JPH0357629B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0357629B2 JPH0357629B2 JP20934385A JP20934385A JPH0357629B2 JP H0357629 B2 JPH0357629 B2 JP H0357629B2 JP 20934385 A JP20934385 A JP 20934385A JP 20934385 A JP20934385 A JP 20934385A JP H0357629 B2 JPH0357629 B2 JP H0357629B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- light
- infrared light
- chip
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は耐湿性の高い光結合素子の製造方法
に関するものである。
に関するものである。
一般に光結合素子においては、入出力間の絶縁
耐力と光伝達効率の2つの要素が主要特性となつ
ている。特に絶縁耐力を向上させるためには従来
から各種の構造が提案されており、その中でも第
2図に示すような2重モールド構造が入出力間の
絶縁距離が充分とれることから一般的に使用され
ている。すなわち第2図において、1は発光側の
リードフレーム、2は受光側のリードフレームで
あり、発光側のリードフレーム1には赤外発光ダ
イオードチツプ(以下チツプと称する)3がAg
ペースト等の鑞材4によりダイボンドされ、さら
に金線等のワイヤ5により配線されてそれらの周
面がシリコーン樹脂等の赤外光透過ワニス6でコ
ーテイングされている。一方、受光側のリードフ
レーム2にはチツプ3と対向する部分に例えばホ
トトランジスタ、ホトトライアツクあるいはホト
サイリスタ等の受光チツプ7がAgペーストある
いは半田等の鑞材4によりダイボンドされ、さら
に金線等のワイヤ5により配線されている。そし
て、発光側のリードフレーム1と受光側のリード
フレーム2とが、そのチツプ3と受光チツプ7と
を対向させて重ね合わされ、それらを包むように
して赤外光透過エポキシ樹脂8によりモールドさ
れ、さらにこのエポキシ樹脂8の外面が光遮光性
エポキシ樹脂9によりモールドされている。最後
に発光側、受光側のリードフレーム1,2のタイ
パーが切断されリードが成形されて2重モールド
構造の光結合素子が構成される。
耐力と光伝達効率の2つの要素が主要特性となつ
ている。特に絶縁耐力を向上させるためには従来
から各種の構造が提案されており、その中でも第
2図に示すような2重モールド構造が入出力間の
絶縁距離が充分とれることから一般的に使用され
ている。すなわち第2図において、1は発光側の
リードフレーム、2は受光側のリードフレームで
あり、発光側のリードフレーム1には赤外発光ダ
イオードチツプ(以下チツプと称する)3がAg
ペースト等の鑞材4によりダイボンドされ、さら
に金線等のワイヤ5により配線されてそれらの周
面がシリコーン樹脂等の赤外光透過ワニス6でコ
ーテイングされている。一方、受光側のリードフ
レーム2にはチツプ3と対向する部分に例えばホ
トトランジスタ、ホトトライアツクあるいはホト
サイリスタ等の受光チツプ7がAgペーストある
いは半田等の鑞材4によりダイボンドされ、さら
に金線等のワイヤ5により配線されている。そし
て、発光側のリードフレーム1と受光側のリード
フレーム2とが、そのチツプ3と受光チツプ7と
を対向させて重ね合わされ、それらを包むように
して赤外光透過エポキシ樹脂8によりモールドさ
れ、さらにこのエポキシ樹脂8の外面が光遮光性
エポキシ樹脂9によりモールドされている。最後
に発光側、受光側のリードフレーム1,2のタイ
パーが切断されリードが成形されて2重モールド
構造の光結合素子が構成される。
このように構成される光結合素子は、赤外光透
過エポキシ樹脂8として例えば酸無水硬化エポキ
シ樹脂あるいはフエノール硬化エポキシ樹脂等を
用いているので、両リードフレーム1,2上にバ
リ10が発生する。一般的に赤外透過エポキシ樹
脂は、金属に対する密着度が弱く、耐湿性が問題
となることがしばしばあつた。このため、前述し
た構成では、赤外光透過エポキシ樹脂8が光遮光
性エポキシ樹脂9により被覆されているので、赤
外光透過エポキシ樹脂8のバリ10がリードフレ
ーム1,2上に付着し、高温高湿試験およびプレ
ツシヤクツカー試験(PCT)において、チツプ
3および受光チツプ7の耐圧が劣化する現象が生
じる。
過エポキシ樹脂8として例えば酸無水硬化エポキ
シ樹脂あるいはフエノール硬化エポキシ樹脂等を
用いているので、両リードフレーム1,2上にバ
リ10が発生する。一般的に赤外透過エポキシ樹
脂は、金属に対する密着度が弱く、耐湿性が問題
となることがしばしばあつた。このため、前述し
た構成では、赤外光透過エポキシ樹脂8が光遮光
性エポキシ樹脂9により被覆されているので、赤
外光透過エポキシ樹脂8のバリ10がリードフレ
ーム1,2上に付着し、高温高湿試験およびプレ
ツシヤクツカー試験(PCT)において、チツプ
3および受光チツプ7の耐圧が劣化する現象が生
じる。
従来の光結合素子は、以上のように構成されて
いるので、耐湿性を向上させなければならず、内
部モールド、つまり赤外光透過エポキシ樹脂のリ
ードフレームに付着したバリを取り除くことが必
要であつた。
いるので、耐湿性を向上させなければならず、内
部モールド、つまり赤外光透過エポキシ樹脂のリ
ードフレームに付着したバリを取り除くことが必
要であつた。
この発明に係る光結合素子の製造方法は、発光
素子部と受光素子部とを赤外光透過エポキシ樹脂
でモールドした後、リードフレーム上に付着した
バリを除去し、しかる後、光遮光性エポキシ樹脂
をモールドするものである。
素子部と受光素子部とを赤外光透過エポキシ樹脂
でモールドした後、リードフレーム上に付着した
バリを除去し、しかる後、光遮光性エポキシ樹脂
をモールドするものである。
この発明においては、リードフレーム上に付着
した赤外光透過エポキシ樹脂のバリを除去するこ
とにより、リードフレームと光遮光性エポキシ樹
脂との間に密着性の低い赤外光透過エポキシ樹脂
が介在されなくなり、耐湿性が向上される。
した赤外光透過エポキシ樹脂のバリを除去するこ
とにより、リードフレームと光遮光性エポキシ樹
脂との間に密着性の低い赤外光透過エポキシ樹脂
が介在されなくなり、耐湿性が向上される。
以下、この発明の一実施例を図面を用いて説明
する。
する。
第1図は本発明による光結合素子の製造方法の
一実施例を説明するための断面図である。同図に
おいて、まず、発光側リードフレーム1の所定位
置にチツプ3をAgペースト等の鑞材4でダイボ
ンドする。また、同様に受光側リードフレーム2
の前記チツプ3と対向する位置に受光チツプ7を
Agペーストあるいは半田等の鑞材4でダイボン
ドする。次にチツプ3および受光チツプ7をAu
線、Al線、Cu線等のワイヤ5でそれぞれ配線を
行なつた後、チツプ3上にシリコーン等の赤外光
透過ワニス6でコーテイングを施こす。引き続き
発光側のリードフレーム1と受光側のリードフレ
ーム2とを対向させるように重ね合わせた後、赤
外光透過エポキシ樹脂8でチツプ3、受光チツプ
7およびワイヤ7等を包むように内部モールドす
る。しかる後、液体ホーニング装置(ガラスビー
ズ等の材料)、電界バリ取り装置あるいは化学バ
リ取り液を用いてバリ取りを施こし、リードフレ
ーム1,2上に付着した前記赤外光透過エポキシ
樹脂8のバリを完全に除去する。さらに前記赤外
光透過エポキシ樹脂8の外周部を光遮光性エポキ
シ樹脂9でモールドした後、リードフレーム1,
2のタイバーを切断してリードを成形する。
一実施例を説明するための断面図である。同図に
おいて、まず、発光側リードフレーム1の所定位
置にチツプ3をAgペースト等の鑞材4でダイボ
ンドする。また、同様に受光側リードフレーム2
の前記チツプ3と対向する位置に受光チツプ7を
Agペーストあるいは半田等の鑞材4でダイボン
ドする。次にチツプ3および受光チツプ7をAu
線、Al線、Cu線等のワイヤ5でそれぞれ配線を
行なつた後、チツプ3上にシリコーン等の赤外光
透過ワニス6でコーテイングを施こす。引き続き
発光側のリードフレーム1と受光側のリードフレ
ーム2とを対向させるように重ね合わせた後、赤
外光透過エポキシ樹脂8でチツプ3、受光チツプ
7およびワイヤ7等を包むように内部モールドす
る。しかる後、液体ホーニング装置(ガラスビー
ズ等の材料)、電界バリ取り装置あるいは化学バ
リ取り液を用いてバリ取りを施こし、リードフレ
ーム1,2上に付着した前記赤外光透過エポキシ
樹脂8のバリを完全に除去する。さらに前記赤外
光透過エポキシ樹脂8の外周部を光遮光性エポキ
シ樹脂9でモールドした後、リードフレーム1,
2のタイバーを切断してリードを成形する。
このような方法によれば、チツプ3、受光チツ
プ7およびワイヤ5等を赤外光透過エポキシ樹脂
8でモールドした後、そのバリ取りを行つたこと
により、リードフレーム1,2上に付着した赤外
光透過エポキシ樹脂8のバリ10(第2図参照)
が確実に除去されるとともに、リードフレーム
1,2の表面に微細な凹凸面1a,2aが形成さ
れるので、光透過性エポキシ樹脂がリードフレー
ム1,2表面に直接的密着されてモールドされる
ことになり、したがつて外部から水分等が入る余
地が全くなくなり、耐湿性が大幅に向上される。
プ7およびワイヤ5等を赤外光透過エポキシ樹脂
8でモールドした後、そのバリ取りを行つたこと
により、リードフレーム1,2上に付着した赤外
光透過エポキシ樹脂8のバリ10(第2図参照)
が確実に除去されるとともに、リードフレーム
1,2の表面に微細な凹凸面1a,2aが形成さ
れるので、光透過性エポキシ樹脂がリードフレー
ム1,2表面に直接的密着されてモールドされる
ことになり、したがつて外部から水分等が入る余
地が全くなくなり、耐湿性が大幅に向上される。
以上説明したようにこの発明によれば、内部モ
ールド時に発生したリードフレーム上のバリを確
実に除去するようにしたので、光結合素子の信頼
性が大幅に向上できるとともに、機械的強度も同
時に増大でき、さらには歩留りも向上できるなど
の極めて優れた効果が得られる。
ールド時に発生したリードフレーム上のバリを確
実に除去するようにしたので、光結合素子の信頼
性が大幅に向上できるとともに、機械的強度も同
時に増大でき、さらには歩留りも向上できるなど
の極めて優れた効果が得られる。
第1図はこの発明の一実施例を説明するための
光結合素子の断面図、第2図は従来の光結合素子
の断面図である。 1……発光側のリードフレーム、2……受光側
のリードフレーム、3……赤外発光ダイオードチ
ツプ(チツプ)、4……鑞材、5……ワイヤ、6
……ワニス、7……受光チツプ、8……赤外光透
過エポキシ樹脂、9……光遮光性エポキシ樹脂、
10……バリ。
光結合素子の断面図、第2図は従来の光結合素子
の断面図である。 1……発光側のリードフレーム、2……受光側
のリードフレーム、3……赤外発光ダイオードチ
ツプ(チツプ)、4……鑞材、5……ワイヤ、6
……ワニス、7……受光チツプ、8……赤外光透
過エポキシ樹脂、9……光遮光性エポキシ樹脂、
10……バリ。
Claims (1)
- 1 一対のリードフレーム上に赤外発光ダイオー
ドチツプと受光チツプとを対向配置させ前記両チ
ツプを赤外光透過エポキシ樹脂で封止し、さらに
該赤外光透過エポキシ樹脂の外面を光遮光性エポ
キシ樹脂で封止してなる光結合素子において、前
記赤外光透過エポキシ樹脂を封止した後、前記リ
ードフレームの表面に付着した赤外光透過エポキ
シ樹脂を除去し、しかる後光遮光性エポキシ樹脂
を封止することを特徴とした光結合素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60209343A JPS6267882A (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | 光結合素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60209343A JPS6267882A (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | 光結合素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6267882A JPS6267882A (ja) | 1987-03-27 |
| JPH0357629B2 true JPH0357629B2 (ja) | 1991-09-02 |
Family
ID=16571377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60209343A Granted JPS6267882A (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | 光結合素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6267882A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2428435B1 (de) | 2010-09-14 | 2012-11-07 | Joseph Vögele AG | Raupenfahrwerk |
-
1985
- 1985-09-19 JP JP60209343A patent/JPS6267882A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6267882A (ja) | 1987-03-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0448767A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| KR101036987B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JPS6151933A (ja) | 半導体装置の製法 | |
| JPH0357629B2 (ja) | ||
| JPH04363031A (ja) | 半導体装置 | |
| KR100220244B1 (ko) | 솔더 범프를 이용한 스택 패키지 | |
| JP2634249B2 (ja) | 半導体集積回路モジュール | |
| US6242801B1 (en) | Semiconductor device | |
| CN222339921U (zh) | 一种光电耦合器的封装结构及光电耦合器 | |
| KR100308899B1 (ko) | 반도체패키지및그제조방법 | |
| JPS62171131A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3710522B2 (ja) | 光半導体装置およびその製造方法 | |
| KR100209682B1 (ko) | 반도체 패키지 제조방법 | |
| JP3201063B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2944591B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR940006582B1 (ko) | 세라믹 반도체 패키지 구조 및 그 제조방법 | |
| KR0124545Y1 (ko) | 스텝형 패키지 | |
| JPH0379068A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2999639B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2702193B2 (ja) | 光結合素子の製造方法 | |
| KR940008328B1 (ko) | 필름 타입 반도체 패키지(F-PAC : Film-Type Package) 및 그 제조 방법 | |
| JPH0366150A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH0637221A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS62132352A (ja) | 光透過用窓ガラスを有する半導体装置の製造方法 | |
| JPS61271848A (ja) | 半導体パツケ−ジの製法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |