JPH0356465A - 5H‐ジベンズ(b;f)アゼピンの製造方法 - Google Patents
5H‐ジベンズ(b;f)アゼピンの製造方法Info
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- JPH0356465A JPH0356465A JP2115944A JP11594490A JPH0356465A JP H0356465 A JPH0356465 A JP H0356465A JP 2115944 A JP2115944 A JP 2115944A JP 11594490 A JP11594490 A JP 11594490A JP H0356465 A JPH0356465 A JP H0356465A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、通常、イミノスチルベンと呼ばれている式
で示される5H−ジベンズ(b;f)アゼピンの製造方
法に関する. 式(1)で示される化合物は、いくつかの薬剤の中間体
である.例えば、抗てんかん作用を発揮するカルバマゼ
ピンの中間体である. (従来の技術) 触媒脱水素化の段階において,イミノジベンジルをイミ
ノスチルベンに変換する方法が、いくつか知られている
. 米国特許第3,074,931号及び同第3,449,
324号明細書,西ドイツ国特許公告公報第1,545
,736号、並びに特願昭55−17,330号(特開
昭56−113928号公報)によれば,金属または酸
化金属の触媒の共存下で,350〜600℃におけるガ
ス相中にて脱水素化を行ない,それにより,出発材料の
部分転化を行なう方法が開示されている. ヨーロッパ特許公開公報第237,952号には、液相
中で、イミノジベンジルの触媒脱水素化を行ない,イミ
ノスチルベンにする方法が記載されている.触媒として
新規な金属または酸化金属を、溶媒としてジフェニルエ
ーテル,ジメチルアニリンを用い、また水素受容体とし
てニトロトルエン,マレイン酸ジエチル、テトラクロロ
ベンゾキノンを用いている.前記公報によれば、反応は
,210〜250℃にて、3〜5時間で完了するように
なっている. 前記ヨーロッパ特許公開公報に記載の実施例を再現して
みたところ,上で述べた条件の下では,転化は、せいぜ
い60〜65%にすぎず、仮りに、反応時間を長くして
も、その転化率を上げることは無理である. 本願発明者の経験によれば、反応時間が2時間を超える
と、分解が生じ,収率を大幅に低下させるとともに、生
成物の品質に悪い影響を与える.転化率がこのように低
いと、分離される生成物は,収率が低くなるばかりでな
く、品質まで悪くなる.長い反応時間の間に分離が生じ
たり、水素受容体の量が多過ぎたり,また溶媒の選択の
余地がないために,触媒は、その力を失い,再生利用で
きない. そのため、前記ヨーロッパ特許公開公報に記載の方法は
,イミノスチルベンを工業的規模で経済的に生産するの
に向いていない. (発明が解決しようとする課題) 本発明の目的は、上で述べた問題点を克服したイミノス
チルベンの製造方法を提供することである. (課題を解決するための手段) 本発明によれば、上で述べた目的を達成するため、式 で示される10.11−ジヒドロー5H−ジベンズ(b
af)アゼビン(通常、イミノジベンジルと称せられる
.)を,新規の金属触媒,および水素受容体の共存下で
触媒脱水素化し、式 で示される5H−ジベンズ(b:f)アゼビンを製造す
る方法が提供される. 反応は,300℃を超えない温度にて、高沸度の極性プ
ロトン性溶媒と,この極性プロトン性溶媒よりも高い沸
点を有する選択使用の無極性溶媒との混合物中で,溶融
状態か、あるいは液体状態で行なわれる.その際、式(
■)で示される化合物に対して算出された0.35〜2
モル当量の水素受容体を用いる. 本発明は、転化率を上げ、生或物の収率及び純度をよく
シ,反応時間を短くし、触媒の減力化を抑え,しかも経
済的にできる方法を提供するという認識に基づいている
. 驚くべきことに,我々は,次のようなことを見出した. 生成物の分解は、昇温によるというよりも、むしろ存在
する水素受容体の量によって影響を受ける.また、分解
は、水素受容体の量が減少しても,300℃を超えない
温度にて溶融状態か或いは特別の液相で反応させれば起
きない. 溶融状態で溶媒を用いずに反応を行なわせるか,特に高
沸点の溶媒中で反応を行なわせれば,水素受容体の量を
,相当に少なくすることができるので,触媒の減力化は
抑えられ、転化率は相当に向上し、反応時間が著しく短
縮される.従って、生成物を,よい収率と優れた品質で
分離することができる. 本発明による触媒脱水素反応は、次のような条件で行な
われる. (a) 300℃を超えない温度にて、新規の金属触媒
と. 0.35〜2モル当量の水素受容体との共存下で
, (b)溶媒を用いずに溶融状態で行なうか、(c)高沸
点の極性プロトン性溶媒(例えば、エチレングリコール
、オリゴグリコール、ポリエチレングリコール,または
それらの誘導体)を,極性プロトン性溶媒よりも高い沸
点を有する選択使用の無極性溶媒(例えば.ジフイル、
または多塩素化ベンゼン)で希釈したものを用い、液相
中にて行なう. 高沸点の極性プロトン性溶媒は、触媒脱水素反応に対し
て有利な2つの作用を有している.溶媒は、触媒の表面
に生じる反応物(イミノジベンジル、イミノスチルベン
、水素受容体、およびそれらの還元生成物)の吸着/脱
離に有利に作用する.ヨーロッパ特許公開公報第237
,952号に記載の方法と比べ,前記溶媒は、イミノス
チルベン及び水素受容体の脱離を容易にさせるので、水
素受容体の量は、式(II)で示される化合物に対して
算出された0.35〜2モル当量に減らすことができ、
従って、触媒の減力化が抑えられるために,反応速度及
び転化率は増大する. 更に,少量の水素受容体及び溶媒(場合により,この溶
媒は省くことができる.)を用いて、反応を行なわせる
ことができるため,反応混合物中での出発材料の濃度を
一層高くすることができる.反応は、1〜2時間以内で
完結し、生成物の分離は無視することができ,かつ,収
率よくしかも高純度の状態で、生或物を分離することが
できる.極性プロトン性溶媒を、少ない量の水素受容体
と一緒に用いれば,触媒の減力化が抑制され、触媒を数
回再生利用することができるようになる.極性プロトン
性溶媒の使用による別の利点は、反応終了後、水を加え
ることにより、反応混合物から全部の生或物を回収でき
る点である,極性プロトン性溶媒を.この溶媒よりも高
い沸点を有する無極性溶媒によって希釈すれば、反応時
間を更に短縮することができる. 本発明による方法の第1の好適実施例によれば、イミノ
ジベンジル融成物を,新規の金属触媒(担体に選択的に
担持させたパラジウムまたは白金)、および0.35〜
2モル当量の水素受容体(高沸点の二トロ化合物または
不飽和化合物)の存在の下に、150〜300℃、好ま
しくは200〜250℃の温度にて、1〜2時間反応さ
せる. 反応が終結した時点で、高温の反応混合物を、極性有機
溶媒(例えばアセトン、クロロホルム、ジメチルスルホ
キシド、ジメチルホルムアミド、アルコール)中に溶解
する.触媒を濾別し、生或物が難溶である溶媒(例えば
低級アルコール、炭化水素、水)を加えて,生成物を晶
出させる.本発明による方法の第2の好適実施例によれ
ば、イミノジベンジルを、新規の金属触媒(担体に選択
的に担持させたパラジウムまたは白金)、および0.3
5〜2モル当量の水素受容体(高沸点のニトロ化合物ま
たは不飽和化合物)の存在の下に、高沸点の極性プロト
ン性溶媒(例えばエチレングリコール、オリゴグリコー
ル、ポリエチレングリコール、およびそれらの誘導体)
中で.180〜300℃,好ましくは200〜280℃
の温度にて、1〜2時間反応させる. 反応終了後,触媒を濾別し、次に水、または生成物が難
溶である有機溶媒を用い、濾液から生或物を沈澱させる
。溶媒を蒸発させ、更に前述の方法に従って処理を行な
う。
法に関する. 式(1)で示される化合物は、いくつかの薬剤の中間体
である.例えば、抗てんかん作用を発揮するカルバマゼ
ピンの中間体である. (従来の技術) 触媒脱水素化の段階において,イミノジベンジルをイミ
ノスチルベンに変換する方法が、いくつか知られている
. 米国特許第3,074,931号及び同第3,449,
324号明細書,西ドイツ国特許公告公報第1,545
,736号、並びに特願昭55−17,330号(特開
昭56−113928号公報)によれば,金属または酸
化金属の触媒の共存下で,350〜600℃におけるガ
ス相中にて脱水素化を行ない,それにより,出発材料の
部分転化を行なう方法が開示されている. ヨーロッパ特許公開公報第237,952号には、液相
中で、イミノジベンジルの触媒脱水素化を行ない,イミ
ノスチルベンにする方法が記載されている.触媒として
新規な金属または酸化金属を、溶媒としてジフェニルエ
ーテル,ジメチルアニリンを用い、また水素受容体とし
てニトロトルエン,マレイン酸ジエチル、テトラクロロ
ベンゾキノンを用いている.前記公報によれば、反応は
,210〜250℃にて、3〜5時間で完了するように
なっている. 前記ヨーロッパ特許公開公報に記載の実施例を再現して
みたところ,上で述べた条件の下では,転化は、せいぜ
い60〜65%にすぎず、仮りに、反応時間を長くして
も、その転化率を上げることは無理である. 本願発明者の経験によれば、反応時間が2時間を超える
と、分解が生じ,収率を大幅に低下させるとともに、生
成物の品質に悪い影響を与える.転化率がこのように低
いと、分離される生成物は,収率が低くなるばかりでな
く、品質まで悪くなる.長い反応時間の間に分離が生じ
たり、水素受容体の量が多過ぎたり,また溶媒の選択の
余地がないために,触媒は、その力を失い,再生利用で
きない. そのため、前記ヨーロッパ特許公開公報に記載の方法は
,イミノスチルベンを工業的規模で経済的に生産するの
に向いていない. (発明が解決しようとする課題) 本発明の目的は、上で述べた問題点を克服したイミノス
チルベンの製造方法を提供することである. (課題を解決するための手段) 本発明によれば、上で述べた目的を達成するため、式 で示される10.11−ジヒドロー5H−ジベンズ(b
af)アゼビン(通常、イミノジベンジルと称せられる
.)を,新規の金属触媒,および水素受容体の共存下で
触媒脱水素化し、式 で示される5H−ジベンズ(b:f)アゼビンを製造す
る方法が提供される. 反応は,300℃を超えない温度にて、高沸度の極性プ
ロトン性溶媒と,この極性プロトン性溶媒よりも高い沸
点を有する選択使用の無極性溶媒との混合物中で,溶融
状態か、あるいは液体状態で行なわれる.その際、式(
■)で示される化合物に対して算出された0.35〜2
モル当量の水素受容体を用いる. 本発明は、転化率を上げ、生或物の収率及び純度をよく
シ,反応時間を短くし、触媒の減力化を抑え,しかも経
済的にできる方法を提供するという認識に基づいている
. 驚くべきことに,我々は,次のようなことを見出した. 生成物の分解は、昇温によるというよりも、むしろ存在
する水素受容体の量によって影響を受ける.また、分解
は、水素受容体の量が減少しても,300℃を超えない
温度にて溶融状態か或いは特別の液相で反応させれば起
きない. 溶融状態で溶媒を用いずに反応を行なわせるか,特に高
沸点の溶媒中で反応を行なわせれば,水素受容体の量を
,相当に少なくすることができるので,触媒の減力化は
抑えられ、転化率は相当に向上し、反応時間が著しく短
縮される.従って、生成物を,よい収率と優れた品質で
分離することができる. 本発明による触媒脱水素反応は、次のような条件で行な
われる. (a) 300℃を超えない温度にて、新規の金属触媒
と. 0.35〜2モル当量の水素受容体との共存下で
, (b)溶媒を用いずに溶融状態で行なうか、(c)高沸
点の極性プロトン性溶媒(例えば、エチレングリコール
、オリゴグリコール、ポリエチレングリコール,または
それらの誘導体)を,極性プロトン性溶媒よりも高い沸
点を有する選択使用の無極性溶媒(例えば.ジフイル、
または多塩素化ベンゼン)で希釈したものを用い、液相
中にて行なう. 高沸点の極性プロトン性溶媒は、触媒脱水素反応に対し
て有利な2つの作用を有している.溶媒は、触媒の表面
に生じる反応物(イミノジベンジル、イミノスチルベン
、水素受容体、およびそれらの還元生成物)の吸着/脱
離に有利に作用する.ヨーロッパ特許公開公報第237
,952号に記載の方法と比べ,前記溶媒は、イミノス
チルベン及び水素受容体の脱離を容易にさせるので、水
素受容体の量は、式(II)で示される化合物に対して
算出された0.35〜2モル当量に減らすことができ、
従って、触媒の減力化が抑えられるために,反応速度及
び転化率は増大する. 更に,少量の水素受容体及び溶媒(場合により,この溶
媒は省くことができる.)を用いて、反応を行なわせる
ことができるため,反応混合物中での出発材料の濃度を
一層高くすることができる.反応は、1〜2時間以内で
完結し、生成物の分離は無視することができ,かつ,収
率よくしかも高純度の状態で、生或物を分離することが
できる.極性プロトン性溶媒を、少ない量の水素受容体
と一緒に用いれば,触媒の減力化が抑制され、触媒を数
回再生利用することができるようになる.極性プロトン
性溶媒の使用による別の利点は、反応終了後、水を加え
ることにより、反応混合物から全部の生或物を回収でき
る点である,極性プロトン性溶媒を.この溶媒よりも高
い沸点を有する無極性溶媒によって希釈すれば、反応時
間を更に短縮することができる. 本発明による方法の第1の好適実施例によれば、イミノ
ジベンジル融成物を,新規の金属触媒(担体に選択的に
担持させたパラジウムまたは白金)、および0.35〜
2モル当量の水素受容体(高沸点の二トロ化合物または
不飽和化合物)の存在の下に、150〜300℃、好ま
しくは200〜250℃の温度にて、1〜2時間反応さ
せる. 反応が終結した時点で、高温の反応混合物を、極性有機
溶媒(例えばアセトン、クロロホルム、ジメチルスルホ
キシド、ジメチルホルムアミド、アルコール)中に溶解
する.触媒を濾別し、生或物が難溶である溶媒(例えば
低級アルコール、炭化水素、水)を加えて,生成物を晶
出させる.本発明による方法の第2の好適実施例によれ
ば、イミノジベンジルを、新規の金属触媒(担体に選択
的に担持させたパラジウムまたは白金)、および0.3
5〜2モル当量の水素受容体(高沸点のニトロ化合物ま
たは不飽和化合物)の存在の下に、高沸点の極性プロト
ン性溶媒(例えばエチレングリコール、オリゴグリコー
ル、ポリエチレングリコール、およびそれらの誘導体)
中で.180〜300℃,好ましくは200〜280℃
の温度にて、1〜2時間反応させる. 反応終了後,触媒を濾別し、次に水、または生成物が難
溶である有機溶媒を用い、濾液から生或物を沈澱させる
。溶媒を蒸発させ、更に前述の方法に従って処理を行な
う。
本発明による方法の第3の好適実施例によれば、イミノ
ジベンジルを、前述の実施例に相当する条件の下で、高
沸点の極性プロトン性溶媒と、この溶媒よりも高い沸点
を有する無極性溶媒(例えばジフィル、多塩素化ベンゼ
ン)との混合物中で反応させる。上で述べた要領により
、生成物を分離する. (実施例) 以下、本発明による方法を、好適実施例に基づき詳細に
説明する.ただし、これらの実施例は,本発明を制約す
るものではない. 失見園よ イミノジベンジル60 g (0.308モル)、2−
ニトロトノレエン30m12(0.254モノレ)、お
よび10%パラジウムー炭触媒3.6gを、100℃以
上に加熱する.その混合物を撹拌し続ける.生或した融
或物を、還流させながら、200〜220℃の温度にて
、1〜2時間煮沸する。
ジベンジルを、前述の実施例に相当する条件の下で、高
沸点の極性プロトン性溶媒と、この溶媒よりも高い沸点
を有する無極性溶媒(例えばジフィル、多塩素化ベンゼ
ン)との混合物中で反応させる。上で述べた要領により
、生成物を分離する. (実施例) 以下、本発明による方法を、好適実施例に基づき詳細に
説明する.ただし、これらの実施例は,本発明を制約す
るものではない. 失見園よ イミノジベンジル60 g (0.308モル)、2−
ニトロトノレエン30m12(0.254モノレ)、お
よび10%パラジウムー炭触媒3.6gを、100℃以
上に加熱する.その混合物を撹拌し続ける.生或した融
或物を、還流させながら、200〜220℃の温度にて
、1〜2時間煮沸する。
次に,融或物を、400−のジエチレングリコールに溶
解する。その高温溶液から、触媒を濾・別し、溶液にメ
タノール250−を加える.その溶液を、0〜5℃の範
囲で一晩放置する。沈澱生成物を濾別し,少量のメタノ
ールで洗浄してから、乾燥させる。
解する。その高温溶液から、触媒を濾・別し、溶液にメ
タノール250−を加える.その溶液を、0〜5℃の範
囲で一晩放置する。沈澱生成物を濾別し,少量のメタノ
ールで洗浄してから、乾燥させる。
収率: 46.5g (71.3%)
融点:194〜196℃
去1044
イミノジベンジル6g(0.03モル)、2−ニトロト
ルエン3 mg(0.025モル),および白金黒触媒
0.2gを,200〜220℃の温度にて,1〜2時間
煮沸する.融成物を冷却し、温アセトンl00一中に溶
解する。
ルエン3 mg(0.025モル),および白金黒触媒
0.2gを,200〜220℃の温度にて,1〜2時間
煮沸する.融成物を冷却し、温アセトンl00一中に溶
解する。
触媒を濾別し、その濾液を濃縮する。冷却後,沈澱生成
物を濾別してから、乾燥させる。
物を濾別してから、乾燥させる。
収率: 5.05 g (85%)
融点:190〜192℃
失L銖主
イミノジベンジル30g(0.154モル)、ジエチレ
ングリコール200+afi、および2−ニトロトルエ
ン20g (0.146モル)からなる混合物に対し、
10%のパラジウムー炭触媒1.8gを加えてから、反
応混合物を、220〜240℃の温度で1.5時間還流
する.高温溶液から、触媒を濾別し、濾液を冷却してか
ら、水200−を加えると、イミノスチルベンが沈澱す
る。生成物を濾別し、水で洗浄してから乾燥させる. 収率: 28.1 g (94.6%)融点:194〜
196℃ 失産量生 イミノジベンジル30 g (0. 154モル)、ト
リエチレングリコール150WaQ.および1,3−ジ
ニトロベンゼン10 g (0.06モル)からなる混
合物に対し、10%のパラジウムー炭触媒1.9 gを
加えてから,反応混合物を、240〜270℃の温度に
て,1時間撹拌する.高温溶液から、触媒を濾別し、濾
液にメタノール100mQを加える。その溶液を冷却す
る。結晶化イミノスチルベンを濾別し、30一のメタノ
ールで洗浄してから,乾燥させる。
ングリコール200+afi、および2−ニトロトルエ
ン20g (0.146モル)からなる混合物に対し、
10%のパラジウムー炭触媒1.8gを加えてから、反
応混合物を、220〜240℃の温度で1.5時間還流
する.高温溶液から、触媒を濾別し、濾液を冷却してか
ら、水200−を加えると、イミノスチルベンが沈澱す
る。生成物を濾別し、水で洗浄してから乾燥させる. 収率: 28.1 g (94.6%)融点:194〜
196℃ 失産量生 イミノジベンジル30 g (0. 154モル)、ト
リエチレングリコール150WaQ.および1,3−ジ
ニトロベンゼン10 g (0.06モル)からなる混
合物に対し、10%のパラジウムー炭触媒1.9 gを
加えてから,反応混合物を、240〜270℃の温度に
て,1時間撹拌する.高温溶液から、触媒を濾別し、濾
液にメタノール100mQを加える。その溶液を冷却す
る。結晶化イミノスチルベンを濾別し、30一のメタノ
ールで洗浄してから,乾燥させる。
収率: 26.3 g (88.6%)融点:198〜
199.5℃ 去1奥生艷 イミノジベンジル12 g (0.06モル)及びニト
ロベンゼン7.4 . (0.06モル)を. io%
のパラジウムー炭触媒0.75gの存在の下に,ジフィ
ル30mM及びジエチレングリコール30−からなる混
合液中で、60分間還流する.高温溶液から、触媒を濾
別し、高温濾液にメタノール60−を加える. 沈澱生成物を濾別し、20mjlのメタノールで洗浄し
てから乾燥させる。
199.5℃ 去1奥生艷 イミノジベンジル12 g (0.06モル)及びニト
ロベンゼン7.4 . (0.06モル)を. io%
のパラジウムー炭触媒0.75gの存在の下に,ジフィ
ル30mM及びジエチレングリコール30−からなる混
合液中で、60分間還流する.高温溶液から、触媒を濾
別し、高温濾液にメタノール60−を加える. 沈澱生成物を濾別し、20mjlのメタノールで洗浄し
てから乾燥させる。
収率: 9.94 g (85.0%)融点:196〜
198℃ 叉凰舊旦 イミノジベンジル19.5 g (0.1モル)、10
%パラジウムー炭触媒1g、およびペンジリデンアセト
ン21.9 g (0.15モル)を、ジエチレングリ
コール5〇一及びジフィル50mQからなる混合液中で
,還流させながら2時間撹拌する。高温の反応混合物か
ら、触媒を濾別し、濾液に対して、メタノール100m
Qを加えてから、それを冷却する. 沈澱生成物を濾過し、メタノールで洗浄を行なってから
乾燥させる。
198℃ 叉凰舊旦 イミノジベンジル19.5 g (0.1モル)、10
%パラジウムー炭触媒1g、およびペンジリデンアセト
ン21.9 g (0.15モル)を、ジエチレングリ
コール5〇一及びジフィル50mQからなる混合液中で
,還流させながら2時間撹拌する。高温の反応混合物か
ら、触媒を濾別し、濾液に対して、メタノール100m
Qを加えてから、それを冷却する. 沈澱生成物を濾過し、メタノールで洗浄を行なってから
乾燥させる。
収率: 14.51 g (75.2%)融点=196
〜198℃。
〜198℃。
Lit[Liχn
@発
明
者
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テレベシ
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ユ
ウツ゛
リ−国 4440
ウツツア
がり一国 4440
ツア 6/ベー
テイサヴアシュヴアーリ
49
テイサヴアシュヴアーリ
ドージャ
キニジ
手続補正書坊式)
平或2年8月24
Claims (5)
- (1)式 ▲数式、化学式、表等があります▼(II) で示される10,11−ジヒドロ−5H−ジベンズ(b
;f)アゼピンを、金属触媒及び水素受容体の共存下で
脱水素化し、式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) で示される5H−ジベンズ(b;f)アゼピンを製造す
る方法であって、 高沸点の極性プロトン性溶媒と、この極性プロトン性溶
媒よりも高い沸点を有する選択使用の無極性溶媒との混
合物中で、300℃を超えない温度にて、溶融状態か、
あるいは液体状態で反応を行ない、その際、式(II)で
示される化合物に対して算出された0.35〜2モル当
量の水素受容体を用いることを特徴とする5H−ジベン
ズ(b;f)アゼピンの製造方法。 - (2)水素受容体として、高沸点のニトロ化合物、また
は高沸点の不飽和化合物を用いる請求項(1)記載の製
造方法。 - (3)極性プロトン性溶媒として、エチレングリコール
、オリゴグリコール、ポリエチレングリコール、または
それらの誘導体を、また無極性溶媒として、ジフィルま
たは多塩素化ベンゼンを用いる請求項(1)記載の製造
方法。 - (4)溶媒を加えてから、触媒を濾別し、次に、水、ま
たは生成物が難溶である有機溶媒を加えて、生成物を晶
出させる請求項(1)記載の製造方法。 - (5)脱水素反応に使用される金属触媒を再生利用する
請求項(1)記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| HU892158A HU206682B (en) | 1989-05-04 | 1989-05-04 | Improved process for producing 5h-dibenz/b,f/azepine |
| HU2251-2158/89 | 1989-05-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0356465A true JPH0356465A (ja) | 1991-03-12 |
Family
ID=10958059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2115944A Pending JPH0356465A (ja) | 1989-05-04 | 1990-05-07 | 5H‐ジベンズ(b;f)アゼピンの製造方法 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0396134A1 (ja) |
| JP (1) | JPH0356465A (ja) |
| KR (1) | KR930011490B1 (ja) |
| DD (1) | DD294247A5 (ja) |
| HU (1) | HU206682B (ja) |
| IL (1) | IL94271A (ja) |
| PL (1) | PL163638B1 (ja) |
| RU (1) | RU1797609C (ja) |
| YU (1) | YU47006B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| AT401772B (de) | 1994-12-27 | 1996-11-25 | Chemie Linz Gmbh | Verfahren zur reinigung von 5h-dibenzo-(b,f)-azepin |
| AT409628B (de) * | 2000-04-10 | 2002-09-25 | Dsm Fine Chem Austria Gmbh | Reinigungsverfahren zur herstellung von hochreinem 5h-dibenzo-(b,f)-azepin |
| CN101307021B (zh) * | 2008-07-04 | 2010-06-23 | 浙江工业大学 | 一种亚氨基芪的化学合成方法 |
| CN105439954A (zh) * | 2014-09-25 | 2016-03-30 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种亚氨基芪的单步合成方法 |
| CN105566223A (zh) * | 2014-10-17 | 2016-05-11 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种亚氨基芪粗品重结晶方法 |
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|---|---|---|---|---|
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-
1989
- 1989-05-04 HU HU892158A patent/HU206682B/hu not_active IP Right Cessation
-
1990
- 1990-05-02 PL PL90285047A patent/PL163638B1/pl unknown
- 1990-05-03 KR KR1019900006244A patent/KR930011490B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 1990-05-03 IL IL9427190A patent/IL94271A/xx unknown
- 1990-05-04 EP EP90108372A patent/EP0396134A1/de not_active Ceased
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- 1990-05-04 RU SU904830088A patent/RU1797609C/ru active
- 1990-05-04 DD DD90340402A patent/DD294247A5/de not_active IP Right Cessation
- 1990-05-07 JP JP2115944A patent/JPH0356465A/ja active Pending
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