JPH0360136A - 半導体製造方法 - Google Patents
半導体製造方法Info
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- JPH0360136A JPH0360136A JP1194077A JP19407789A JPH0360136A JP H0360136 A JPH0360136 A JP H0360136A JP 1194077 A JP1194077 A JP 1194077A JP 19407789 A JP19407789 A JP 19407789A JP H0360136 A JPH0360136 A JP H0360136A
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- Japan
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- transparent resin
- transparent
- solution
- semiconductor element
- light
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
- H10W72/01515—Forming coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、固体撮像素子などを含み透光性窓を有する半
導体装置およびその製造方法に関する。
導体装置およびその製造方法に関する。
固体撮像装置は、外部から光を取り入れることができる
ようにアルミナまたは石英ガラスなどの透光部材が取り
つけられたセラミックパッケージにより半導体素子が封
止されている。ところが、この構造では封止材料が高価
であり透光部材の貼付けや埋込みのために特別の工程が
必要となり、他の半導体装置で行なわれている樹脂モー
ルドに比べて高価になる。これを解決するために樹脂材
料を用いて封止する構造が知られている。第３図は、特
開昭５９−１６７０３７号公報に開示されている半導体
装置の断面図である。１は半導体素子で、マウント部材
２を介してリードフレームのアイランド３に装着されて
いる。また半導体素子ｌはボンディング線４を介してリ
ードフレームのリード部５に接続されている。半導体素
子１上には透明樹脂６によって透光部材７が接着されて
いる。透光部材７の透明樹脂６との接着面に対向する他
の一面８と、リードフレームの外部リード部９とが露出
するように封止樹脂１０により全体が封止されている。
ようにアルミナまたは石英ガラスなどの透光部材が取り
つけられたセラミックパッケージにより半導体素子が封
止されている。ところが、この構造では封止材料が高価
であり透光部材の貼付けや埋込みのために特別の工程が
必要となり、他の半導体装置で行なわれている樹脂モー
ルドに比べて高価になる。これを解決するために樹脂材
料を用いて封止する構造が知られている。第３図は、特
開昭５９−１６７０３７号公報に開示されている半導体
装置の断面図である。１は半導体素子で、マウント部材
２を介してリードフレームのアイランド３に装着されて
いる。また半導体素子ｌはボンディング線４を介してリ
ードフレームのリード部５に接続されている。半導体素
子１上には透明樹脂６によって透光部材７が接着されて
いる。透光部材７の透明樹脂６との接着面に対向する他
の一面８と、リードフレームの外部リード部９とが露出
するように封止樹脂１０により全体が封止されている。
透明樹脂６は、半導体素子１のメモリ部１１．Ａｆｉパ
ッド部１３を含む面およびボンディング線４の先端のボ
ール部１２を含む−部を被覆している。、透光部材７は
外部からの光線を半導体素子上の受光部１１に照射する
窓の役割りをする。
ッド部１３を含む面およびボンディング線４の先端のボ
ール部１２を含む−部を被覆している。、透光部材７は
外部からの光線を半導体素子上の受光部１１に照射する
窓の役割りをする。
［発明が解決しようとする課題］
前述の半導体装置は厳しい温度サイクル試験を行なうと
、温度サイクル時の応力によってボンディング線４が断
線する場合がある。これは、ボンディング１ｉＡ４はボ
ール部１２と細線よりなるボンディング線の４の一部は
透明樹脂６で被覆され残りの部分は封止樹脂１０で被覆
され、透明樹脂６、封止樹脂１０に接着し固定されてお
り、透明樹脂６、封止樹脂１０と例えばＡｕからなるボ
ンディング線４の熱膨張係数が異なるため、低温放置と
高温放置を交互に繰返す温度サイクル試験では、ボンデ
ィング線４が繰返し応力を受は断線するためと考えられ
る。封止樹脂１０は無機酸化物などを添加して、ボンデ
ィング線４の熱膨張係数に近づけているが、透明樹脂６
では光線を透過させるため無機酸化物などの添加はなく
、ボンディングｍ４と熱膨張係数の差が大きく応力も大
きくなる。
、温度サイクル時の応力によってボンディング線４が断
線する場合がある。これは、ボンディング１ｉＡ４はボ
ール部１２と細線よりなるボンディング線の４の一部は
透明樹脂６で被覆され残りの部分は封止樹脂１０で被覆
され、透明樹脂６、封止樹脂１０に接着し固定されてお
り、透明樹脂６、封止樹脂１０と例えばＡｕからなるボ
ンディング線４の熱膨張係数が異なるため、低温放置と
高温放置を交互に繰返す温度サイクル試験では、ボンデ
ィング線４が繰返し応力を受は断線するためと考えられ
る。封止樹脂１０は無機酸化物などを添加して、ボンデ
ィング線４の熱膨張係数に近づけているが、透明樹脂６
では光線を透過させるため無機酸化物などの添加はなく
、ボンディングｍ４と熱膨張係数の差が大きく応力も大
きくなる。
そのため、ボンディング、＆！４を封止樹脂１０のみで
被覆する構造も提案されているが、この構造は耐温度サ
イクル性は優れているが封止樹脂１０と透光部材７およ
び透明樹脂６との界面から水分が侵入し、ＡＱ配線部で
ＡＱ腐食が生じやすくなるという問題点がある。この問
題を解決するために特開昭６２−２５７７５７号公報に
公示されているように、透明樹脂を溶媒に溶かし、この
溶液を素子表面に滴下し溶媒を蒸発させて透明樹脂の膜
を素子のＡＩ２パッド部を覆い、かつ、強度の高いボン
ディングワイヤ線のボール部の高さ以下の厚みにする方
法がある。しかし、ながら、この方法で製作した透明樹
脂層は表面が平坦でなく透明部材を接着した際に樹脂と
の界面にボイド（空孔）が生じる問題点および溶液塗布
後素子表面全体を被覆する時間が長いという問題があっ
た。
被覆する構造も提案されているが、この構造は耐温度サ
イクル性は優れているが封止樹脂１０と透光部材７およ
び透明樹脂６との界面から水分が侵入し、ＡＱ配線部で
ＡＱ腐食が生じやすくなるという問題点がある。この問
題を解決するために特開昭６２−２５７７５７号公報に
公示されているように、透明樹脂を溶媒に溶かし、この
溶液を素子表面に滴下し溶媒を蒸発させて透明樹脂の膜
を素子のＡＩ２パッド部を覆い、かつ、強度の高いボン
ディングワイヤ線のボール部の高さ以下の厚みにする方
法がある。しかし、ながら、この方法で製作した透明樹
脂層は表面が平坦でなく透明部材を接着した際に樹脂と
の界面にボイド（空孔）が生じる問題点および溶液塗布
後素子表面全体を被覆する時間が長いという問題があっ
た。
本発明の目的は、かかる問題点を解決することにある。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するためにとられた本発明の構成は、中
央部に受光部が設けられ、外周部にボンディング線が取
付けられるバッド部が設けられている半導体素子の表面
に透明樹脂を介して透光部材の一面が配置され、該透光
部材の他の一面が露出した状態で樹脂で封止されている
半導体装置において、前記メモリ部と前記パッド部を封
止する透明樹脂層を透明樹脂と溶剤からなる溶液を噴霧
状にして素子上に塗布し、乾燥し溶剤を除去したもので
ある。
央部に受光部が設けられ、外周部にボンディング線が取
付けられるバッド部が設けられている半導体素子の表面
に透明樹脂を介して透光部材の一面が配置され、該透光
部材の他の一面が露出した状態で樹脂で封止されている
半導体装置において、前記メモリ部と前記パッド部を封
止する透明樹脂層を透明樹脂と溶剤からなる溶液を噴霧
状にして素子上に塗布し、乾燥し溶剤を除去したもので
ある。
［作用コ
本発明では、透明樹脂と溶剤からなる溶液を用いること
により最適粘度での噴霧状塗布が可能となる。噴霧状で
素子上に塗布することにより、短時間で透明樹脂成分が
均一に素子上に分布し、溶液除去後平坦な透明４ｉ￥１
脂層が形成される。透明樹脂としては、シリコーン樹脂
が好ましく、特に側鎖にフェニル基を主体としたポリシ
ロキサン骨格を持つ付加型シリコーンゴム、シリコーン
ゲルが好ましい。
により最適粘度での噴霧状塗布が可能となる。噴霧状で
素子上に塗布することにより、短時間で透明樹脂成分が
均一に素子上に分布し、溶液除去後平坦な透明４ｉ￥１
脂層が形成される。透明樹脂としては、シリコーン樹脂
が好ましく、特に側鎖にフェニル基を主体としたポリシ
ロキサン骨格を持つ付加型シリコーンゴム、シリコーン
ゲルが好ましい。
溶剤としては、上記透明樹脂を十分溶かす化合物、特に
１．１．２−トリクロロ−１，２，，２トリフルオロエ
タンが好ましい。
１．１．２−トリクロロ−１，２，，２トリフルオロエ
タンが好ましい。
［実施Ｎ］
以下１本発明の一実施例を第１図で説明する。
第上図は一実施例の断面図で、第３図と同一の部分には
同一の符号が付しである。この実施例の半導体装置は固
定撮像素子で、半導体素子ｌはリードフレームのアイラ
ンド３の上に装着されている。半導体素子上は３０μｍ
φのＡｕ線からなるボンディング線４でリードフレーム
のリード部５に接続されている。半導体素子１の受光部
、ＡＭパッド部１３．ボンディングｇ４のボール部１２
の一部をコートする透明樹脂層６が形成され、透明樹脂
６によってホウケイ酸ガラスの透光部材７が固定されて
いる。この実施例の半導体装置作製に当っては、シリコ
ーン系ポリマ６の未硬化物をトリクロルトリフルオロエ
タンに溶かした３％の溶液を半導体素子１上に１０μα
噴Ｖ＃塗布し室温で１時間風乾して平坦で薄い暦を形成
したのち、透光部材７をシリコーン系ポリマの上に設置
し１５０℃で１ｈ硬化した後、構成物全体をエポキシ系
ポリマからなる封止樹脂１０で封止する。
同一の符号が付しである。この実施例の半導体装置は固
定撮像素子で、半導体素子ｌはリードフレームのアイラ
ンド３の上に装着されている。半導体素子上は３０μｍ
φのＡｕ線からなるボンディング線４でリードフレーム
のリード部５に接続されている。半導体素子１の受光部
、ＡＭパッド部１３．ボンディングｇ４のボール部１２
の一部をコートする透明樹脂層６が形成され、透明樹脂
６によってホウケイ酸ガラスの透光部材７が固定されて
いる。この実施例の半導体装置作製に当っては、シリコ
ーン系ポリマ６の未硬化物をトリクロルトリフルオロエ
タンに溶かした３％の溶液を半導体素子１上に１０μα
噴Ｖ＃塗布し室温で１時間風乾して平坦で薄い暦を形成
したのち、透光部材７をシリコーン系ポリマの上に設置
し１５０℃で１ｈ硬化した後、構成物全体をエポキシ系
ポリマからなる封止樹脂１０で封止する。
［発明の効果］
本発明は、耐温度サイクル性および耐湿性に優れたパッ
ケージに窓を有する半導体装置を提供可能とするもので
、産業上の効果の大なるものである。
ケージに窓を有する半導体装置を提供可能とするもので
、産業上の効果の大なるものである。
第１図は本発明の半導体装置の一実施例の断面図、第２
図は本発明の半導体装置の製造方法の説明図、第３図は
従来の半導体装置の断面図である。 符号の説明 １・・・半導体素子、２・・・接着剤、３・・・マウン
ト部。 ４・・・ボンディング線、６・・・透明樹脂、７・・・
透光部材、９・・・リード部、１０・・・封止樹脂、１
１・・・受光部、１２・・・ボール部、１３・・・ＡＱ
パッド部。 （Ｇ） 第１図 Ｃ６） 第５図 （Ｃ）
図は本発明の半導体装置の製造方法の説明図、第３図は
従来の半導体装置の断面図である。 符号の説明 １・・・半導体素子、２・・・接着剤、３・・・マウン
ト部。 ４・・・ボンディング線、６・・・透明樹脂、７・・・
透光部材、９・・・リード部、１０・・・封止樹脂、１
１・・・受光部、１２・・・ボール部、１３・・・ＡＱ
パッド部。 （Ｇ） 第１図 Ｃ６） 第５図 （Ｃ）
Claims (1)
- １、中央部に受光部が設けられ、外周部にボンディング
線が取り付けられるパッド部が設けられている半導体素
子の表面に透光性の透明樹脂を介して透光部材の一面が
配置され、該透光部材の他の一面が露出した状態で樹脂
封止されている半導体装置において、該透明樹脂と溶剤
からなる溶液を噴霧状にして、該半導体素子上に塗布す
る工程を有することを特徴とする半導体製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1194077A JPH0360136A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 半導体製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1194077A JPH0360136A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 半導体製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0360136A true JPH0360136A (ja) | 1991-03-15 |
Family
ID=16318577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1194077A Pending JPH0360136A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 半導体製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0360136A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010093285A (ja) * | 2003-02-28 | 2010-04-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-07-28 JP JP1194077A patent/JPH0360136A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010093285A (ja) * | 2003-02-28 | 2010-04-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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