防いで一定の電流で充電すると共にセンサ回路
10に電源電圧を与えるための定電流ダイオード
19が接続されている。更にセンサ回路10には
検知コイル20とコンデンサC21との共振回路
が接続されている。そしてセンサ回路10が物体
を検出しないときに“L”レベルであり、物体検
出時に“H”レベルの出力を出すセンサ回路10
のNL出力端がトランジスタ12のベースに接続
されると共に、抵抗R22を介してサイリスタ8
のアノードに接続されている。又サイリスタ6の
カソードとダイオードブリツジ4の負端子間には
抵抗R23,R24の分圧回路が接続され、これ
らの抵抗の共通接続端にサイリスタ8のゲート端
子が接続されている。
第2図a及びbは本実施例による近接スイツチ
の外観を示す正面図及び側面図である。本図に示
すようにこの近接スイツチは前面に検知面を有し
側面に表示器を有する。表示器は前述したように
電源表示用の発光ダイオード14と動作表示用の
発光ダイオード15が図示のように使用者にとつ
て見易い位置に設けられる。
の外観を示す正面図及び側面図である。本図に示
すようにこの近接スイツチは前面に検知面を有し
側面に表示器を有する。表示器は前述したように
電源表示用の発光ダイオード14と動作表示用の
発光ダイオード15が図示のように使用者にとつ
て見易い位置に設けられる。
さて端子1,2間に図示のように交流電源30
と負荷Lとを直列に接続する。そうすれば負荷L
に微小電流が流れ交流電源30の交流電圧はダイ
オードブリツジ4によつて整流され、定電圧回路
9によつて所定電圧の直流電圧に変換され、電源
表示用の発光ダイオード14と定電流ダイオード
19を介してセンサ回路10に電源が供給される
と共にコンデンサC18が充電される。従つて電
源表示用発光ダイオード14が点灯し電源が接続
されていることを示す。このときセンサ回路10
に接続されている検知コイル19とコンデンサC
21による共振回路によりセンサ回路10の発振
器が発振し、物体の近接を待受ける待機状態とな
つている。この状態ではサイリスタ6はオフであ
りFET7も同様にオフ状態である。そして時刻
t1に物体が近接してセンサ回路10の発振状態が
変化したとすると、センサ回路10は第3図cに
示すように出力端子NLより“H”レベルの出力
を出しFET7を導通状態とする。同時にトラン
ジスタ12がオンとなつてサイリスタ6をトリガ
する。従つてサイリスタ6がターンオンしダイオ
ードブリツジ4を介して負荷Lに電流が供給され
負荷Lが駆動される。以降の各サイクルにおいて
はゼロクロス点を通過するとサイリスタ6は一旦
ターンオフするが、トランジスタ12及び13は
すぐにオン状態となりコンデンサC18が急速充
電され、ツエナダイオード16のツエナ電圧に達
すればトランジスタ13がオフとなりサイリスタ
6がターンオンする。この間FET7はオン状態
を続けるが、FET7は入力インピーダンスが極
めて高いため抵抗R22を通じて流れる電流は極
めてわずかである。このようにしてセンサ回路1
0に電源を供給すると共にサイリスタ6を位相制
御している。このときコンデンサC18を急速充
電する毎に動作表示用の発光ダイオード15が点
灯する。従つて発光ダイオード15は商用交流の
2倍の100又は120Hzで点滅を繰り返すが、第3図
bに示すように連続して点灯しているように見え
近接スイツチが物体を検知した検知状態であるこ
とが表示される。
と負荷Lとを直列に接続する。そうすれば負荷L
に微小電流が流れ交流電源30の交流電圧はダイ
オードブリツジ4によつて整流され、定電圧回路
9によつて所定電圧の直流電圧に変換され、電源
表示用の発光ダイオード14と定電流ダイオード
19を介してセンサ回路10に電源が供給される
と共にコンデンサC18が充電される。従つて電
源表示用発光ダイオード14が点灯し電源が接続
されていることを示す。このときセンサ回路10
に接続されている検知コイル19とコンデンサC
21による共振回路によりセンサ回路10の発振
器が発振し、物体の近接を待受ける待機状態とな
つている。この状態ではサイリスタ6はオフであ
りFET7も同様にオフ状態である。そして時刻
t1に物体が近接してセンサ回路10の発振状態が
変化したとすると、センサ回路10は第3図cに
示すように出力端子NLより“H”レベルの出力
を出しFET7を導通状態とする。同時にトラン
ジスタ12がオンとなつてサイリスタ6をトリガ
する。従つてサイリスタ6がターンオンしダイオ
ードブリツジ4を介して負荷Lに電流が供給され
負荷Lが駆動される。以降の各サイクルにおいて
はゼロクロス点を通過するとサイリスタ6は一旦
ターンオフするが、トランジスタ12及び13は
すぐにオン状態となりコンデンサC18が急速充
電され、ツエナダイオード16のツエナ電圧に達
すればトランジスタ13がオフとなりサイリスタ
6がターンオンする。この間FET7はオン状態
を続けるが、FET7は入力インピーダンスが極
めて高いため抵抗R22を通じて流れる電流は極
めてわずかである。このようにしてセンサ回路1
0に電源を供給すると共にサイリスタ6を位相制
御している。このときコンデンサC18を急速充
電する毎に動作表示用の発光ダイオード15が点
灯する。従つて発光ダイオード15は商用交流の
2倍の100又は120Hzで点滅を繰り返すが、第3図
bに示すように連続して点灯しているように見え
近接スイツチが物体を検知した検知状態であるこ
とが表示される。
さて負荷Lに過電流が流れたり、又は負荷Lを
短絡した場合の動作について説明する。今負荷L
が短絡状態となつている状態で第4図に示すよう
に時刻t3に物体が近接スイツチに接近したとす
る。そうすればセンサ回路10はNL出力を出
し、サイリスタ6とFET7に大電流が流れる。
しかしセンサ回路10に与えられる電源電圧が定
電圧回路9によつて一定電圧に定められているた
め、FET7に与えられるゲート電圧も一定であ
りFET7の定電流特性によつて短絡電流は一定
値に制限される。そしてその直後に低抗R23,
R24の分圧回路によりサイリスタのゲートに電
圧が与えられてサイリスタ8がターンオンし、
FET7のゲートをゼロボルト近くに下げる。従
つて短絡電流がFET7によつて遮断され、短絡
状態からダイオードブリツジ4やスイツチング素
子であるサイリスタ6を保護することが可能とな
る。その後電源用コンデンサC18からセンサ回
路10及び抵抗R22を介してサイリスタ8に保
持電流が流れ、サイリスタ8をオン状態に保持す
る。ここで発光ダイオード14及び定電流ダイオ
ード19を通じて流れる充電電流よりもサイリス
タ8の保持手段が多くなるように抵抗R22の抵
抗値を選択しておく。そうすればサイリスタC1
8の両端のセンサ回路10に与えられる電源電圧
は第4図aに示すように徐々に低下し、時刻t4に
おいてセンサ回路10のICリセツト電圧Vrに達
することとなる。リセツト電圧Vrに達すればセ
ンサ回路10のNL出力が“L”レベルとなり、
サイリスタ8は保持電流がなくなつてターンオフ
する。そうすればコンデンサC18の消費電流は
少さくなり定電流ダイオード19を介してコンデ
ンサC18が充電され、センサ回路10に与えら
れる電源電圧は再び上昇する。そしてこの電圧が
リセツト電圧Vr以上となればセンサ回路10の
NL出力は再び“H”レベル出力を出し、トラン
ジスタ12がオンとなりトランジスタ13を介し
てコンデンサC18が急速充電され、同時に発光
ダイオード15が第4図bに示すように一瞬点灯
する。そして近接スイツチに物体が近接している
場合には、トランジスタ13のオフと共にサイリ
スタ6及びFET7がトリガされて一瞬オン状態
となるが、サイリスタ8がターンオンしてFET
7をオフとし短絡電流を停止させる。その後コン
デンサC18よりセンサ回路10と抵抗R22を
介してサイリスタ8に保護電流が流れる。そのと
き電源表示用の発光ダイオード14及び定電流ダ
イオード19を介してコンデンサC18が充電さ
れ、前述した動作を繰り返す。従つて第4図aに
示すようにセンサ回路10の電源電圧は所定のサ
イクルで上昇下降を繰り返し、それに伴つて第4
図bに示すように動作表示用発光ダイオード15
が点滅する。このサイクルは抵抗R22の抵抗値
を調整することによつて例えば1.5秒程度になる
ように設定しておく。そうすれば使用者に短絡保
護回路が動作していることを報知することが可能
となる。ここで短絡状態が解消すれば次にサイリ
スタ6、FET7に負荷電流が流れてもサイリス
タ8はトリガされない。従つてそのまま第3図に
示す正常動作に復帰することができる。
短絡した場合の動作について説明する。今負荷L
が短絡状態となつている状態で第4図に示すよう
に時刻t3に物体が近接スイツチに接近したとす
る。そうすればセンサ回路10はNL出力を出
し、サイリスタ6とFET7に大電流が流れる。
しかしセンサ回路10に与えられる電源電圧が定
電圧回路9によつて一定電圧に定められているた
め、FET7に与えられるゲート電圧も一定であ
りFET7の定電流特性によつて短絡電流は一定
値に制限される。そしてその直後に低抗R23,
R24の分圧回路によりサイリスタのゲートに電
圧が与えられてサイリスタ8がターンオンし、
FET7のゲートをゼロボルト近くに下げる。従
つて短絡電流がFET7によつて遮断され、短絡
状態からダイオードブリツジ4やスイツチング素
子であるサイリスタ6を保護することが可能とな
る。その後電源用コンデンサC18からセンサ回
路10及び抵抗R22を介してサイリスタ8に保
持電流が流れ、サイリスタ8をオン状態に保持す
る。ここで発光ダイオード14及び定電流ダイオ
ード19を通じて流れる充電電流よりもサイリス
タ8の保持手段が多くなるように抵抗R22の抵
抗値を選択しておく。そうすればサイリスタC1
8の両端のセンサ回路10に与えられる電源電圧
は第4図aに示すように徐々に低下し、時刻t4に
おいてセンサ回路10のICリセツト電圧Vrに達
することとなる。リセツト電圧Vrに達すればセ
ンサ回路10のNL出力が“L”レベルとなり、
サイリスタ8は保持電流がなくなつてターンオフ
する。そうすればコンデンサC18の消費電流は
少さくなり定電流ダイオード19を介してコンデ
ンサC18が充電され、センサ回路10に与えら
れる電源電圧は再び上昇する。そしてこの電圧が
リセツト電圧Vr以上となればセンサ回路10の
NL出力は再び“H”レベル出力を出し、トラン
ジスタ12がオンとなりトランジスタ13を介し
てコンデンサC18が急速充電され、同時に発光
ダイオード15が第4図bに示すように一瞬点灯
する。そして近接スイツチに物体が近接している
場合には、トランジスタ13のオフと共にサイリ
スタ6及びFET7がトリガされて一瞬オン状態
となるが、サイリスタ8がターンオンしてFET
7をオフとし短絡電流を停止させる。その後コン
デンサC18よりセンサ回路10と抵抗R22を
介してサイリスタ8に保護電流が流れる。そのと
き電源表示用の発光ダイオード14及び定電流ダ
イオード19を介してコンデンサC18が充電さ
れ、前述した動作を繰り返す。従つて第4図aに
示すようにセンサ回路10の電源電圧は所定のサ
イクルで上昇下降を繰り返し、それに伴つて第4
図bに示すように動作表示用発光ダイオード15
が点滅する。このサイクルは抵抗R22の抵抗値
を調整することによつて例えば1.5秒程度になる
ように設定しておく。そうすれば使用者に短絡保
護回路が動作していることを報知することが可能
となる。ここで短絡状態が解消すれば次にサイリ
スタ6、FET7に負荷電流が流れてもサイリス
タ8はトリガされない。従つてそのまま第3図に
示す正常動作に復帰することができる。
尚本実施例はトリガ回路11の電源入力端に直
列に電源表示用の発光ダイオード14を設けた
が、電源表示用の発光ダイオードは必ずしも設け
る必要はなく、動作表示用の発光ダイオード15
のみとすることもできる。
列に電源表示用の発光ダイオード14を設けた
が、電源表示用の発光ダイオードは必ずしも設け
る必要はなく、動作表示用の発光ダイオード15
のみとすることもできる。
又本実施例は交流二線式近接スイツチについて
説明したが、光電スイツチ等、他の二線式電子ス
イツチに応用することが可能であることはいうま
でもない。又本実施例は電源として交流電源を用
いているが、直流電源を用いた電子スイツチにも
同様に適用することができる。
説明したが、光電スイツチ等、他の二線式電子ス
イツチに応用することが可能であることはいうま
でもない。又本実施例は電源として交流電源を用
いているが、直流電源を用いた電子スイツチにも
同様に適用することができる。
第1図は本発明による交流二線式近接スイツチ
の一実施例を示す回路図、第2図a及び第2図b
は本発明による近接スイツチの外観を示す正面図
及び側面図、第3図は正常に動作している際の各
部の波形を示す波形図、第4図は負荷短絡状態に
おける各部の波形を示す波形図である。 1,2……端子、4……ダイオードブリツジ、
6,8……サイリスタ、7……FET、9……定
電圧回路、10……センサ回路、11……トリガ
回路、12,13……トランジスタ、14,15
……発光ダイオード、16……ツエナダイオー
ド、C18,C21……コンデンサ、19……定
電流ダイオード、20……検知コイル、R22,
R23,R24……抵抗。
の一実施例を示す回路図、第2図a及び第2図b
は本発明による近接スイツチの外観を示す正面図
及び側面図、第3図は正常に動作している際の各
部の波形を示す波形図、第4図は負荷短絡状態に
おける各部の波形を示す波形図である。 1,2……端子、4……ダイオードブリツジ、
6,8……サイリスタ、7……FET、9……定
電圧回路、10……センサ回路、11……トリガ
回路、12,13……トランジスタ、14,15
……発光ダイオード、16……ツエナダイオー
ド、C18,C21……コンデンサ、19……定
電流ダイオード、20……検知コイル、R22,
R23,R24……抵抗。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 センサ回路と、負荷及び電源に直列に接続さ
れ、該センサ回路の出力に基づいて負荷への電力
供給を制御する出力開閉用スイツチング素子と、
を有する電子スイツチにおいて、 前記出力開閉用スイツチング素子に直列に接続
された電流制限用トランジスタと、 前記電流制限用トランジスタの制御端子と電源
入力端間に設けられ短絡時に導通して前記電流制
限用トランジスタを遮断すると共に、前記センサ
回路より保持電流が与えられるサイリスタと、 前記センサ回路に電源を供給する蓄電素子と、 前記センサ回路出力に基づいて前記出力開閉用
スイツチング素子をトリガすると共に、定電流素
子を有し前記サイリスタの保持電流以下の電流を
前記蓄電素子に充電電流として供給する充電回路
と、前記蓄電素子を急速充電する急速充電回路と
を設けたトリガ回路と、 前記トリガ回路の急速充電回路に設けられ、物
体の検知時に点灯すると共に短絡時に前記充電回
路の充電電流と前記サイリスタの保持電流との差
に基づく周期によつて点滅して短絡状態を報知す
る表示器と、を具備することを特徴とする電子ス
イツチ。 2 前記センサ回路の蓄電素子の充電回路に充電
状態を報知する電源表示用の表示器を設けたこと
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電子ス
イツチ。 3 前記表示器は発光ダイオードであることを特
徴とする特許請求の範囲第1項又は第2項記載の
電子スイツチ。 4 前記蓄電素子はコンデンサであることを特徴
とする特許請求の範囲第1項、第2項又は第3項
記載の電子スイツチ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59006442A JPS60150321A (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | 電子スイッチ |
| DE8484112423T DE3481107D1 (de) | 1983-10-14 | 1984-10-15 | Elektronische schaltungsanordnung. |
| EP84112423A EP0147551B1 (en) | 1983-10-14 | 1984-10-15 | Electronic switching device |
| AT84112423T ATE49683T1 (de) | 1983-10-14 | 1984-10-15 | Elektronische schaltungsanordnung. |
| US06/660,675 US4710699A (en) | 1983-10-14 | 1984-10-15 | Electronic switching device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59006442A JPS60150321A (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | 電子スイッチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60150321A JPS60150321A (ja) | 1985-08-08 |
| JPH0354902B2 true JPH0354902B2 (ja) | 1991-08-21 |
Family
ID=11638512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59006442A Granted JPS60150321A (ja) | 1983-10-14 | 1984-01-18 | 電子スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60150321A (ja) |
-
1984
- 1984-01-18 JP JP59006442A patent/JPS60150321A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60150321A (ja) | 1985-08-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0354902B2 (ja) | ||
| KR102299444B1 (ko) | 외부 자계 유도를 이용한 아크 감지 회로 | |
| JPH0416507Y2 (ja) | ||
| JPH0354901B2 (ja) | ||
| JPH0416506Y2 (ja) | ||
| JPH0137307Y2 (ja) | ||
| JPH053765B2 (ja) | ||
| JPS60150322A (ja) | 電子スイツチ | |
| JPH0441633Y2 (ja) | ||
| JPH0614384Y2 (ja) | ラッチングリレーの駆動回路 | |
| JPS5842568B2 (ja) | 近接スイッチ | |
| JPH027721Y2 (ja) | ||
| JPH0462209B2 (ja) | ||
| JPS60150318A (ja) | 電子スイツチ | |
| KR940003085Y1 (ko) | 전자조리기의 보호회로 | |
| JPS6098723A (ja) | 電子スイツチ | |
| JP2540953Y2 (ja) | 交流負荷の電力制御回路 | |
| JPH071863Y2 (ja) | タイマ装置 | |
| JPS6029184Y2 (ja) | 電池電圧表示装置 | |
| JPS5915135Y2 (ja) | パルス変調器 | |
| JPH0217396Y2 (ja) | ||
| JPS5921598Y2 (ja) | スピ−カ保護回路 | |
| JPS6412056B2 (ja) | ||
| JPH0462210B2 (ja) | ||
| JPS647777B2 (ja) |