JPH0361365A - イオンアシストスパッタリング方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 未発・明は各種の機能を持つ薄膜を作成するイオンアシ
ストスパッタリング方法および装置に関するもので、そ
の薄膜の組織構造と内部応力が使用目的に適合するよう
任意に制御可能なイオンアシストスパッタリング方法お
よび装置に関するものである。

［従来の技術］ 例えば、蒸着装置とイオン銃を組み合わせた装置にて基
板に所望の材料原子を沈着させる過程で、イオン銃等別
に設けたイオン発生装置によるイオンにて沈着原子をた
たきながら（イオンボンバード、イオンピーニングある
いはイオンアシストとＪわれている。以後、イオンアシ
ストと呼ぶことにする。）薄膜を形成すると、イオンア
シストしなかったものに比較して、基板との付着力およ
び沈着薄膜のｗｌ、密さが向上し、その結果、表面硬度
。

表面粗さ、光学的反射率、電気抵抗等種々の機能改善が
行えることが知られている。これは、沈着原子に運動エ
ネルギを持ったイオンがぶつかることにより、沈着原子
が膜面に対して水平方向移動（マイグレーションと言わ
れている。）シて最も安定した場所に留まり、原子が緻
密な配列になるためと考えられている。

ところが、スパッタリング装置にイオン銃を組み合わせ
て同様の効果を狙っても、現技術では、スパッタリング
装置で用いられるガス圧力レベルとイオン銃で用いられ
るガス圧力レベルは異なり、同一真空容器内で同時に作
動することは困難である。また、イオン銃と従来の蒸着
装置やスパッタリング装置の組み合わせは構造も複雑と
なり高価となる欠点がある。

また、基板にバイアス電圧を与えて膜の諸性質を改善し
ようとする／曳イアススバッタリングと呼ばれる方法が
提案されているが、これは、イオンに享えるエネルギの
みのコントロールを行うものであり、イオンの量の増減
は制御できない、特に、マグネトロンスパッタリングで
はイオン量が極めて少なく、イオンエネルギを与えても
、その効果は期待できない。

そこで、上記のように別のイオン源を用いるのではなく
、スパッタリングにて必然的に発生するプラズマ中の作
動ガスイオンを磁界の調整により基板近傍に導いて、基
板に負のバイアス電圧を与えることにより、成膜中に基
板近傍のイオンに運動エネルギを与え、基板に沈着する
原子をイオンでたたきながら（イオンアシスト）薄膜の
組織構造を変化させる試みが、Ｂ　、　Ｗ　ｉｎｄｏｗ
およびＮ。

Ｓ　ａｖｖｉｄｅｓ等により、Ｊ　、　Ｖａｃ　、　Ｓ
　ｃｉ　、　Ｔｅｃｈｎｏｌ。

Ａ４　（２）　、　Ｍａｒ、／Ａｐｒ、　１９８６　、
　ｐ　１９６以降に提案されている。

このＢ　、　Ｗｉｎｄｏｗ等の方法は、マグネトロンス
パッタリングで形成されるトンネル状の磁界に閉じ込め
られた環状のプラズマによりターゲット原子をスパッタ
リングすると同時にプラズマ近傍の磁界を調整してイオ
ンを基板近傍に導き、基板にバイアス電位を与えてイオ
ンに運動エネルギを与え、基板表面上の沈着中のスパッ
タ原子をたたきながら、すなわち、イオンアシストしな
がら、成膜しようとするものである。

ところが、上記この方法における欠点は、スパッタリン
グを行うためのトンネル磁界で閉じ込められた環状のプ
ラズマ位置よりイオンを導き出すために調整する磁界の
影響により、このプラズマの位置がターゲット中心から
放射方向に拡縮移動する点にある。イオンに与える運動
エネルギは基板に印加する電圧（以後、バイアス電圧と
呼ぶ）の調整により可能であるが、イオンの量の調整は
ンレノイドコイルの励磁電流を変えて磁界を変更するた
めプラズマを閉じ込めたトンネル磁界分布に影響し、そ
の結果、ターゲット表面上に形成された環状のプラズマ
の位置がターゲット中心から放射方向に拡縮するように
移動してしまう。

マグネトロンスパッタリング法では、プラズマリング位
置と基板に沈着する膜厚分布の間には密接な関係があり
、プラズマ位置に対応した膜厚分布となる。イオンアシ
ストを行わない従来のマグネトロンスパッタリングでは
プラズマ環の位置は不動であり、膜厚分布が均一な領域
を大とするために、一般的には、基板とターゲット間の
距離を調整している。ところが、Ｊ二足の如くイオン量
を調整するたびに、プラズマ位置が放射方向に変化する
場合、イオン量設定の都度、これに応じて基板とターゲ
ット間の距離を調整せざるを得なくなる。基板とターゲ
ット間距離が固定の装置の場合は、イオン量に応じた均
一な膜厚分布となる領域は制限される。また、成膜運転
初期と運転途中でイオンの量を調整しかつ膜厚均一領域
を大きくとりたい場合は、成膜運転を一旦中止して基板
とターゲット間の距離を調整しなければならなくなる。

成膜運転中に基板とターゲット間の距離を調整すると真
空容器内のガス圧力が変動し定常的な運転は事実上不可
能である。

基板に到達するイオン量をＪ＋、基板への沈着粒子数を
Ｊ＋ｉとし、基板の単位面積（１ｃｍ’）当りに毎秒到
達するイオン数をｊ◆としてイオン東（ｆｌｕｘ）と呼
び、基板の単位面積（１ｃｍ’）Ｍりに毎秒到達するス
パッタ粒子の数をＪｌｌとしてスパッタ粒子束と呼ぶこ
とにする。また、イオン束とスパッタ粒子束の比ｊ　＋
／　ｊ　ｒｒｒをイオンフラックス比（ｉｏｎｆｌｕｘ
　ｒａｔｉｏ　）と呼ぶことにする。これらのイオンを
加速するためのエネルギを加速エネルギＥとする。

イオンフラックス比ｊ　＋／　ｊ　ＩＩと加速エネルギ
Ｅを組み合わせてイオンを基板にぶっつけることをイオ
ンアシストと呼ぶことにする。

イオンアシストによる膜の組織構造を制御する場合は、
基板に到達する単位面積時間当りに基板へ到達するイオ
ンの量、すなわち、イオン束ｊ＋と基板に沈着するター
ゲット粒子数、すなわち、スパッタ粒子束ｊＩ１１の比
、すなわちイオンフラックス比ｊ＋／ｊｍの値とそのイ
オンに与える運動エネルギＥの２つが重要な制御因子と
なる。ところが、前記のように均一な膜厚分布の領域を
大とするために基板とターゲット間距離やガス圧力を変
化させると、基板Ｅのイオン束ｊ＋も変化する。

通常、基板とターゲット間距離が大となる程、ガス圧が
高くなる程、イオン束ｊ◆は小さくなる。

また、プラズマの移動により基板へ向かうターゲット粒
子、すなわち、スパッタ粒子束ｊｍが変化する。これは
、膜厚分布の違いによるものに加えて、放電プラズマの
強さも変化するためである。

放電プラズマの変化についてはＢ　、　Ｗｉｎｄｏｗ等
の前記論文ＴａｂｌｅＩの５．６．７における放電電圧
に差異がでていることから見ても明瞭である。

すなわち、イオン量の増減を制御するため、ソレノイド
コイルの励磁電流を変化させると放電の変化を来たし、
ターゲットを衝撃するエネルギを変え、スパッタ率（１
個のイオンで飛び出すターゲット原子の数）を変化させ
、ターゲット原子の基板沈着速度にも変化をもたらす。

したがってプラズマの移動により、スパッタ粒子束ｊ＋
ｏが変化し、イオンフラックス比ｊ　＋／　ｊ　ｒａを
制御して微細な膜組織構造制御を行うことは複雑となり
困難となる。したがって、イオンアシストを行いながら
成膜するマグネトロンスパッタリングは、プラズマリン
グの位置が放射方向に動かぬよう固定した状態にしたも
のでなければならない、しかし、従来のプラズマ位置が
不動のマグネトロンスパッタリングでは、プラズマは強
いトンネル状磁界で完全に閉じ込められており、磁極間
で磁気的にバランスさせているため、基板近傍へ向かう
磁力線が少なく、基板近傍にイオンはほとんど存立しな
い。したがって、基板に／＜イアスミ圧を加えてもイオ
ンアシスト効果は期待できないつまた、Ｗｉｎｄｏｗ等
の方法はプラズマが移動することに起因してイオン束ｊ
＋を制御しようとするとスパッタ粒子束ｊ＋が変化し、
その結果、イオンフラックス比ｊ＋／ｊＩｌを望む値に
設定できない欠点がある。

［発明が解決しようとする課題］ つぎに、従来の例を、図面によって具体的に示しながら
、本発明が解決しようとする課題を説明する。

第４図は従来のマグネトロンスパッタリングの電極構成
の代表例を示すもので、１は永久磁石あるいは磁性体か
らなる中央磁極、２は磁性体あるいは永久磁石からなる
外周磁極、４は中央磁極ＩＪ−外固虜極２を磁傑的に結
合する磁性体ヨーク、６はターゲット、８は基板、１１
は中央磁極１と外周磁極２の間で形威されるトンネル状
の磁界の断面模式図、１４はトンネル磁界１１により閉
じ込められた環状のプラズマの断面模式図を示す。

第４図において、中央磁極ｌと外周磁極２のいずれか一
方は永久磁石となっており、磁気的にバランスしている
。す、なわち、中央磁極ｌから放出される磁束線数（磁
束密度×断面積）と外周磁極２へ入り込む磁束線数が等
しくなるように設計され、完全マグネトロンとなってい
る。このため、磁力線はターゲット６の上面でトンネル
状の磁界１１を形威し、プラズマ１４は完全に閉じ込め
られ、基板８近傍のイオンは極めて少ない、したがって
、第４図のタイプでは基板にバイアス電圧を与えてもイ
オンの量が少ないため、イオンアシスト効果は期待でき
ない。

第５図はＢ　、　Ｗ　ｉｎｄｏｗ等の前記論文中のＦ　
ｉｇ。

２に示されたものの１つである。第５図において、１２
は基板８に略垂直方向に向かう磁力線の模式図で、他の
符号は第４図と同様である０本装置では、中央磁極１の
飽和磁束に対して外周磁極２の飽和磁束を大となるよう
に磁気的にアンバランスにしたものである。

なお、本明細書で用いる飽和磁束（飽和磁束密度×断面
積）とは、１個の磁極を通過（透磁）可能な磁束線数の
最大値のことで、軟磁性材料の場合は透磁可能な最大磁
束線数（透磁率×断面積）を示し、永久磁石の場合は自
から発生する磁束線ａ（磁束密度×断面積）を示す、ま
た１ｍ磁気的飽和すると言うことは、上記飽和磁束まで
磁束で満たされることを示す。

第５図において、中央磁極１は磁気的に飽和しており、
中央磁極１から放出される磁束線が全て外周磁極２に入
っても外周磁ｐｉ２は磁気的にバランスせず、外周磁極
２は磁気的に余裕があり、中央磁極１の先端部以外から
基板８を迂回して基板８に対して略垂直方向となる磁力
線１２が外周磁極２へ向かい、その結果、基板８近傍へ
イオンを導くことができる。ところが、第５図のものは
、磁極を永久磁石および磁性体のみで構成しているため
、イオン量は一定となり、主プラズマも移動しないが、
イオン量ｊ＋の増減のコントロールは行えない。

第６図は同じ＜　Ｂ　、　Ｗ　ｉｌ’１ｄｏｌｆ等の前
記論文Ｐ１９７のＦｉｇ、２に示された他の１つの例で
ある。

第６図において、１は軟磁性材料の中央磁極、２は軟磁
性材料の外周磁極、４は中央磁極１と外周磁極２を磁気
的に結合する磁性体ヨーク、６はターゲット、７は外周
磁極近傍に配置したソレノイドコイル、８は基板、１７
は中央磁極の外周に配置したソレノイドコイル、１１は
中央磁極ｌと外周磁極２の間に形成されるトンネル状の
磁界の断面模式図、１２は基板に対して略垂直方向に向
かう磁力線模式図、１３はソレノイドコイル７の励磁方
向を示す模式図、１４はトンネル磁界１１に閉じ込めら
れた環状のプラズマの断面模式図、１８はソレノイドコ
イル１７の励磁方向を示す模式図を示す、８６図におい
て、中央磁極１の飽和磁束に対して外周磁極２の飽和磁
束が大となるように設計し、中央磁極ｌをソレノイドコ
イル１７により中央磁極１が磁気的に飽和するまで励磁
すると、中央磁極１から放出された磁力線は全て外周磁
極２へ入りトンネル状の磁界１１を形成し、環状のプラ
ズマ１４を閉じ込める。この状態では、外周磁極２は飽
和磁束を大としているため磁気的に飽和しておらず、マ
グネトロンモードとなっている。次に、ソレノイドコイ
ル７を符号１３で示した方向に励磁すると、基板８に対
して略垂直方向の磁力線１２が外周磁極２へ向かう、こ
れにより、外周磁極２近傍の磁気的に閉じ込められてい
ないプラズマ中のイオンが基板８近傍へ導かれる。

したがって、ソレノイドコイル７の励磁、を流を調整す
ることにより、イオン量を調整でき、かつ、基板８にバ
イアス電圧を加えることにより、イオンに運動エネルギ
を与えイオンアシストすることができる。ところが、各
磁極を磁性体で構成しているため、イオンの量を変化す
る際にソレノイドコイル７の励磁電流を変化させると中
央磁極１の漏洩磁界モードが変化しやすく、プラズマの
位置はターゲット６中心から放射方向に移動する。第６
図のタイプのものについて、ソレノイドコイル１７の励
磁電流を一１ＯＡと一定としておき、ソレノイドコイル
７の励磁電流を変化させた場合のイオン分布状態を第７
図に、膜厚分布およびプラズマ位置を第８図に示す。

この場合の主な条件は、ターゲット６は無酸素銅、基板
８とターゲット６間の距離は６０ｍｍ、外周磁極２の外
径はφ１６０ｍｍ、基板８の外径はφ１２０ｍｍ、ガス
圧は２　ｍＴｏｒｒ　（Ａｔ　）　、放電電流はＤＣｏ
　、５ＡＸｌａｉｎであり、ソレノイドコイル１７の電
流を一１ＯＡと一定とし、ソレノイドコイル７の励磁電
流を■＋８Ａ、■＋６Ａ。

＋３＋　＋　２　Ａの３種類に変更した場合のイオン電
流分布を第７図に、膜厚分布およびプラズマ位置を第８
図に示す、第７図より見て、ソレノイドフィル７の調整
によりイオンの増減は可能である。ところが、第８図に
示すように、プラズマ位置の放射方向の移動量が大であ
り、この影響により膜厚分布に大きな差異が生じている
ことがわかる。

すなわち、第６図に示した従来のイオンアシストが行え
るマグネトロンスパッタ方法では、イオンの発生ならび
にイオンを基板８に加速してぶっつける（イオンアシス
ト）機能は有するが、イオン量ｊ４−の増減調整の都度
、主プラズマ位置が移動する量が大であり、その結果、
膜厚分布が均一となる条件を調整しなければならない、
逆に言えば、膜厚分布が均一となる条件、例えば、基板
８とターゲット６間の距離、ガス圧力等を一定のままと
して、イオン量の増減を制御することはできない。

基板８をイオンでたたく場合、単位時間単位面積当りの
スパッタ粒子の数ｊｍとイオンの数ｊ＋の比、すなわち
、イオンフラックス比ｊ　＋／　ｊ　ｍならびにその加
速エネルギＥの与え方によりイオンアシスト効果が異な
ってくる。例えば、イオンフラックス比ｊ◆／ｊ＋を小
として運動エネルギＥを大とした場合と、イオンフラッ
クス比ｊ　＋／　ｊ　ｍを大として運動エネルギＥを小
とした場合では、得られる膜の諸性質が異なってくる。

特に、薄膜の内部応力については、イオンエネルギＥを
大とした場合には、膜の内部応力は圧縮応力側へのシフ
トが大である。

すなわち、多種多様の機能ｆｉ膜に対応できるためには
、イオンフラックス比ｊ＋／ｊｍが大きい範囲で制御で
きなくてはならない。従来技術の共通ノ欠点ハ、イオン
のａｊ◆を調整すると、プラズマ位置が変化するため膜
厚分布が変化する欠点に加えて、スパッタ粒子の数ｊ履
も変化してしまい、その結果、イオンフラックス比ｊ＋
／ｊｍを増減する制御ができないところにある。

この原因は、第６図に示すものは、プラズマ１４を形成
する磁極をソレノイドコイルにより直接調整しているか
らである。

そこで、本発明は主プラズマｉ４の位置が移動しにくい
ようにし、かつ、イオン量ｊ十が大となるようにして、
膜厚分布の変化を押さえ、かつ、イオンフラックス比ｊ
◆／ｊｔａの制御が行えるようにした。

［課題を解決するための手段および作用］本発明は前記
欠点を改善したイオンアシスト式マグネトロンスパッタ
リング方法および装置に関するもので、マグネトロンス
パッタリングで形成されるプラズマ環の位置の移動を極
力押さえ、かつ、基板にイオンを導くようにしたもので
ある。

したがって、膜厚分布に影響を与えることなく、目的に
応じたイオンフラックス比ｊ　＋／　ｊ　ｒｍとその運
動エネルギＥを各々独立して制御可能とし、薄膜の組織
構造ならびに内部応力の調整を可能としたものである。

そのために、本発明では、中央磁極と外周磁極を、その
飽和磁束が、外周磁極≧中央磁極となる永久磁石とし、
外周磁極の近傍にソレノイドコイルを配置し、ソレノイ
ドコイルに与える励磁電流によりイオンの肴を制御し、
プラズマと基板間に電位差を与えることにより、イオン
に与える運動エネルギを制御して成膜するようにしたイ
オンアシストスパッタリング方法を採用し、 また、そのための装置としては、中央磁極の外周に外周
磁極を設け、中央磁極と外周磁極をその飽和磁束が外周
磁極≧中央磁極となるような永久磁石とし、外周磁極の
近傍にソレノイドコイルを配置し、このソレノイドコイ
ルに与える励磁電流の値を制御しうる電流制御手段をソ
レノイドコイルに連結した装置を採用した。

すなわち１本発明の特徴は、環状の中央磁極とその外周
に配置される外周磁極をいずれも永久磁石とし、かつ、
外周磁極の飽和磁束を中央磁極より大となるようにし、
中央磁極から外周磁極へ向かう磁力線を全て外周磁極に
向かわせ、外周磁極の余分の磁力線を外周磁極の近傍に
配置したソレノイドコイルを外周磁極の極性が強まる方
向に励磁して、この余分の磁力線を基板に対して略垂直
方向となるようにして基板近傍へイオンを導き、基板に
バイアス電圧を与えることにより、このイオンを加速し
て基板にぶっつけることにより、イオンアシスト可能と
したものである。中央磁極は外周磁極の飽和磁束が小さ
いものであるならば中実でも良い。

中央磁極および外周磁極の一方に軟磁性体を用いた場合
、ソレノイドコイルを励磁して飽和磁束のアンバランス
分の磁力線が軟磁性体より洩れ、磁力線のモードが変化
し、この結果プラズマの位置が定まらず移動しやすい、
これに対して、本発明では、中央磁極と外周磁極を共に
永久磁石としたのでソレノイドコイルを励磁しても、洩
れ磁界モードが一定であるため、軟磁性体製の磁極に比
較してプラズマ位置の移動が少なく膜厚分布のモード変
化に与える影響を少なくできる。

［実施例］ 本発明のそれぞれ異なる実施例を第１図〜第３図に示す
。

第１図〜第３図において、ｌは永久磁石からなる中央磁
極、２は永久磁石からなる外周磁極、４は中央磁極ｌと
外周磁極２を磁気的に結合する軟磁性体からなるヨーク
、７は外周磁極の外周に配置した磁気バランスを調整し
てイオンの量を調節するためのソレノイドコイル、６は
ターゲット、８は基板、１１は中央磁極ｌと外周磁極２
の間の磁気回路により形成されるトンネル状の磁力線の
模式図、１２は基板８に対して略垂直方向へ向かう磁力
線の模式図、１３はソレノイドコイル７の励磁方向を示
す模式図、１４はトンネル状の磁力線１１により閉じ込
められた環状のプラズマの断面模式図を示す。各磁極１
．２の飽和磁束を外周磁束〉中央磁極となるようにする
と、中央磁極１は外周磁極２からの磁力線１１にて磁気
的に飽和し、トンネル磁界を形成してプラズマ１４を閉
じ込める。この時、外周磁極２から余分の磁力線１２が
基板８に対して略垂直方向に向かう、ソレノイドコイル
７を第１図〜第３図の矢印１３方向へ励磁すると垂直成
分が増大し、矢印１３と逆方向に励磁すると垂直成分が
少なくなり最終的には中央磁極ｌから外周磁極２に向か
う磁束が等しくなり、完全なマグネトロンとなる。すな
わち、ソレノイドコイル７の励磁電流の大きさと方向を
調整することにより、基板８へ導くイオンの量のコント
ロールが行える。基板８近傍のイオンにバイアス電圧等
の電界を与えることによりこのイオンは加速されて基板
８へぶつかる。電界の大きさを調整することにより基板
８にぶつかる運動エネルキを制御することができる。

第１図および第２図の実施例では、中央磁極ｌを永久磁
石２のみ用いたが、中央磁極１の磁気容量が小さい場合
は、第３図に示すように、永久磁石からなる中央磁極ｌ
の外周に補助のソレノイドコイル９を設けても良い、ま
た、第１図〜第３図に示す実施例では、中央磁極ｌの極
性をＳ極、外周磁極２の極性をＮ極とした場合を示した
が、これらの極性を全く逆にしても同様の効果を発揮で
きる。また、第１図と第２図の実施例では、各磁極１．
２の飽和磁束（磁気容量）をあらかじめ外周磁掩〉中央
磁極としてソレノイドコイル７により磁界を付加した場
合を示したが、あらかじめ飽和磁束を外周磁極＝中央磁
極として、ソレノイドコイル７の励磁電流を大としても
同様の効果が得られるが、イオンアシストを行う場合、
ソレノイドコイル７で与えるべき電流が大となる欠点が
ある。

第９図に第１図のものについてソレノイドコイル７の励
磁電流を変化させた場合の基板８上のイオン分布を、第
１０図にプラズマ位置とそれに対応する膜厚分布を調べ
た結果を示す、主要条件は、ターゲット６として無酸素
銅を用い、基板８とターゲット６間の距離を６０ｍｍ、
外周磁極２の外径をφ１６０ｍｍ、基板８の径をφｆ２
０ｍｍ、ガス圧力を２ｍＴｏｒｒ、放電電流をＤＣｏ、
５ＡＸ　１　ｗｉｎであり、ソレノイドコイル７の電流
を■−４Ａ、■ＯＡ、■＋４Ａの３種変更した場合を示
す。

第９図と第１０図の結果を、従来の第７図と第８図と比
較すると、プラズマ１４のターゲット中心から放射方向
へ向かう移動が少なく、かつ、イオン量の調整幅が大き
くとれることが判る。

［発明の効果］ 本発明においては、中央磁極と外周磁極を強力な永久磁
石とし、かつ、飽和磁束が外周磁極≧中央磁極となるよ
うに設計し、外周磁極の近傍にソレノイドコイルを設け
、これに与える励磁電流の大きさと方向により基板へ導
くイオン量を制御し、基板へこのイオンを加速するため
の電源を設け、電圧を調整することにより、イオンの運
動エネルギを制御してやることにより、他のイオン発生
源を用いることなく、マグネトロンスパッタリング自身
にて発生するプラズマ中のイオンを基板にぶっつけなが
ら底膜することができる。このイオンアシストスパッタ
リング方法により膜の組織構造や内部応力を調整するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は本発明のそれぞれ異なる実施例を説明
するための電極構成図、第４図〜第６図は本発明に類し
たそれぞれ異なる従来例を説明するための電極構成図、
第７図は第６図に示すものにおけるイオン電流分布状態
を示す線図、第８図は第６図に示すものにおける膜厚分
布状態とプラズマ位置を示す線図、第９図は第１図に示
すものにおけるイオン電流分布状態を示す線図、第１０
図は第１図に示すものにおける膜厚分布状態とプラズマ
位置を示す線図である。 １・・・・・・中央磁極、　　２・・・・・・外周磁極
、４・・・・・・磁性体ヨーク、６・・・・・・ターゲ
ット、７．１７・・・ソレノイ ドコイル、 ８・・・・・・基板、 １１．１２・・・磁力線模式線、 １３・・・・・・励磁方向、 １４・・・・・・プラズマ。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）中央磁極と外周磁極を、その飽和磁束が、外周磁
   極≧中央磁極となる永久磁石とし、外周磁極の近傍にソ
   レノイドコイルを配置し、ソレノイドコイルに与える励
   磁電流によりイオンの量を制御し、プラズマと基板間に
   電位差を与えることにより、イオンに与える運動エネル
   ギを制御して成膜するようにしたイオンアシストスパッ
   タリング方法。
2. （２）中央磁極の外周に外周磁極を設け、中央磁極と外
   周磁極をその飽和磁束が外周磁極≧中央磁極となるよう
   な永久磁石とし、外周磁極の近傍にソレノイドコイルを
   配置し、このソレノイドコイルに与える励磁電流の値を
   制御しうる電流制御手段をソレノイドコイルに連結した
   イオンアシストスパッタリング装置。