JPS60193345A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS60193345A JPS60193345A JP59049646A JP4964684A JPS60193345A JP S60193345 A JPS60193345 A JP S60193345A JP 59049646 A JP59049646 A JP 59049646A JP 4964684 A JP4964684 A JP 4964684A JP S60193345 A JPS60193345 A JP S60193345A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent body
- mold
- resin
- sealing
- resin layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/01—Manufacture or treatment
- H10W74/016—Manufacture or treatment using moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/853—On the same surface
- H10W72/865—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置、とくに、光消去可能なメモリー素
子や、ＣＯＤ、ＣＰＤ等の固体撮像素子を封有し、光透
過性の窓を有する樹脂封止型半導体装置の製造方法に関
する。
子や、ＣＯＤ、ＣＰＤ等の固体撮像素子を封有し、光透
過性の窓を有する樹脂封止型半導体装置の製造方法に関
する。
従来例の構成とその問題点
光で消去を行なう半導体メモリー装着や固体撮像装置で
は、コストダウンをねらって、従来のセラミック製のパ
ッケージに代わって、光透過性の窓材を封止樹脂ととも
に一体成型したパッケージを用いたものが現れている。
は、コストダウンをねらって、従来のセラミック製のパ
ッケージに代わって、光透過性の窓材を封止樹脂ととも
に一体成型したパッケージを用いたものが現れている。
従来、このような装置は第１図〜第３図に示すように、
まず、第１図のように、半導体メモリー素子や固体撮像
素子１を素子載置板２上に固定し、素子１上の電極と外
部リード３の内端とを金属細線４で接続し、ついで、第
２図のように、光透過性の樹脂６を介して透明体６を接
着し、この透明体６０表面を封止用金型７の内壁に押し
当てた状態で金型空間に封止樹脂８を注入して、第３図
のように樹脂封止成型を行なっていた。この製造方法で
は、透明体６０表面を金型７の内壁に押し崩てる際、強
すぎると石英やアルミナガラスからなる透明体６の表面
に傷がついたり、あるいは破損したりする。一方押し当
てる圧力が不十分だと封止樹脂注入のとき透切体６の表
面と金型７の内壁とのすきまにまで封止樹脂が入りこみ
透明体６の表面上に薄い樹脂膜を形成する。この樹脂膜
は後に機械的に除去しなければならず、煩雑な工程が必
要である。また機械的な除去を行なうと透明体６０表面
が傷つけら常に厳密にコノトロールしなければいけない
。このことはリードフレームや透明体の寸法および透明
体を半導体素子表面に接着する工程に対し、非常な高精
度を要求することになり、コストアンプやスループット
の低下をまねく。
まず、第１図のように、半導体メモリー素子や固体撮像
素子１を素子載置板２上に固定し、素子１上の電極と外
部リード３の内端とを金属細線４で接続し、ついで、第
２図のように、光透過性の樹脂６を介して透明体６を接
着し、この透明体６０表面を封止用金型７の内壁に押し
当てた状態で金型空間に封止樹脂８を注入して、第３図
のように樹脂封止成型を行なっていた。この製造方法で
は、透明体６０表面を金型７の内壁に押し崩てる際、強
すぎると石英やアルミナガラスからなる透明体６の表面
に傷がついたり、あるいは破損したりする。一方押し当
てる圧力が不十分だと封止樹脂注入のとき透切体６の表
面と金型７の内壁とのすきまにまで封止樹脂が入りこみ
透明体６の表面上に薄い樹脂膜を形成する。この樹脂膜
は後に機械的に除去しなければならず、煩雑な工程が必
要である。また機械的な除去を行なうと透明体６０表面
が傷つけら常に厳密にコノトロールしなければいけない
。このことはリードフレームや透明体の寸法および透明
体を半導体素子表面に接着する工程に対し、非常な高精
度を要求することになり、コストアンプやスループット
の低下をまねく。
発明の目的
本発明は上に述べたような従来の製造方法に見られた問
題をと９除いた製造方法を提供することを目的とする。
題をと９除いた製造方法を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明は半導体素子表面上に透明体を設け、樹脂封止前
に透明体表面に弾性樹脂層を設け、弾性樹脂層を金型内
壁に押しあてた状態で、樹脂封止すべき構造体を金型に
固定し、封止用樹脂を注入。
に透明体表面に弾性樹脂層を設け、弾性樹脂層を金型内
壁に押しあてた状態で、樹脂封止すべき構造体を金型に
固定し、封止用樹脂を注入。
硬化した後、前記弾性樹脂層を除去し、前記透明体表面
を露出させる工程を含む製造方法であり、この製造方法
によれば、金型に構造体を固定する際に透明体表面に傷
が入ったり、あるいは破損したすせず、また透明体表面
に封止樹脂の薄い膜が形成されることもなく、煩雑な工
程を付加することなく、高歩留りで半導体装置が製造で
きる。
を露出させる工程を含む製造方法であり、この製造方法
によれば、金型に構造体を固定する際に透明体表面に傷
が入ったり、あるいは破損したすせず、また透明体表面
に封止樹脂の薄い膜が形成されることもなく、煩雑な工
程を付加することなく、高歩留りで半導体装置が製造で
きる。
実施例の説明
第４図〜第８図の工程順断面図を参照して本発明の第１
実施例を説明する。まず、第４図のように、光消去を行
なう半導体メモリー素子やＣＯＤ。
実施例を説明する。まず、第４図のように、光消去を行
なう半導体メモリー素子やＣＯＤ。
ＣＰＤ等の固体撮像素子（以下、光感応素子という）１
を素子載置板２上に固定し、同光感応素子１上の電極と
外部リード３とを金属細線４で接続し、シリコーン樹脂
などの光透過性の樹脂６を介して窓材となる石英、アル
ミナガラス等の透明体６を設ける。これまでは第１図の
場合と同じである。
を素子載置板２上に固定し、同光感応素子１上の電極と
外部リード３とを金属細線４で接続し、シリコーン樹脂
などの光透過性の樹脂６を介して窓材となる石英、アル
ミナガラス等の透明体６を設ける。これまでは第１図の
場合と同じである。
次に、第６図のように透明体６０表面に弾性樹脂層９を
形成する。本実施例では面積約３６−の透明体６の表面
に６〜１０ｍ９のシリコーン樹脂を塗布し１６０〜２０
０℃でキュアーを行ない最終的に厚さ３００〜５００１
上ｍの弾性樹脂層９を得た。
形成する。本実施例では面積約３６−の透明体６の表面
に６〜１０ｍ９のシリコーン樹脂を塗布し１６０〜２０
０℃でキュアーを行ない最終的に厚さ３００〜５００１
上ｍの弾性樹脂層９を得た。
金型空間内に封止樹脂８を注入する。封止樹脂８の硬化
が終了した製品は第７図のようになる。
が終了した製品は第７図のようになる。
つづいて、透明体６の表面の弾性樹脂層９の除去を行な
う。本実施例で弾性樹脂層９として用いたシリコーン樹
脂は、室温硫酸中で超音波を印加すれば数分間以内に選
択的に除去できる。弾性樹脂層９を完全に除去し透明体
６の表面を露出させると第８図に示すようになり、外部
リード３の折り曲げ成型。
う。本実施例で弾性樹脂層９として用いたシリコーン樹
脂は、室温硫酸中で超音波を印加すれば数分間以内に選
択的に除去できる。弾性樹脂層９を完全に除去し透明体
６の表面を露出させると第８図に示すようになり、外部
リード３の折り曲げ成型。
試験、マーキングを経て、製品は完成する。この製造方
法によれば樹脂封止の際に透明体６が金型７の内壁に直
接押しあてられることがないため透明体６表面に傷がつ
いたり破損したりすることがない。また透明体６の表面
と金型７の内壁との間は弾性樹脂層９が介在し、両者に
密着しているため、不要な封止樹脂の膜が発生すること
がない。
法によれば樹脂封止の際に透明体６が金型７の内壁に直
接押しあてられることがないため透明体６表面に傷がつ
いたり破損したりすることがない。また透明体６の表面
と金型７の内壁との間は弾性樹脂層９が介在し、両者に
密着しているため、不要な封止樹脂の膜が発生すること
がない。
また透明体６と金型７の内壁の間に弾性樹脂層９次に第
９図〜第１３図の工程１屓断面図を用いて第２実施例を
説明する。第９図のように透明体６を光感応素子１上に
設けるまでは第１実施例と同様である。つづいて、第１
０図のように透明体６の表面にシリコーン樹脂などの弾
性樹脂層９を設ける。本実施例では第１０図に示すよう
に、透明体６０表面周縁に弾性樹脂層９を形成せず、封
止後露出させるべき領域のみに弾性樹脂層９を選択的に
形成する。後の工程は第１実施例に示したとおり、第１
１図のように、弾性樹脂層９を金型７の内壁に押しあて
て封止すべき構造体を固定して、金型７による空間内に
封止樹脂８を注入、硬化させ、第１２図のような封止構
造を作る。そして、第１３図のように、弾性樹脂層９を
、たとえば室温硫酸中で超音波処理をして除去すれば透
明体６の表面が露出する。この製造方法によれば、第１
実施例の効果に加えて、透明体６の表面周縁部が封止樹
脂８におおわれており、透明体６の固定がより完全にな
るとともに、透明体６と封止樹脂８との界面をつたわっ
ての水分の侵入を考えると、本製造方法で得られる半導
体装置はその侵入経路が長くなっており、耐湿性の向上
も期待できる。
９図〜第１３図の工程１屓断面図を用いて第２実施例を
説明する。第９図のように透明体６を光感応素子１上に
設けるまでは第１実施例と同様である。つづいて、第１
０図のように透明体６の表面にシリコーン樹脂などの弾
性樹脂層９を設ける。本実施例では第１０図に示すよう
に、透明体６０表面周縁に弾性樹脂層９を形成せず、封
止後露出させるべき領域のみに弾性樹脂層９を選択的に
形成する。後の工程は第１実施例に示したとおり、第１
１図のように、弾性樹脂層９を金型７の内壁に押しあて
て封止すべき構造体を固定して、金型７による空間内に
封止樹脂８を注入、硬化させ、第１２図のような封止構
造を作る。そして、第１３図のように、弾性樹脂層９を
、たとえば室温硫酸中で超音波処理をして除去すれば透
明体６の表面が露出する。この製造方法によれば、第１
実施例の効果に加えて、透明体６の表面周縁部が封止樹
脂８におおわれており、透明体６の固定がより完全にな
るとともに、透明体６と封止樹脂８との界面をつたわっ
ての水分の侵入を考えると、本製造方法で得られる半導
体装置はその侵入経路が長くなっており、耐湿性の向上
も期待できる。
また別の実施例として、第１４図〜第１８図にその工程
順断面図を示す。これの各工程は、第９図〜第１３図の
場合と同じで、説明を省略するが、この結果をいえば、
透明体６の表面周縁部に環状に弾性樹脂層９を形成する
方法も可能である。この方法では透明体６の表面中央部
には弾性樹脂層９は形成されないが、金型７の内壁には
透明体６の表面周縁部の弾性樹脂層９が押しあてられる
ため透明体６の表面中央部は金型７の内壁と接触せず、
傷が生じたり、あるいは破損の心配はない。
順断面図を示す。これの各工程は、第９図〜第１３図の
場合と同じで、説明を省略するが、この結果をいえば、
透明体６の表面周縁部に環状に弾性樹脂層９を形成する
方法も可能である。この方法では透明体６の表面中央部
には弾性樹脂層９は形成されないが、金型７の内壁には
透明体６の表面周縁部の弾性樹脂層９が押しあてられる
ため透明体６の表面中央部は金型７の内壁と接触せず、
傷が生じたり、あるいは破損の心配はない。
また、注入された樹脂８は透明体６の表面周縁部の弾性
樹脂層９によって阻止され、透明体６の表面中央部にい
たることもない。封止後、透明体６の表面周縁部に残っ
た弾性樹脂層９は第１．第２実施例と同様の方法で除去
できる。
樹脂層９によって阻止され、透明体６の表面中央部にい
たることもない。封止後、透明体６の表面周縁部に残っ
た弾性樹脂層９は第１．第２実施例と同様の方法で除去
できる。
発明の効果
本発明によれば素子表面上に透明体を有し、透明体の表
面を露出させて樹脂外囲部が形成される半導体装置の製
造方法において非常に高い寸法精度をもつ材料２部品を
用いたり、厳密な管理を行なうことなく樹脂封止が実施
でき、また樹脂封止後の処理も化学的で、透明体表面に
傷がつけるおそれがないので、低コストでかつ高歩留り
の製造が可能となる。
面を露出させて樹脂外囲部が形成される半導体装置の製
造方法において非常に高い寸法精度をもつ材料２部品を
用いたり、厳密な管理を行なうことなく樹脂封止が実施
でき、また樹脂封止後の処理も化学的で、透明体表面に
傷がつけるおそれがないので、低コストでかつ高歩留り
の製造が可能となる。
第１図〜第３図は従来の製造方法を説明した工程順断面
図、第４図〜第８図は本発明第１実施例の製造方法を説
明した工程順断面図、第９図〜第１３図は本発明第２実
施例の製造方法を説明した工程断面図、第１４図〜第１
８図は本発明第３実施例の製造方法を説明した工程順断
面図である。 １・・・・・・光感応素子、２・・・・・・素子載置板
、３・・・・・・リード、４・・・・・・金属細線、６
・・・・・・光透過性樹脂、６・・・・・・透明体（窓
材）、７・・・・・・封止金型、８・・・・・・封止樹
脂（外囲部）、９・・・・・・弾性樹脂。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 第 ２ 図 第４図 第８図 ？ 第９図 第１１図 第１２１７１ 第１３図 第１４図 第１５図
図、第４図〜第８図は本発明第１実施例の製造方法を説
明した工程順断面図、第９図〜第１３図は本発明第２実
施例の製造方法を説明した工程断面図、第１４図〜第１
８図は本発明第３実施例の製造方法を説明した工程順断
面図である。 １・・・・・・光感応素子、２・・・・・・素子載置板
、３・・・・・・リード、４・・・・・・金属細線、６
・・・・・・光透過性樹脂、６・・・・・・透明体（窓
材）、７・・・・・・封止金型、８・・・・・・封止樹
脂（外囲部）、９・・・・・・弾性樹脂。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 第 ２ 図 第４図 第８図 ？ 第９図 第１１図 第１２１７１ 第１３図 第１４図 第１５図
Claims (2)
- （１）半導体素子表面上に透明体を設け、樹脂封止前に
前記透明体表面に弾性樹脂層を設け、同弾性樹脂層を金
型内壁に押し当てた状態で樹脂封止すべき構造体を前記
金型に固定し、封止用樹脂を注入した後、前記弾性樹脂
層を除去し、前記透明体表面を露出させる工程をそなえ
た半導体装置の製造方法。 - （２）弾性樹脂がシリコーン樹脂であシ、その除去方法
として室温硫酸中での超音波処理を用いる特許請求の範
囲第１項に記載の半導体装置の製造方法・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59049646A JPS60193345A (ja) | 1984-03-15 | 1984-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59049646A JPS60193345A (ja) | 1984-03-15 | 1984-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60193345A true JPS60193345A (ja) | 1985-10-01 |
Family
ID=12836967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59049646A Pending JPS60193345A (ja) | 1984-03-15 | 1984-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60193345A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4812420A (en) * | 1986-09-30 | 1989-03-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of producing a semiconductor device having a light transparent window |
| EP0682374A1 (en) * | 1994-05-09 | 1995-11-15 | Euratec B.V. | Method for encapsulating an integrated circuit |
| WO1998008251A1 (en) * | 1996-08-20 | 1998-02-26 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor and method for manufacturing the same |
| EP0936683A4 (en) * | 1997-06-27 | 2000-11-22 | Iwasaki Electric Co Ltd | REFLECTIVE LIGHT-EMITTING DIODE |
| EP1246235A1 (en) * | 2001-03-26 | 2002-10-02 | European Semiconductor Assembly (Eurasem) B.V. | Method for encapsulating a chip having a sensitive surface |
| WO2003069670A1 (en) * | 2002-02-18 | 2003-08-21 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing same |
| WO2006092725A1 (en) * | 2005-03-03 | 2006-09-08 | Melexis Nv | Packaging integrated circuits |
-
1984
- 1984-03-15 JP JP59049646A patent/JPS60193345A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4812420A (en) * | 1986-09-30 | 1989-03-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of producing a semiconductor device having a light transparent window |
| EP0682374A1 (en) * | 1994-05-09 | 1995-11-15 | Euratec B.V. | Method for encapsulating an integrated circuit |
| NL9400766A (nl) * | 1994-05-09 | 1995-12-01 | Euratec Bv | Werkwijze voor het inkapselen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling. |
| US5863810A (en) * | 1994-05-09 | 1999-01-26 | Euratec B.V. | Method for encapsulating an integrated circuit having a window |
| WO1998008251A1 (en) * | 1996-08-20 | 1998-02-26 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor and method for manufacturing the same |
| EP0936683A4 (en) * | 1997-06-27 | 2000-11-22 | Iwasaki Electric Co Ltd | REFLECTIVE LIGHT-EMITTING DIODE |
| EP1246235A1 (en) * | 2001-03-26 | 2002-10-02 | European Semiconductor Assembly (Eurasem) B.V. | Method for encapsulating a chip having a sensitive surface |
| WO2002078077A1 (en) * | 2001-03-26 | 2002-10-03 | European Semiconductor Assembly (Eurasem) B.V. | Method for encapsulating a chip having a sensitive surface |
| US7312106B2 (en) | 2001-03-26 | 2007-12-25 | Elmos Advanced Packaging B.V. | Method for encapsulating a chip having a sensitive surface |
| WO2003069670A1 (en) * | 2002-02-18 | 2003-08-21 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing same |
| WO2006092725A1 (en) * | 2005-03-03 | 2006-09-08 | Melexis Nv | Packaging integrated circuits |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3630447B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JP3846094B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0997888A (ja) | 光学装置およびその製造方法 | |
| JP3173586B2 (ja) | 全モールド型固体撮像装置およびその製造方法 | |
| US6984421B2 (en) | Encapsulation for an electrical component and method for producing the same | |
| JP2002134762A (ja) | 光学装置及びその製造方法 | |
| JP2002094035A (ja) | 光透過用キャップ及びその製造方法 | |
| JPS60193364A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3013656B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置のパッケージ組立構造 | |
| JPS58194382A (ja) | 発光装置用電極構体 | |
| JP2983767B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JPS6062279A (ja) | 固体撮像装置 | |
| CN112951855A (zh) | 图像传感器芯片的封装方法及封装件 | |
| JPH0331384B2 (ja) | ||
| JPH04280658A (ja) | 窓を有する集積回路用ケースおよび製造法 | |
| JPH04157759A (ja) | 光学半導体装置及び該装置の成型方法 | |
| JPS6214100B2 (ja) | ||
| JPH0770632B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0438871A (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 | |
| JPH01300530A (ja) | 半導体素子実装体の製造方法 | |
| JPH02222551A (ja) | 箱型樹脂成形体成形用金型およびこの金型を用いた半導体装置の製造方法 | |
| JP2002289717A (ja) | リードフレーム、電子部品装置及びその製造方法 | |
| JPH0360136A (ja) | 半導体製造方法 | |
| JPH07161859A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01117348A (ja) | 半導体パッケージの製造方法 |