JPH036013A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH036013A JPH036013A JP1140600A JP14060089A JPH036013A JP H036013 A JPH036013 A JP H036013A JP 1140600 A JP1140600 A JP 1140600A JP 14060089 A JP14060089 A JP 14060089A JP H036013 A JPH036013 A JP H036013A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- duct
- carrier gas
- spray nozzle
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Special Spraying Apparatus (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置に関し、特に半導体基板の表面
に種々の塗布薬液を噴霧して均一な薬液膜を形成するの
に使用される半導体製造装置に関する。
に種々の塗布薬液を噴霧して均一な薬液膜を形成するの
に使用される半導体製造装置に関する。
従来、この種の半導体製造装置は半導体基板上方に固定
されもしくは水平方向に可動な１個以上の噴霧ノズルを
有し、半導体基板は回転可能な基盤上に真空吸着される
構造となっていた。
されもしくは水平方向に可動な１個以上の噴霧ノズルを
有し、半導体基板は回転可能な基盤上に真空吸着される
構造となっていた。
上述した従来の半導体製造装置は、半導体基板上方に噴
霧ノズルを有するため、噴霧点から塗布面までの距離が
、半導体基盤中央部と外周部で異なるため、塗布膜厚に
バラツキが生じるという欠点がある。
霧ノズルを有するため、噴霧点から塗布面までの距離が
、半導体基盤中央部と外周部で異なるため、塗布膜厚に
バラツキが生じるという欠点がある。
また、半導体基板を回転させる構造であるため塗布薬液
の半導体基板エッヂ部及び裏面への回り込みが生じ、後
工程での膜の剥れや膜のエツチング残りを誘発する原因
となっていた。
の半導体基板エッヂ部及び裏面への回り込みが生じ、後
工程での膜の剥れや膜のエツチング残りを誘発する原因
となっていた。
本発明の半導体製造装置は、半導体基板を真空吸着する
基盤と、前記基盤に真空吸着された半導体基板のエッヂ
部を覆うマスクと、前記マスク上部に開孔部が位置する
ダクトと、前記ダクト内に塗布薬液を霧状にして導入す
る噴霧ノズルと、前記噴霧、ノズル後方からキャリアガ
スを供給する手段とを含むというものである。
基盤と、前記基盤に真空吸着された半導体基板のエッヂ
部を覆うマスクと、前記マスク上部に開孔部が位置する
ダクトと、前記ダクト内に塗布薬液を霧状にして導入す
る噴霧ノズルと、前記噴霧、ノズル後方からキャリアガ
スを供給する手段とを含むというものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す縦断面図である。
基盤５は半導体基板４を真空吸着し、半導体基板４の上
方には半導体基板のエツジ部を覆うマスク３が配置され
ている。ダクト２は内部に噴霧ノスル１を備え一端から
はキャリアガスを流し、他端は半導体基板４の」ユ方に
開口した構造となっている。
方には半導体基板のエツジ部を覆うマスク３が配置され
ている。ダクト２は内部に噴霧ノスル１を備え一端から
はキャリアガスを流し、他端は半導体基板４の」ユ方に
開口した構造となっている。
これにより、噴霧ノズル１により霧状にされた塗布薬液
はダクト２内でキャリアカスと混じり合い、均一な混合
ガスとなって半導体基板表面へ吹きつけられる為、均一
な薬液膜が塗布できる。その際半導体基板のエッヂ部及
び裏面への塗布薬液の付着はマスク３により防止されて
いる。
はダクト２内でキャリアカスと混じり合い、均一な混合
ガスとなって半導体基板表面へ吹きつけられる為、均一
な薬液膜が塗布できる。その際半導体基板のエッヂ部及
び裏面への塗布薬液の付着はマスク３により防止されて
いる。
第２図は本発明の第２の実施例を示す縦断面図である。
この実施例ではダクト２の内部に多数の孔を設けた板又
はメツシュ状のじゃま板６−１．６−２．６−３が設置
されているなめ霧状になった塗布薬液とキャリアガスの
混じり合いが更に均一となり、半導体基板表面の薬液膜
厚の均一性が向上する利点を有する。
はメツシュ状のじゃま板６−１．６−２．６−３が設置
されているなめ霧状になった塗布薬液とキャリアガスの
混じり合いが更に均一となり、半導体基板表面の薬液膜
厚の均一性が向上する利点を有する。
以上説明したように本発明は、半導体基板を真空吸着し
て基板に固定し、エッヂ部をマスクした状態で、キャリ
アガスと均一に混合した霧状塗布薬液を半導体基板表面
に吹きつけることにより、均一な厚さの薬液膜を塗布す
ることができる効果がある。さらに、半導体基板のエッ
ヂ部及び裏面への塗布薬液の付着を防止することができ
るなめ薬液膜の剥れやエツチング残りを皆無にすること
ができ、ゴミの発生を減少させる効果を有している。
て基板に固定し、エッヂ部をマスクした状態で、キャリ
アガスと均一に混合した霧状塗布薬液を半導体基板表面
に吹きつけることにより、均一な厚さの薬液膜を塗布す
ることができる効果がある。さらに、半導体基板のエッ
ヂ部及び裏面への塗布薬液の付着を防止することができ
るなめ薬液膜の剥れやエツチング残りを皆無にすること
ができ、ゴミの発生を減少させる効果を有している。
第１図は本発明の第１の実施例を示すＩＮ＠面図、第２
図は第２の実施例を示す縦断面図である。 ］ ・噴霧ノスル、２・・・ダクト、３・・・マスク、
４半導体基板、５・・基盤、６−１’、６−２．６３・
・じゃま板。
図は第２の実施例を示す縦断面図である。 ］ ・噴霧ノスル、２・・・ダクト、３・・・マスク、
４半導体基板、５・・基盤、６−１’、６−２．６３・
・じゃま板。
Claims (1)
- 半導体基板を真空吸着する基盤と、前記基盤に真空吸着
された半導体基板のエッヂ部を覆うマスクと、前記マス
ク上部に開孔部が位置するダクトと、前記ダクト内に塗
布薬液を霧状にして導入する噴霧ノズルと、前記噴霧ノ
ズル後方からキャリアガスを供給する手段とを含むこと
を特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1140600A JPH036013A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1140600A JPH036013A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH036013A true JPH036013A (ja) | 1991-01-11 |
Family
ID=15272475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1140600A Pending JPH036013A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH036013A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4991950B1 (ja) * | 2011-04-13 | 2012-08-08 | シャープ株式会社 | ミスト成膜装置 |
| KR101658958B1 (ko) * | 2015-05-12 | 2016-09-23 | 한국기계연구원 | 롤 금형 제작용 복합 선삭 가공기 |
-
1989
- 1989-06-02 JP JP1140600A patent/JPH036013A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4991950B1 (ja) * | 2011-04-13 | 2012-08-08 | シャープ株式会社 | ミスト成膜装置 |
| WO2012140792A1 (ja) * | 2011-04-13 | 2012-10-18 | シャープ株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
| KR101658958B1 (ko) * | 2015-05-12 | 2016-09-23 | 한국기계연구원 | 롤 금형 제작용 복합 선삭 가공기 |
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