JPH0356670A - ターゲット材料の剥削装置 - Google Patents

ターゲット材料の剥削装置

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JPH0356670A
JPH0356670A JP2110708A JP11070890A JPH0356670A JP H0356670 A JPH0356670 A JP H0356670A JP 2110708 A JP2110708 A JP 2110708A JP 11070890 A JP11070890 A JP 11070890A JP H0356670 A JPH0356670 A JP H0356670A
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JP
Japan
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target
cylindrical
axis
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laser beam
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JP2110708A
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Willi Zander
ウイリ・ザンデル
Bernd Stritzker
ベルント・シュトリッツケル
Joachim Froehlingsdorf
ヨアヒム・フレーリンクスドルフ
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Forschungszentrum Jülich
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Forschungszentrum Jülich
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    • H10N60/01—Manufacture or treatment
    • H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
    • H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
    • H10N60/0521—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers by pulsed laser deposition, e.g. laser sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
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    • C23C14/087—Oxides of copper or solid solutions thereof
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の利用分野１ 本発明は、ターゲットと、ターゲット材料を蒸発する為
にレーザー光線が向けられているターゲットの為の回転
可能な支持体とより成るターゲット材料用剥削（Ａｂｔ
ｒａｇｅ）装置に関するｑ［従来技術１ この種の装置は例えばドイツ特許出願Ｐ　３８２２　５
０２．６−４５に記載されている。この装置は１１１１
Ｖ一室に配置されており、ターゲットの化学量論的像（
ｓｔ６ｃｈｉｏｍｅｔｒｉｓｈｅ　Ａｂｂｉｌｄｕｎｇ
）を得る為に、即ちターゲット材料の正確な組成で基体
を被覆する為に利用される。この場合、υＨＶ一室にお
いてターゲット材料を剥削することによってプラズマが
ターゲット材料から生しる。長方形の光線プロフィール
を円筒状レンズによって線状に焦点を集めるエキシマー
レーザーを脈動的に使用する。それ故に高い析出速度が
同時的に化学量論量的像をもたらしながら達成される。
この場合、ターゲットは回転されそしてレーザー光線を
板状ターゲットの正面に向ける。これによって確かに一
応は均一な剥削が達威されるが、一方においてはターゲ
ットの耐用年数を減少させそしてもう一方においては方
法の均質性および再現性に悪影響を及ぼす、ターゲット
中心にクレーターを形成せしめる。
［発明が解決しようとする課題１ それ故に本発明の課題は、上述の欠点を生じない冒頭に
記載の種類の装置を提供することである。
Ｉ発明の構成ｌ この課題は請求項ｌに記載の特徴部分を持つ装−置によ
って解決される。
本発明の装置の場合には、好ましくは円筒状物の軸の回
りだけを回転できるだけでなく、この軸の回りを移動す
ることもできるように配置されている円筒状あるいはロ
ール状ターゲットを使用する。ターゲット材料の剥削は
、線の所で円筒状ジャケットの上に当たるように焦点を
合わせられているレーザー光線によって行う．これによ
って上記の欠点なしに一様な剥離を行なえる。この装置
を有効に利用する為にはレーザーを、上記線が円筒状物
の軸に実質的に平行に延びるように方向つける。
基体を被覆する方法の場合には、被覆すべき基体に向け
られたプラズマの最適な実施形態はターゲットの上への
光線の投射角および照射場所の状態（円筒状ジャケット
の上の線の状態）に依存している。この場合、装置の適
当な調整はレーザー光線の方向調整によって行うことが
できるが、ターゲットを側に移動することによっても行
うことができる．それ故に、ターゲットを補足的に側に
移動すことができることが有利である。
図面に、装置の一つの実施例を概略的に示し且つ以下に
詳細に説明する。
ロール状（円筒状）ターゲット（１）は、円筒状物軸の
回りを回転することのでき且つ該軸の長手方向に移動さ
せることができるように支持体（２）に取付けられてい
る．円筒状レンズ（３）によって円筒状物壁の上の、円
筒状物の軸に平行に延びる線（４）にレーザー光線の魚
点を合わせる．この場合、ターゲットの材料が剥削され
そして基体（５）の上に析出する。
図面から判る通り、線（４）の照射場所は円筒状レンズ
の中心とターゲットの中心軸との間の連結線の下にある
。このように、プラズマ自体を基体（４）に向いて生じ
せしめることによって達威され、それによって基体の上
に析出する層の形成が有利になる。
上記の種類の装置は、ＹＢａｚＣｕａＯ＋より成る酸化
性高温超伝導体の材料より成る薄い層を製造するのに使
用した。その際に脈動したエキシマレーザー（ＬＡＭＢ
ＤＡ　ＰＩ｛ＹＳＩＫ、ＥＭＧ　２０１｝を使用した。
【図面の簡単な説明】
図面は、本発明の装置の一つの実施形態を示している．
図中の記号は以下を意味する：１・・・ターゲット ２・・・支持体 ３・・・円筒状レンズ ４・ ・線 ５・ ・基体

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）ターゲットと、ターゲット材料を蒸発させる為にレ
    ーザー光線が向けられているターゲットの為の回転可能
    な支持体とより成るターゲット材料用剥削装置において
    、ターゲット（１）が円筒状でありそして支持体（２）
    によって該円筒状物の軸の回りを回転することができそ
    してレーザー光線が円筒状ジャケットの上に向けられて
    いることを特徴とする、上記装置。 ２）ターゲット（１）が円筒状物軸の長手方向で移動し
    得る請求項１に記載の装置。 ３）レーザー光線が、円筒状ジャケットの上に線（４）
    の状態で当たるように焦点を合わせる請求項１または２
    に記載の装置。 ４）線（４）が円筒状物軸に対して平行に延びている請
    求項３に記載の装置。 ５）ターゲット（１）が側方向に移動し得る請求項１〜
    ４の何れか一つに記載の装置。
JP2110708A 1989-05-02 1990-04-27 ターゲット材料の剥削装置 Pending JPH0356670A (ja)

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DE3914476.3 1989-05-02
DE3914476A DE3914476C1 (ja) 1989-05-02 1989-05-02

Publications (1)

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JPH0356670A true JPH0356670A (ja) 1991-03-12

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JP2110708A Pending JPH0356670A (ja) 1989-05-02 1990-04-27 ターゲット材料の剥削装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004509233A (ja) * 2000-09-20 2004-03-25 エイジーティ　ワン　プロプライエタリー　リミテッド レーザー切除による薄膜の蒸着
WO2005028696A1 (ja) * 2003-09-16 2005-03-31 Sumitomo Electric Industries, Ltd. 薄膜の製造方法ならびに薄膜線材の製造方法およびパルスレーザ蒸着装置
JP2025537560A (ja) * 2023-10-11 2025-11-18 マル エルアンドシー カンパニー リミテッド パルスレーザ蒸着による超電導層薄膜蒸着装置

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6149988A (en) * 1986-09-26 2000-11-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method and system of laser processing
US5708252A (en) * 1986-09-26 1998-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Excimer laser scanning system
US5200230A (en) * 1987-06-29 1993-04-06 Dunfries Investments Limited Laser coating process
US6261856B1 (en) 1987-09-16 2001-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method and system of laser processing
US5578350A (en) * 1990-07-03 1996-11-26 Fraunhofer-Gesellschaft Method for depositing a thin layer on a substrate by laser pulse vapor deposition
JP2597260B2 (ja) * 1990-07-03 1997-04-02 フラウンホツフアー―ゲゼルシヤフト ツル フエルデルング デル アンゲヴアンドテン フオルシユウング エー．フアウ． レ−ザ−パルス蒸着堆積による薄膜形成方法
DE4022817C1 (ja) * 1990-07-18 1991-11-07 Deutsche Forschungsanstalt Fuer Luft- Und Raumfahrt Ev, 5300 Bonn, De
JPH0532494A (ja) * 1991-07-29 1993-02-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 複合酸化物超電導薄膜の成膜方法
US5242706A (en) * 1991-07-31 1993-09-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Laser-deposited biocompatible films and methods and apparatuses for producing same
US5227204A (en) * 1991-08-27 1993-07-13 Northeastern University Fabrication of ferrite films using laser deposition
DE4229399C2 (de) * 1992-09-03 1999-05-27 Deutsch Zentr Luft & Raumfahrt Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer Funktionsstruktur eines Halbleiterbauelements
JP3255469B2 (ja) * 1992-11-30 2002-02-12 三菱電機株式会社 レーザ薄膜形成装置
GB2300000A (en) * 1992-11-30 1996-10-23 Mitsubishi Electric Corp Thin film forming using laser and activated oxidising gas
US5405659A (en) * 1993-03-05 1995-04-11 University Of Puerto Rico Method and apparatus for removing material from a target by use of a ring-shaped elliptical laser beam and depositing the material onto a substrate
US5432313A (en) * 1993-06-23 1995-07-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Target configurations for increasing the size of films prepared by laser ablation
US5411772A (en) * 1994-01-25 1995-05-02 Rockwell International Corporation Method of laser ablation for uniform thin film deposition
DE4405598C1 (de) * 1994-02-22 1995-09-21 Deutsche Forsch Luft Raumfahrt Verfahren zum Beschichten und Beschichtungsvorrichtung
AU4194896A (en) * 1994-10-18 1996-05-06 Edsi, Inc. Apparatus for depositing a layer of material on a substrate
AT402945B (de) * 1995-07-03 1997-09-25 Joanneum Research Forschungsge Verfahren und vorrichtung zur beschichtung der oberfläche eines substrats
DE10248962B4 (de) * 2002-10-21 2007-10-25 THEVA DüNNSCHICHTTECHNIK GMBH Verfahren zur Herstellung einer Hochtemperatur-Supraleiterschicht
US8378258B2 (en) * 2004-08-02 2013-02-19 Ipg Microsystems Llc System and method for laser machining
GB2419894B (en) * 2004-10-22 2009-08-26 Plasma Quest Ltd Sputtering system
PT2159300E (pt) * 2008-08-25 2012-03-08 Solmates Bv Método para depositar um material
EP2910664B1 (en) * 2014-02-21 2019-04-03 Solmates B.V. Device for depositing a material by pulsed laser deposition and a method for depositing a material with the device
FI20155578A (fi) * 2015-08-10 2017-02-11 Picodeon Ltd Oy Menetelmä ohutkalvojen valmistamiseksi laserablaatiolla käyttämällä moniosaisia laserpulsseja rengasmaisen pyörivän kohtion kanssa

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3538298A (en) * 1968-07-17 1970-11-03 Gen Electric Method for balancing rotating objects with laser radiation
US4065656A (en) * 1975-06-30 1977-12-27 Corning Glass Works Electrical resistor and method of production
US4200382A (en) * 1978-08-30 1980-04-29 Polaroid Corporation Photographic processing roller and a novel method which utilizes a pulsed laser for manufacturing the roller
US4304978A (en) * 1978-10-05 1981-12-08 Coherent, Inc. Heat treating using a laser
US4281030A (en) * 1980-05-12 1981-07-28 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Implantation of vaporized material on melted substrates
US4701592A (en) * 1980-11-17 1987-10-20 Rockwell International Corporation Laser assisted deposition and annealing
JPS58130443A (ja) * 1982-01-28 1983-08-03 Fuji Photo Film Co Ltd 磁気記録媒体の製造方法
US4427723A (en) * 1982-02-10 1984-01-24 Rockwell International Corporation Method and apparatus for laser-stimulated vacuum deposition and annealing technique
US4566936A (en) * 1984-11-05 1986-01-28 North American Philips Corporation Method of trimming precision resistors
US4756811A (en) * 1985-09-30 1988-07-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing bubble-mode optical recording media
US4816293A (en) * 1986-03-27 1989-03-28 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Process for coating a workpiece with a ceramic material
GB2208390B (en) * 1987-08-06 1991-03-27 Plessey Co Plc Thin film deposition process
US4874741A (en) * 1988-04-14 1989-10-17 The Research Foundation Of State University Of New York Non-enhanced laser evaporation of oxide superconductors
DE3822502C1 (ja) * 1988-07-03 1989-08-24 Kernforschungsanlage Juelich Gmbh, 5170 Juelich, De
US5015492A (en) * 1989-04-03 1991-05-14 Rutgers University Method and apparatus for pulsed energy induced vapor deposition of thin films
US5019552A (en) * 1990-02-20 1991-05-28 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Long-laser-pulse method of producing thin films

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004509233A (ja) * 2000-09-20 2004-03-25 エイジーティ　ワン　プロプライエタリー　リミテッド レーザー切除による薄膜の蒸着
WO2005028696A1 (ja) * 2003-09-16 2005-03-31 Sumitomo Electric Industries, Ltd. 薄膜の製造方法ならびに薄膜線材の製造方法およびパルスレーザ蒸着装置
JP2025537560A (ja) * 2023-10-11 2025-11-18 マル エルアンドシー カンパニー リミテッド パルスレーザ蒸着による超電導層薄膜蒸着装置

Also Published As

Publication number Publication date
US5084300A (en) 1992-01-28
DE59007423D1 (de) 1994-11-17
EP0396099B1 (de) 1994-10-12
DE3914476C1 (ja) 1990-06-21
EP0396099A1 (de) 1990-11-07

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