JPH0360317B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、印字駆動のタイミングをつくる手段
として磁気リニアスケールと磁気抵抗効果素子を
用いるシヤトル方式シリアルラインプリンタに関
し、特に印字期間の始端・後端において正確で安
定した印字タイミングを得るようにしたものであ
る。

（従来の技術） シヤトル方式シリアルラインプリンタでは、第
１０図に示すように、紙送り方向Ｂと略直角な
Ａ，A′方向に一定ピツチで多数のプリント素子
（第８図ではドツトインパクト式印字ハンマ）Di
をアレイ状に取り付けたヘツドバンク１を備え、
このヘツドバンク１を駆動モータ（図示せず）に
より偏心円板２を介してＡ，A′方向に往復直線
運動させる間に各プリント素子Diを複数の所定
ドツト位置に印字駆動する。図中、３ａおよび３
ｂはヘツドバンク１をＡ，A′方向に案内するた
めのレールである。ヘツドバンク１の運動は、第
１１図に示すように略正弦波状になり、印字期間
Ｃ１，Ｃ１′の初めと終わり付近では比較的遅く
中間点では最も速い。ヘツドバンク１の瞬間的位
置は位置検出装置により一定の距離間隔で検知さ
れ、第１２図に示すように、各プリント素子が次
に印字すべきドツト位置Qiから所定距離だけ前
の位置にあるときのタイミングを示す位置検出パ
ルスPiが位置検出装置からの位置検出信号に基づ
いて生成される。プリント素子駆動装置は、この
位置検出パルスPiに応答して励磁され各プリント
素子をドツト位置Qiに選択的に（すなわちキヤ
ラクタ内には印字しないドツト位置もあるので選
択的に）印打する。

従来、そのような位置検出装置としてロータリ
エンコーダが知られているが、最近では磁気リニ
アスケールと磁気抵抗効果素子（MR素子）とを
組み合わせたものがこの種のプリンタに使用され
てきている。

第１３図に磁気リニアスケールとMR素子とか
らなる位置検出装置を示す。磁気リニアスケール
１０は、紙送り方向Ｂと略直角なＡ，A′方向す
なわちヘツドバンク１の往復直線運動方向にＮ極
およびＳ極を一定ピツチＨ（例えば423μm）で交
互に配列してなる。MR素子取付体２０は、磁気
リニアスケール１０と対向してＡ，A′方向に配
置されるMR素子Ｆ１〜Ｆ４を支持する。これら
のMR素子Ｆ１〜Ｆ４はSi基板またはガラス基板
上に蒸着膜またはスパツタ膜として形成されてよ
く、0.5Hの間隔で配置され、第１６図に示すよ
うにブリツジ接続される。磁気リニアスケール１
０に対してMR素子取付体２０がＡ，A′方向に移
動すると、センサ回路の出力端子２１ａ，２１ｂ
から正弦波状のセンサ出力信号が得られる。すな
わち、各MR素子Fiにはその膜と平行な磁界が印
加され、この磁界の向きはMR素子Fiが磁気リニ
アスケール１０に対して１ピツチＨ移動すると１
回転する。この磁界の向きの変化に対してMR素
子の抵抗値は正弦波状に変化し、その周期速度は
２倍になつて現れる。したがつて第１６図のセン
サ回路ではMR素子Ｆ１，Ｆ３の抵抗値が同相で
正弦波状に変化し、これらと180゜位相を異にして
MR素子Ｆ２，Ｆ４の抵抗値が同相で正弦状波に
変化し、これにより出力端子２１ａ，２１ｂから
は第１７図ａに示すように増倍された正弦状波の
センサ出力信号S₀が取り出される。

磁気リニアスケール１０は、例えば第１８図に
示すようにヘツドバンク１の下側部分に一体的に
取り付けられ、MR素子取付体２０は第１３図に
示すように配置関係で磁気リニアスケール１０と
対向してシヤーシベース１１に固定される。した
がつて、ヘツドバンク１がＡ，A′方向に直線運
動するとき磁気リニアスケール１０も一緒に運動
し、MR素子取付体２０の各MR素子は磁気リニ
アスケール１０に対してその長さ方向すなわち
Ａ，A′方向に相対的な直線運動を行い、前述し
たようにセンサ回路の出力端子２１ａ，２１ｂか
ら正弦波状のセンサ出力信号S₀が位置検出信号と
して得られ、このセンサ出力信号S₀が矩形波状に
波形整形され次いで微分されることにより第１７
図ｂに示すような位置検出パルスPiが生成され
る。

位置検出パルスPiはMR素子Ｆ１〜Ｆ４が磁気
リニアスケール１０の着磁部１０ａと対向すると
きに発生し、その期間は印字期間Ｃ１，Ｃ１′と
なる。また第１４図および第１５図に示すように
MR素子Ｆ１〜Ｆ４が非着磁部１０ｂと対向する
ときは位置検出パルスPiは発生せず、その期間は
印字休止期間または運動方向切替期間Ｃ０，Ｃ
０′となる。そして、ヘツドバンク１がＡ，A′方
向に往復直線運動するとき、磁気リニアスケール
１０とMR素子Ｆ１〜Ｆ４との相対的な位置関係
は、第１４図の状態（印字休止期間Ｃ０）から第
１３図の状態（印字期間Ｃ１）を経て第１５図の
状態（印字休止期間Ｃ０′）に至り、それから折
り返して第１３図の状態（印字期間Ｃ１′）を経
て第１４図の状態（印字休止期間Ｃ０）に戻ると
いうようなサイクルを繰り返す。

（発明が解決しようとする問題点） しかし、MR素子Ｆ１〜Ｆ４が着磁部１０ａの
両端部を通るとき、すなわち印字期間Ｃ１，Ｃ
１′と印字休止期間Ｃ０，Ｃ０′との境界におい
て、センサ出力信号S₀の波形が第１９図ａ，ｃに
示すように過渡的に乱れ、これにより印字期間Ｃ
１，Ｃ１′の始端および終端での印字タイミング
に誤差が生じた。第１９図において、taは所定
（本来）の印字期間Ｃ１の開始の時点であるが、
不所望な位置検出パルスP₀によつて実際には誤
つた時点ta′から印字が開始される。

上記のようなセンサ出力信号S₀の波形の乱れ
は、磁気リニアスケールの製造段階において着磁
用磁気ヘツドのヒステリシス特性により着磁部１
０ａの端部から非着磁部１０ｂにかけて形成され
る不所望な磁区による磁界を、MR素子Ｆ１〜Ｆ
４が感知することによつて生ずると考えられる。

本発明は、従来技術の上記問題点に鑑みてなさ
れたもので、改善された磁気リニアスケールと信
号処理技術とを用いて正確で安定した印字タイミ
ングを得るようにしたシヤトル方式シリアルライ
ンプリンタを提供することを目的とする。

（問題点を解決するための手段） 上記目的を達成する本発明の構成は、紙送り方
向と略直角な所定方向に複数のプリント素子をア
レイ状に取り付けてなるヘツドバンクを所定方向
に往復直線運動させる間に各プリント素子を複数
の所定ドツト位置に印字駆動し、該所定方向にＮ
極、Ｓ極を一定ピツチで交互に配例してなる着磁
部を有する磁気リニアスケールおよびそれと対向
する磁気抵抗効果素子の一方をヘツドバンクと一
体的に運動させるとともに他方を固定配置し、磁
気抵抗効果素子のセンサ出力信号に基づいてプリ
ント素子を印字駆動するためのタイミングを得る
ようにしたシヤトル方式シリアルラインプリンタ
において、磁気リニアスケールの着磁部の両端に
その磁界が磁気抵抗効果素子によつて実質的に感
知されないような極小のピツでＮ極、Ｓ極を配列
してなる補助着磁部を設け；前記センサ出力信号
の中心レベル付近に設定された第１の基準電圧、
その第１の基準電圧よりも幾らか高い第２の基準
電圧、および前記第１の基準電圧よりも幾らか低
い第３の基準電圧を発生する基準電圧発生手段
と、前記センサ出力信号が前記第１の基準電圧か
ら前記第２の基準電圧に至るまでの期間、および
前記センサ出力信号が前記第１の基準電圧から前
記第３の基準電圧に至るまでの期間をそれぞれパ
ルス幅として位置検出パルスを発生する手段とを
具備する；ことを特徴とする。

（作用） ヘツドバンクが所定方向に往復直線運動すると
き、磁気抵抗効果素子は磁気リニアスケールに対
して相対的に往復直線運動する。

磁気抵抗効果素子が磁気リニアスケールの着磁
部を通るときには、一定ピツチで配列されたＮ極
Ｓ極の周期的な磁界に応答して周期的な波形のセ
ンサ出力信号が発生する。

また、磁気抵抗効果素子が磁気リニアスケール
の着磁されてない部分、すなわち非着磁部を通る
ときには、感知されるほどの磁界がないのでセン
サ出力信号は発生しない。

そして、磁気抵抗効果素子が磁気リニアスケー
ルの着磁部の両端を通るときには補助着磁部と対
向するが、ここではＮ極、Ｓ極が極めて小さなピ
ツチで配列しておりその磁界が磁気リニアスケー
ルによつて検出されず、しかも着磁部の形成時に
磁気ヘツドの磁気ヒステリシス特性に基づく不所
望な磁区を打ち消しているので、センサ出力信号
を発生せしめるほどの磁界が存在しない。

したがつて、磁気抵抗効果素子が磁気リニアス
ケールの非着磁部から補助着磁部を通り抜けて着
磁部に対向するようになつたときに、瞬時に正規
の（乱れない）波形のセンサ出力信号が発生し、
これにより所定のタイミングで印字が開始され
る。また、磁気抵抗効果素子が着磁部を通るとき
に正規な波形で連続的に発生していたセンサ出力
信号は、磁気抵抗効果素子が補助着磁部と対向す
るようになつたときから瞬時に波形が乱れること
なく絶える。

こうして得られたセンサ出力信号が信号処理を
受けることによつて位置検出パルスが生成される
が、本発明では、センサ出力信号が第１の基準電
圧を切る（越える、または割る）だけでなく第２
の基準電圧または第３の基準電圧をも切らなけれ
ば位置検出パルスが発生しないので、第２の基準
電圧と第３の基準電圧との間でセンサ出力信号の
レベルが例えばオフセツト等で変動しても、位置
検出パルスの発生するタイミングには影響せず、
したがつて各印字期間の始端および終端において
安定した一定の印字タイミングが得られる。

（実施例） 第１図ないし第９図を参照して本発明の実施例
を説明する。なお、第１０図の構成は本実施例で
も使用される。

第１図は、本実施例による磁気リニアスケール
１００を示す。

磁気リニアスケール１００の位置検出信号を得
るための着磁部１００ａは、Ｎ極、Ｓ極を普通の
例えば423μmのピツチPaで交互に配列してなる
構成である。

着磁部１００ａの両端、すなわち非着磁部１０
０ｂと隣接する部分には、本実施例による補助磁
極１００a′が設けられている。この補助磁極１０
０a′はＮ極、Ｓ極を磁気抵抗効果素子（MR素
子）が実質的に検出しないような、例えば２〜
3μmの極小ピツチPa′で交互に配列してなる構成
である。これら補助磁極１００ａの長さまたは延
長範囲Ｌは約１ピツチPa（423μm）に選ばれてい
る。

第２図は、本実施例によるMR素子取付体２０
０を示す。

このMR素子取付体２００には、第１のMR素
子Ｆ１〜Ｆ４および第２のMR素子Ｇ１〜Ｇ４が
それぞれ0.5HのピツチでＡ，A′方向に配列され、
第３図ａ，ｂに示すようにブリツジ接続された第
１および第２のセンサ回路２０２，２０４を形成
する。

磁気リニアスケール１００はヘツドバンク１
（図示せず）の下側部分に一体的に取り付けられ、
MR素子取付体２００はシヤーシベース（図示せ
ず）に固定されてよい。したがつて、ヘツドバン
ク１がＡ，A′方向に直線運動するとき磁気リニ
アスケール１００も一緒に運動し、MR素子取付
体２００の各MR素子は磁気リニアスケール１０
０に対してその長さ方向すなわちＡ，A′方向に
相対的な直線運動を行い、第１のセンサ回路２０
２の出力端子２１０，２１２から第４図に示すよ
うな周期的波形（正確には正弦波状）の第１のセ
ンサ出力信号Saが得られる。

本実施例によれば、MR素子取付体２００が磁
気リニアスケール１００の補助着磁部１００a′を
通り過ぎるとき、すなわち第４図の期間Taにお
いて、センサ出力信号Saの波形が特に乱れる
（脈動する）ことがない。これは、補助磁極１０
０a′が着磁部１００ａの端部における乱れた磁区
を打ち消すとともに、補助磁極１００a′自体のピ
ツチが極めて小さいためにその磁界がMR素子に
よつて検出されないからである。

なお、第２のセンサ回路２０４の出力端子２１
４，２１６からも第４図のセンサ出力信号Saと
同様な波形のセンサ出力信号Sbが得られるが、
ただし位相が90゜異なる。すなわち、ヘツドバン
ク１がＡ方向に移動するときには、第５図ａに示
すように第１のセンサ出力信号Saに対して第２
のセンサ出力信号Sbの位相は90゜遅れる。しかし、
ヘツドバンク１がA′方向に移動するときには、
第５図ｂに示すように第１のセンサ出力信号Sa
に対して第２のセンサ出力信号Sbの位相は90゜進
む。

ところで、上述のようにして得られた正弦波状
のセンサ出力信号Sa，Sbを、従来のように矩形
波パルスに波形整形してその立ち上がり、立ち下
がりのタイミングで位置検出パルスPiを生成する
ようにすると、印字休止期間Co，Co′におけるセ
ンサ出力信号Sa，Sbのオフセツトレベルによつ
て印字期間Ｃ１，Ｃ１′の始端および後端で位置
検出パルスが出たり出なかつたりするという問題
が残る。

その様子を第６図に示す。印字休止期間Co，
Co′においてセンサ出力信号Sa，Sbのレベルが中
心レベルつまりゼロクロスレベルVCに一致すれ
ば問題ないが、実際にはMR素子その他の回路素
子のバラツキによつて第６図ａの実線で示すよう
にゼロクロスレベルVCより高かつたり点線で示
すようにそれより低かつたりする。

そうすると、印字期間Ｃ１，Ｃ１′の始端およ
び終端において、実線のレベルの場合にはゼロク
ロスレベルVCを切らないので位置検出パルスPi
が発生しないが、点線のレベルの場合にはゼロク
ロスレベルVCを切るので位置検出パルスPi′が発
生し、結果的に印字動作が不確定で印字品質が低
下する。

しかし本実施例では、第７図に示す信号処理回
路によつて上述の問題を解決している。

この信号処理回路は、同じ構成を有する第１お
よび第２の信号処理部３００Ａ，３００Ｂとアン
ドゲート３６０とからなる。

第１の信号処理部３００Ａにおいて、入力端子
３０２ａ，３０４ａは、第１のセンサ回路２０２
の出力端子２１０，２１２（第３図ａ）にそれぞ
れ接続され、第１のセンサ出力信号Saを受け取
る。入力された第１のセンサ出力信号Saは、抵
抗３０６ａ，３０８ａ，３１０ａ，３１２ａによ
り差動増幅器として動作する演算増幅器３１４ａ
で第８図ａに示すような信号波形に増幅されたの
ち、抵抗３１６ａ，３２４ａ，３３２ａをそれぞ
れ介して演算増幅器３２０ａ，３２８ａ，３３６
ａの反転入力端子に供給される。これら演算増幅
器３２０ａ，３２８ａ，３３６ａの非反転入力端
子には、基準電圧発生回路３４０ａから第１、第
２および第３の基準電圧Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３がそれ
ぞれ供給される。第１の基準電圧Ｖ１は第１のセ
ンサ出力信号Saの略中心レベルVCに設定され、
第２の基準電圧Ｖ２は第１の基準電圧Ｖ１に対し
幾分高く（オフセツトレベル分よりは高く）設定
され、第３の基準電圧Ｖ３は第１の基準電圧Ｖ１
に対し幾分低く（オフセツトレベル分よりは低
く）設定される。演算増幅器３２０ａ，３２８
ａ，３３６ａの各々の反転入力端子と出力端子間
には帰還抵抗３１８ａ，３２６ａ，３３４ａが接
続されるとともに各出力端子はプルアツプ抵抗３
２２ａ，３３０ａ，３３８ａを介して電源電圧＋
Vcc（“１”）に接続され、これにより各演算増幅
器３２０ａ，３２８ａ，３３６ａはそれぞれ第
１、第２および第３の基準電圧Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３
についてのコンバレータまたは波形整形回路とし
て動作する。而して、演算増幅器３２０ａ，３２
８ａ，３３６ａの出力端子には、第８図ｂ，ｃ，
ｄに示すような矩形波信号またはパルスEa１，
Ea２，Ea３がそれぞれ得られる。パルスEa１
は、Ｄ型フリツプフロツプ３４６ａのクロツク入
力端子CLに反転回路３４４ａを介して供給され
るとともにＤ型フリツプフロツプ３４８ａのクロ
ツク入力端子CLに直接供給される。またパルス
Ea２はＤ型フリツプフロツプ３４６ａのリセツ
ト端子Ｒに反転回路３４２ａを介して供給され、
パルスEa３はＤ型フリツプフロツプ３４８ａの
リセツト端子Ｒに直接供給される。それらＤ型フ
リツプフロツプ３４６ａ，３４８ａのデータ入力
端子Ｄは電源電圧＋Vcc（“１”）を常時受けてい
る。したがつて、Ｄ型フリツプフロツプ３４６ａ
はパルスEa１の立ち下がりで（すなわち反転回
路３４４ａの出力電圧の立ち上がりで）“１”の
データを取り込み、これによつてその反転出力端
子の出力電圧は“０”に立ち下がる。またＤ型
フリツプフロツプ３４６ａはパルスEa２の立ち
上がりでリセツトされ、これによつてその反転出
力端子の出力電圧が“１”に立ち下がる。而し
て、Ｄ型フリツプフロツプ３４６ａからアンドゲ
ート３５０ａの一方の入力端子に第８図ｅに示す
ようなパルスJa１が与えられる。他方、Ｄ型フ
リツプフロツプ３４８ａはパルスEa１の立ち上
がりで“１”のデータを取り込み、これによつて
その反転出力端子の出力電圧は“０”に立ち下
がり、またＤ型フリツプフロツプ３４８ａはパル
スEa３の立ち上がりでリセツトされ、これによ
つてその反転出力端子の出力電圧が“１”に立
ち上がる。而して、Ｄ型フリツプフロツプ３４８
ａからアンドゲート３５０ａの他方の入力端子に
第８図ｆに示すようなパルスJa２が与えられる。
その結果アンドゲート３５０ａの出力端子には第
８図ｇに示すようなパルスJaが得られ、これは
アンドゲート３６０の一方の入力端子に供給され
る。

第２の信号処理部３００Ｂは、第２のセンサ信
号Sbを入力してこれに同じ信号処理を施すので、
そのアンドゲート３５０ｂの出力端子には上記パ
ルスJaと位相が90゜異なるパルスJbが得られ、こ
れはアンドゲート３６０の他方の入力端子に供給
される。したがつて、アンドゲート３６０の出力
端子には第８図ｈに示すような位置検出パルスPi
が得られる。なお、第１のセンサ出力信号Saに
対して第２のセンサ出力信号Sbは印字期間Ｃ
１′では位相が90゜進み印字期間Ｃ１では位相が
90゜遅れる。したがつて、第１のセンサ出力信号
Saに基づくアンドゲート３５０ａからのパルス
Jaが、印字期間Ｃ１′の終端では最後の位置検出
パルスPieとなり、印字期間Ｃ１の始端では最初
の位置検出パルスPisとなる。

ところで、印字休止期間Coにおいて、演算増
幅器３１４ａからのセンサ出力信号Saのレベル
が第８図ａの実線で示すようにゼロクロスレベル
VCよりも高い場合には、印字期間Ｃ１′の終端お
よび印字期間Ｃ１の始端においてセンサ出力信号
SaがゼロクロスレベルVCを切らないので、演算
増幅器３２０ａの出力電圧Ea１は“０”レベル
を維持する。これにより、フリツプフロツプ３４
６ａの出力電圧Ja１、フリツプフロツプ３４８
ａの出力電圧Ja２およびアンドゲート３５０ａ
の出力電圧Jaはそれぞれ第８図ｃ，ｄ，ｅの実
線で示すようになる。而して、印字期間Ｃ１′の
終端においては時点teで最後の位置検出パルス
Pieが発生し、印字期間Ｃ１の始端においては時
点tsで最初の位置検出パルスPisが発生する。

また印字休止期間Coにおいて、演算増幅器３
１４ａからのセンサ出力信号Saのレベルが第８
図ａの点線で示すようにゼロクロスレベルVCよ
りも低い場合には、印字期間Ｃ１′の終端および
印字期間Ｃ１の始端においてセンサ出力信号Sa
がゼロクロスレベルVCを切る。これにより演算
増幅器３２０ａの出力電圧Ea１は、８図ｂの点
線で示すように、印字期間Ｃ１′の終端で“０”
レベルから“１”レベルに変化し、印字休止期間
Co中は“１”レベルを維持し、印字期間Ｃ１の
始端で“１”レベルから“０”レベルに変化す
る。その結果、フリツプフロツプ３４６ａの出力
電圧Ja１、フリツプフロツプ３４８ａの出力電
圧およびアンドゲート３５０ａの出力電圧はそれ
ぞれ第８図ｃ，ｄ，ｅの点線で示すようになり、
印字期間Ｃ１の始端でフリツプフロツプ３４６ａ
からパルス〔Ja１〕が発生するが、フリツプフ
ロツプ３４８ａの出力電圧が“０”になつている
ためにアンドゲート３５０ａの出力端子に該パル
ス〔Ja１〕が現れず、結果として時点tsで最初の
位置検出パルスPisが発生する。

このように、印字休止期間Coにおいてセンサ
出力信号Sa（およびSb）のレベルがオフセツトし
てゼロクロスレベルVCより高くなつたり低くな
つたりしても、印字期間Ｃ１′の最後の位置検出
パルスPieおよび印字期間Ｃ１の最初の位置検出
パルスPisは常に一定のタイミングte，tsで発生
する。

なお、本実施例では、位置検出パルスPiの立ち
上がりで印字駆動がトリガされるようになつてお
り、したがつてアンドゲート３６０の出力電圧が
立ち下がつても印字タイミングを与えることはな
い。

第９図は、印字期間Ｃ１の終端、印字休止期間
Co′および印字期間Ｃ１′の始端における動作を
説明するためのタイミング図である。この場合で
も印字休止期間Co′においてセンサ出力信号Saの
レベルがゼロクロスレベルVCよりも高くなつた
り低くなつたりすると、それに応じて演算増幅器
３２０ａ、フリツプフロツプ３４６ａ，３４８
ａ、アンドゲート３５０ａ，３６０のそれぞれの
出力電圧が図の実線、点線で示すように変動する
が、やはり印字期間Ｃ１の終端では一定のタイミ
ングte′で最後の位置検出パルスPieが発生し、印
字期間Ｃ１′の始端では一定のタイミングts′で最
初の位置検出パルスPisが発生する。なお、この
場合には、第８図とは逆に、第２のセンサ出力信
号Sbに基づくアンドゲート３５０ｂからのパル
スJbが印字期間Ｃ１の終端において最終の位置
検出パルスPieになり印字期間Ｃ１′の始端におい
て最初の位置検出パルスPisになる。

（発明の効果） 以上のように、本発明では、磁気リニアスケー
ルの着磁部の両端にその磁界が磁気抵抗効果素子
によつて実質的に感知されないような極小のピツ
チでＮ極、Ｓ極を配列してなる補助着磁部を設け
ることにより印字期間の始端、後端においてセン
サ出力信号が瞬時に正規な波形で現れ、消失する
ようにし、且つセンサ出力信号の中心レベル付近
に設定された第１、第２および第３の基準電圧を
比較基準電圧として位置検出パルスを形成するの
で、印字休止期間においてセンサ出力信号のレベ
ルがオフセツトしても印字期間の始端および終端
において安定した一定の印字タイミングが得られ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例による磁気リニア
スケール１００の構成を示す斜視図、第２図は、
上記実施例における磁気抵抗効果素子Ｆ１〜Ｆ
４，Ｇ１〜Ｇ４の配置構成を示す斜視図、第３図
は、上記実施例における第１および第２のセンサ
回路２０２，２０４の接続構成を示す回路図、第
４図は、上記実施例において第１のセンサ回路２
０２の出力端子より得られる第１のセンサ出力信
号Saの信号波形図、第５図は、第１のセンサ出
力信号Saと第２のセンサ出力信号Sbとの位相関
係を示す信号波形図、第６図は、センサ出力信号
Sa，Sbのオフセツトレベルに起因する不都合を
説明するためのタイミング図、第７図は、第１お
よび第２のセンサ出力信号Sa，Sbを入力して位
置検出パルスPiを生成する信号処理回路、第８図
および第９図は、上記信号処理回路の動作を説明
するための各部の信号を示すタイミング図、第１
０図は、シヤトル方式シリアルラインプリンタの
ヘツドバンクを示す略斜視図、第１１図は、上記
ヘツドバンクの運動特性を示す図、第１２図は、
上記シリアルラインプリンタにおいて所定ドツト
位置Qiと位置検出パルスPiとのタイミング関係
を示す図、第１３図、第１４図および第１５図
は、磁気リニアスケールと磁気抵抗効果素子
（MR素子）間の相対的位置関係を示す図、第１
６図は、磁気抵抗効果素子からなるセンサ回路の
回路図、第１７図は、上記センサ回路より発生さ
れるセンサ出力信号の波形図、第１８図は、上記
シリアルラインプリンタにおいて磁気リニアスケ
ールとMR素子取付体との取付位置関係を示す斜
視図、および第１９図は、従来のシリアルライン
プリンタにおける問題点を示す信号波形図であ
る。 １…ヘツドバンク、Ｄ１〜D_o…プリント素子、
１００…磁気リニアスケール、１００ａ…着磁
部、１００a′…補助着磁部、１００ｂ…非着磁
部、Ｆ１〜Ｆ４，Ｇ１〜Ｇ４…磁気抵抗効果素子
（MR素子）、２００…MR素子取付体、２０２，
２０４…センサ回路、３００Ａ，３００Ｂ…信号
処理部、３２２ａ，３２２ｂ，３２８ａ，３２８
ｂ，３３６ａ，３３６ｂ…演算増幅器、３４０
ａ，３４０ｂ…基準電圧発生器、３４６ａ，３４
６ｂ，３４８ａ，３４８ｂ…Ｄ型フリツプフロツ
プ、３６０…アンドゲート。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 紙送り方向と略直角な所定方向に複数のプリ
   ント素子をアレイ状に取り付けてなるヘツドバン
   クを前記所定方向に往復直線運動させる間に各プ
   リント素子を複数の所定ドツト位置に印字駆動
   し、前記所定方向にＮ極、Ｓ極を一定ピツチで交
   互に配列してなる着磁部を有する磁気リニアスケ
   ールおよびそれと対向する磁気抵抗効果素子の一
   方を前記ヘツドバンクと一体的に運動させるとと
   もに他方を固定配置し、前記ヘツドバンクが運動
   するときに前記磁気抵抗効果素子より得られる周
   期的波形のセンサ出力信号に基づいてプリント素
   子を印字駆動するためのタイミングを与える位置
   検出パルスを得るシヤトル方式シリアルラインプ
   リンタにおいて、 前記磁気リニアスケールの着磁部の両端にその
   磁界が磁気抵抗効果素子によつて実質的に検出さ
   れないような極小のピツチでＮ極、Ｓ極を配列し
   てなる補助着磁部を設け； 前記センサ出力信号の中心レベル付近に設定さ
   れた第１の基準電圧、その第１の基準電圧よりも
   幾らか高い第２の基準電圧、および前記第１の基
   準電圧よりも幾らか低い第３の基準電圧を発生す
   る基準電圧発生手段と、前記センサ出力信号が前
   記第１の基準電圧から前記第２の基準電圧に至る
   までの期間、および前記センサ出力信号が前記第
   １の基準電圧から前記第３の基準電圧に至るまで
   の期間をそれぞれパルス幅として位置検出パルス
   を発生する手段とを備える； ことを特徴とするシヤトル方式シリアルラインプ
   リンタ。