JPH0355097Y2 - - Google Patents
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- JPH0355097Y2 JPH0355097Y2 JP1984044446U JP4444684U JPH0355097Y2 JP H0355097 Y2 JPH0355097 Y2 JP H0355097Y2 JP 1984044446 U JP1984044446 U JP 1984044446U JP 4444684 U JP4444684 U JP 4444684U JP H0355097 Y2 JPH0355097 Y2 JP H0355097Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gun
- sample
- sample holder
- ray
- ion gun
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案は、保護カバーを取付けられた回動可能
な試料ホルダを備えたX線光電子分光装置に関す
るものである。
な試料ホルダを備えたX線光電子分光装置に関す
るものである。
(ロ) 従来技術
X線光電子分光装置はイオン銃から放射される
イオンを試料台に載置された試料表面に照射せし
めてエツチングさせ、その表面を綺麗にした後に
X線銃から放射される特性X線を試料に照射さ
せ、試料から放出される光電子をエネルギーアナ
ライザにより検出して試料の定性、定量分析を行
なつている。
イオンを試料台に載置された試料表面に照射せし
めてエツチングさせ、その表面を綺麗にした後に
X線銃から放射される特性X線を試料に照射さ
せ、試料から放出される光電子をエネルギーアナ
ライザにより検出して試料の定性、定量分析を行
なつている。
従来のこの種のX線光電子分光装置の一例を第
1図を参照しながら説明する。
1図を参照しながら説明する。
同図において、1はアルミニウムで構成された
ポートスリーブで、円筒状部と漏斗状部とを一体
にして構成された形状をなし、その円筒部におい
てはX線銃8とイオン銃9とに面する側には窓部
3と4とが設けられている。ポートスリーブ1の
窓部3には、即ちX線銃8に面する側には試料を
照射するX線の単色性を高めるために厚さ約2μ
のアルミニユーム箔2が張られている。6は試料
台であり、この試料台6の上には試料5が載置さ
れている。9はイオン銃で、イオン銃9から放射
されるイオンを試料5に照射せしめ、エツチング
を行なつて試料5の表面を綺麗にする。10はエ
ネルギーアナライザで、X線を照射された試料5
から放出される光電子を検出するものである。
ポートスリーブで、円筒状部と漏斗状部とを一体
にして構成された形状をなし、その円筒部におい
てはX線銃8とイオン銃9とに面する側には窓部
3と4とが設けられている。ポートスリーブ1の
窓部3には、即ちX線銃8に面する側には試料を
照射するX線の単色性を高めるために厚さ約2μ
のアルミニユーム箔2が張られている。6は試料
台であり、この試料台6の上には試料5が載置さ
れている。9はイオン銃で、イオン銃9から放射
されるイオンを試料5に照射せしめ、エツチング
を行なつて試料5の表面を綺麗にする。10はエ
ネルギーアナライザで、X線を照射された試料5
から放出される光電子を検出するものである。
このように構成された装置において、イオン銃
9から放射されるイオンを試料5に照射してその
表面をエツチングする際に、試料5の表面からの
反射イオンや散乱イオンがアルミニユーム箔2に
衝突し、アルミニユーム箔2の表面を削取り、や
がてはアルミニユーム箔2を破つてしまう。
9から放射されるイオンを試料5に照射してその
表面をエツチングする際に、試料5の表面からの
反射イオンや散乱イオンがアルミニユーム箔2に
衝突し、アルミニユーム箔2の表面を削取り、や
がてはアルミニユーム箔2を破つてしまう。
アルミニユーム箔が破れると、X線銃8におい
てアノードから放出される2次電子が窓3から試
料5の位置する場所に進入し、その結果としてス
ペクトルのバツクグランドを増加させ、分析感度
を低下させてしまう。試料5が汚染されると、分
析精度は低下するから、このような事を防止する
ために、アルミニユーム箔2の破損の有無の確認
を分析開始前にすることが必要であり、またその
摩耗程度を常に検査して新たなアルミニユーム箔
を張り替える作業を行なわなければならず、その
メインテナンスは煩らわしいものであつた。
てアノードから放出される2次電子が窓3から試
料5の位置する場所に進入し、その結果としてス
ペクトルのバツクグランドを増加させ、分析感度
を低下させてしまう。試料5が汚染されると、分
析精度は低下するから、このような事を防止する
ために、アルミニユーム箔2の破損の有無の確認
を分析開始前にすることが必要であり、またその
摩耗程度を常に検査して新たなアルミニユーム箔
を張り替える作業を行なわなければならず、その
メインテナンスは煩らわしいものであつた。
このような欠点を除去するために、イオン銃と
X線銃とをそれぞれ別の場所に設け、イオン銃に
て試料をエツチングした後に試料を載置した試料
台をX線銃の設けられた位置まで移動させる手法
を講じていたが、これによると設備容量が大とな
るため、コンパクト化の点および製造コストの点
に難点があつた。
X線銃とをそれぞれ別の場所に設け、イオン銃に
て試料をエツチングした後に試料を載置した試料
台をX線銃の設けられた位置まで移動させる手法
を講じていたが、これによると設備容量が大とな
るため、コンパクト化の点および製造コストの点
に難点があつた。
(ハ) 目的
本考案の目的は、前記した従来技術の有する欠
点を解消するもので、試料ホルダに載置された試
料をイオン銃から放射されるイオンにより照射す
る際に発生される反射イオンや散乱イオンのX線
銃に面する側に張られたアルミニユーム箔への衝
突を防止するためのシールド部を備えた保護カバ
ーを取付けられた試料ホルダを備えるX線光電子
分光装置を提供することである。
点を解消するもので、試料ホルダに載置された試
料をイオン銃から放射されるイオンにより照射す
る際に発生される反射イオンや散乱イオンのX線
銃に面する側に張られたアルミニユーム箔への衝
突を防止するためのシールド部を備えた保護カバ
ーを取付けられた試料ホルダを備えるX線光電子
分光装置を提供することである。
(ニ) 構成
本考案は、試料ホルダ取付台に固定された試料
ホルダを囲む保護カバーを試料ホルダ取付台に固
定すると共に、その保護カバーに試料ホルダに載
置された試料が隠れる程度のシールド部と試料が
露出する程度の切欠部とを設け、イオン銃により
エツチングする場合又はX線銃により分析する場
合に、保護カバーに設けられたシールド部がそれ
ぞれイオン銃側又はX線銃側に位置するように試
料ホルダ取付台を回転制御するものである。
ホルダを囲む保護カバーを試料ホルダ取付台に固
定すると共に、その保護カバーに試料ホルダに載
置された試料が隠れる程度のシールド部と試料が
露出する程度の切欠部とを設け、イオン銃により
エツチングする場合又はX線銃により分析する場
合に、保護カバーに設けられたシールド部がそれ
ぞれイオン銃側又はX線銃側に位置するように試
料ホルダ取付台を回転制御するものである。
(ホ) 実施例
以下において、本考案のX線光電子分光装置の
一実施例を第2図から第5図を参照して説明す
る。
一実施例を第2図から第5図を参照して説明す
る。
第2図は試料ホルダの周囲に取付けられた保護
カバーを示し、第3図はその保護カバーのシール
ド部がX線銃と対向しているときにイオン銃によ
りエツチングされている状態を、第4図はその保
護カバーのシールド部がイオン銃と対向している
ときにX線銃からの特性X線により試料を照射し
ている状態を、第5図は試料の深さ方向の元素分
析などを自動的に行なう装置を示す。
カバーを示し、第3図はその保護カバーのシール
ド部がX線銃と対向しているときにイオン銃によ
りエツチングされている状態を、第4図はその保
護カバーのシールド部がイオン銃と対向している
ときにX線銃からの特性X線により試料を照射し
ている状態を、第5図は試料の深さ方向の元素分
析などを自動的に行なう装置を示す。
第2図において、21は試料ホルダであり、そ
の下部分にはねじ22が設けられており、このね
じ22を試料ホルダ取付台20にねじ込むことに
より試料ホルダ21は固定される。23はアルミ
ニユームで構成された円筒状の保護カバーで、こ
の保護カバー23の円筒部を、試料ホルダ21に
載置された試料5が露出する程度に、即ちX線銃
8からの特性X線又はイオン銃9からのイオンが
試料5を照射することができる程度に切欠かれて
おり、そしてその他の円周部は試料5が隠れる程
度にシールド部23aを形成している。保護カバ
ー23の下端の一部には回転止め片24が設けら
れ、この回転止め片24を試料ホルダ取付台20
に設けられた孔部に挿入することにより、保護カ
バー23自体の回転が阻止される。なお、保護カ
バー23は試料ホルダ取付台20と共に、第5図
において説明するモータにより間歇駆動され、そ
ん停止時においては保護カバー23のシールド部
23aがイオン銃9と又はX線銃8と対向するよ
うになされている。
の下部分にはねじ22が設けられており、このね
じ22を試料ホルダ取付台20にねじ込むことに
より試料ホルダ21は固定される。23はアルミ
ニユームで構成された円筒状の保護カバーで、こ
の保護カバー23の円筒部を、試料ホルダ21に
載置された試料5が露出する程度に、即ちX線銃
8からの特性X線又はイオン銃9からのイオンが
試料5を照射することができる程度に切欠かれて
おり、そしてその他の円周部は試料5が隠れる程
度にシールド部23aを形成している。保護カバ
ー23の下端の一部には回転止め片24が設けら
れ、この回転止め片24を試料ホルダ取付台20
に設けられた孔部に挿入することにより、保護カ
バー23自体の回転が阻止される。なお、保護カ
バー23は試料ホルダ取付台20と共に、第5図
において説明するモータにより間歇駆動され、そ
ん停止時においては保護カバー23のシールド部
23aがイオン銃9と又はX線銃8と対向するよ
うになされている。
第3図において、イオン銃9により試料ホルダ
に載置された試料5をエツチングする場合には、
保護カバー23のシールド部23aがポートスリ
ーブ1に設けられた窓部3と対向する位置で停止
するように試料ホルダ取付台20の回転が制御さ
れる。この状態において、イオン銃9からのイオ
ンにより試料5を照射し、エツチングを行なう際
に発生する反射イオンや散乱イオンは保護カバー
23のシールド部23aの内面に衝突するため、
反射イオンや散乱イオンが窓部3を介してアルミ
ニユーム箔2に入射することがなく、従つてアル
ミニユーム箔2の破損が防止される。
に載置された試料5をエツチングする場合には、
保護カバー23のシールド部23aがポートスリ
ーブ1に設けられた窓部3と対向する位置で停止
するように試料ホルダ取付台20の回転が制御さ
れる。この状態において、イオン銃9からのイオ
ンにより試料5を照射し、エツチングを行なう際
に発生する反射イオンや散乱イオンは保護カバー
23のシールド部23aの内面に衝突するため、
反射イオンや散乱イオンが窓部3を介してアルミ
ニユーム箔2に入射することがなく、従つてアル
ミニユーム箔2の破損が防止される。
第4図において、試料ホルダ取付台20が第3
図に示す位置から180°回転され、保護カバー23
のシールド部23aが窓部4と対向する位置にお
いて停止される。この状態において、X線銃8か
ら放射される特性X線が試料5に照射され、発生
された光電子を不図示のエネルギーアナライザに
より検出する。
図に示す位置から180°回転され、保護カバー23
のシールド部23aが窓部4と対向する位置にお
いて停止される。この状態において、X線銃8か
ら放射される特性X線が試料5に照射され、発生
された光電子を不図示のエネルギーアナライザに
より検出する。
なお、この場合、X線銃8からの特性X線の一
部が保護カバー23のシールド部23aの内面照
射し、2次電子を発生させるが、試料が絶縁物試
料であると、この絶縁物試料に特性X線が照射さ
れ、正の帯電状態となるが、前記した2次電子が
吸引され、電気的に中和化され、試料表面の帯電
を少なくすることができ、もつて分析精度を高め
ることができる。
部が保護カバー23のシールド部23aの内面照
射し、2次電子を発生させるが、試料が絶縁物試
料であると、この絶縁物試料に特性X線が照射さ
れ、正の帯電状態となるが、前記した2次電子が
吸引され、電気的に中和化され、試料表面の帯電
を少なくすることができ、もつて分析精度を高め
ることができる。
第5図においては、第1図から第4図において
参照数字を付して説明したものと同一構造、同一
機能を有するものについては同じ参照数字を付し
てあるが、それらについては既に述べてあるの
で、その説明は省略する。
参照数字を付して説明したものと同一構造、同一
機能を有するものについては同じ参照数字を付し
てあるが、それらについては既に述べてあるの
で、その説明は省略する。
第5図において、51はパイプPを介してイオ
ン銃9に導入されるアルゴンガスの供給を行なう
制御弁であり、52はイオン銃9を励起するため
のイオン銃電源である。53はX線銃8を励起す
るX線銃電源である。54は試料ホルダ取付台2
0の間歇駆動および停止を行なうためのモータで
あり、シヤフト25Sにより試料ホルダ取付台2
0とモータ54とを連結している。シヤフト25
Sには突起57が設けられており、この突起57
がセンサ55又はセンサ56と対向したときにリ
ードl2又はl4を介して検出信号を制御装置58に
加え、リードl3を介してモータ54に停止指令信
号を与え、これを停止させる。25Pはパツキン
グであり、X線銃8と、イオン銃9と、試料ホル
ダ取付台20を含めた試料部分とを大気から遮断
するための不図示のカバーを気密に封止するもの
である。
ン銃9に導入されるアルゴンガスの供給を行なう
制御弁であり、52はイオン銃9を励起するため
のイオン銃電源である。53はX線銃8を励起す
るX線銃電源である。54は試料ホルダ取付台2
0の間歇駆動および停止を行なうためのモータで
あり、シヤフト25Sにより試料ホルダ取付台2
0とモータ54とを連結している。シヤフト25
Sには突起57が設けられており、この突起57
がセンサ55又はセンサ56と対向したときにリ
ードl2又はl4を介して検出信号を制御装置58に
加え、リードl3を介してモータ54に停止指令信
号を与え、これを停止させる。25Pはパツキン
グであり、X線銃8と、イオン銃9と、試料ホル
ダ取付台20を含めた試料部分とを大気から遮断
するための不図示のカバーを気密に封止するもの
である。
このように構成された装置の作用を説明する
と、図示の状態において、制御装置58からX線
銃電源53をオンにする指令信号が発生され、そ
の信号がリードl1を介してX線銃電源53に加え
られ、これによりX線銃電源53が付勢され、X
線銃8から特性X線が放射され、アルミニユーム
箔2と窓部3を介して入射された特性X線が試料
5を照射し、発生された光電子を不図示のエネル
ギーアナライザが検出する。その測定が終了する
と、X線銃電源53をオフにする指令信号がリー
ドl1を介してX線銃電源53に加えられ、これを
オフとすることによりX線銃8の作動を停止させ
る。次に、リードl3を介してモータ54に回転駆
動の指令信号が与えられ、モータ54を回転駆動
する。センサ56の直前に位置する突起57が、
シヤフト25Sの回転により共に駆動され、セン
サ55の直前の位置に到達すると、センサ55か
らのその検出信号がリードl2を介して制御装置5
8に加えられ、これにより制御装置58からはモ
ータ54に対する停止信号がリードl3を介してモ
ータ54に与えられ、モータ54は停止する。こ
のとき、保護カバー23のシールド部23aは窓
部3に張られたアルミニユーム箔2と対向する所
に位置する。次に、制御装置58から制御弁51
に、これを開とする指令信号がリードl3を介して
加えられ、パイプPを介してアルゴンガスをイオ
ン銃9に供給する。そして、リードl5を介してイ
オン銃電源52にこれを付勢するための指令信号
が与えられ、イオン銃電源9をオンとし、イオン
銃9からイオンを放射させる。イオン銃9から放
射されたイオンは試料5を照射してエツチングを
行なうが、その際に発生する反射イオンや散乱イ
オンは保護カバー23のシールド部23aの内面
に衝突する。このため、反射イオンや散乱イオン
は窓部3を介してアルミニユーム箔2に衝突する
ことを阻止される。エツチングが終了すると、制
御装置58からリードl6を介して制御弁51にこ
れを閉止する指令信号が加えられ、制御弁51を
閉じ、アルゴンガスをイオン銃9に供給すること
を停止し、さらにリードl5を介してイオン銃電源
52をオフとする指令信号がイオン銃電源52に
与えられ、これによりイオン銃9の作動を停止さ
せる。そして、モータ54にリードl3を介して指
令信号が与えられ、試料ホルダ取付部20を回転
させ、シヤフト25Sに設けられた突起57がセ
ンサ56の直前の位置に到達したときに、その検
出信号がリードl4を介して制御装置58に加えら
れ、制御装置58はリードl3を介してモータ54
に停止信号を与える。次に、X線銃電源53にこ
れをオンとする指令信号をリードl1を介してX線
銃53に与え、X線銃8を作動させ、その特性X
線を試料5に照射させる。
と、図示の状態において、制御装置58からX線
銃電源53をオンにする指令信号が発生され、そ
の信号がリードl1を介してX線銃電源53に加え
られ、これによりX線銃電源53が付勢され、X
線銃8から特性X線が放射され、アルミニユーム
箔2と窓部3を介して入射された特性X線が試料
5を照射し、発生された光電子を不図示のエネル
ギーアナライザが検出する。その測定が終了する
と、X線銃電源53をオフにする指令信号がリー
ドl1を介してX線銃電源53に加えられ、これを
オフとすることによりX線銃8の作動を停止させ
る。次に、リードl3を介してモータ54に回転駆
動の指令信号が与えられ、モータ54を回転駆動
する。センサ56の直前に位置する突起57が、
シヤフト25Sの回転により共に駆動され、セン
サ55の直前の位置に到達すると、センサ55か
らのその検出信号がリードl2を介して制御装置5
8に加えられ、これにより制御装置58からはモ
ータ54に対する停止信号がリードl3を介してモ
ータ54に与えられ、モータ54は停止する。こ
のとき、保護カバー23のシールド部23aは窓
部3に張られたアルミニユーム箔2と対向する所
に位置する。次に、制御装置58から制御弁51
に、これを開とする指令信号がリードl3を介して
加えられ、パイプPを介してアルゴンガスをイオ
ン銃9に供給する。そして、リードl5を介してイ
オン銃電源52にこれを付勢するための指令信号
が与えられ、イオン銃電源9をオンとし、イオン
銃9からイオンを放射させる。イオン銃9から放
射されたイオンは試料5を照射してエツチングを
行なうが、その際に発生する反射イオンや散乱イ
オンは保護カバー23のシールド部23aの内面
に衝突する。このため、反射イオンや散乱イオン
は窓部3を介してアルミニユーム箔2に衝突する
ことを阻止される。エツチングが終了すると、制
御装置58からリードl6を介して制御弁51にこ
れを閉止する指令信号が加えられ、制御弁51を
閉じ、アルゴンガスをイオン銃9に供給すること
を停止し、さらにリードl5を介してイオン銃電源
52をオフとする指令信号がイオン銃電源52に
与えられ、これによりイオン銃9の作動を停止さ
せる。そして、モータ54にリードl3を介して指
令信号が与えられ、試料ホルダ取付部20を回転
させ、シヤフト25Sに設けられた突起57がセ
ンサ56の直前の位置に到達したときに、その検
出信号がリードl4を介して制御装置58に加えら
れ、制御装置58はリードl3を介してモータ54
に停止信号を与える。次に、X線銃電源53にこ
れをオンとする指令信号をリードl1を介してX線
銃53に与え、X線銃8を作動させ、その特性X
線を試料5に照射させる。
以上述べた動作を反覆することにより試料の連
続分析を行なうことができるが、制御装置58の
動作は例えばマイコンなどを含む制御装置による
シーケンス動作により行なうことができる。
続分析を行なうことができるが、制御装置58の
動作は例えばマイコンなどを含む制御装置による
シーケンス動作により行なうことができる。
なお、前記実施例における保護カバー23が円
筒状である場合について説明したが、保護カバー
23の形状は円筒状でなくても、角型もしくは多
角形型であつても同様の効果を奏することができ
る。
筒状である場合について説明したが、保護カバー
23の形状は円筒状でなくても、角型もしくは多
角形型であつても同様の効果を奏することができ
る。
(ヘ) 効果
以上説明したように本考案によると、試料が露
出する程度の切欠部と試料が隠れる程度のシール
ド部とを備える保護カバーを回転自在な試料ホル
ダ取付台に取付けるという簡単な構成により、イ
オン銃によるエツチングの際に発生する反射イオ
ンや散乱イオンがアルミニユーム箔に衝突するこ
とを阻止し、もつてアルミニユーム箔の破損を防
止することができるので、分析時にアルミニユー
ム箔の破損をモニタする手間を省略することがで
き、また試料が絶縁物である場合には、X線銃か
らの特性X線が試料を照射することによる正極性
の帯電表面を、特性X線により照射されるシール
ド部から発生される2次電子により電気的に中和
化し、その帯電度合いを少なくすることができ、
もつて分析精度を高め得ると共に、従来装置のよ
うにイオン銃とX線銃とを異なつた場所に配置す
ることがないので装置のコンパクト化が可能にな
り、製造コストを安価にすることができるX線光
電子分光装置を提供することができる。
出する程度の切欠部と試料が隠れる程度のシール
ド部とを備える保護カバーを回転自在な試料ホル
ダ取付台に取付けるという簡単な構成により、イ
オン銃によるエツチングの際に発生する反射イオ
ンや散乱イオンがアルミニユーム箔に衝突するこ
とを阻止し、もつてアルミニユーム箔の破損を防
止することができるので、分析時にアルミニユー
ム箔の破損をモニタする手間を省略することがで
き、また試料が絶縁物である場合には、X線銃か
らの特性X線が試料を照射することによる正極性
の帯電表面を、特性X線により照射されるシール
ド部から発生される2次電子により電気的に中和
化し、その帯電度合いを少なくすることができ、
もつて分析精度を高め得ると共に、従来装置のよ
うにイオン銃とX線銃とを異なつた場所に配置す
ることがないので装置のコンパクト化が可能にな
り、製造コストを安価にすることができるX線光
電子分光装置を提供することができる。
第1図は従来のX線光電子分光装置の説明図、
第2図から第5図は本考案の光電子分光装置の実
施例に係るものを示し、第2図は試料ホルダ取付
台に取付けられた試料ホルダと保護カバーの断面
図、第3図はイオン銃により試料をエツチングし
ている時の説明図、第4図はX線銃により試料の
分析を行なつているときの説明図、第5図はその
作動を制御するための系統図である。 図中、1はポートスリーブ、2はアルミニユー
ム箔、3と4は窓部、5は試料、8はX線銃、9
はイオン銃、20は試料ホルダ取付台、21は試
料ホルダ、23は保護カバー、23aはシールド
部、24は回転止め片、51は制御弁、52はイ
オン銃電源、53はX線銃電源、54はモータ、
55と56はセンサ、57は突起、58は制御装
置を示す。
第2図から第5図は本考案の光電子分光装置の実
施例に係るものを示し、第2図は試料ホルダ取付
台に取付けられた試料ホルダと保護カバーの断面
図、第3図はイオン銃により試料をエツチングし
ている時の説明図、第4図はX線銃により試料の
分析を行なつているときの説明図、第5図はその
作動を制御するための系統図である。 図中、1はポートスリーブ、2はアルミニユー
ム箔、3と4は窓部、5は試料、8はX線銃、9
はイオン銃、20は試料ホルダ取付台、21は試
料ホルダ、23は保護カバー、23aはシールド
部、24は回転止め片、51は制御弁、52はイ
オン銃電源、53はX線銃電源、54はモータ、
55と56はセンサ、57は突起、58は制御装
置を示す。
Claims (1)
- X線銃と、イオン銃と、エネルギーアナライザ
と、前記したX線銃とイオン銃とに対向する側に
それぞれ設けられており、かつ前記したX線銃側
にアルミニユーム箔の張られた窓部を有するポー
トスリーブとを備えるものにおいて、前記ポート
スリーブ内に位置する試料ホルダが固定されてい
る回動自在な試料ホルダ取付台と、前記試料ホル
ダを囲繞し、かつ該試料ホルダに載置された試料
が前記X線銃及びイオン銃に対して隠れる程度の
シールド部と前記試料が前記X線銃及びイオン銃
に対して露出する程度に切欠かれた切欠部とを有
しそして前記試料ホルダ取付台に固定された保護
カバーとを備え、前記試料ホルダ取付台は保護カ
バーのシールド部がイオン銃又はX線銃に対向す
る位置に位置されるように間歇駆動制御されるこ
とを特徴とするX線光電子分光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4444684U JPS60156446U (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | X線光電子分光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4444684U JPS60156446U (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | X線光電子分光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60156446U JPS60156446U (ja) | 1985-10-18 |
| JPH0355097Y2 true JPH0355097Y2 (ja) | 1991-12-06 |
Family
ID=30557024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4444684U Granted JPS60156446U (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | X線光電子分光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60156446U (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5213479B2 (ja) * | 2008-02-28 | 2013-06-19 | 矢崎総業株式会社 | シール検査方法、及びシール検査装置 |
| JP5430908B2 (ja) * | 2008-11-07 | 2014-03-05 | 日本電子株式会社 | 分光分析装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56138242A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-28 | Shimadzu Corp | X-ray photoelectron analysis equipment |
-
1984
- 1984-03-27 JP JP4444684U patent/JPS60156446U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60156446U (ja) | 1985-10-18 |
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