JPH0354906A - 増幅装置 - Google Patents
増幅装置Info
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- JPH0354906A JPH0354906A JP1191126A JP19112689A JPH0354906A JP H0354906 A JPH0354906 A JP H0354906A JP 1191126 A JP1191126 A JP 1191126A JP 19112689 A JP19112689 A JP 19112689A JP H0354906 A JPH0354906 A JP H0354906A
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- amplifier
- gate
- output
- source
- feedback resistor
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- 238000004891 communication Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
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- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 101100346154 Caenorhabditis elegans oma-1 gene Proteins 0.000 description 1
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- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光通信用前記増幅装置として用いられる増幅装
置に関するものである。
置に関するものである。
従来、光通信においては、第4図に示すようにフォドタ
イオード1で光信号を受信し、これによって得られる信
号を増幅率(一八)の増幅器2に導き増幅して出力端子
3から信号電圧V を得out ている。増幅器2は帰還抵抗Rrが外付けあるいは集積
化されたトランスインピーダンス型と称されるもので、
例えば、電子情報通信学会技術報告(1986年OQE
86−68 P.51〜P.56)に示され、第5図
に図示の回路と等価なものである。
イオード1で光信号を受信し、これによって得られる信
号を増幅率(一八)の増幅器2に導き増幅して出力端子
3から信号電圧V を得out ている。増幅器2は帰還抵抗Rrが外付けあるいは集積
化されたトランスインピーダンス型と称されるもので、
例えば、電子情報通信学会技術報告(1986年OQE
86−68 P.51〜P.56)に示され、第5図
に図示の回路と等価なものである。
この第5図の回路では、FETQ.Q からl2
なるインバータ段とFETQ ,Q4からなるレ3
ベルシフト/バッファ段とが同一電源vDDにより駆動
されている。FETQ,Q はゲート・ソ24 ース間が短絡された定電流負荷となっている。レベルシ
フト用のダイオードD ,D2は所定のバl イアス点を決定する機能を有する。かかる構或の回路に
よれば、入力信号を1曽幅率(A)で増幅し反転した出
力信号V を得ることができる。
されている。FETQ,Q はゲート・ソ24 ース間が短絡された定電流負荷となっている。レベルシ
フト用のダイオードD ,D2は所定のバl イアス点を決定する機能を有する。かかる構或の回路に
よれば、入力信号を1曽幅率(A)で増幅し反転した出
力信号V を得ることができる。
0υt
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、上記のような増幅装置によると、フォト
ダオード1に過大な入力が到来したとき増幅装置の飽和
が生じ実用に適さなくなる。即ち、飽和のためにダイナ
ミックレンジがたかだか25dB程度であり、送信側の
出力の大小、送受間の減衰度の大小など様々な外的条件
の変化を吸収した的確な信号受信を行い得ないという問
題があった。
ダオード1に過大な入力が到来したとき増幅装置の飽和
が生じ実用に適さなくなる。即ち、飽和のためにダイナ
ミックレンジがたかだか25dB程度であり、送信側の
出力の大小、送受間の減衰度の大小など様々な外的条件
の変化を吸収した的確な信号受信を行い得ないという問
題があった。
具体的には、第5図に示す回路に、第6図に示すような
3 0 0 M b p sのrOJ,rlJの繰り返
しからなるNRZ信号を、人力光電流0.1mAで加え
た場合(c a s e 1)と人力光電流1mAで加
えた場合(case2)には、出力端子3から第7図に
示されるような出力信号が得られる。
3 0 0 M b p sのrOJ,rlJの繰り返
しからなるNRZ信号を、人力光電流0.1mAで加え
た場合(c a s e 1)と人力光電流1mAで加
えた場合(case2)には、出力端子3から第7図に
示されるような出力信号が得られる。
つまり、第7図に明らかな如く、caselでは出力信
号に大きな歪みはみられないが、case2では出力信
号が大きく歪み、もはや入力信号を再生するのが不可能
に近いことがわかる。
号に大きな歪みはみられないが、case2では出力信
号が大きく歪み、もはや入力信号を再生するのが不可能
に近いことがわかる。
上記現象を詳しく解析するために第5図の各FETQ
−Q4のドレイン・ソース間電圧をモニl タし、FETQ ,Q3のゲート・ソース間電圧1 をモニタした結果を第8図(a),(b)、第9図(a
),(b)に示す。これらの図において、記号Q −
Q は第5図の各FETQ −04に14
1対応する曲線を示
す。これらの図から、入力電流iPDが所定値を越え、
これに伴って出力電圧値V が所定値を越えるように
なると、増幅器20ut を構成するFET中にはドレイン・ソース間電圧がFE
Tの非飽和領域(この例では1v以下)に入るものが生
じたり、ゲート・ソース間電圧がFETのスレッショー
ルド電圧(ピンチオフ電圧で、この例では−IV)近く
なるものが生じることから、増幅装置の出力信号が大き
く歪むことがわかる。
−Q4のドレイン・ソース間電圧をモニl タし、FETQ ,Q3のゲート・ソース間電圧1 をモニタした結果を第8図(a),(b)、第9図(a
),(b)に示す。これらの図において、記号Q −
Q は第5図の各FETQ −04に14
1対応する曲線を示
す。これらの図から、入力電流iPDが所定値を越え、
これに伴って出力電圧値V が所定値を越えるように
なると、増幅器20ut を構成するFET中にはドレイン・ソース間電圧がFE
Tの非飽和領域(この例では1v以下)に入るものが生
じたり、ゲート・ソース間電圧がFETのスレッショー
ルド電圧(ピンチオフ電圧で、この例では−IV)近く
なるものが生じることから、増幅装置の出力信号が大き
く歪むことがわかる。
そこで本発明は、過大人力時の飽和特性が改善され、大
きな入力光電流が到来したときにも歪みのない出力信号
を得ることができ、光通信に用いた場合には送信側の出
力の大小、送受間の減衰度の大小など様々な外的条件の
変化を、光減衰器等を用いることはなく吸収し得る増幅
装置を提供することを目的とする。
きな入力光電流が到来したときにも歪みのない出力信号
を得ることができ、光通信に用いた場合には送信側の出
力の大小、送受間の減衰度の大小など様々な外的条件の
変化を、光減衰器等を用いることはなく吸収し得る増幅
装置を提供することを目的とする。
本発明に係る増幅装置は、帰還抵抗が接続されたトラン
スインピーダンス型増幅器と、帰還抵抗に直列に接続さ
れるとともに、この帰還抵抗をバイパスするルートにも
接続され、トランスインピーダンス型増幅器の人出力間
の電位差に基づきバイパスルートの開閉を行うゲート手
段とを備えたことを特徴とする。
スインピーダンス型増幅器と、帰還抵抗に直列に接続さ
れるとともに、この帰還抵抗をバイパスするルートにも
接続され、トランスインピーダンス型増幅器の人出力間
の電位差に基づきバイパスルートの開閉を行うゲート手
段とを備えたことを特徴とする。
本発明に係る増幅装置は以上の通りに構或されるので、
トランスインピーダンス型増幅器に過大な入力が到来す
ると、この増幅器の入出力間の電位差が大きくなるため
、バイパスルートを開とすることができ、出力電圧が所
定電圧以下には低下しなくなり、増幅装置の飽和の度合
を弱くできる。
トランスインピーダンス型増幅器に過大な入力が到来す
ると、この増幅器の入出力間の電位差が大きくなるため
、バイパスルートを開とすることができ、出力電圧が所
定電圧以下には低下しなくなり、増幅装置の飽和の度合
を弱くできる。
以下、添付図面の第1図ないし第3図を参照して本発明
の一実施例に係る増幅装置を説明する。
の一実施例に係る増幅装置を説明する。
なお、図面の説明において、同一の要素には同一の符号
を付し、重複する説明を省略する。
を付し、重複する説明を省略する。
第1図は本発明の一実施例に係る増幅装置の購成を示す
。この実施例では、帰還抵抗Rrとトランスインピーダ
ス型増幅器2の出力端子との間にゲート手段であるFE
TQ5設けた。FETQ5のソースが出力端子3に接続
され、ドレインが帰還抵抗R に接続され、ゲートが帰
還抵抗Rrにf 対するバイパスルート(増幅器2の入力端子側)に接続
されている。
。この実施例では、帰還抵抗Rrとトランスインピーダ
ス型増幅器2の出力端子との間にゲート手段であるFE
TQ5設けた。FETQ5のソースが出力端子3に接続
され、ドレインが帰還抵抗R に接続され、ゲートが帰
還抵抗Rrにf 対するバイパスルート(増幅器2の入力端子側)に接続
されている。
このような構成の増幅装置において、FETQ は人力
光電流iPDが微少であるときには抵抗5 として働くが、入力光sitP,の値によって抵抗値を
変化させる。即ち、入力光電流iPDが非常に小さいと
きには、FETQ5のゲート●ソース間電圧はほぼOV
となるが、人力光電力’ PDが増加するにつれてゲー
ト・ソース間電圧が増大するため、ドレイン・ソース間
抵抗の抵抗値が減少する。
光電流iPDが微少であるときには抵抗5 として働くが、入力光sitP,の値によって抵抗値を
変化させる。即ち、入力光電流iPDが非常に小さいと
きには、FETQ5のゲート●ソース間電圧はほぼOV
となるが、人力光電力’ PDが増加するにつれてゲー
ト・ソース間電圧が増大するため、ドレイン・ソース間
抵抗の抵抗値が減少する。
更に、入力光電流iPDが増加してゲート・ソース間電
圧がゲート・ソース間のダイオードの立ち.ヒがり電圧
に至り、ゲート・ソース間が導通し、バイパス経路が開
となる。この結果、出力電圧V の低下が所定以下へ
進むことなく、増幅器OUt 2の飽和の度合を抑えることができる。
圧がゲート・ソース間のダイオードの立ち.ヒがり電圧
に至り、ゲート・ソース間が導通し、バイパス経路が開
となる。この結果、出力電圧V の低下が所定以下へ
進むことなく、増幅器OUt 2の飽和の度合を抑えることができる。
第2図には、第5図の従来例に対応し、IC化できる実
施例が示されている。
施例が示されている。
この実施例において、FETQ −Q5のスレ1
ッショールド電圧はいずれも−I■とし、それぞれのF
ETのゲート幅を順に150μm175μms 150
,czm,1504m,4μmとした。また、帰還抵抗
R,の抵抗値はIKΩとし、FETQ5のソース・ドレ
イン間抵抗と合せて従来例と同じ2KΩを実現した。
ETのゲート幅を順に150μm175μms 150
,czm,1504m,4μmとした。また、帰還抵抗
R,の抵抗値はIKΩとし、FETQ5のソース・ドレ
イン間抵抗と合せて従来例と同じ2KΩを実現した。
このような構成の回路に、第6図に示すような3 0
0 M b p sの「O」,「1」の繰り返しカラな
るNRZ信号を加えた。ここでも、入力光電流が0.1
mAのときをcaselとし、1mAのときをcase
2とする。この結果、出力端子3からは第3図に示され
るような出力信号を得ることができた。即ち、増幅器2
が飽和しない場合(case].)では従来と同様に人
力信号を大きく歪ませることなく出力信号を得ることが
でき、かつ、従来では飽和して入力信号の再生が不可能
となる場合(case2)でもこの実施例では入力信号
を大きく歪ませることなく出力信号を得ることができた
。つまり、従来の飽和時の出力波形のパルス幅歪みを大
幅に補正できた。この増幅装置を用いると、ダイナミッ
クレンジが広いため、光通信の信号の大小変動を光減衰
器等の他の部品を用いることなく吸収できる。
0 M b p sの「O」,「1」の繰り返しカラな
るNRZ信号を加えた。ここでも、入力光電流が0.1
mAのときをcaselとし、1mAのときをcase
2とする。この結果、出力端子3からは第3図に示され
るような出力信号を得ることができた。即ち、増幅器2
が飽和しない場合(case].)では従来と同様に人
力信号を大きく歪ませることなく出力信号を得ることが
でき、かつ、従来では飽和して入力信号の再生が不可能
となる場合(case2)でもこの実施例では入力信号
を大きく歪ませることなく出力信号を得ることができた
。つまり、従来の飽和時の出力波形のパルス幅歪みを大
幅に補正できた。この増幅装置を用いると、ダイナミッ
クレンジが広いため、光通信の信号の大小変動を光減衰
器等の他の部品を用いることなく吸収できる。
なお、本発明はこれに限定されないが、本実施例のFE
Tはいずれもディブレッション型である。
Tはいずれもディブレッション型である。
以上、詳細に説明したように本発明によれば、トランス
インピーダンス型僧幅器の入出力間の電位差に基づいて
ゲート手段によりバイパスルートが開とされて出力電圧
の低下を防止するように働くので、増幅器の飽和度が弱
められ、大きな入力光電流が到来しても歪みのない出力
信号を得ることができる。従って、本発明の装置を光通
信に用いた場合には送信側の出力の大小、送受間の減衰
度の大小など様々な外的条件の変化を、他の構戊を用い
ることなしに吸収できる。
インピーダンス型僧幅器の入出力間の電位差に基づいて
ゲート手段によりバイパスルートが開とされて出力電圧
の低下を防止するように働くので、増幅器の飽和度が弱
められ、大きな入力光電流が到来しても歪みのない出力
信号を得ることができる。従って、本発明の装置を光通
信に用いた場合には送信側の出力の大小、送受間の減衰
度の大小など様々な外的条件の変化を、他の構戊を用い
ることなしに吸収できる。
第1図は本発明の一実施例に係る増幅装置の構成図、第
2図はFETを用いて構成した他の実施例に係る増幅装
置の回路図、第3図は第2図の装置の出力信号を示す図
、第4図および第5図は従来の増幅装置の構成図、第6
図は人力光信号の例を示す図、第7図は第5図の従来例
による出力信号を示す図、第8図は第5図の従来例にお
けるFETのドレイン・ソース間電圧の変化を示す図、
第9図は第5図の従来例におけるゲート・ソース間電圧
を示す図である。 1・・・フォトダイオード、2・・・増幅器、3・・・
出力端子、Q ・・・ゲート手段、R,・・・帰還抵抗
、5 Q −Q ・・・FET,D ,D2・・・レベ
ルシフト15 1 用のダイオード。 本浴萌1;よる闘艷偽仄 第 1 図 VDD 爽ぶ訃♂Sの回7ト 第 2 図 (}ランスインど゜コダト7ど乏前置νθ幅七参)第 4 図
2図はFETを用いて構成した他の実施例に係る増幅装
置の回路図、第3図は第2図の装置の出力信号を示す図
、第4図および第5図は従来の増幅装置の構成図、第6
図は人力光信号の例を示す図、第7図は第5図の従来例
による出力信号を示す図、第8図は第5図の従来例にお
けるFETのドレイン・ソース間電圧の変化を示す図、
第9図は第5図の従来例におけるゲート・ソース間電圧
を示す図である。 1・・・フォトダイオード、2・・・増幅器、3・・・
出力端子、Q ・・・ゲート手段、R,・・・帰還抵抗
、5 Q −Q ・・・FET,D ,D2・・・レベ
ルシフト15 1 用のダイオード。 本浴萌1;よる闘艷偽仄 第 1 図 VDD 爽ぶ訃♂Sの回7ト 第 2 図 (}ランスインど゜コダト7ど乏前置νθ幅七参)第 4 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 帰還抵抗が接続されたトランスインピーダンス型増幅器
と、 前記帰還抵抗に直列に接続されるとともに、この帰還抵
抗をバイパスするルートにも接続され、前記トランスイ
ンピーダンス型増幅器の入出力間の電位差に基づき前記
バイパスルートの開閉を行うゲート手段とを備えること
を特徴とする増幅装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1191126A JPH0354906A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 増幅装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1191126A JPH0354906A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 増幅装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0354906A true JPH0354906A (ja) | 1991-03-08 |
Family
ID=16269303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1191126A Pending JPH0354906A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 増幅装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0354906A (ja) |
-
1989
- 1989-07-24 JP JP1191126A patent/JPH0354906A/ja active Pending
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