JPH0360405A - 酸化物超伝導薄膜の製造方法 - Google Patents
酸化物超伝導薄膜の製造方法Info
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- JPH0360405A JPH0360405A JP1190662A JP19066289A JPH0360405A JP H0360405 A JPH0360405 A JP H0360405A JP 1190662 A JP1190662 A JP 1190662A JP 19066289 A JP19066289 A JP 19066289A JP H0360405 A JPH0360405 A JP H0360405A
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、高温超伝導体結晶薄膜の多層構造体及びその
製造方法に関する。特に、スパッタリング、プラズマア
シスト蒸着、レーザーアシスト蒸着又はこれらの組合わ
せを用いることによる酸化物超伝導薄膜の製造において
、良質な超伝導薄膜を低コストで大量に製造する′方法
に関する。
製造方法に関する。特に、スパッタリング、プラズマア
シスト蒸着、レーザーアシスト蒸着又はこれらの組合わ
せを用いることによる酸化物超伝導薄膜の製造において
、良質な超伝導薄膜を低コストで大量に製造する′方法
に関する。
［従来の技術及び発明が解決しようとする問題点］従来
の酸化物超伝導薄膜の製造技術を大別すると、２種類で
あった。その１つは、酸化物超伝導物質のターゲットを
用い、酸化物超伝導薄膜を堆積したまま（ａｓ ｄｅｐ
ｏｓｉｔ）で超伝導特性を有する超伝導薄膜を作成する
、或いは、堆積した後に熱処理す゛る方法である。他の
ものは、金属及びその合金をターゲットとして用いて、
これらの薄膜を積層した後に熱処理ｒを行ない、酸化反
応等を起こさせて、超伝導薄膜を作成ｒる方法である。
の酸化物超伝導薄膜の製造技術を大別すると、２種類で
あった。その１つは、酸化物超伝導物質のターゲットを
用い、酸化物超伝導薄膜を堆積したまま（ａｓ ｄｅｐ
ｏｓｉｔ）で超伝導特性を有する超伝導薄膜を作成する
、或いは、堆積した後に熱処理す゛る方法である。他の
ものは、金属及びその合金をターゲットとして用いて、
これらの薄膜を積層した後に熱処理ｒを行ない、酸化反
応等を起こさせて、超伝導薄膜を作成ｒる方法である。
これらは、いずれも一長一短があり、良質な超伝導多層
構造体を大量に製造すること１よ、困難であった。即ち
、第一の方法の例では、ＭｇＯ単結晶基板を用い、ター
ゲツト材として、ＹＢａｍ、ｉｃｕ、、、ｏｘ（ｘ−ｓ
、ｏ 〜６．０）を用いて、負荷電力が、１００〜１５
０Ｗの場合では、成膜速度が、約３０〜５０人／分程度
であり、極めて遅いものであった。また、薄膜成長速度
を高めるために高い負荷電力にすると基板側から再スパ
ッタＪングが起こり、組成成分の変動も生じるために、
良質な超伝導薄膜を高い製造効率で得ることが困難であ
った。
構造体を大量に製造すること１よ、困難であった。即ち
、第一の方法の例では、ＭｇＯ単結晶基板を用い、ター
ゲツト材として、ＹＢａｍ、ｉｃｕ、、、ｏｘ（ｘ−ｓ
、ｏ 〜６．０）を用いて、負荷電力が、１００〜１５
０Ｗの場合では、成膜速度が、約３０〜５０人／分程度
であり、極めて遅いものであった。また、薄膜成長速度
を高めるために高い負荷電力にすると基板側から再スパ
ッタＪングが起こり、組成成分の変動も生じるために、
良質な超伝導薄膜を高い製造効率で得ることが困難であ
った。
第２の方法では、例えばＭｇＯ単結晶基板の−Ｌにター
ゲツト材として、イツトリウム金属、ＢａＣｕ合金を用
いる場合、負荷電力３０〜４ＱＷで、これらの合金薄膜
を形成する場合で、その成膜速度は、約２００〜１５０
０Ａ／分程度であり、極めて早い、然し乍ら、この合金
薄膜では、超伝導性を示さず、成膜した後に熱処理が必
要である。この熱処理工程で合金薄膜が膜厚１Ｇ００人
を超えたものは、超伝導体の結晶性が急激に悪くなる。
ゲツト材として、イツトリウム金属、ＢａＣｕ合金を用
いる場合、負荷電力３０〜４ＱＷで、これらの合金薄膜
を形成する場合で、その成膜速度は、約２００〜１５０
０Ａ／分程度であり、極めて早い、然し乍ら、この合金
薄膜では、超伝導性を示さず、成膜した後に熱処理が必
要である。この熱処理工程で合金薄膜が膜厚１Ｇ００人
を超えたものは、超伝導体の結晶性が急激に悪くなる。
この原因は、合金の厚さが薄い場合は、アニーリングす
−る時に、合金は、Ｍｇ（ｌ結晶基板の結晶格子から影
響を受け、ＭｇＯ単結晶の格子定数に近い値の格子定数
を持つ結晶になり、超伝導薄膜の良質な結、１／ｌが生
成する筈であるが、しかし、金属膜が厚くなると、表面
近くでは基板の結晶格Ｔ−からの影響が少なくなり、制
御されない結晶ができ易く、結果として低い品質の超伝
導薄膜ニナっテ１．よい、１０００Å以上の厚さの良質
な薄膜を１回の工程で作成することは困難であった。
−る時に、合金は、Ｍｇ（ｌ結晶基板の結晶格子から影
響を受け、ＭｇＯ単結晶の格子定数に近い値の格子定数
を持つ結晶になり、超伝導薄膜の良質な結、１／ｌが生
成する筈であるが、しかし、金属膜が厚くなると、表面
近くでは基板の結晶格Ｔ−からの影響が少なくなり、制
御されない結晶ができ易く、結果として低い品質の超伝
導薄膜ニナっテ１．よい、１０００Å以上の厚さの良質
な薄膜を１回の工程で作成することは困難であった。
本発明は、上記のような技術的課題を解決するために、
酸化物超伝導薄膜と、それを構成す゛る元素の金属、又
はその合金とを組合わせて、多層超伝導構造体を作成し
、熱処理を行ない、酸化物超伝導多層構造体を製造する
ものである。
酸化物超伝導薄膜と、それを構成す゛る元素の金属、又
はその合金とを組合わせて、多層超伝導構造体を作成し
、熱処理を行ない、酸化物超伝導多層構造体を製造する
ものである。
本発明の製造方法の特徴は、金属又はそれらの合金又は
その組合わせの薄膜層が、適当な厚さの範囲では、熱処
理により、酸化され、酸化物の結晶が形成する際に、周
囲の酸化物超伝導薄膜結晶の格子定数から影響を受け、
その超伝導薄膜納品と一体化し、良好な酸化物超伝導薄
膜を生成することを見出し、超伝導体の製造技術として
、発展させ、それによる製造装置を考案したものである
。
その組合わせの薄膜層が、適当な厚さの範囲では、熱処
理により、酸化され、酸化物の結晶が形成する際に、周
囲の酸化物超伝導薄膜結晶の格子定数から影響を受け、
その超伝導薄膜納品と一体化し、良好な酸化物超伝導薄
膜を生成することを見出し、超伝導体の製造技術として
、発展させ、それによる製造装置を考案したものである
。
具体的には、基板表面に所望の酸化物超伝導薄膜を形成
し、その上に該酸化物超伝導体を構成する原子の金属若
しく（±所望比率の合金、又はこれらの組合わせよりな
る構造体を熱処理の後に、所望の超伝導膜の元素比にな
るように厚さを調整し、形成る。この際に、前記のよう
に、これらの層の厚さは超伝導薄膜の格子定数の影響を
受ける範囲に留める必要がある。更に、この上に酸化物
超伝導膜、これを構成する元素の金属、合金と次々に積
層し、所望厚さまで多層構造体を作成し、熱処理し、多
層構造体を反応させ、一体化し、所望圧力の超伝導膜を
得る。上記の場合は、十分な厚さのｔｇ層超超伝導膜作
成する方法であるが、氷見１ｊＪｌは、−’ｔＬ層だけ
でなく、超伝導膜と絶縁膜との組合わせ、九種の超伝導
薄膜同志の組合わせ等に特に有効である。
し、その上に該酸化物超伝導体を構成する原子の金属若
しく（±所望比率の合金、又はこれらの組合わせよりな
る構造体を熱処理の後に、所望の超伝導膜の元素比にな
るように厚さを調整し、形成る。この際に、前記のよう
に、これらの層の厚さは超伝導薄膜の格子定数の影響を
受ける範囲に留める必要がある。更に、この上に酸化物
超伝導膜、これを構成する元素の金属、合金と次々に積
層し、所望厚さまで多層構造体を作成し、熱処理し、多
層構造体を反応させ、一体化し、所望圧力の超伝導膜を
得る。上記の場合は、十分な厚さのｔｇ層超超伝導膜作
成する方法であるが、氷見１ｊＪｌは、−’ｔＬ層だけ
でなく、超伝導膜と絶縁膜との組合わせ、九種の超伝導
薄膜同志の組合わせ等に特に有効である。
即ら、基板上に酸化物超伝導薄膜を形成し、このＬにこ
の酸化物超伝導膜を構成する元素の金属又はこの合金、
或いはこれらの組合わせによる膜を形成し、更に超伝導
薄膜を形成し、この上に絶縁膜を形成し、更に、この上
に超伝導薄膜を形成し、次いで、これらを構成する元素
の金属、又番よその合金、或いはこれらの組合わせを形
成して、熱処理を行なう、一般に、絶縁膜は単結晶基板
のように完全な結晶を形成することは困燭であるために
、不完全な絶縁膜の結晶が熱幻理中に、金属又は合金の
結晶化に悪い影響を与えることを防ぐために、絶縁膜の
表面を超伝導薄膜で覆って、そのにに金属や合金の薄膜
を形成する。この方法で（超伝導膜）−（絶縁膜）＝（
超伝導膜）の良質な繰り返し多層構造体が得られる。ま
た、上記における超伝導膜くは絶縁巻くを挾んで、互い
に、異なる超伝導物質であっても良い、ここで得られる
超伝導物質は、Ｌ ｎ Ｂ ａ ｒｃ ｕ 、ｏＫ系超
超伝導材料但し、Ｌ ｎ ” Ｙ ％ Ｌ ａ ％ Ｎ
ｄ ％ Ｓ ｍ ％Ｅ ｕ ｓＧｄ、Ｄｙ、Ｈｏ％Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕのいずれか或いはその組合わせで
あり、■は、１．５〜３．０の範囲であり、Ｊは、２．
５〜４．０の範囲であり、Ｋは５．０〜７゜０の範囲で
ある）或いは、ＡｍＣａＮ、＋ＢｔＣｕｍｏ＊ｃｎ＋、
＋ｖ系超超伝導材料但し、ＡはＢｉ、Ｔｊ２゜ （Ｄ １．＊−ｘＰ ｂ ｉｓ ｂ ｖ）（但し、Ｄは
、Ｂｉ、Ｔｊ！のいずれか或い辻その組合わせであり、
Ｘは０．１〜１．１の範囲であり、Ｙは２．０以下であ
る）のいずれか、或いはその組合わせであり、ＢはＢａ
、Ｓｒのいずれか或いはその組合わせであり、Ｍは０．
８〜２．８の範囲であり、Ｎは０．８〜５．８の範囲で
ある）のいずれか或いはこれらの組合わせである。
の酸化物超伝導膜を構成する元素の金属又はこの合金、
或いはこれらの組合わせによる膜を形成し、更に超伝導
薄膜を形成し、この上に絶縁膜を形成し、更に、この上
に超伝導薄膜を形成し、次いで、これらを構成する元素
の金属、又番よその合金、或いはこれらの組合わせを形
成して、熱処理を行なう、一般に、絶縁膜は単結晶基板
のように完全な結晶を形成することは困燭であるために
、不完全な絶縁膜の結晶が熱幻理中に、金属又は合金の
結晶化に悪い影響を与えることを防ぐために、絶縁膜の
表面を超伝導薄膜で覆って、そのにに金属や合金の薄膜
を形成する。この方法で（超伝導膜）−（絶縁膜）＝（
超伝導膜）の良質な繰り返し多層構造体が得られる。ま
た、上記における超伝導膜くは絶縁巻くを挾んで、互い
に、異なる超伝導物質であっても良い、ここで得られる
超伝導物質は、Ｌ ｎ Ｂ ａ ｒｃ ｕ 、ｏＫ系超
超伝導材料但し、Ｌ ｎ ” Ｙ ％ Ｌ ａ ％ Ｎ
ｄ ％ Ｓ ｍ ％Ｅ ｕ ｓＧｄ、Ｄｙ、Ｈｏ％Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕのいずれか或いはその組合わせで
あり、■は、１．５〜３．０の範囲であり、Ｊは、２．
５〜４．０の範囲であり、Ｋは５．０〜７゜０の範囲で
ある）或いは、ＡｍＣａＮ、＋ＢｔＣｕｍｏ＊ｃｎ＋、
＋ｖ系超超伝導材料但し、ＡはＢｉ、Ｔｊ２゜ （Ｄ １．＊−ｘＰ ｂ ｉｓ ｂ ｖ）（但し、Ｄは
、Ｂｉ、Ｔｊ！のいずれか或い辻その組合わせであり、
Ｘは０．１〜１．１の範囲であり、Ｙは２．０以下であ
る）のいずれか、或いはその組合わせであり、ＢはＢａ
、Ｓｒのいずれか或いはその組合わせであり、Ｍは０．
８〜２．８の範囲であり、Ｎは０．８〜５．８の範囲で
ある）のいずれか或いはこれらの組合わせである。
このように金属及び合金と或いはこれらの組合わせ層を
超伝導層から充分に影響受ける厚さに成膜し、この表面
に超伝導膜を形成し、或いはこれらの多層構造体を熱処
理することにより、超伝導膜の生産性の向丘と品質の確
保が可能となった。
超伝導層から充分に影響受ける厚さに成膜し、この表面
に超伝導膜を形成し、或いはこれらの多層構造体を熱処
理することにより、超伝導膜の生産性の向丘と品質の確
保が可能となった。
［発明の構成］
［問題点を解決するための手段コ
本発明は、酸化物超伝導多層薄膜の作成において、以上
の問題を解決するために、基板上に、第１層として、所
望の酸化物超伝導薄膜を成長作成させ、第２層として、
その酸化物超伝導薄膜を構成する元素の金属、又はその
合金を、その酸化物超伝導薄膜を構成する割合で含有す
る合金薄膜層を成長作成し、更に、第３層として、酸化
物超伝導薄膜を成長形成した、即ち、合金層を酸化物層
でサンドイッチ状に積層或いは更に多層に積層した構造
のものを形成し、その構造体を熱処理することにより、
サンドインチ状に形成された合金層が、酸化物膜の結晶
構造の影響を受けて、酸化、結晶化され、全体として、
酸化物超伝導薄膜となったものが得られるものである。
の問題を解決するために、基板上に、第１層として、所
望の酸化物超伝導薄膜を成長作成させ、第２層として、
その酸化物超伝導薄膜を構成する元素の金属、又はその
合金を、その酸化物超伝導薄膜を構成する割合で含有す
る合金薄膜層を成長作成し、更に、第３層として、酸化
物超伝導薄膜を成長形成した、即ち、合金層を酸化物層
でサンドイッチ状に積層或いは更に多層に積層した構造
のものを形成し、その構造体を熱処理することにより、
サンドインチ状に形成された合金層が、酸化物膜の結晶
構造の影響を受けて、酸化、結晶化され、全体として、
酸化物超伝導薄膜となったものが得られるものである。
更に、以上のサンドイッチ構造体に絶縁層を挾んで、２
段以上構成した構造の多層の酸化物超伝導材料の薄膜を
得るものである。
段以上構成した構造の多層の酸化物超伝導材料の薄膜を
得るものである。
氷見明壮、上記の技術的な課題の解決のために、基板表
面に第１の所望酸化物超伝導薄膜層を形成し、その上に
第１の所望酸化物超伝導薄膜を構成する元素金属、又は
その合金の薄膜層を形成し、更に、その上に、第２の所
望酸化物超伝導薄膜層を形成し、その上に第２の所望酸
化物超伝導薄膜を構成する元素金属、又はその合金の薄
膜層を形成し、その上に、第３の所望酸化物超伝導薄膜
層を形成するというように所望の多層構造に従って、（
酸化物超伝導薄膜層）−（金属、合金の薄膜層）−（酸
化物超伝導薄膜層）の構造の繰り返し構造体を形成し、
得られた多層構造体を熱処理することにより、それらの
金属、合金の薄膜層をヒ下の酸化物薄膜の結晶構造の影
響を受けて、酸化、結晶化することにより、全体として
酸化物超伝導薄膜を得ることを特徴とする多層酸化物超
伝導薄膜の製造方法を提供する。
面に第１の所望酸化物超伝導薄膜層を形成し、その上に
第１の所望酸化物超伝導薄膜を構成する元素金属、又は
その合金の薄膜層を形成し、更に、その上に、第２の所
望酸化物超伝導薄膜層を形成し、その上に第２の所望酸
化物超伝導薄膜を構成する元素金属、又はその合金の薄
膜層を形成し、その上に、第３の所望酸化物超伝導薄膜
層を形成するというように所望の多層構造に従って、（
酸化物超伝導薄膜層）−（金属、合金の薄膜層）−（酸
化物超伝導薄膜層）の構造の繰り返し構造体を形成し、
得られた多層構造体を熱処理することにより、それらの
金属、合金の薄膜層をヒ下の酸化物薄膜の結晶構造の影
響を受けて、酸化、結晶化することにより、全体として
酸化物超伝導薄膜を得ることを特徴とする多層酸化物超
伝導薄膜の製造方法を提供する。
上記の方法において、第１．第２、第３０．。
の酸化物超伝導膜は、同一のものであってもよく、また
、各々異なるものであって、ここで、所望の酸化物超伝
導膜とは、ＬｎＢａｔＣｕｔＯＫ系超伝導材料（但し、
Ｌｎ＝Ｙ、Ｌａ、Ｎｄ。
、各々異なるものであって、ここで、所望の酸化物超伝
導膜とは、ＬｎＢａｔＣｕｔＯＫ系超伝導材料（但し、
Ｌｎ＝Ｙ、Ｌａ、Ｎｄ。
Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌ
ｕのいずれか或いはその組合わせであり、■は、１．５
〜３．０の範囲であり、Ｊは２．５〜４．０の範囲であ
り、Ｋは５．０〜７．０の範囲である）或いは、 ＡＭＣａｗ−ｔＢ＊ｃＬＩ＊ｏ２（ｎ＋＊＋＋ｖ系超伝
導材料（但し、ＡはＢ ｉ、Ｔ１％ （ＤＩ ｌ−ｌＰ
ｂ！５ｂＹ）（但し、Ｄ１±、Ｂｉ、Ｔｌｆｉのいずれ
か或いはその組合わせであり、Ｘは０．１〜１．１の範
囲であり、Ｙは２．０以下である）のいずれか、或いは
その組合わせであり、ＢはＢａ％Ｓｒのいずれか或いは
その組合わせであり、Ｍは０．８〜２．８の範囲であり
、Ｎは０．８〜５．８の範囲である）のいずれかから選
択することができる。
ｕのいずれか或いはその組合わせであり、■は、１．５
〜３．０の範囲であり、Ｊは２．５〜４．０の範囲であ
り、Ｋは５．０〜７．０の範囲である）或いは、 ＡＭＣａｗ−ｔＢ＊ｃＬＩ＊ｏ２（ｎ＋＊＋＋ｖ系超伝
導材料（但し、ＡはＢ ｉ、Ｔ１％ （ＤＩ ｌ−ｌＰ
ｂ！５ｂＹ）（但し、Ｄ１±、Ｂｉ、Ｔｌｆｉのいずれ
か或いはその組合わせであり、Ｘは０．１〜１．１の範
囲であり、Ｙは２．０以下である）のいずれか、或いは
その組合わせであり、ＢはＢａ％Ｓｒのいずれか或いは
その組合わせであり、Ｍは０．８〜２．８の範囲であり
、Ｎは０．８〜５．８の範囲である）のいずれかから選
択することができる。
ここで形成される所望酸化物超伝導薄膜層の厚は、４０
〜５００Ａであり、金属、合金の薄膜層の厚は、５００
〜５０００Ａであるものが、好適である。また、そのた
めに、スパッタリング処理、プラズマアシスト蒸着処理
或いはレーザ蒸着処理を用いて、各薄膜層を形成するこ
とが好適である。
〜５００Ａであり、金属、合金の薄膜層の厚は、５００
〜５０００Ａであるものが、好適である。また、そのた
めに、スパッタリング処理、プラズマアシスト蒸着処理
或いはレーザ蒸着処理を用いて、各薄膜層を形成するこ
とが好適である。
そして、また、基板表面に第１の所望酸化物超伝導薄膜
層を形成し、その上に第１の所望酸化物超伝導薄膜を構
成する元素の金属、又はその合金の薄膜層を形成し、更
に、その上に第１の所望酸化物超伝導薄膜層を形成する
ことにより、第１の所望酸化物超伝導材料によるサンド
イッチ構造体が得られ、更に、その上に、絶縁体薄膜層
を形成し、更に、その上に、第２の所望酸化物超伝導材
料による第２のサンドイッチ構造体を作成することがで
きる。更に、その」二に第３、第４の酸化物超伝導材料
による酸化物超伝導薄膜層を絶縁層を挾んで積層するこ
とができ、多層の酸化物超伝導薄膜を所望の多層構造に
従って、製造することができる。
層を形成し、その上に第１の所望酸化物超伝導薄膜を構
成する元素の金属、又はその合金の薄膜層を形成し、更
に、その上に第１の所望酸化物超伝導薄膜層を形成する
ことにより、第１の所望酸化物超伝導材料によるサンド
イッチ構造体が得られ、更に、その上に、絶縁体薄膜層
を形成し、更に、その上に、第２の所望酸化物超伝導材
料による第２のサンドイッチ構造体を作成することがで
きる。更に、その」二に第３、第４の酸化物超伝導材料
による酸化物超伝導薄膜層を絶縁層を挾んで積層するこ
とができ、多層の酸化物超伝導薄膜を所望の多層構造に
従って、製造することができる。
即ら、（酸化物超伝導薄膜層）−（金属、合金の薄膜り
−（酸化物超伝導薄膜層）−（絶縁層）−（酸化物超伝
導薄膜層）−、、、のサンドイッチ構造の繰り返し構造
体を形成し、得られた多層構造体を熱処理することによ
り、それらの金属、合金の薄膜層を上下の酸化物薄膜層
の影響を受けて、酸化結晶化することにより、全体とし
て絶縁層を挾んだ多層構造の超伝導薄膜を製造すること
ができる。
−（酸化物超伝導薄膜層）−（絶縁層）−（酸化物超伝
導薄膜層）−、、、のサンドイッチ構造の繰り返し構造
体を形成し、得られた多層構造体を熱処理することによ
り、それらの金属、合金の薄膜層を上下の酸化物薄膜層
の影響を受けて、酸化結晶化することにより、全体とし
て絶縁層を挾んだ多層構造の超伝導薄膜を製造すること
ができる。
その第１、第２０．の超伝導薄膜は、同一物質、或いは
各々異なる物質であってもよい。
各々異なる物質であってもよい。
ここで、超伝導膜は、Ｌ ｎ Ｂ ａ ｒｃ ｕ ｇｏ
ｔ系超伝導材料（但し、Ｌｎ＝Ｙ％Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ。
ｔ系超伝導材料（但し、Ｌｎ＝Ｙ％Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ。
Ｅ ｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ。
Ｌｕのいずれか或いはその組合わせであり、Ｉは、１．
５〜３．０の範囲であり、Ｊは、２．５〜４．０の範囲
であり、Ｋは５．０〜７．０の範囲である）或いは、 Ａ ｖＣａ ｎ−ＩＢ ！ Ｃｕ Ｎｏ ＊＜ｗ＊＊）
＋−系超伝導材料（但し、ＡはＢｉ、Ｔｊ！、（Ｄ １
．＊−ｘＰ ｂ ｘｓ ｂｖ）（但し、Ｄは、Ｂｆ、Ｔ
ｌｆｉのいずれか或いはその組合わせであり、Ｘは０，
１〜１．１の範囲であり、Ｙは２．０以下である）のい
ずれか、或いはその組合わせであり、ＢはＢａ、Ｓｒの
いずれか或いはその組合わせであり、Ｍは０．８〜２．
８の範囲であり、Ｎは０．８〜５．８の範囲である）の
いずれか或いは、これらの組合わせである。そして、前
記絶縁層は、Ａ ｊ！ ｔ Ｏｓ、Ｓ ｉ Ｏ＊、（Ａ
Ｅ ）Ｏ（但し、ＡＥは、Ｍ ｇ ％ Ｃａ ％Ｓ
ｒ ％ Ｂａのいずれかである）、Ｌｎ＊０ｓ（Ｌｎは
、ＹｌＬａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ％Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ。
５〜３．０の範囲であり、Ｊは、２．５〜４．０の範囲
であり、Ｋは５．０〜７．０の範囲である）或いは、 Ａ ｖＣａ ｎ−ＩＢ ！ Ｃｕ Ｎｏ ＊＜ｗ＊＊）
＋−系超伝導材料（但し、ＡはＢｉ、Ｔｊ！、（Ｄ １
．＊−ｘＰ ｂ ｘｓ ｂｖ）（但し、Ｄは、Ｂｆ、Ｔ
ｌｆｉのいずれか或いはその組合わせであり、Ｘは０，
１〜１．１の範囲であり、Ｙは２．０以下である）のい
ずれか、或いはその組合わせであり、ＢはＢａ、Ｓｒの
いずれか或いはその組合わせであり、Ｍは０．８〜２．
８の範囲であり、Ｎは０．８〜５．８の範囲である）の
いずれか或いは、これらの組合わせである。そして、前
記絶縁層は、Ａ ｊ！ ｔ Ｏｓ、Ｓ ｉ Ｏ＊、（Ａ
Ｅ ）Ｏ（但し、ＡＥは、Ｍ ｇ ％ Ｃａ ％Ｓ
ｒ ％ Ｂａのいずれかである）、Ｌｎ＊０ｓ（Ｌｎは
、ＹｌＬａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ％Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ。
Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕのいずれかである）のいぐれか
の酸化物セラミックス或いは（Ａ Ｅ ）Ｆ ｎ（但し
、ＡＥは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのいずれか或いはそ
の組合わせである）である、そして、酸化物超伝導層の
厚さは、４０〜５００人であり、金属、合金層の厚さは
、５００〜５０００人であり、絶縁層の厚さは、４０〜
５００人であることが好適である。
の酸化物セラミックス或いは（Ａ Ｅ ）Ｆ ｎ（但し
、ＡＥは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのいずれか或いはそ
の組合わせである）である、そして、酸化物超伝導層の
厚さは、４０〜５００人であり、金属、合金層の厚さは
、５００〜５０００人であり、絶縁層の厚さは、４０〜
５００人であることが好適である。
本発明において、その最初に形成される所望酸化物超伝
導薄膜層の厚は、４０〜５００人であり、金属、合金の
薄膜層の厚は、５００〜５０００Ａである。即ち、最初
に形成される金属、合金の薄膜層は、超伝導酸化物厚よ
りも厚くして、生産効率を高く保持することができる。
導薄膜層の厚は、４０〜５００人であり、金属、合金の
薄膜層の厚は、５００〜５０００Ａである。即ち、最初
に形成される金属、合金の薄膜層は、超伝導酸化物厚よ
りも厚くして、生産効率を高く保持することができる。
その金属、合金の薄膜層厚は、５００人未満では、全体
の生産効率が、成長速度の遅い酸化物層形成に律速され
、不都合であり、また、５０００人を超えると、熱想理
時の上下の酸化物層の効果が全合金膜に及び難くなり、
不都合である。
の生産効率が、成長速度の遅い酸化物層形成に律速され
、不都合であり、また、５０００人を超えると、熱想理
時の上下の酸化物層の効果が全合金膜に及び難くなり、
不都合である。
それに対して、最初に形成される酸化物超伝導層の厚は
、比較的に薄くすることができ、４０〜５００人の範囲
である。４０人未満では、良質な膜が得られ難くなり、
５００人を超えると全体の生産効率を律速することにな
る。従って、以−Ｅの範囲の厚の薄膜層を形成する。ま
た、絶縁層の厚社、４０〜５００人であるものが好適で
ある。
、比較的に薄くすることができ、４０〜５００人の範囲
である。４０人未満では、良質な膜が得られ難くなり、
５００人を超えると全体の生産効率を律速することにな
る。従って、以−Ｅの範囲の厚の薄膜層を形成する。ま
た、絶縁層の厚社、４０〜５００人であるものが好適で
ある。
４０Ａ未満では、絶ａＮＩとしての効果及び化学的相互
拡散反応のバリア層としての働きが不充分であり、５０
０人を超えると、完全な絶縁層となり不都合であるので
、４０〜５００人の範囲にする。
拡散反応のバリア層としての働きが不充分であり、５０
０人を超えると、完全な絶縁層となり不都合であるので
、４０〜５００人の範囲にする。
また、このような酸化物超伝導層、合金層を形成するた
めに、スパッタリング処理、プラズマアシスト蒸着処理
或いはレーザ蒸着処理を用いて、各薄膜層を形成するこ
とが好適である。
めに、スパッタリング処理、プラズマアシスト蒸着処理
或いはレーザ蒸着処理を用いて、各薄膜層を形成するこ
とが好適である。
従って、本発明による多層超伝導薄膜の製造方法では、
基本的に超伝導材料による酸化物薄膜を積層し、その積
層超伝導薄膜の間に、その超伝導材料を構成する元素の
金属或いは合金による薄膜を挿入させて、多層薄膜を作
成し、それを熱処理することにより、多層超伝導薄膜を
製造するものである。
基本的に超伝導材料による酸化物薄膜を積層し、その積
層超伝導薄膜の間に、その超伝導材料を構成する元素の
金属或いは合金による薄膜を挿入させて、多層薄膜を作
成し、それを熱処理することにより、多層超伝導薄膜を
製造するものである。
ここで、基板には、酸化物超伝導体薄膜の作成に用いら
れる一般的な物質、例えば、単結晶ＭｇＯ，単結晶５ｒ
ＴｉＯ＊又は多結晶の基板例えば、部分安定化ジルコニ
ア板等を用いることができるが、特に、限定されるもの
ではない。
れる一般的な物質、例えば、単結晶ＭｇＯ，単結晶５ｒ
ＴｉＯ＊又は多結晶の基板例えば、部分安定化ジルコニ
ア板等を用いることができるが、特に、限定されるもの
ではない。
また、ターゲツト材には、所望による組成の材料を用い
ることができる。
ることができる。
本発明による多層高温超伝導体薄膜の製造’Ｈ法及び製
造装置は、第１．２及び３図の模式図に示されるもので
ある。
造装置は、第１．２及び３図の模式図に示されるもので
ある。
得られた薄膜に対してＸ線回折分析で観察した、その結
果を第４．５．６及び７図に示す。
果を第４．５．６及び７図に示す。
そして、本発明の酸化物超伝導薄膜の作製方法は、更に
、例えば、ジョセフソン接合、赤外線検出器、光スィッ
チのような製品のための超伝導納品薄膜の形成にも用い
ることができる。
、例えば、ジョセフソン接合、赤外線検出器、光スィッ
チのような製品のための超伝導納品薄膜の形成にも用い
ることができる。
次に、本発明の酸化物超伝導多層薄膜の作製方法を具体
的に実施例により説］す１するが、本発明はそれらによ
って限定されるものではない。
的に実施例により説］す１するが、本発明はそれらによ
って限定されるものではない。
［実施例１］
第１図の多層薄膜の作成方法及び装置を模式内示した図
により説明する。
により説明する。
基板として、超伝導の結晶成長に影響の強いＭｇＯ単結
晶を用いて、基板表面に金属膜次いで酸化物超電導材料
膜をスパッタリングにより形成し、その積層した超伝導
薄膜に対して熱処理を行なう。
晶を用いて、基板表面に金属膜次いで酸化物超電導材料
膜をスパッタリングにより形成し、その積層した超伝導
薄膜に対して熱処理を行なう。
ここでは、超伝導薄膜をスパッタリング作成した例を示
す、ここにおいて、基板カートリッジ１、基板（Ｍ ｇ
Ｏ） ２、ゲイト３、ヒーター４、基板予熱室５、Ｙ
Ｃｕスパッター室５、ＢａＣｕスパッター室６、ＢａＣ
ｕスパッター室７、ＹＢａｔＣｕｓＯｓスパッター室８
、アニーリング室９、コンベヤライン１０、ガス排気系
統１１、アニーリングガス導入管１２、製品出口１３、
スパッタガン１４、ＹＣｕ金属膜（１６００Ａ）１５、
ＢａＣｕ金属膜（３２００人）１６、ＹＢａｍＣｕ＊Ｏ
ｓ膜（１００Ａ）１７、Ｙ Ｂ ａ ＊ Ｃｕ ＊ Ｏ
ａ膜（４９０ＯＡ）１Ｂ、スパッタガス導入管（Ａｒ１
００％）１９及びスパッタガス導入管（Ａ ｒ ＋ Ｏ
ｎ１０％＞２０がある。
す、ここにおいて、基板カートリッジ１、基板（Ｍ ｇ
Ｏ） ２、ゲイト３、ヒーター４、基板予熱室５、Ｙ
Ｃｕスパッター室５、ＢａＣｕスパッター室６、ＢａＣ
ｕスパッター室７、ＹＢａｔＣｕｓＯｓスパッター室８
、アニーリング室９、コンベヤライン１０、ガス排気系
統１１、アニーリングガス導入管１２、製品出口１３、
スパッタガン１４、ＹＣｕ金属膜（１６００Ａ）１５、
ＢａＣｕ金属膜（３２００人）１６、ＹＢａｍＣｕ＊Ｏ
ｓ膜（１００Ａ）１７、Ｙ Ｂ ａ ＊ Ｃｕ ＊ Ｏ
ａ膜（４９０ＯＡ）１Ｂ、スパッタガス導入管（Ａｒ１
００％）１９及びスパッタガス導入管（Ａ ｒ ＋ Ｏ
ｎ１０％＞２０がある。
基板２は、基板カートリッジ１により供給される。供給
された基板２は、第１図に示されるコンベヤライン１０
に装着され、ゲイト３を経て、ヒータ４を備える基板予
熱室５に入る。基板予熱室５では、ガス排気系統１１に
よりゲイト３が閉じている間は真空になっており、基板
２は加熱ヒータ４により加熱され、表面のクリーン度を
向上する。また、次のＹＣｕスパッタリング室６に入る
基板２の温度を一定に保持することにより、その後のス
パッタリング速度や結晶化速度を安定させる。一定温度
３８０℃に予熱された基板２は、ＹＣｕスパッタリング
室６にゲイト３を経て入る。ここで、基板２は表面にＹ
Ｃｕ金属の膜をスパッタリング形成される。ここでスパ
ッタリングガスは、Ａｒガス１００％を用い、導入管１
９より入り、排気系統１１より排出される。
された基板２は、第１図に示されるコンベヤライン１０
に装着され、ゲイト３を経て、ヒータ４を備える基板予
熱室５に入る。基板予熱室５では、ガス排気系統１１に
よりゲイト３が閉じている間は真空になっており、基板
２は加熱ヒータ４により加熱され、表面のクリーン度を
向上する。また、次のＹＣｕスパッタリング室６に入る
基板２の温度を一定に保持することにより、その後のス
パッタリング速度や結晶化速度を安定させる。一定温度
３８０℃に予熱された基板２は、ＹＣｕスパッタリング
室６にゲイト３を経て入る。ここで、基板２は表面にＹ
Ｃｕ金属の膜をスパッタリング形成される。ここでスパ
ッタリングガスは、Ａｒガス１００％を用い、導入管１
９より入り、排気系統１１より排出される。
この実施例では、４９００人の超伏４薄膜を作成するた
めに、膜質は低下しても生産性を重視して、金属ＹＣｕ
膜の厚さを１６００Ａとした。この金属層１５の厚さに
関する超伝導層の特性の変化は、後述する。
めに、膜質は低下しても生産性を重視して、金属ＹＣｕ
膜の厚さを１６００Ａとした。この金属層１５の厚さに
関する超伝導層の特性の変化は、後述する。
更に、基板２は次のＢａＣｕスパッタリング室７に移り
、Ｂ ａＣｕ金属薄膜を３２００人厚にスパッタリング
形成された。これらの膜厚の割合は、、最終的に熱処理
を行なったときに、超伝導薄膜と同じ組成割合になるよ
うに決める。
、Ｂ ａＣｕ金属薄膜を３２００人厚にスパッタリング
形成された。これらの膜厚の割合は、、最終的に熱処理
を行なったときに、超伝導薄膜と同じ組成割合になるよ
うに決める。
最後に、この薄膜の特性を良好にするためＹＢａｘＣｕ
ｓＯｓの薄膜１７をスパッタリング形成する。この膜厚
は、全体の結晶に影響しないので、生産性の範囲で充分
に薄くするここができる。
ｓＯｓの薄膜１７をスパッタリング形成する。この膜厚
は、全体の結晶に影響しないので、生産性の範囲で充分
に薄くするここができる。
このＹ Ｂ ａ ｇ Ｃｕ ｓ Ｏ＊膜１７の厚は、１
００人とした。これ以上薄くしても装置の待ち時間が増
えるだけで生産性が上がらないからである（第８図タイ
ム−／−ケート参照）。
００人とした。これ以上薄くしても装置の待ち時間が増
えるだけで生産性が上がらないからである（第８図タイ
ム−／−ケート参照）。
そこで、基板２はＹＢａ＊Ｃｕ５Ｏａスパッタリング室
８に入り、Ｌ−夕４により、６５０℃まで加熱されなが
ら、表面にＹＢａ＊Ｃｕ６０．膜１７を１００人形成し
た。Ｒ後に熱処理を行なうために基板２はアニ−リング
室９に入る。アニーリング室９は二本に分かれており、
各室は基板を数４−・枚−度にセット作成できる。各室
は交Ｈｑにアニノングを行なうことにより、熱処理は連
続的に運転できる。アニーリング中は、アニーリングガ
ス導入管１２から熱処理のスケジュールに合わせたガス
組成のアニーリングガスが導入する。導入されたガスは
排気系統１１より排出する。
８に入り、Ｌ−夕４により、６５０℃まで加熱されなが
ら、表面にＹＢａ＊Ｃｕ６０．膜１７を１００人形成し
た。Ｒ後に熱処理を行なうために基板２はアニ−リング
室９に入る。アニーリング室９は二本に分かれており、
各室は基板を数４−・枚−度にセット作成できる。各室
は交Ｈｑにアニノングを行なうことにより、熱処理は連
続的に運転できる。アニーリング中は、アニーリングガ
ス導入管１２から熱処理のスケジュールに合わせたガス
組成のアニーリングガスが導入する。導入されたガスは
排気系統１１より排出する。
この積層金属挿入超伝導薄膜を、８５０°Ｃで空気中で
３０分間アニーリング処理し、 ＹＢａｘＣｕｎＯｓ薄膜を得た。
３０分間アニーリング処理し、 ＹＢａｘＣｕｎＯｓ薄膜を得た。
最終−［稗で熱処理を終了した基板２は、積層金属薄膜
が熱処理酸化され、良好な結晶性のＹ Ｂ ａ Ｉ Ｃ
ｕ ｓ Ｏｓ膜（厚４９００人）１Ｂとなる。
が熱処理酸化され、良好な結晶性のＹ Ｂ ａ Ｉ Ｃ
ｕ ｓ Ｏｓ膜（厚４９００人）１Ｂとなる。
以上のように、金属層（−に記では、１５や１６）を挾
んで超伝導材料ｉ（ｌ記で！ま、１７）を積層して、熱
処理して得られた超伝導薄膜（・〉ト、従来のように屯
にスパッタリング処理形成した超伝導薄膜（○）！、：
ついて、得られた薄膜の結晶性、配向性をＸ線回折線観
察で比較した。即ち、設計した超伝導薄膜の厚を横幅に
取り、Ｙ Ｂ ａ 、ｃ ｕ ｇｏｓＮｍのＸａ回折線
ピーク（００５）と、＜００５＞＋（１０３）＋（１１
０）の回折線強度比を縦軸に取って、第４図のグラフに
表わした。
んで超伝導材料ｉ（ｌ記で！ま、１７）を積層して、熱
処理して得られた超伝導薄膜（・〉ト、従来のように屯
にスパッタリング処理形成した超伝導薄膜（○）！、：
ついて、得られた薄膜の結晶性、配向性をＸ線回折線観
察で比較した。即ち、設計した超伝導薄膜の厚を横幅に
取り、Ｙ Ｂ ａ 、ｃ ｕ ｇｏｓＮｍのＸａ回折線
ピーク（００５）と、＜００５＞＋（１０３）＋（１１
０）の回折線強度比を縦軸に取って、第４図のグラフに
表わした。
ＹＢａ、ＣｕｘＯｓ層で、厚さＴの金属膜を挾んで或い
は挾まずに、８５０℃空気中で、３０分間アニーリング
した場合の、’１Ｂａ、ＣｕｘＯｔのＸ線回折ピークを
測定して、上記の強度比で、比較した。
は挾まずに、８５０℃空気中で、３０分間アニーリング
した場合の、’１Ｂａ、ＣｕｘＯｔのＸ線回折ピークを
測定して、上記の強度比で、比較した。
この回折線強度比の値が大きい程、（００１）配向性が
高いことを示すものである。
高いことを示すものである。
従来法では、生産性を確保するために金属クーデ・７ト
材のみを用いてスバ・ンタリング熱処理を行なった。第
４図から明らかなように、金属層とそれを挾む超伝導材
料屑の間隔に影響を受けて超伝導膜の配向性が変化する
。即ち、従来法で（よ、金属膜厚が、１０００人を超え
ると急激に配向性が低ドしてしまう、これに比べて、本
発明により作成した超伝導薄膜は配向性が良好であり、
Ｊ’Ｘ２０００人を超えても、良好な配向性が得られた
。
材のみを用いてスバ・ンタリング熱処理を行なった。第
４図から明らかなように、金属層とそれを挾む超伝導材
料屑の間隔に影響を受けて超伝導膜の配向性が変化する
。即ち、従来法で（よ、金属膜厚が、１０００人を超え
ると急激に配向性が低ドしてしまう、これに比べて、本
発明により作成した超伝導薄膜は配向性が良好であり、
Ｊ’Ｘ２０００人を超えても、良好な配向性が得られた
。
スパッタリング処理による薄膜層の形成において、従来
技術と、スパッタリング処理条件、生産効率等について
、比較し、第１表に示した。
技術と、スパッタリング処理条件、生産効率等について
、比較し、第１表に示した。
第１表では、従来方法Ａでは、本発明のように、スパッ
タガンを３セ・／ト用いて生産性を向上させ、他の場合
と比較している。一方従来Ｊテ法Ｂではスパッタガンを
４セ・ント用い千生産性を改善している場合と比較して
いる。これに対し−〔、本発明では、生産測定が、従来
方法Ａに比べて約１５倍また、従来方法Ｂと比べて、２
７０倍も生産速度が速く、また、従来方法Ｃど比較して
も、生産速）１１はほぼ同じである。
タガンを３セ・／ト用いて生産性を向上させ、他の場合
と比較している。一方従来Ｊテ法Ｂではスパッタガンを
４セ・ント用い千生産性を改善している場合と比較して
いる。これに対し−〔、本発明では、生産測定が、従来
方法Ａに比べて約１５倍また、従来方法Ｂと比べて、２
７０倍も生産速度が速く、また、従来方法Ｃど比較して
も、生産速）１１はほぼ同じである。
また、生産に必要な電力も、従来方法Ａに対しでは約１
５分の１と、従来方法Ｂに対しては２７０分のｌで、従
来ノｊ法Ｃに比べて若干高い程度である。
５分の１と、従来方法Ｂに対しては２７０分のｌで、従
来ノｊ法Ｃに比べて若干高い程度である。
ミニのような差が出る原因は、第２表番こ示１−ように
、金属は成膜速度がその酸化物に比べて、２０倍から数
百倍速いために、金属ターゲツト材を用いた場合には、
その酸化物ターゲツト材を用いた場合よりも、生産性が
極めて高いものとなるためである。
、金属は成膜速度がその酸化物に比べて、２０倍から数
百倍速いために、金属ターゲツト材を用いた場合には、
その酸化物ターゲツト材を用いた場合よりも、生産性が
極めて高いものとなるためである。
また、複数のターゲツト材を用いて薄膜を作製する場合
は、最終成膜の化学組成を所望の値に合わせるために、
幾つかあるターゲツト材の内で、最も成膜速度の遅い化
合物に支配される０例えば、従来方法では、Ｙ、０．の
スパッタリング速度が遅いために、成膜され難く、金属
Ｙの場合の方が、２５０倍もその生産性が高い、その上
で、第１表に示すように、金属では合金にしても、金属
単体でもさほど成膜速度が変わらない、このために、最
も遅い成膜測定を有するＹＣｕ合金を用いても、最大の
成膜速度を有するＣｕ金属の約６５％であり、生産性は
さほど低下しない、しかし、酸化物ターゲツト材では、
全体としての成膜速度が遅いだけでなく、ターゲツト材
間の格差も大きい。
は、最終成膜の化学組成を所望の値に合わせるために、
幾つかあるターゲツト材の内で、最も成膜速度の遅い化
合物に支配される０例えば、従来方法では、Ｙ、０．の
スパッタリング速度が遅いために、成膜され難く、金属
Ｙの場合の方が、２５０倍もその生産性が高い、その上
で、第１表に示すように、金属では合金にしても、金属
単体でもさほど成膜速度が変わらない、このために、最
も遅い成膜測定を有するＹＣｕ合金を用いても、最大の
成膜速度を有するＣｕ金属の約６５％であり、生産性は
さほど低下しない、しかし、酸化物ターゲツト材では、
全体としての成膜速度が遅いだけでなく、ターゲツト材
間の格差も大きい。
従って、本発明による酸化物超伝導薄膜の製造方法では
、金属ターゲツト材を用い、速い成膜速度を利用しなが
ら、酸化物ターゲツト材を用いた薄膜をサンドインチ状
構造にして、成膜の結晶性を酸化物ターゲツト材のみを
用いて、作成した薄膜とほぼ同じ性２１を有することを
可能にしたものである。
、金属ターゲツト材を用い、速い成膜速度を利用しなが
ら、酸化物ターゲツト材を用いた薄膜をサンドインチ状
構造にして、成膜の結晶性を酸化物ターゲツト材のみを
用いて、作成した薄膜とほぼ同じ性２１を有することを
可能にしたものである。
［実施例２］
部分安定化ジル−１ニアを基板２として用い、超伝導薄
膜の膜厚は９８００Ａにした積層超伝導薄膜の作成を説
明する。
膜の膜厚は９８００Ａにした積層超伝導薄膜の作成を説
明する。
但し、基板が多結品の部分安定化ジルコニアであるため
に最初にＹ Ｂ ａ ＊ Ｃｕ ｓ Ｏ＊膜を基板表面
にスパッタリング形成し、次いで金属膜をスパッタリン
グ形成する。
に最初にＹ Ｂ ａ ＊ Ｃｕ ｓ Ｏ＊膜を基板表面
にスパッタリング形成し、次いで金属膜をスパッタリン
グ形成する。
第２図の模式的に製造装置を示した図を参照して説明す
る。ここにおいて、基板カートリッジ１、基板（ＦＭ分
安定化ジルフニア）２、ゲイト３、Ｌ−ター４、基板予
熱室５、 ＹＢａｔＣｔｚＯａ、ｔバッター室６、ＹＣｕスパッタ
ー室７、Ｂ ａＣｕスパッター室８、アニーリング室９
、＝１ンベヤライン１０、ガス排気系統１１アニーリン
グガス導入管１２、製品出ｒ１１３、スパッタガン１４
、ＹＢａ＊Ｃｕ５Ｏｓ薄膜（１００Ａ）１５、ＢａＣｕ
金属膜（３２００人）１６ＢａＣｕ膜（３２００Ａ）１
７、 Ｙ Ｂ ａ ＊ Ｃｕ ｓ Ｏｓ膜（９８００人）１８
、スパッタガス導入管（Ａｒ１００％）１９及びスパッ
タガス導入管（Ａｒ＋０．１０％）２０がある。
る。ここにおいて、基板カートリッジ１、基板（ＦＭ分
安定化ジルフニア）２、ゲイト３、Ｌ−ター４、基板予
熱室５、 ＹＢａｔＣｔｚＯａ、ｔバッター室６、ＹＣｕスパッタ
ー室７、Ｂ ａＣｕスパッター室８、アニーリング室９
、＝１ンベヤライン１０、ガス排気系統１１アニーリン
グガス導入管１２、製品出ｒ１１３、スパッタガン１４
、ＹＢａ＊Ｃｕ５Ｏｓ薄膜（１００Ａ）１５、ＢａＣｕ
金属膜（３２００人）１６ＢａＣｕ膜（３２００Ａ）１
７、 Ｙ Ｂ ａ ＊ Ｃｕ ｓ Ｏｓ膜（９８００人）１８
、スパッタガス導入管（Ａｒ１００％）１９及びスパッ
タガス導入管（Ａｒ＋０．１０％）２０がある。
基板２は基板カートリッジ１からゲイト３を経て予熱室
５で６５０℃まで予熱され、 ＹＢａ、Ｃｕ５Ｏ＊スパツタリング室６に入る０次いで
ＹＣｕ金属スパッタリング室７では、基板温度はヒータ
４を制御することにより３６０℃に下げられ、ＹＣｕ金
属層を厚さ１２００人スパッタリングされる。更に、Ｙ
ＢａｍＣｕｓＯｓをこれらの表面に厚さ１００人にスパ
ッタリングする。この上に再度金属膜ＹＣｕとＢａＣｕ
を同様な方法で各々１６００人と３２００人厚に積層す
る。最後にアニーリング室９で熱処理されると厚９８０
０人の良質な超伝導薄膜となる。
５で６５０℃まで予熱され、 ＹＢａ、Ｃｕ５Ｏ＊スパツタリング室６に入る０次いで
ＹＣｕ金属スパッタリング室７では、基板温度はヒータ
４を制御することにより３６０℃に下げられ、ＹＣｕ金
属層を厚さ１２００人スパッタリングされる。更に、Ｙ
ＢａｍＣｕｓＯｓをこれらの表面に厚さ１００人にスパ
ッタリングする。この上に再度金属膜ＹＣｕとＢａＣｕ
を同様な方法で各々１６００人と３２００人厚に積層す
る。最後にアニーリング室９で熱処理されると厚９８０
０人の良質な超伝導薄膜となる。
超伝導膜質は、−に下に超伝導薄膜でサンドイッチされ
ているために比較的に強い配向性を有し、良質である。
ているために比較的に強い配向性を有し、良質である。
上部の金属薄膜は、片面しか結晶ＹＢ ａ ｓｃ ｕ
ｓｏ ＊と接触していないのでアニーリングにより得ら
れる結晶質はやや低下する。これを防止するには、同様
な方法で表面に ＹＢａｔＣｔｚＯａをもう一層スバッタリング外理すれ
ば、より良好な超伝導薄膜が得られる。
ｓｏ ＊と接触していないのでアニーリングにより得ら
れる結晶質はやや低下する。これを防止するには、同様
な方法で表面に ＹＢａｔＣｔｚＯａをもう一層スバッタリング外理すれ
ば、より良好な超伝導薄膜が得られる。
第５図は、本実施例により作成した
Ｙ Ｂ ａ ２ Ｃｕ ＊ Ｏａ薄膜のＸ線回折線パタ
ーンを上段に、ド段に従来法による超伝導薄膜のＸ線回
折バクーンを示ず、総膜厚ｉｏ、ｏｏｏ人、８５０°Ｃ
１空気中３０分間のアニールで得られたものである。第
５図から］す１らかに本発明による超伝導薄膜の各（０
１りのピークが、従来法より鮮明で納品性に優れてい、
配向性が優れていることを示している。
ーンを上段に、ド段に従来法による超伝導薄膜のＸ線回
折バクーンを示ず、総膜厚ｉｏ、ｏｏｏ人、８５０°Ｃ
１空気中３０分間のアニールで得られたものである。第
５図から］す１らかに本発明による超伝導薄膜の各（０
１りのピークが、従来法より鮮明で納品性に優れてい、
配向性が優れていることを示している。
第６図は、ｔｏｏｏｏ入厚の薄膜の中に、５０人のＹＢ
ａｍＣｕｓＯｓ膜でサンドイツブー構造を作成したとき
のＹＢａｔＣｔｚＯａ膜の暦数（段数）と結晶の性質の
関係を示すグラフである。
ａｍＣｕｓＯｓ膜でサンドイツブー構造を作成したとき
のＹＢａｔＣｔｚＯａ膜の暦数（段数）と結晶の性質の
関係を示すグラフである。
即ち、積層において挿入する超伝導材料層の数を変λ−
で、合金層と超伝導層をｔｏｏｏｏ人にまで、スパッタ
リング積層形成し、その積層構造体を窄気中８５０℃で
３０分間アニーりング処理して、得られたＹＢａｍＣｕ
ｓＯｓ薄膜のＸ線回折ビーり（００５）と（ＯＯ５）＋
（１０３）＋（１１０）との強度比を縦軸に取って示し
たものである。参考のために上軸に１００００人に挿入
した段数から計算された超伝導層間の膜厚を人で示した
。
で、合金層と超伝導層をｔｏｏｏｏ人にまで、スパッタ
リング積層形成し、その積層構造体を窄気中８５０℃で
３０分間アニーりング処理して、得られたＹＢａｍＣｕ
ｓＯｓ薄膜のＸ線回折ビーり（００５）と（ＯＯ５）＋
（１０３）＋（１１０）との強度比を縦軸に取って示し
たものである。参考のために上軸に１００００人に挿入
した段数から計算された超伝導層間の膜厚を人で示した
。
１００００Ａ厚の良好な結晶の超伝導薄膜を得るために
は、はぼ６層（ｎ＝６）で充分であり、従来法（ｎ＝２
）の２倍以上のピークが現れている。
は、はぼ６層（ｎ＝６）で充分であり、従来法（ｎ＝２
）の２倍以上のピークが現れている。
［実施例３］
アニーリング娼理後に、超伝導膜／絶Ｒ膜／超伝導膜、
の積層構造物を高品質、高効率で製造する処理工程を示
す、ここにおいて、基板カートリッジ１、基板（Ｍ ｇ
Ｏ） ２、ゲイト３、ヒーター４、基板予熱室５、Ｙ
Ｃｕスパッター室６、ＢａＣＵスパッター室７、ＹＢａ
＊Ｃｕ５Ｏａスパッター室８、アニーリング室９、コン
ベヤライン１０、ガス排気系統１１、アニーリングガス
導入管１２、製品出口１３、スパッタガン１４、ＹＣｕ
薄膜（１６００人）１５、ＢａＣｕ金属膜（３２００人
）１６、ＹＢａｍＣｕｓＯｓ膜（１００人）１７、ＹＢ
ａｔＣｔｚＯａ膜（４９００人）１８、スパッタガス導
入管（Ａｒ１００％）１９及びスパッタガス導入管（Ａ
ｒ ＋Ｏ＊１０％）２０、絶縁膜スパッタ室２１及び
絶縁膜（ＭｇＯ：２００Ａ）２２がある。
の積層構造物を高品質、高効率で製造する処理工程を示
す、ここにおいて、基板カートリッジ１、基板（Ｍ ｇ
Ｏ） ２、ゲイト３、ヒーター４、基板予熱室５、Ｙ
Ｃｕスパッター室６、ＢａＣＵスパッター室７、ＹＢａ
＊Ｃｕ５Ｏａスパッター室８、アニーリング室９、コン
ベヤライン１０、ガス排気系統１１、アニーリングガス
導入管１２、製品出口１３、スパッタガン１４、ＹＣｕ
薄膜（１６００人）１５、ＢａＣｕ金属膜（３２００人
）１６、ＹＢａｍＣｕｓＯｓ膜（１００人）１７、ＹＢ
ａｔＣｔｚＯａ膜（４９００人）１８、スパッタガス導
入管（Ａｒ１００％）１９及びスパッタガス導入管（Ａ
ｒ ＋Ｏ＊１０％）２０、絶縁膜スパッタ室２１及び
絶縁膜（ＭｇＯ：２００Ａ）２２がある。
実施例１と同様にＭｇＯを基板に用い、これを予熱した
後に、ＹＣｕ合金どＢａＣｕ合金を轟々１６００人と３
２００人積周１、次いで、ＹＢａ＠ Ｃｕ ｓ Ｏ＊を
１００人厚１その上に、絶ＲＨを２００人厚１更に、Ｙ
ＢａｍＣｕｓＯｇを１００Ａ厚積層し、続いてＹＣｕ合
金、ＢａＣｕ合金を各々１２００人、３２００人厚に１
パッタリング処理した０、二こまでで出来１；がった構
造体は、次の通りである。
後に、ＹＣｕ合金どＢａＣｕ合金を轟々１６００人と３
２００人積周１、次いで、ＹＢａ＠ Ｃｕ ｓ Ｏ＊を
１００人厚１その上に、絶ＲＨを２００人厚１更に、Ｙ
ＢａｍＣｕｓＯｇを１００Ａ厚積層し、続いてＹＣｕ合
金、ＢａＣｕ合金を各々１２００人、３２００人厚に１
パッタリング処理した０、二こまでで出来１；がった構
造体は、次の通りである。
基板／ＹＣｕ（１６００人）／ＢａＣｕ（３２００人）
／ＹＢａ＊ＣｕＡＯ＠（１００人）／Ｍｇ０（２００人
）／ＹＢａｔＣｕｍＯｓ（１００人）／ＹＣｕ（１６０
０人）／ＢａＣｕ（３６００人） これを熱処理すると、基板／ ＹＢａｍＣｕｓＯｇ（４
９００人）／Ｍｇ０（２００人）／ＹＢａ＊Ｃｕ５Ｏａ
（４９００人）の構造体が得られる。
／ＹＢａ＊ＣｕＡＯ＠（１００人）／Ｍｇ０（２００人
）／ＹＢａｔＣｕｍＯｓ（１００人）／ＹＣｕ（１６０
０人）／ＢａＣｕ（３６００人） これを熱処理すると、基板／ ＹＢａｍＣｕｓＯｇ（４
９００人）／Ｍｇ０（２００人）／ＹＢａ＊Ｃｕ５Ｏａ
（４９００人）の構造体が得られる。
［実施例４］
第７図Ａ、Ｂは、Ｔ Ｒ＊Ｂ ａ ＬＣａ、Ｃｕ ５Ｏ
ｔｓｏｔ系超伝導膜について、本発明による薄膜作成法
と従来法との比較するために、Ｘ、１回折線で測定した
結晶性と配向性を示す、即ち、本発明によるＴ ｌ ｓ
Ｂ ａ ＬＣａ ＭＣｕ ＮＯ＊Ｎ＊＊系超伝導微結
晶薄膜のＸｗａ回折線パターンを第７図Ａで示し、従来
法による超伝導薄膜をＸ線回折パターンを第７図Ｂで示
す。また、各々の超伝導薄膜の低温抵抗率を測定した結
果を、第７図Ｃのグラフに示す０本発明による場合を曲
ｆｉＡで示し、従来法による場合を［１ｔｌｆｉＢで示
す、即ち、総膜厚１ｕｎｎで、空気中９５０℃でアニー
リング処理して得た超伝導薄膜について測定したもので
ある。
ｔｓｏｔ系超伝導膜について、本発明による薄膜作成法
と従来法との比較するために、Ｘ、１回折線で測定した
結晶性と配向性を示す、即ち、本発明によるＴ ｌ ｓ
Ｂ ａ ＬＣａ ＭＣｕ ＮＯ＊Ｎ＊＊系超伝導微結
晶薄膜のＸｗａ回折線パターンを第７図Ａで示し、従来
法による超伝導薄膜をＸ線回折パターンを第７図Ｂで示
す。また、各々の超伝導薄膜の低温抵抗率を測定した結
果を、第７図Ｃのグラフに示す０本発明による場合を曲
ｆｉＡで示し、従来法による場合を［１ｔｌｆｉＢで示
す、即ち、総膜厚１ｕｎｎで、空気中９５０℃でアニー
リング処理して得た超伝導薄膜について測定したもので
ある。
［発明の効果］
本発明の酸化物超伝導体多層構造薄膜の作１ｊ１． ’
Ｊｊ法により、次のような顕著な技術的効果が得られた
。
Ｊｊ法により、次のような顕著な技術的効果が得られた
。
第１に、従来の酸化物超伝導薄膜作製法に釘ける成膜速
度が遅く、生産性が悪い欠点を解決する酸化物超伝導薄
膜の作製方法を提供できる。
度が遅く、生産性が悪い欠点を解決する酸化物超伝導薄
膜の作製方法を提供できる。
第２に、従来方法において、皮膜速度を上げるために、
単に金属ターゲツト材を用いただけでｊ２．！：、作製
後の薄膜の形態、結晶性が非常に悪くなるが、本発明の
成膜方法では、このような欠点がなくなる。
単に金属ターゲツト材を用いただけでｊ２．！：、作製
後の薄膜の形態、結晶性が非常に悪くなるが、本発明の
成膜方法では、このような欠点がなくなる。
第３に、金属ターゲツト材と酸化物ターゲット＄（を組
合わせることにより、生産性が高く、超伝導薄膜の性質
も向上された超伝導薄膜の製造方法と提供する。
合わせることにより、生産性が高く、超伝導薄膜の性質
も向上された超伝導薄膜の製造方法と提供する。
弟達に、酸化物超伝導薄膜の生産方法におい丁、生産効
率を高くし、更に、得られた超伝導薄膜の品質を高く得
られる超伝導作製方法を提供ず乙。
率を高くし、更に、得られた超伝導薄膜の品質を高く得
られる超伝導作製方法を提供ず乙。
第５に、これまで得られなかった種類の異なる酸化物超
伝導薄ｌＰＪ層を積層させた多層構造の酸化物超伝導薄
膜の作成が可能となったこと、第６に、新規な機能を持
った超伝導材料の提供が＋’ｉ丁能となり、そのエレク
トロニクス応用分野が拡大する、二とになり、例えばジ
ョセフソン素子等に利用できる構造の酸化物超伝導体の
作成方法を提−供する。
伝導薄ｌＰＪ層を積層させた多層構造の酸化物超伝導薄
膜の作成が可能となったこと、第６に、新規な機能を持
った超伝導材料の提供が＋’ｉ丁能となり、そのエレク
トロニクス応用分野が拡大する、二とになり、例えばジ
ョセフソン素子等に利用できる構造の酸化物超伝導体の
作成方法を提−供する。
第１図は、本発明による酸化物超伝導薄膜の製造のため
の装置と方法を示す模式図である。 第２図は、本発明による酸化物超伝導薄膜の製造のため
の他の装置と方法を示す模式図である。 第３図は、本発明による酸化物超伝導薄膜の製造のため
の更に他の装置と方法を示す模式図である。 第４図は、本発明により製造された酸化物超伝導薄膜と
従来法により製造された酸化物超伝導薄膜の結晶性を比
較するグラフであり、横軸に膜厚を取り、縦軸に、Ｘｌ
ａ回折強度比をとったものである。 第５図Ａ、Ｂは、本発明により製造された酸化物超伝導
薄膜と、従来法により製造された酸化物超伝導薄膜とを
その結晶性、配向性を比較するために、各々のＸ線回折
パターンを示す。 第６図は、本発明により製造された酸化物超伝導薄膜の
結晶性を丞ずグラフであり、横軸に総膜厚１μｍ間にＭ
１人Ｖる超伝導層の数をとり、縦軸にｘ！ＩＩｔ回折＠
度比をとったものである。 第７図Ａ、Ｂ、Ｃは、本発明により製造された酸化物超
伝導薄膜と、従来法により製造された酸化物超伝導薄膜
とをその結晶性、配向性を比較するために、各々のＸ線
同折パターンと、その低温抵抗率の測定結果を示すグラ
フである。 第８図は、本発明による各薄膜をスパッタリング形成す
るだめのタイムチャートを示す。
の装置と方法を示す模式図である。 第２図は、本発明による酸化物超伝導薄膜の製造のため
の他の装置と方法を示す模式図である。 第３図は、本発明による酸化物超伝導薄膜の製造のため
の更に他の装置と方法を示す模式図である。 第４図は、本発明により製造された酸化物超伝導薄膜と
従来法により製造された酸化物超伝導薄膜の結晶性を比
較するグラフであり、横軸に膜厚を取り、縦軸に、Ｘｌ
ａ回折強度比をとったものである。 第５図Ａ、Ｂは、本発明により製造された酸化物超伝導
薄膜と、従来法により製造された酸化物超伝導薄膜とを
その結晶性、配向性を比較するために、各々のＸ線回折
パターンを示す。 第６図は、本発明により製造された酸化物超伝導薄膜の
結晶性を丞ずグラフであり、横軸に総膜厚１μｍ間にＭ
１人Ｖる超伝導層の数をとり、縦軸にｘ！ＩＩｔ回折＠
度比をとったものである。 第７図Ａ、Ｂ、Ｃは、本発明により製造された酸化物超
伝導薄膜と、従来法により製造された酸化物超伝導薄膜
とをその結晶性、配向性を比較するために、各々のＸ線
同折パターンと、その低温抵抗率の測定結果を示すグラ
フである。 第８図は、本発明による各薄膜をスパッタリング形成す
るだめのタイムチャートを示す。
Claims (9)
- １．基板表面に、所望の酸化物超伝導薄膜層を形成し、
その上に該酸化物超伝導薄膜を構成する元素の金属又は
これらの元素の所望割合の合金を各々所望の厚さに形成
し、更にその上に該酸化物超伝導薄膜層を形成し、また
、該酸化物超伝導薄膜を構成する元素の金属又はこれら
の元素の合金を形成することを繰り返し、所望厚まで上
記の多層膜構造体を形成し、得られた多層膜構造体を熱
処理することにより、全体として所望の酸化物超伝導膜
を得ることを特徴とする酸化物超伝導薄膜の製造方法。 - ２．基板表面に所望の酸化物超伝導薄膜を構成する元素
の金属又はこれらの元素の所望割合の合金膜を、各々所
望の厚さに形成し、その上に該酸化物超伝導薄膜を形成
し、更にその上に該酸化物超伝導薄膜を構成する元素の
金属又はこれらの元素の所望割合の合金を各々所望の厚
さに形成することを繰り返し、所望の厚さまで上記の多
層膜構造体を形成し、得られた多層膜構造体を熱処理し
、全体として所望の超伝導膜を得ることを特徴とする酸
化物超伝導薄膜の製造方法。 - ３．請求項１或いは２に記載の酸化物超伝導薄膜の製造
方法において、 所望の酸化物超伝導膜又は所望の酸化物超伝導膜と、該
酸化物超伝導膜を構成する元素の金属膜との多層構造体
又は、所望の酸化物超伝導膜と、該酸化物超伝導膜を構
成する元素の金属膜と、該酸化物超伝導膜を構成する元
素の所望割合の合金膜との多層構造体を作成し、次いで
、これらの表面に、絶縁層を形成し、更に、この表面に
、所望の酸化物超伝導膜を形成し、該酸化物超伝導膜を
構成する元素の金属膜との、多層構造体又は所望の酸化
物超伝導膜と、該酸化物超伝導膜を構成する元素の所望
割合の合金膜との、多層構造体又は、所望の酸化物超伝
導膜と、該酸化物超伝導膜を構成する金属膜と、該酸化
物超伝導膜を構成する元素の所望割合の合金膜との、多
層構造体を形成し、これを次々と繰り返し、多層構造体
を作成し、得られた多層構造体を熱処理し、所望の超伝
導膜と絶縁膜の多層構造体を得ることを特徴とする酸化
物超伝導薄膜の製造方法。 - ４．請求項３に記載の酸化物超伝導薄膜の製造方法にお
いて、各々の絶縁層を挾んで上層と下層の超伝導層を構
成する元素が、一部或いは全部異なることを特徴とする
前記酸化物超伝導薄膜の製造方法。 - ５．請求項１、２、３或いは４に記載の酸化物超伝導薄
膜の製造方法において、 所望の超伝導薄膜は、ＬｎＢａ＿ＩＣｕ＿ＪＯ＿Ｋ系超
伝導材料（但し、Ｌｎ＝Ｙ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、
Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕのいずれか
或いはその組合わせであり、Ｉは、１．５〜３．０の範
囲であり、 Ｊは、２．５〜４．０の範囲であり、Ｋは ５．０〜７．０の範囲である）或いは、 Ａ＿ＭＣａ＿Ｎ＿−＿１Ｂ＿２Ｃｕ＿ＮＯ＿２＿（＿Ｎ
＿＋＿２＿）＿＋＿Ｍ系超伝導材料（但し、ＡはＢｉ
、Ｔｌ、 （Ｄ＿１＿．＿９＿−＿ＸＰｂ＿ＸＳｂ＿Ｙ）（但し、
Ｄは、Ｂｉ、Ｔｌのいずれか或いはその組合わせであり
、Ｘは０．１〜１．１の範囲であり、Ｙは２．０以下で
ある）のいずれか、或いはその組合わせであり、ＢはＢ
ａ、Ｓｒのいずれか或いはその組合わせであり、Ｍは０
．８〜２．８の範囲であり、Ｎは０．８〜５．８の範囲
である）のいずれか或いは、これらの組合わせであるこ
とを特徴とする酸化物超伝導薄膜の製造方法。 - ６．請求項３、４、或いは５に記載の酸化物超伝導薄膜
の製造方法において、 前記絶縁層が、Ａｌ＿２Ｏ＿３、ＳｉＯ＿２、（ＡＥ）
Ｏ（但し、ＡＥは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのいずれか
である）、Ｌｎ＿２Ｏ＿３（Ｌｎは、Ｙ、Ｌａ、Ｎｄ、
Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌ
ｕのいずれかである）のいずれかの酸化物セラミックス
或いは（ＡＥ）Ｆ＿２（但し、ＡＥは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓ
ｒ、Ｂａのいずれか或いはその組合わせである）である
ことを特徴とする前記酸化物超伝導薄膜の製造方法。 - ７．請求項１、２、３、４、５或いは６に記載の酸化物
超伝導薄膜の製造方法において、 スパッタリング処理、プラズマアシスト蒸着処理、レー
ザ蒸着処理のいずれか或いはこれらの組合わせを用いて
、各薄膜層を形成することを特徴とする前記酸化物超伝
導薄膜の製造方法。 - ８．請求項１、２、３、４、５或いは６に記載の酸化物
超伝導薄膜の製造方法において、 所望の酸化物超伝導膜の厚さが、４０〜５００Åの範囲
であり、該酸化物超伝導膜を構成する元素の金属膜或い
は、該酸化物超伝導膜を構成する元素の所望割合の合金
の厚さは、５００〜５０００Åであり、該絶縁層の厚さ
は、４０〜５００Åの範囲であることを特徴とする前記
酸化物超伝導薄膜の製造方法。 - ９．請求項１〜８のいずれかに記載の酸化物超伝導薄膜
の製造方法で製造された多層の酸化物超伝導薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1190662A JP2742097B2 (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 酸化物超伝導薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1190662A JP2742097B2 (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 酸化物超伝導薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0360405A true JPH0360405A (ja) | 1991-03-15 |
| JP2742097B2 JP2742097B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=16261817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1190662A Expired - Lifetime JP2742097B2 (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 酸化物超伝導薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2742097B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0365512A (ja) * | 1989-08-02 | 1991-03-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高温超電導材料およびその作製方法 |
| JPH0597408A (ja) * | 1991-10-07 | 1993-04-20 | Fujikura Ltd | イオン伝導体薄膜の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63289726A (ja) * | 1987-05-21 | 1988-11-28 | Toshiba Corp | 化合物超電導薄膜の作製方法 |
| JPS63310520A (ja) * | 1987-06-12 | 1988-12-19 | Fujikura Ltd | 超電導線の製造方法 |
| JPS6417318A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-20 | Hitachi Ltd | Manufacture of superconducting thin film |
-
1989
- 1989-07-25 JP JP1190662A patent/JP2742097B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63289726A (ja) * | 1987-05-21 | 1988-11-28 | Toshiba Corp | 化合物超電導薄膜の作製方法 |
| JPS63310520A (ja) * | 1987-06-12 | 1988-12-19 | Fujikura Ltd | 超電導線の製造方法 |
| JPS6417318A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-20 | Hitachi Ltd | Manufacture of superconducting thin film |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0365512A (ja) * | 1989-08-02 | 1991-03-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高温超電導材料およびその作製方法 |
| JPH0597408A (ja) * | 1991-10-07 | 1993-04-20 | Fujikura Ltd | イオン伝導体薄膜の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2742097B2 (ja) | 1998-04-22 |
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