JPH0361547B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0361547B2 JPH0361547B2 JP59261608A JP26160884A JPH0361547B2 JP H0361547 B2 JPH0361547 B2 JP H0361547B2 JP 59261608 A JP59261608 A JP 59261608A JP 26160884 A JP26160884 A JP 26160884A JP H0361547 B2 JPH0361547 B2 JP H0361547B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- torch nozzle
- vapor deposition
- welding
- spatter
- tic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K9/00—Arc welding or cutting
- B23K9/24—Features related to electrodes
- B23K9/28—Supporting devices for electrodes
- B23K9/29—Supporting devices adapted for making use of shielding means
- B23K9/291—Supporting devices adapted for making use of shielding means the shielding means being a gas
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Arc Welding In General (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
〔発明の利用分野〕
本発明はアーク溶接用のトーチノズルの表面処
理に関する。 〔発明の背景〕 本発明のアーク溶接用のトーチノズルが使用さ
れる溶接方法は、MIG溶接、TIG溶接、MAG溶
接であり、三者ともスパーク（溶接ワイヤと被溶
接材間、特にTIGはタングステン電極と被溶接材
間のスパーク）による熱によつて溶接ワイヤ等の
供給線材を溶かして溶接する方法である。 溶接の際に、溶けた金属は、その全てが被溶接
材に乗るわけではなく、表面張力によつて球状と
なり、スパツタとなつて飛び散る。このスパツタ
は、空気中で十分に冷却されないまま、トーチノ
ズル１（第２図参照）の内外周に飛んでくる。ス
パツタは、冷却されておらず高温状態にあるため
に、このスパツタと従来の金属性トーチノズル１
との接触界面で付着が生じる。付着がトーチノズ
ル１の内周面においておきる場合は、コンタクト
チツプ２とトーチノズル１との間は、次第に狭く
なり、供給ガス３の量が少なくなり、結果として
溶接不良が生じる。この点をさらに詳しく述べる
と、トーチノズル１の内部にはコンタクトチツプ
２が存在し、コンタクトチツプ２は、通常、銅製
で、その内部に孔があいており、溶接ワイヤ４を
送りつつ、その溶接ワイヤ４に溶接電流を供給す
る。このコンタクトチツプ２は、ヘツドアダプタ
５に取付けられている。そして、トーチノズル１
とコンタクトチツプ２の間には、空間があり、こ
の空間にガス３をを流して溶接部分にガスを吹付
け、酸化を防止している。この供給ガスが少なく
なると酸化を防止できず、さらには、溶接時のア
ークが安定しなくなるため、前記溶接不良が生じ
るものである。 このため、従来は、定期的にトーチノズル内外
周面に付着したスパツタを取去る除去作業を行い
ながら、前記溶接作業をしている。しかしなが
ら、この除去作業は、永久的に行えるわけではな
く、すなわちこのようにスパツタを強制的に取去
ることによつて、スパツタとトーチノズルの付着
界面を取去ることことになり、ひいてはトーチノ
ズルの表面層を徐々に取去ることになる。従つ
て、スパツタを取去る作業をすればするほどトー
チノズルの表面が粗れ、さらにスパツタが付着し
やすくなつてしまい、最終的にトーチノズルの使
用が不可能となるものであつた。 このスパツタを防止するために、従来は、金属
製トーチノズルの表面をセラミツクスでコーテイ
ングする技術が、種々、提案されている。この技
術として、例えば、特開昭51−37053、実開昭59
−49477、実開昭59−47476、実開昭49−64528、
実開昭51−1526、実開昭56−6576、実開昭56−
34677、実開昭51−23525、実開昭50−76021、実
開昭53−26630、実開昭57−82484、実開昭57−
160887、実開昭59−49478がある。 〔問題点〕 しかし、以上の技術では、単にトーチノズルを
セラミツクスによりコーテイングするというのみ
であり、トーチノズルをコーテイングするための
最適なセラミツクスの物性について言及するもの
はなかつた。すなわち、単にセラミツクスといつ
ても、多種多様のものが存在し、トーチノズルに
コーテイングされたセラミツクスは、溶接時に発
生する熱、及びスパツタが付着するときの熱によ
つて、割れが生じてしまい、実用にならないもの
であつた。 〔発明の目的〕 本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたもの
であり、溶接作業に割れが生じることのない、セ
ラミツクスでコーテイングされたトーチノズルを
提供することを目的とする。 〔目的を達成するための手段〕 本発明は、アーク溶接用の金属製トーチノズル
の内外周全面を、熱伝導度が0.03〔cal／cm・
sec・℃〕以上、熱膨張係数が7.3×10-6〔１／℃〕
未満の、SiC、Si3N4、BN、B4Cの中から選択さ
れた、少なくとも一種の非酸化物セラミツクスに
より、化学蒸着または物理蒸着の方法によつてコ
ーテイングし、このコーテイングされたセラミツ
クスの上にさらにTiC、TiN、TiC＋TiNの中か
ら選択された、少なくとも一種のチタン化合物を
一層または複層に化学蒸着または物理蒸着の方法
でコーテイングしたことを特徴とする。 発明者は、トーチノズルにコーテイングされた
セラミツクスに割れが生じる原因は、溶接時の
熱、及びスパツタの付着時の熱により、コーテイ
ングセラミツクスが局所的に加熱され、膨張する
ことによつて生じるものと考察した。従つて、前
記割れを防止するためには、多種多様のセラミツ
クスのうち、熱伝導度及び熱膨張係数が、いかな
る範囲のセラミツクスを採用すればよいか、見つ
けだせばよいと考えた。 そこで第１図に示すトーチノズル１を製作する
にあたり、まず、金属製トーチノズルにコーテイ
ングされるべく、表１に示すセラミツクスの材質
でトーチノズル自体を製作し、それらのトーチノ
ズルを用いて溶接作業を行い、前記割れが生じる
か否かの実験を行つた。この実験結果を表１に示
す。（すなわち、表１はセラミツクス自体の熱伝
導度、熱膨張係数、割れの物性を示すものであ
る）
理に関する。 〔発明の背景〕 本発明のアーク溶接用のトーチノズルが使用さ
れる溶接方法は、MIG溶接、TIG溶接、MAG溶
接であり、三者ともスパーク（溶接ワイヤと被溶
接材間、特にTIGはタングステン電極と被溶接材
間のスパーク）による熱によつて溶接ワイヤ等の
供給線材を溶かして溶接する方法である。 溶接の際に、溶けた金属は、その全てが被溶接
材に乗るわけではなく、表面張力によつて球状と
なり、スパツタとなつて飛び散る。このスパツタ
は、空気中で十分に冷却されないまま、トーチノ
ズル１（第２図参照）の内外周に飛んでくる。ス
パツタは、冷却されておらず高温状態にあるため
に、このスパツタと従来の金属性トーチノズル１
との接触界面で付着が生じる。付着がトーチノズ
ル１の内周面においておきる場合は、コンタクト
チツプ２とトーチノズル１との間は、次第に狭く
なり、供給ガス３の量が少なくなり、結果として
溶接不良が生じる。この点をさらに詳しく述べる
と、トーチノズル１の内部にはコンタクトチツプ
２が存在し、コンタクトチツプ２は、通常、銅製
で、その内部に孔があいており、溶接ワイヤ４を
送りつつ、その溶接ワイヤ４に溶接電流を供給す
る。このコンタクトチツプ２は、ヘツドアダプタ
５に取付けられている。そして、トーチノズル１
とコンタクトチツプ２の間には、空間があり、こ
の空間にガス３をを流して溶接部分にガスを吹付
け、酸化を防止している。この供給ガスが少なく
なると酸化を防止できず、さらには、溶接時のア
ークが安定しなくなるため、前記溶接不良が生じ
るものである。 このため、従来は、定期的にトーチノズル内外
周面に付着したスパツタを取去る除去作業を行い
ながら、前記溶接作業をしている。しかしなが
ら、この除去作業は、永久的に行えるわけではな
く、すなわちこのようにスパツタを強制的に取去
ることによつて、スパツタとトーチノズルの付着
界面を取去ることことになり、ひいてはトーチノ
ズルの表面層を徐々に取去ることになる。従つ
て、スパツタを取去る作業をすればするほどトー
チノズルの表面が粗れ、さらにスパツタが付着し
やすくなつてしまい、最終的にトーチノズルの使
用が不可能となるものであつた。 このスパツタを防止するために、従来は、金属
製トーチノズルの表面をセラミツクスでコーテイ
ングする技術が、種々、提案されている。この技
術として、例えば、特開昭51−37053、実開昭59
−49477、実開昭59−47476、実開昭49−64528、
実開昭51−1526、実開昭56−6576、実開昭56−
34677、実開昭51−23525、実開昭50−76021、実
開昭53−26630、実開昭57−82484、実開昭57−
160887、実開昭59−49478がある。 〔問題点〕 しかし、以上の技術では、単にトーチノズルを
セラミツクスによりコーテイングするというのみ
であり、トーチノズルをコーテイングするための
最適なセラミツクスの物性について言及するもの
はなかつた。すなわち、単にセラミツクスといつ
ても、多種多様のものが存在し、トーチノズルに
コーテイングされたセラミツクスは、溶接時に発
生する熱、及びスパツタが付着するときの熱によ
つて、割れが生じてしまい、実用にならないもの
であつた。 〔発明の目的〕 本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたもの
であり、溶接作業に割れが生じることのない、セ
ラミツクスでコーテイングされたトーチノズルを
提供することを目的とする。 〔目的を達成するための手段〕 本発明は、アーク溶接用の金属製トーチノズル
の内外周全面を、熱伝導度が0.03〔cal／cm・
sec・℃〕以上、熱膨張係数が7.3×10-6〔１／℃〕
未満の、SiC、Si3N4、BN、B4Cの中から選択さ
れた、少なくとも一種の非酸化物セラミツクスに
より、化学蒸着または物理蒸着の方法によつてコ
ーテイングし、このコーテイングされたセラミツ
クスの上にさらにTiC、TiN、TiC＋TiNの中か
ら選択された、少なくとも一種のチタン化合物を
一層または複層に化学蒸着または物理蒸着の方法
でコーテイングしたことを特徴とする。 発明者は、トーチノズルにコーテイングされた
セラミツクスに割れが生じる原因は、溶接時の
熱、及びスパツタの付着時の熱により、コーテイ
ングセラミツクスが局所的に加熱され、膨張する
ことによつて生じるものと考察した。従つて、前
記割れを防止するためには、多種多様のセラミツ
クスのうち、熱伝導度及び熱膨張係数が、いかな
る範囲のセラミツクスを採用すればよいか、見つ
けだせばよいと考えた。 そこで第１図に示すトーチノズル１を製作する
にあたり、まず、金属製トーチノズルにコーテイ
ングされるべく、表１に示すセラミツクスの材質
でトーチノズル自体を製作し、それらのトーチノ
ズルを用いて溶接作業を行い、前記割れが生じる
か否かの実験を行つた。この実験結果を表１に示
す。（すなわち、表１はセラミツクス自体の熱伝
導度、熱膨張係数、割れの物性を示すものであ
る）
【表】
【表】
この実験結果から、熱伝導度が0.03〔cal／cm・
sec・℃〕以上であり、熱膨張係数が7.3×10-6
〔１／℃〕未満の条件を満たすセラミツクスによ
れば、溶接作業時に割れが生じないと判断した。 熱伝導度を高くとると好結果が出るのは、コー
テイングセラミツクスに加えられた熱の放熱を促
進することができ、スパツタ（溶融金属）との熱
反応を防ぐことができるためである。また、熱膨
張係数を小さくとると好結果が出るのは、熱膨張
よる割れを直接的に防止できるからである。 次に、従来の代表的なセラミツクスの物性を表
２に示す。
sec・℃〕以上であり、熱膨張係数が7.3×10-6
〔１／℃〕未満の条件を満たすセラミツクスによ
れば、溶接作業時に割れが生じないと判断した。 熱伝導度を高くとると好結果が出るのは、コー
テイングセラミツクスに加えられた熱の放熱を促
進することができ、スパツタ（溶融金属）との熱
反応を防ぐことができるためである。また、熱膨
張係数を小さくとると好結果が出るのは、熱膨張
よる割れを直接的に防止できるからである。 次に、従来の代表的なセラミツクスの物性を表
２に示す。
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明
する。 第１図は、同実施例によるトーチノズルの形状
を示し、トーチノズル１内外全面に非酸化物セラ
ミツクスとしてSiCがコーテイングされている。
従つて、トーチノズル表面の物性は、表１および
表２に示すとおり、熱伝導度0.25〔cal／cm・
sec・℃〕、熱膨張係数4.0×10-6〔１／℃〕、曲げ
強度5500〔Kg／cm2〕、ビツカース硬度1900〔Kg／mm2〕
である。 前記説明および実験結果から明らかなように、
SiCの熱伝導値は、セラミツクスの放熱を促し、
このため、スパツタとの熱反応が防止され、ま
た、SiCの熱膨張値では、熱膨張による割れが発
生せず、作業条件の下で耐久性の良好なセラミツ
クスコーテイングが得られる。 SiCセラミツクスの蒸着方法としては、SiCの
共有結合的性質等の特性に適合する物理的蒸着法
または化学蒸着法が好適である。 すなわち、一般に、物理的蒸着法によるセラミ
ツクスコーテイングは、基盤との付着力が大き
く、硬度が高くなり、さらに高温で安定である等
の特性を示し、本実施例のような溶接用トーチノ
ズルに好適となる。化学的蒸着法をとる場合に
は、付着強度を高めるため、セラミツクスコーテ
イングの厚さを数μｍ以下とすることが望まし
い。 本発明を実施する場合には、コーテイングセラ
ミツクスの熱伝導率及び熱膨張係数のみならず、
曲げ強度、ビツカース硬度、さらには面粗度をも
考慮したほうがよい。すなわち、曲げ強度は2500
〔Kg／mm2〕以上、ビツカース硬度は1200〔Kg／mm2〕
以上、面粗度は1.0〜0.5Sとすることが望ましい。 曲げ強度を考慮する理由は、コーテイングセラ
ミツクスに割れが生じるのは、溶接作業時の熱に
よる熱応力は曲げ応力と同じ振舞いをするからで
ある。従つて曲げ応力に強ければ、熱応力にも強
く割れが生じないことになる。ビツカース硬度を
考慮する理由は、付着したスパツタを金属ブラシ
等で取去る操作を行う際に、トーチノズルの表面
が摩耗し、凹凸を生じないようにするためであ
る。面粗度を考慮する理由は、スパツタがトーチ
ノズルの表面に噛み込むことに直接関係するから
である。すなわち、コーテイングセラミツクスの
表面を5S、3S、1S、と面粗度を変えて前記溶接
作業実験をしたところ、表面粗度が粗い順にスパ
ツタの付着が著しかつた。これは、表面の凸部の
頂点部分でスパツタと熱反応をおこし、スパツタ
がそ付着しやすいためである。従つて、トーチノ
ズル表面の凹凸を小さくし、なるべく平面に近付
けることが熱反応を防止し、スパツタの付着を防
止することにつながる。従つて、面粗度は小さけ
れば小さい程良いが、工業的には１〜0.5S程が良
いと思われる。 そのために、さらに、本実施例では、SiCコー
テイング上にTiCの単層（図示しない）が、コー
テイングされている。TiCは、SiCよりもさらに
硬く、カタサは９以上のため、トーチノズルの表
面硬度が例えば3300〜4600（VHN）とさらに強
化されるとともにその耐摩耗性、耐熱性が向上す
る。さらにTiCでSiCセラミツクス粗面の凹みが
うまり、その結果、面粗度が小さくなり、減少割
合1/2〜1/5となる。 TiCの蒸着方法も、また、その特性に適合す
る、物理的蒸着法または化学的蒸着法が好適であ
る。 このように、本実施例によると、耐摩耗性、耐
熱性に優れ、面粗度を低減した良好なトーチノズ
ル表面を得ることができる。 なお、前記実施例では、TiCコーテイングを単
層としたが、本発明はそれに限定されず、TiCコ
ーテイングを複数層としてもよい。 また、前記実施例では、トーチノズルのセラミ
ツクス材質をSiCとしたが、本発明はそれに限定
されるものではなく、SiCと同様に六方晶系であ
つて共有結合的性質を有し、熱伝導度0.03〔cal／
cm・sec・℃〕以上、熱膨張係数が7.3×10-6
〔１／℃〕未満の条件を満足する、Si3N4、BN、
B4Cの中から選択された、少なくとも一種の非酸
化物セラミツクスとすることができる。 さらに、前記実施例では、セラミツクス層上の
コーテイングをTiCとしたが、本発明それに限定
されるものではなく、TiCと同じく等軸晶系であ
つて、硬さ、耐熱性等の性質も同様なTiN、ま
たは両者の混合物であるTiC＋TiNの中から選択
されたチタン化合物としても同様に良好な効果が
得られる。 〔発明の効果〕 以上のように、本発明のアーク溶接用トーチノ
ズルによれば、トーチノズルの表面にコーテイン
グされたセラミツクスが、溶接作業時に割れを生
じることを防止でき、実用的なセラミツクスコー
テイングトーチノズルを提供することができる。
する。 第１図は、同実施例によるトーチノズルの形状
を示し、トーチノズル１内外全面に非酸化物セラ
ミツクスとしてSiCがコーテイングされている。
従つて、トーチノズル表面の物性は、表１および
表２に示すとおり、熱伝導度0.25〔cal／cm・
sec・℃〕、熱膨張係数4.0×10-6〔１／℃〕、曲げ
強度5500〔Kg／cm2〕、ビツカース硬度1900〔Kg／mm2〕
である。 前記説明および実験結果から明らかなように、
SiCの熱伝導値は、セラミツクスの放熱を促し、
このため、スパツタとの熱反応が防止され、ま
た、SiCの熱膨張値では、熱膨張による割れが発
生せず、作業条件の下で耐久性の良好なセラミツ
クスコーテイングが得られる。 SiCセラミツクスの蒸着方法としては、SiCの
共有結合的性質等の特性に適合する物理的蒸着法
または化学蒸着法が好適である。 すなわち、一般に、物理的蒸着法によるセラミ
ツクスコーテイングは、基盤との付着力が大き
く、硬度が高くなり、さらに高温で安定である等
の特性を示し、本実施例のような溶接用トーチノ
ズルに好適となる。化学的蒸着法をとる場合に
は、付着強度を高めるため、セラミツクスコーテ
イングの厚さを数μｍ以下とすることが望まし
い。 本発明を実施する場合には、コーテイングセラ
ミツクスの熱伝導率及び熱膨張係数のみならず、
曲げ強度、ビツカース硬度、さらには面粗度をも
考慮したほうがよい。すなわち、曲げ強度は2500
〔Kg／mm2〕以上、ビツカース硬度は1200〔Kg／mm2〕
以上、面粗度は1.0〜0.5Sとすることが望ましい。 曲げ強度を考慮する理由は、コーテイングセラ
ミツクスに割れが生じるのは、溶接作業時の熱に
よる熱応力は曲げ応力と同じ振舞いをするからで
ある。従つて曲げ応力に強ければ、熱応力にも強
く割れが生じないことになる。ビツカース硬度を
考慮する理由は、付着したスパツタを金属ブラシ
等で取去る操作を行う際に、トーチノズルの表面
が摩耗し、凹凸を生じないようにするためであ
る。面粗度を考慮する理由は、スパツタがトーチ
ノズルの表面に噛み込むことに直接関係するから
である。すなわち、コーテイングセラミツクスの
表面を5S、3S、1S、と面粗度を変えて前記溶接
作業実験をしたところ、表面粗度が粗い順にスパ
ツタの付着が著しかつた。これは、表面の凸部の
頂点部分でスパツタと熱反応をおこし、スパツタ
がそ付着しやすいためである。従つて、トーチノ
ズル表面の凹凸を小さくし、なるべく平面に近付
けることが熱反応を防止し、スパツタの付着を防
止することにつながる。従つて、面粗度は小さけ
れば小さい程良いが、工業的には１〜0.5S程が良
いと思われる。 そのために、さらに、本実施例では、SiCコー
テイング上にTiCの単層（図示しない）が、コー
テイングされている。TiCは、SiCよりもさらに
硬く、カタサは９以上のため、トーチノズルの表
面硬度が例えば3300〜4600（VHN）とさらに強
化されるとともにその耐摩耗性、耐熱性が向上す
る。さらにTiCでSiCセラミツクス粗面の凹みが
うまり、その結果、面粗度が小さくなり、減少割
合1/2〜1/5となる。 TiCの蒸着方法も、また、その特性に適合す
る、物理的蒸着法または化学的蒸着法が好適であ
る。 このように、本実施例によると、耐摩耗性、耐
熱性に優れ、面粗度を低減した良好なトーチノズ
ル表面を得ることができる。 なお、前記実施例では、TiCコーテイングを単
層としたが、本発明はそれに限定されず、TiCコ
ーテイングを複数層としてもよい。 また、前記実施例では、トーチノズルのセラミ
ツクス材質をSiCとしたが、本発明はそれに限定
されるものではなく、SiCと同様に六方晶系であ
つて共有結合的性質を有し、熱伝導度0.03〔cal／
cm・sec・℃〕以上、熱膨張係数が7.3×10-6
〔１／℃〕未満の条件を満足する、Si3N4、BN、
B4Cの中から選択された、少なくとも一種の非酸
化物セラミツクスとすることができる。 さらに、前記実施例では、セラミツクス層上の
コーテイングをTiCとしたが、本発明それに限定
されるものではなく、TiCと同じく等軸晶系であ
つて、硬さ、耐熱性等の性質も同様なTiN、ま
たは両者の混合物であるTiC＋TiNの中から選択
されたチタン化合物としても同様に良好な効果が
得られる。 〔発明の効果〕 以上のように、本発明のアーク溶接用トーチノ
ズルによれば、トーチノズルの表面にコーテイン
グされたセラミツクスが、溶接作業時に割れを生
じることを防止でき、実用的なセラミツクスコー
テイングトーチノズルを提供することができる。
第１図は本発明の一実施例に係るアーク溶接用
トーチノズルの一部側断面図、第２図は従来のア
ーク溶接用金属製トーチノズルの一部側断面図で
ある。 １……トーチノズル、２……コンタクトチツ
プ、３……ガス、４……溶接ワイヤ、５……ヘツ
ドアダプタ、６……セラミツクス。
トーチノズルの一部側断面図、第２図は従来のア
ーク溶接用金属製トーチノズルの一部側断面図で
ある。 １……トーチノズル、２……コンタクトチツ
プ、３……ガス、４……溶接ワイヤ、５……ヘツ
ドアダプタ、６……セラミツクス。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ アーク溶接用の金属性トーチノズルの内外周
全面を、熱伝導度が0.03〔cal／cm・sec・℃〕以
上、熱膨張係数が7.3×10-6〔１／℃〕未満の、
SiC、Si3N4、BN、B4Cの中から選択された、少
なくとも一種の非酸化物セラミツクスにより、化
学蒸着または物理蒸着の方法によつてコーテイン
グし、このコーテイングされたセラミツクスの上
にさらにTiC、TiN、TiC＋TiNの中から選択さ
れた、少なくとも一種のチタン化合物を一層また
は複層に化学蒸着または物理蒸着の方法でコーテ
イングしたことを特徴とするアーク溶接用トーチ
ノズル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26160884A JPS61137681A (ja) | 1984-12-11 | 1984-12-11 | ア−ク溶接用ト−チノズル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26160884A JPS61137681A (ja) | 1984-12-11 | 1984-12-11 | ア−ク溶接用ト−チノズル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61137681A JPS61137681A (ja) | 1986-06-25 |
| JPH0361547B2 true JPH0361547B2 (ja) | 1991-09-20 |
Family
ID=17364264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26160884A Granted JPS61137681A (ja) | 1984-12-11 | 1984-12-11 | ア−ク溶接用ト−チノズル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61137681A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1629924B1 (en) * | 2003-06-04 | 2012-08-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Laser processing nozzle, welding nozzle or contact tip for welding, method of manufacturing such nozzle or contact tip |
| JP5483538B2 (ja) * | 2009-09-01 | 2014-05-07 | 新光機器株式会社 | ガスシールドアーク溶接トーチのシールドノズル |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59169682A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-25 | Nok Corp | ア−ク溶接機用ガスノズルまたはチツプ及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-12-11 JP JP26160884A patent/JPS61137681A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61137681A (ja) | 1986-06-25 |
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