JPH036014A - 既被露光域を有するレジスト塗布基板、その製造方法および製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、ＩＣ，ＬＳＩ等の製造時の原版として用いら
れるフォトマスク用基板に係り、特に、基板上の特定領
域に既被露光域を有する、既被露光域を有するレジスト
塗布基板、その製造方法および製造装置に関するもので
ある。

口従来の技術］ 従来、フォトマスク用基板に対してレジスト膜を形成す
る方法としては、レジストを高速回転している基板の上
面に滴下し、レジストに作用する遠心力を利用して矩形
をなす基板の全面に広げ、その後レジスト中の溶剤を蒸
発させて乾燥を行うことで均一なレジスト膜を得る方法
が一般的に採用されていた。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、従来のレジスト塗布方法においては、境
界条件が異なるために、基板の端面部には第４図の３′
に示すようなレジストの盛り上がりができ、その厚みは
１μｍを越える場合もある。

なお、第４図において、１はガラス等からなる基板、２
はクロム（Ｃｒ）等の金属膜、３は均一に塗布されたレ
ジスト膜を示す。

また、当該レジスト塊は、乾燥後に基板を持ち運ぶ際や
、搬送治具類との接触等により、第５図（ａ）に示すよ
うに亀裂もしくは剥離を生じ、マスク製造過程における
ゴミの発生源となる。

また、当該亀裂部分は、製版工程、特に、金属膜エツチ
ングの工程において、第５図（ｂ）に示すように、その
亀裂の文様を金属基板端面に転写される。そして、この
ようにして転写された金属基板端面の亀裂部においては
、フォトマスクが完成した後にも、第５図（Ｃ）の破線
６．７で示すように、金属膜の！１１１ｍ等が生じ、そ
の後のマスク洗浄時には剥離した金属破片がマスクパタ
ーン部に再付着しフォトマスクの外観不良を誘発するこ
とがあった。なお、第５図（ｂ）、（ｃ）は同図（ａ＞
の５で示す部分を拡大して示した図である。

この様なマスク完成後の基板端面からの金属（例えばク
ロム）片剥がれを防止する方法として、金属クロム製膜
時に予め基板端部をマスキングし、当該部分にクロムを
製膜しない方法が知られている。特に、剥離が生じる部
分は、製膜前のハンドリングによって異物あるいは手指
の油成分が付着して下地との密着性が低下しているとこ
ろであるから、当該部分にクロムを製膜しないようにす
ることは容易に想到し得る技術である。

ところが、上記の様な端面部にクロムを製膜しない基板
にＥ　Ｂ　（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｂｅａｍ）　レジスト
を塗布し、電子ビーム露光によりフォトマスクを形成す
る場合、基板端面には下地ガラスが露出しており、しか
も当該下地ガラスには電子ビームの照射により電荷が蓄
積されているために、基板周辺部では電子ビームが偏向
され、所定のマスクパターンが形成できないという問題
がある。

この問題を第６図を参照して説明すると次のようである
。

近年の半導体製造における写真製版技術においては、縮
小投影露光ステップアンドレビート方式が主流であり、
当該装置においては原寸の５倍程度の大きさのフォトマ
スクが使用される。そして、当該フォトマスク（レチク
ル）には、本パターン、即ち所定のマスクパターン以外
に、前工程製版との位置合わせを行うためのアライメン
ト・マークが周辺部に設けられる。このアライメント会
マークと本パターンとの相対位置関係は、半導体集積度
が向上している現在、歩留り、生産性に大きな影響を与
えるのであるが、上述した端面にクロム製膜を行わない
基板においては、当該アライメント・マークの位置精度
の保証はできないものである。つまり、端面部にクロム
製膜を行わない基板を用いた場合、基板周辺部では上述
したように電子ビームが偏向され、第６図に示すように
、アライメント・マークは本来形成される位置Ａからず
れた位置Ｂに形成されてしまう。なお、第６図において
、８は下地ガラスが露出している部分を示す。

かかる位置精度は、使用するＥＢレジスト感度、ドーズ
量、ガラス露出部面積、周辺導通体（カセット類）との
相対位置関係に依存し、これらの因子は統計的揺動要素
を宵しているので、常に一定の変位量が生じるわけでは
ない。例えば、ベクター式電子線描画装置を使用し、ポ
リブテンスルホンレジストにアライメント壷マークを描
画した場合、位置精度エラーが±０．５μｍ以上である
ことが確認された。

以上のようにクロム成膜時にマスキングすることは、ポ
ジ型の電子線レジストには不適であり、従って、端面の
クロムを除去する場合、描画装置自体で周辺部を描画す
るか、マスク作成後人なるレジストを再塗布して別製版
を行わなければならない。しかし、前者は基板カセット
保持部位の制約を受け、後者は再製版工程で新たに欠陥
を生じるという不具合がある。

これに対して、ポジ型のフォトレジストの場合には上記
のような不具合はない。しかし、コンタクト露光法を採
用する場合にはマスター側マスクがコピーブランクより
大きく且つ除去すべきバタ−ンが形成されていなくては
ならないという制約ができ、また、ステップアンドリピ
ート法の場合には、ステッパーで外周部を別館光するこ
とによって目的を達成することができるが、時間的制約
を受ける。

本発明は、上記の課題を解決するものであって、レジス
ト塗布基板の端面部のレジストを工程中に良好に除去で
きる既被露光域を有するレジスト塗布基板、その製造方
法および製造装置を提供することを目的とするものであ
る。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、従来のレジスト塗布基板が有する上述した問
題を、レジストを塗布した後、当該レジスト塗布基板の
特定領域、例えば端面部類域、を可視光あるいは遠視外
光等により予め露光することで既被露光域を設けること
によって解決することを特徴とするものである。その原
理を第１図に示す。図中、１０は基板、１１はレジスト
膜、１２はマスク、１３は既被露光域を示す。

第１図において、基板１０にはレジスト１１塗布されて
いる。なお、レジスト１１の塗布は従来の方法により塗
布されるので、第１図には示していないが、レジスト１
１は基板１０の端面部において、第６図の３′に示すよ
うに盛り上がっているものである。

このようなレジスト塗布基板に対してマスク１２を配置
し、基板１０の特定領域、第１図では端面部、を所定の
波長を宵する光で露光する。これにより、予め露光され
た既被露光域１３を形成する。当該既被露光域１３のレ
ジストは、後の現像工程で自動的に除去される。

さて、ネガ型レジストは、未露光域は現像工程で除去さ
れるため、何の対策を施さなくとも基板端面部のレジス
トは工程中に除去される。従って、ネガ型レジストは本
発明の対象ではなく、本発明ではポジ型レジストを対象
としている。そして、ポジ型レジストは光分解型高分子
であるから、使用する光源はレジスト１１がフォトレジ
ストの場合には可視光で露光すればよいが、電子線レジ
ストの場合は遠紫外光源により露光する必要がある。

［作用および発明の効果］ 本発明においては、基板にポジ型レジストを塗布した後
に、当該基板の特定領域を、使用するレジストに応じた
光により露光し、既被露光域を形成するので、当該既被
露光域のレジストは後の工程における現像で自動的に、
且つ良好に除去されることになる。従って、従来生じて
いたような、マスク洗浄時の基板端面からの剥離、脱落
する金属片の巻き込み等を有効に防止することができる
。

また、本発明はフォトレジストだけでなく、電子線レジ
ストに対しても適用できるものである。

［実施例コ 以下、図面を参照しつつ実施例を説明する。

第２図は既被露光域を形成するための露光装置の１例を
示す斜視図であり、図中、２１はレジスト塗布基板、２
２は保持チャック、２３は露光装置本体、２４は露光光
源、２５は反射ミラー　２６は露光マスクである。

第２図において、所定のレジストが塗布されたレジスト
塗布基板２１は保持チャック２２に保持された状態で露
光装置本体２３の露光マスク２６の下に配置される。露
光装置本体２３は、その内部に露光光源２４、反射ミラ
ー２５を備えてなり、露光光源２４から放射された光は
反射ミラー２５により露光マスク２６を介してレジスト
塗布基板２１に照射される。当該レジストがポジ型レジ
ストであることは言うまでもない。

レジスト塗布基板２１と露光マスク２６の位置関係は第
３図（ａ）、　　（ｂ）に示すようになされる。

即ち、レジスト塗布基板２２の中央部はマスクされて露
光されず、特定領域、第３図＜ａ）では２７で示すレジ
スト塗布基板２１の端面部のみが露光されるようになさ
れる。なお、レジスト塗布基板２１と露光マスク２６の
位置合わせは保持チャック２２と露光装置本体２３のヘ
ッド、即ち露光マスク２６が配置されている部分の外形
で行う。ヘッドとレジスト塗布基板２１の間には第３図
（ｂ）に示すように適当な距離が設けられており、密着
露光でなく、近接露光が行われるよ□うになされている
。また、ヘッドおよび保持チャック２２は、レジスト塗
布基板２１の中央部への光の回り込みを防止するため、
反射防止処理が施されている。

以上、本発明の１実施例について説明したが、本発明は
上記実施例に限定されるものではなく、種々の変形が可
能である。例えば、露光装置本体２３は、スピナカップ
の上に置くこともでき、その場合には保持チャック２２
はスピナのチャックが兼ねることになる。また、露光装
置本体２３にシャッター機構を設け、保持チャック２２
が露光装置本体２３のヘッドに近接しない時のレジスト
被りを防止するようにすることもできる。

また、露光装置本体の光学系は適宜設計することができ
るものであり、反射ミラーでなく、その他にも適当な透
過型光学部材等を用いて構成することもできるものであ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の詳細な説明するための図、第２図は露
光装置本体の斜視図、第３図は露光マスクとレジスト塗
布基板の位置関係を示す図、第４図は従来のレジスト塗
布方法で生じるレジストの盛り上がりを示す図、第５図
は同じ〈従来のレジスト塗布方法で生じるレジストおよ
び金属膜の亀裂、剥離を示す図、第６図は同じ〈従来の
レジスト塗布方法で生じる電子ビームの偏向を示す図で
ある。 １０・・・基板、　１１・・・レジスト膜、１２・・・
マスク、１３・・・既被露光域、２１・・・レジスト塗
布基板、２２・・・保持チャック、２３・・・露光装置
本体、２４・・・露光光源、２５・・・反射ミラー　２
６・・・露光マスク。 出　　願　　人　大日本印刷株式会社

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）ポジ型レジストを塗布した後、その特定領域を所
   定の波長を有する光により露光した既被露光域を設ける
   ことを特徴とする既被露光域を有するレジスト塗布基板
   。
2. （２）基板にポジ型レジストを塗布する第１の工程と、
   前記第１の工程で得た基板の特定領域を所定の波長を有
   する光で露光することにより既被露光域を形成する第２
   の工程とからなることを特徴とする既被露光域を有する
   レジスト塗布基板の製造方法。
3. （３）露光光源と、光学部材と、露光マスクを具備する
   露光装置本体と、レジストが塗布された基板を保持する
   保持チャックとで構成される露光装置において、前記露
   光マスクはレジストが塗布された基板の特定領域のみを
   露光するようになされていることを特徴とする既被露光
   域を有するレジスト塗布基板製造装置。