JPH0361122B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0361122B2 JPH0361122B2 JP2922082A JP2922082A JPH0361122B2 JP H0361122 B2 JPH0361122 B2 JP H0361122B2 JP 2922082 A JP2922082 A JP 2922082A JP 2922082 A JP2922082 A JP 2922082A JP H0361122 B2 JPH0361122 B2 JP H0361122B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- circular mask
- circuit
- scanning
- intersections
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、被検査対象物を光電変換スキヤナで
走査して読み出したパターンのパターン幅を設計
基準値と比較検査を行なう方法、さらに詳しく言
えば、読み出したパターンよりパターンエツヂを
求めて、検出されたパターンエツヂを中心とする
設計基準値より求まる円形マスク走査を行なつて
パターンとの交点を求め、その箇数により欠陥判
定を行なうことを特徴とするパターン幅検査方法
およびその装置に関する。
走査して読み出したパターンのパターン幅を設計
基準値と比較検査を行なう方法、さらに詳しく言
えば、読み出したパターンよりパターンエツヂを
求めて、検出されたパターンエツヂを中心とする
設計基準値より求まる円形マスク走査を行なつて
パターンとの交点を求め、その箇数により欠陥判
定を行なうことを特徴とするパターン幅検査方法
およびその装置に関する。
従来、この種の装置、たとえば、プリント基板
のフオトマスク検査装置、あるいはIC
（Integrated Circuit）用フオトマスク検査装置
等に於いては、パターン幅を検査するために、パ
ターンの走行方向の検出を行なつて、さらにパタ
ーンエツヂを求めて、パターンエツヂ相互間の距
離関係により設計基準値との比較判定を行なう検
査方法が用いられていた。この場合、水平および
垂直方向以外の方向性をもつパターンのパターン
幅検査が困難であるため、限定された方向、たと
えば0°、45°、90°、135°の角度をもつ方向のパタ
ーンのみを切り出し、それぞれの角度について
別々にパターンエツヂ間の距離を調べて設計基準
値との比較検査を行なう方法が用いられていた。
このため、パターンの方向が変化する近傍では検
査が困難であり、また、前記限定された方向以外
のパターンについては検査が不可能であつた。
のフオトマスク検査装置、あるいはIC
（Integrated Circuit）用フオトマスク検査装置
等に於いては、パターン幅を検査するために、パ
ターンの走行方向の検出を行なつて、さらにパタ
ーンエツヂを求めて、パターンエツヂ相互間の距
離関係により設計基準値との比較判定を行なう検
査方法が用いられていた。この場合、水平および
垂直方向以外の方向性をもつパターンのパターン
幅検査が困難であるため、限定された方向、たと
えば0°、45°、90°、135°の角度をもつ方向のパタ
ーンのみを切り出し、それぞれの角度について
別々にパターンエツヂ間の距離を調べて設計基準
値との比較検査を行なう方法が用いられていた。
このため、パターンの方向が変化する近傍では検
査が困難であり、また、前記限定された方向以外
のパターンについては検査が不可能であつた。
本発明は、上述の欠点を除去するために、パタ
ーンエツヂの点を中心とする円形マスク走査を行
ない、パターンとの交点の箇数のみで欠陥判定を
行なうことにより、パターンの方向に無関係にパ
ターン幅検査が可能である。
ーンエツヂの点を中心とする円形マスク走査を行
ない、パターンとの交点の箇数のみで欠陥判定を
行なうことにより、パターンの方向に無関係にパ
ターン幅検査が可能である。
以下図面を参照して本発明を詳細に説明する。
第１図は、光電変換スキヤナで走査して読み出
したパターンよりパターンエツヂを求めるための
エツヂ検出マスクを示す図で、前記光電変換スキ
ヤナで読み出されたパターンを２値化画像に変換
し、一般に公知の方法で、パターンエツヂ検出マ
スク１を走査し、理論式 ・（ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＋ｉ）＝１
……(1)式 （但し、パターン上の点＝“０”とする。）が満た
される場合に、パターンエツヂの検出とする。
したパターンよりパターンエツヂを求めるための
エツヂ検出マスクを示す図で、前記光電変換スキ
ヤナで読み出されたパターンを２値化画像に変換
し、一般に公知の方法で、パターンエツヂ検出マ
スク１を走査し、理論式 ・（ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＋ｉ）＝１
……(1)式 （但し、パターン上の点＝“０”とする。）が満た
される場合に、パターンエツヂの検出とする。
第２図は、本発明で提案する円形マスク走査を
用いて、パターン幅検査を行なう原理図を示すも
のである。同図において３は、光電変換スキヤナ
を走査して読み出した、被走査対象物のパターン
の２値化画像を示す。この２値化画像に対して、
前記パターンエツヂ検出マスク１を走査して、パ
ターンエツヂの検出を行ない、パターンエツヂが
検出された位置を中心として、設計基準値より求
まる円形マスク３を走査する。４は前記円形マス
ク走査を行なつた結果のパターンとの交点を示
す。このように、設計基準値を満足するパターン
幅をもつパターンに対して、円形マスク走査を行
なつた交点の箇数は必ず“２”となる。
用いて、パターン幅検査を行なう原理図を示すも
のである。同図において３は、光電変換スキヤナ
を走査して読み出した、被走査対象物のパターン
の２値化画像を示す。この２値化画像に対して、
前記パターンエツヂ検出マスク１を走査して、パ
ターンエツヂの検出を行ない、パターンエツヂが
検出された位置を中心として、設計基準値より求
まる円形マスク３を走査する。４は前記円形マス
ク走査を行なつた結果のパターンとの交点を示
す。このように、設計基準値を満足するパターン
幅をもつパターンに対して、円形マスク走査を行
なつた交点の箇数は必ず“２”となる。
第３図は、パターン幅が設計基準値以下の場合
に、円形マスクを用いて欠陥判定する様子を説明
するための図であり、前記と同様の方法を用いて
円形マスク２を走査すると、パターンが設計基準
値を満足しない箇所で、パターンとの交点５が新
たに生じ、交点の箇数は４個となる。このよう
に、前記円形マスクを走査して、パターンとの交
点の箇数を求め、その箇数が“２”以外の場合に
は欠陥と判定出来る。
に、円形マスクを用いて欠陥判定する様子を説明
するための図であり、前記と同様の方法を用いて
円形マスク２を走査すると、パターンが設計基準
値を満足しない箇所で、パターンとの交点５が新
たに生じ、交点の箇数は４個となる。このよう
に、前記円形マスクを走査して、パターンとの交
点の箇数を求め、その箇数が“２”以外の場合に
は欠陥と判定出来る。
第４図は、前記円形マスク走査を行なつてパタ
ーンとの交点を求める方法を説明するための図
で、同図において６は光電変換スキヤナを走査し
た被検査対象物の２値化画像を一般に公知の方法
で切り出しを行なつた切り出し画像であり、３は
被検査対象物のパターンを示す。前記パターンエ
ツヂ検出マスク１が(1)式を満足する場合に、パタ
ーンエツヂの検出と判定して、円形マスク２を走
査してパターンとの交点の箇数を求める。このパ
ターン円形マスクとの交点の箇数を求める方法と
しては、一般には、X1、X2、……X32のデータを
遂次走査して、値が“１”から“０”に変化する
箇数と“０”から“１”に変化する箇数の和をカ
ウントする方法が用いられる。
ーンとの交点を求める方法を説明するための図
で、同図において６は光電変換スキヤナを走査し
た被検査対象物の２値化画像を一般に公知の方法
で切り出しを行なつた切り出し画像であり、３は
被検査対象物のパターンを示す。前記パターンエ
ツヂ検出マスク１が(1)式を満足する場合に、パタ
ーンエツヂの検出と判定して、円形マスク２を走
査してパターンとの交点の箇数を求める。このパ
ターン円形マスクとの交点の箇数を求める方法と
しては、一般には、X1、X2、……X32のデータを
遂次走査して、値が“１”から“０”に変化する
箇数と“０”から“１”に変化する箇数の和をカ
ウントする方法が用いられる。
第５図は、本発明の特許請求の範囲第３項に記
載する前記円形マスク走査を行つてパターンとの
交点の箇数を求める回路について説明するための
図であり、前記円形マスク上のデータX1X2、…
…、X32を入力データとして、Exclusive OR回
路７を用いて、隣接する２点のExdusive ORを
求めると出力信号８には、パターンと円形マスク
との交点のみ、その値が“１”となり、それ以外
では“０”となるデータが出力され、この出力信
号を加算回路９を用いて加算すれば、前記円形マ
スクとパターンとの交点の箇数１０を求めること
が出来、従来のように、X1、X2、……X32のデー
タを逐次走査する必要がなく、高速化が可能であ
る。
載する前記円形マスク走査を行つてパターンとの
交点の箇数を求める回路について説明するための
図であり、前記円形マスク上のデータX1X2、…
…、X32を入力データとして、Exclusive OR回
路７を用いて、隣接する２点のExdusive ORを
求めると出力信号８には、パターンと円形マスク
との交点のみ、その値が“１”となり、それ以外
では“０”となるデータが出力され、この出力信
号を加算回路９を用いて加算すれば、前記円形マ
スクとパターンとの交点の箇数１０を求めること
が出来、従来のように、X1、X2、……X32のデー
タを逐次走査する必要がなく、高速化が可能であ
る。
第６図は、前記パターン幅検査方法を用いて構
成されたパターン幅検査装置のブロツク図を示
す。同図において光電変換スキヤナ１１を走査し
て読み出された被検査対象物のパターンは、２値
化回路１２で、２値化画像１３に変換され、前述
したように、一般に公知の方法で、画像切り出し
回路１４によつて画像の切り出しが行なわれる。
この切り出された画像に対して、前記パターンエ
ツヂ検出マスクを走査するパターンエツヂ検出回
路１５により、パターンエツヂの検出が行なわ
れ、さらにパターンエツヂが検出された場合に
は、制御信号１６が出力される。この制御信号
は、円形マスク走査回路１７の制御を行ない、パ
ターンエツヂが検出されたときにのみ、円形マス
ク走査が行なわれるようにする。円形マスク走査
を行なうためのマスク寸法は、設計基準値より求
められ、あらかじめマスク選択信号２１として、
円形マスク走査回路１７に設定され、設計基準に
より求まる円形マスクが選択される。この円形マ
スク走査を行なつて、パターンとの交点を前述し
た方法で、カウンタ回路１８によつて求められ、
欠陥判定回路１９は、前記パターンとの交点の箇
数が“２”かどうかの判定を行なつて、“２”以
下の場合にはパターン幅が設計基準値以下である
という欠陥判定信号２０を出力する。
成されたパターン幅検査装置のブロツク図を示
す。同図において光電変換スキヤナ１１を走査し
て読み出された被検査対象物のパターンは、２値
化回路１２で、２値化画像１３に変換され、前述
したように、一般に公知の方法で、画像切り出し
回路１４によつて画像の切り出しが行なわれる。
この切り出された画像に対して、前記パターンエ
ツヂ検出マスクを走査するパターンエツヂ検出回
路１５により、パターンエツヂの検出が行なわ
れ、さらにパターンエツヂが検出された場合に
は、制御信号１６が出力される。この制御信号
は、円形マスク走査回路１７の制御を行ない、パ
ターンエツヂが検出されたときにのみ、円形マス
ク走査が行なわれるようにする。円形マスク走査
を行なうためのマスク寸法は、設計基準値より求
められ、あらかじめマスク選択信号２１として、
円形マスク走査回路１７に設定され、設計基準に
より求まる円形マスクが選択される。この円形マ
スク走査を行なつて、パターンとの交点を前述し
た方法で、カウンタ回路１８によつて求められ、
欠陥判定回路１９は、前記パターンとの交点の箇
数が“２”かどうかの判定を行なつて、“２”以
下の場合にはパターン幅が設計基準値以下である
という欠陥判定信号２０を出力する。
すなわち、たとえばプリント基板のフオトマス
ク等のパターン幅を設計基準値と比較検査する際
に、パターンエツヂの検出を行なつてさらにパタ
ーンエツヂを中心とする円形マスク走査を行なつ
て、パターンとの交点の箇数を求めれば、欠陥判
定を行なうことが出来るため、従来と異なりパタ
ーンの走行方向を検出する必要がなく、また検査
可能な方向もたとえば0°、45°、90°、135°等のパ
ターンのみに限定されず、任意の方向を向いたパ
ターン検査が可能である。
ク等のパターン幅を設計基準値と比較検査する際
に、パターンエツヂの検出を行なつてさらにパタ
ーンエツヂを中心とする円形マスク走査を行なつ
て、パターンとの交点の箇数を求めれば、欠陥判
定を行なうことが出来るため、従来と異なりパタ
ーンの走行方向を検出する必要がなく、また検査
可能な方向もたとえば0°、45°、90°、135°等のパ
ターンのみに限定されず、任意の方向を向いたパ
ターン検査が可能である。
さらに、円形マスクとパターンとの交点を求め
るために、第５図で示される回路構成を用いれ
ば、一般に公知の方法で切り出された画像に対し
て、前記円形マスク走査を行なつた時点で、ただ
ちにパターンとの交点の箇数を求めることが出
来、高速化が図れる。
るために、第５図で示される回路構成を用いれ
ば、一般に公知の方法で切り出された画像に対し
て、前記円形マスク走査を行なつた時点で、ただ
ちにパターンとの交点の箇数を求めることが出
来、高速化が図れる。
第１図は、パターンエツヂ検出マスクを示し、
第２図は、円形マスクを用いてパターン幅検査を
行なう原理図であり、第３図は、被検査パターン
幅が設計基準値以下の場合、円形マスクを用いて
欠陥判定する様子の説明図であり、第４図は円形
マスク走査を行なつてパターンとの交点を求める
方法の説明図であり、第５図は、円形マスク走査
を行なつてパターンとの交点の箇数を求める回路
を示し、第６図は、パターン幅検査装置のブロツ
ク図である。 図において１は、パターンエツヂ検出マスク、
２は、円形マスク、３は被検査対象物のパター
ン、４は、円形マスクとパターンとの交点、５
は、パターン幅が設計基準値を満足しない点での
円形マスクとの交点、６は、被検査対象物の切り
出し画像、７は、Exclusive OR回路、８は、出
力信号、９は加算回路、１０は円形マスクとパタ
ーンとの交点の箇数、１１は光電交換スキヤナ、
１２は２値化回路、１３は２値化画像、１４は、
画像切り出し回路、１５は、パターンエツヂ検出
回路、１６は制御信号、１７は円形マスク走査回
路、１８はカウンタ回路、１９は欠陥判定回路、
２０は欠陥、判定信号、２１はマスク選択信号を
示す。
第２図は、円形マスクを用いてパターン幅検査を
行なう原理図であり、第３図は、被検査パターン
幅が設計基準値以下の場合、円形マスクを用いて
欠陥判定する様子の説明図であり、第４図は円形
マスク走査を行なつてパターンとの交点を求める
方法の説明図であり、第５図は、円形マスク走査
を行なつてパターンとの交点の箇数を求める回路
を示し、第６図は、パターン幅検査装置のブロツ
ク図である。 図において１は、パターンエツヂ検出マスク、
２は、円形マスク、３は被検査対象物のパター
ン、４は、円形マスクとパターンとの交点、５
は、パターン幅が設計基準値を満足しない点での
円形マスクとの交点、６は、被検査対象物の切り
出し画像、７は、Exclusive OR回路、８は、出
力信号、９は加算回路、１０は円形マスクとパタ
ーンとの交点の箇数、１１は光電交換スキヤナ、
１２は２値化回路、１３は２値化画像、１４は、
画像切り出し回路、１５は、パターンエツヂ検出
回路、１６は制御信号、１７は円形マスク走査回
路、１８はカウンタ回路、１９は欠陥判定回路、
２０は欠陥、判定信号、２１はマスク選択信号を
示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 被検査対象物のパターンを光電変換スキヤナ
で走査し、パターン状態を検査するパターン幅検
査方法に於いて、形成されたパターンのパターン
幅が設計基準値を満たすかどうかを判定するため
に、前記光電変換スキヤナで走査して読み出した
パターンより、パターンエツヂを検出し、検出さ
れたパターンエツヂを中心とする設計基準値より
求まる円形マスク走査を行なつて、パターンとの
交点の箇数を求めることにより、欠陥判定を行な
うことを特徴とするパターン幅検査方法。 ２ 被検査対象物を光電変換スキヤナで走査して
読み出されたパターンを２値化画像に変換する２
値化回路と、前記２値化されたパターンよりパタ
ーンエツヂを求めるパターンエツヂ検出回路と、
検出されたエツヂ位置を中心として、設計基準値
より求まる円形マスク走査を行なう円形マスク走
査回路と、前記円形マスク走査を行なつて、パタ
ーンとの交点の箇数を求めるカウント回路と、前
記カウント回路により求められたパターンとの交
点の箇数により、欠陥判定を行なう欠陥判定回路
とを備えたことを特徴とするパターン検査装置。 ３ 前記円形マスク走査を行つてパターンとの交
点の箇数を求める際に、円形マスク上の隣接する
２点のExclusive ORを求めることにより、パタ
ーンとの交点の箇数を求める回路を用いたことを
特徴とする特許請求の範囲第２項記載のパターン
幅検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57029220A JPS58147030A (ja) | 1982-02-25 | 1982-02-25 | パタ−ン幅検査方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57029220A JPS58147030A (ja) | 1982-02-25 | 1982-02-25 | パタ−ン幅検査方法およびその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58147030A JPS58147030A (ja) | 1983-09-01 |
| JPH0361122B2 true JPH0361122B2 (ja) | 1991-09-18 |
Family
ID=12270116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57029220A Granted JPS58147030A (ja) | 1982-02-25 | 1982-02-25 | パタ−ン幅検査方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58147030A (ja) |
-
1982
- 1982-02-25 JP JP57029220A patent/JPS58147030A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58147030A (ja) | 1983-09-01 |
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