JPH0357239A - 半導体用試験回路パターン - Google Patents
半導体用試験回路パターンInfo
- Publication number
- JPH0357239A JPH0357239A JP19348589A JP19348589A JPH0357239A JP H0357239 A JPH0357239 A JP H0357239A JP 19348589 A JP19348589 A JP 19348589A JP 19348589 A JP19348589 A JP 19348589A JP H0357239 A JPH0357239 A JP H0357239A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- time
- measuring
- mos
- constant current
- circuit
- Prior art date
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- Pending
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体ウェハー上に形成される試験回路パタ
ーンに関する． 〔発明の概要１ 本発明は，半導体ウェハーの所定箇所に設けられた試験
回路用パターンに定電流回路を内蔵することで，従来数
箇所〜数百箇所の測定を行う際に何十時間ちかかるとい
う問題を解決した．［従来の技術１ 従来，半導体ウェハーの所足箇所に設けられた試験回路
パターンは，第２図に示す構成であり，これに電流源を
接続して第４図の試験回路を形成して試験回路パターン
として形成された多数のＭＯＳダイ才一ド２の特性を順
次試験していた．〔発明が解決しようとする課題｝ しかし、上記構成では，各ＭＯＳグイ才一ドを順次測定
するので，数箇所から数百箇所に及ぶ測定を行うには，
場合によっては何十時間らかかるという問題点があった
． 本発明は、上記問題点を解決した改良された試験回路パ
ターンの提供を目的とする． １課題を解決するための手段〕 本発明が上記目的を達成するために採用した手段は、試
験回路パターンとして，定電流回路とＭＯＳダイオード
との直列接続回路を構成したことにある． ［作用Ｉ ＭＯＳダイオードに定電流回路を直列に設けたことで、
実際の試験測定回路は，第３図に示す構成とすることが
できるので，電圧源を各回路バタ−ンに並列に接続する
ことにより測定回路が構成される． したがって、電圧計Ｖを時分割することにより多数の測
定箇所を短時間に測定することが可能になる。
ーンに関する． 〔発明の概要１ 本発明は，半導体ウェハーの所定箇所に設けられた試験
回路用パターンに定電流回路を内蔵することで，従来数
箇所〜数百箇所の測定を行う際に何十時間ちかかるとい
う問題を解決した．［従来の技術１ 従来，半導体ウェハーの所足箇所に設けられた試験回路
パターンは，第２図に示す構成であり，これに電流源を
接続して第４図の試験回路を形成して試験回路パターン
として形成された多数のＭＯＳダイ才一ド２の特性を順
次試験していた．〔発明が解決しようとする課題｝ しかし、上記構成では，各ＭＯＳグイ才一ドを順次測定
するので，数箇所から数百箇所に及ぶ測定を行うには，
場合によっては何十時間らかかるという問題点があった
． 本発明は、上記問題点を解決した改良された試験回路パ
ターンの提供を目的とする． １課題を解決するための手段〕 本発明が上記目的を達成するために採用した手段は、試
験回路パターンとして，定電流回路とＭＯＳダイオード
との直列接続回路を構成したことにある． ［作用Ｉ ＭＯＳダイオードに定電流回路を直列に設けたことで、
実際の試験測定回路は，第３図に示す構成とすることが
できるので，電圧源を各回路バタ−ンに並列に接続する
ことにより測定回路が構成される． したがって、電圧計Ｖを時分割することにより多数の測
定箇所を短時間に測定することが可能になる。
［実施例］
以下定電流ＴＤＤＢ試験を例にとって実施例について説
明する． 定電流ＴＤＤＢは、０．０１Ａ／ｃｍ” から数十Ａ
／ ｃ ｒｎ’までの定電流を印加しＭＯＳダイ才一
ドなどが破壊するまでの時間、ここで破壊するまでの時
間とは電圧がある一定値以下に下がるまでの時間を指す
が、それの測定を例えばウェハー内数箇所〜数百箇所行
う場合に、各パターン中のＭＯＳダイ才一ドにはそれぞ
れ電流回路が接続されているので、ウェハー上の各パタ
ーンに同時に電圧源を接続して第３図に示す測定回路を
構成することができる． このときの電圧降下の制定は時分割走査が可能な電圧計
を使用して行う． したがって、従来ｌ箇所について数秒〜ｔ’ｌ ｌ Ｏ
分の測定時間がかかり、場合によっては数百箇所に及ぶ
測定には全体として何十時間もかがることがあった測定
時間が、本発明では測定箇所の数に無関係になるため、
測定時間はパターン中のＭＯＳダイオードが破壊するま
での時間の最ち長くかかったポイント時間のみで全体の
−１１定が終了する． ［発明の効果］ 定ｔｉｔ流回路を試験用バクーンに内蔵したことにより
、各ＭＯＳに同時に通電することが可能になったため、
前述した定電流ＴＤＤＢ試験のような測定の大幅な時間
短縮が得られる．
明する． 定電流ＴＤＤＢは、０．０１Ａ／ｃｍ” から数十Ａ
／ ｃ ｒｎ’までの定電流を印加しＭＯＳダイ才一
ドなどが破壊するまでの時間、ここで破壊するまでの時
間とは電圧がある一定値以下に下がるまでの時間を指す
が、それの測定を例えばウェハー内数箇所〜数百箇所行
う場合に、各パターン中のＭＯＳダイ才一ドにはそれぞ
れ電流回路が接続されているので、ウェハー上の各パタ
ーンに同時に電圧源を接続して第３図に示す測定回路を
構成することができる． このときの電圧降下の制定は時分割走査が可能な電圧計
を使用して行う． したがって、従来ｌ箇所について数秒〜ｔ’ｌ ｌ Ｏ
分の測定時間がかかり、場合によっては数百箇所に及ぶ
測定には全体として何十時間もかがることがあった測定
時間が、本発明では測定箇所の数に無関係になるため、
測定時間はパターン中のＭＯＳダイオードが破壊するま
での時間の最ち長くかかったポイント時間のみで全体の
−１１定が終了する． ［発明の効果］ 定ｔｉｔ流回路を試験用バクーンに内蔵したことにより
、各ＭＯＳに同時に通電することが可能になったため、
前述した定電流ＴＤＤＢ試験のような測定の大幅な時間
短縮が得られる．
第１図は、本発明の一実施例を示す試験回路パターンを
示す図、第２図は、従来の試験回路パターンを示す図、
第３図は、第１図の試験回路パターンを用いた測定回路
の構成図、第４図は、第２図の試験回路パターンを用い
た試験回路の構成図である。 ・定電流回路 ・ＭＯＳダイ才一ド ・電圧源 ・時分割走査する電圧計 ・電流計 ・電圧計 半導体ウェハー内の試験回路パター ン部 ・半導体ウェハー内の試験回路Ｂター ン部 以上
示す図、第２図は、従来の試験回路パターンを示す図、
第３図は、第１図の試験回路パターンを用いた測定回路
の構成図、第４図は、第２図の試験回路パターンを用い
た試験回路の構成図である。 ・定電流回路 ・ＭＯＳダイ才一ド ・電圧源 ・時分割走査する電圧計 ・電流計 ・電圧計 半導体ウェハー内の試験回路パター ン部 ・半導体ウェハー内の試験回路Ｂター ン部 以上
Claims (1)
- 半導体ウェハー上に形成され、定電流回路とＭＯＳダイ
オードとの直列接続回路からなる半導体用試験回路パタ
ーン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19348589A JPH0357239A (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 半導体用試験回路パターン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19348589A JPH0357239A (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 半導体用試験回路パターン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0357239A true JPH0357239A (ja) | 1991-03-12 |
Family
ID=16308818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19348589A Pending JPH0357239A (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 半導体用試験回路パターン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0357239A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007150007A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Sumco Corp | 半導体装置の評価方法および半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-07-25 JP JP19348589A patent/JPH0357239A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007150007A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Sumco Corp | 半導体装置の評価方法および半導体装置の製造方法 |
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