JPH0370595B2 - - Google Patents
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- JPH0370595B2 JPH0370595B2 JP61270896A JP27089686A JPH0370595B2 JP H0370595 B2 JPH0370595 B2 JP H0370595B2 JP 61270896 A JP61270896 A JP 61270896A JP 27089686 A JP27089686 A JP 27089686A JP H0370595 B2 JPH0370595 B2 JP H0370595B2
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- JP
- Japan
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- positioning pin
- film
- weight
- layer
- pin
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- Chemical Treatment Of Metals (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、鋼板にナツト等を溶接するのに利用
されるプロジエクシヨン溶接用の位置決めピンに
関し、とくにそのピン表面に化学緻密化法により
強化された複合セラミツク皮膜を形成する方法に
ついての提案である。
されるプロジエクシヨン溶接用の位置決めピンに
関し、とくにそのピン表面に化学緻密化法により
強化された複合セラミツク皮膜を形成する方法に
ついての提案である。
（従来の技術）
特開昭61−27185にプラズマ溶射層を被覆形成
したプロジエクシヨン溶接用位置決めピンが開示
されている。
したプロジエクシヨン溶接用位置決めピンが開示
されている。
プロジエクシヨン溶接用位置決めピンは、第２
図および第３図に示すように、例えば鋼板１にナ
ツト２をプロジエクシヨン溶接する際、鋼板１と
ナツト２の位置決めを行うために用いられる。第
２図は、溶接前の状態を示し、位置決めピン３は
空気圧またはスプリングなどの附勢手段によつて
上方に常に持ち上げられた状態になつており、ナ
ツト２を鋼板１より離した状態で保持している。
第３図は溶接のために上部電極６が打ち降ろされ
た状態を示し、ナツト２と位置決めピン３は上方
へ附勢力に抗して下方に押し下げられている。
図および第３図に示すように、例えば鋼板１にナ
ツト２をプロジエクシヨン溶接する際、鋼板１と
ナツト２の位置決めを行うために用いられる。第
２図は、溶接前の状態を示し、位置決めピン３は
空気圧またはスプリングなどの附勢手段によつて
上方に常に持ち上げられた状態になつており、ナ
ツト２を鋼板１より離した状態で保持している。
第３図は溶接のために上部電極６が打ち降ろされ
た状態を示し、ナツト２と位置決めピン３は上方
へ附勢力に抗して下方に押し下げられている。
この位置決めピンの材質は、何回も下部電極７
の内壁面と摺接しながら上下動させるため耐摩耗
性を必要とすること、電気的に絶縁性のものであ
ることが必要である。
の内壁面と摺接しながら上下動させるため耐摩耗
性を必要とすること、電気的に絶縁性のものであ
ることが必要である。
従来の位置決めピンは、鋼材製のピンの基材を
ベークライト等で覆つて絶縁するとか、特殊な金
属材料（KCF材）よりなるピンの表面を酸化さ
せて金属酸化物の皮膜を形成するとか、前記特開
昭61−27185に開示されているプラズマ溶射法に
よるセラミツク皮膜を形成することによつて、電
機絶縁性と耐摩耗性の向上をはかつてきた。
ベークライト等で覆つて絶縁するとか、特殊な金
属材料（KCF材）よりなるピンの表面を酸化さ
せて金属酸化物の皮膜を形成するとか、前記特開
昭61−27185に開示されているプラズマ溶射法に
よるセラミツク皮膜を形成することによつて、電
機絶縁性と耐摩耗性の向上をはかつてきた。
（発明が解決しようとする問題点）
上記の位置決めピンでは、耐摩耗性が不十分で
あつたり、微小電流の通過によりナツト溝が荒れ
るなどの問題があり、またプラズマ溶射法による
セラミツク皮膜では、気孔が不可避であり、密着
力が不十分で繰返しかかる熱衝撃により剥離する
という問題点があつた。そのため耐摩耗性、絶縁
性が十分で、熱衝撃による皮膜の剥離が生じな
い、無気孔で密着力、耐摩耗性に優れ、十分に強
度があり、電気絶縁性の優れた位置決めピンが望
まれていた。
あつたり、微小電流の通過によりナツト溝が荒れ
るなどの問題があり、またプラズマ溶射法による
セラミツク皮膜では、気孔が不可避であり、密着
力が不十分で繰返しかかる熱衝撃により剥離する
という問題点があつた。そのため耐摩耗性、絶縁
性が十分で、熱衝撃による皮膜の剥離が生じな
い、無気孔で密着力、耐摩耗性に優れ、十分に強
度があり、電気絶縁性の優れた位置決めピンが望
まれていた。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、従来技術の下で製造されたピンが有
する前記問題点を除去・改善することを目的とす
るものであり、そのために本発明は、かかるピン
表面に、化学緻密化法によつて強化された複合セ
ラミツク皮膜を形成することにより、かかる問題
点を解消した。
する前記問題点を除去・改善することを目的とす
るものであり、そのために本発明は、かかるピン
表面に、化学緻密化法によつて強化された複合セ
ラミツク皮膜を形成することにより、かかる問題
点を解消した。
すなわち本発明は、鋼材よりなるピン表面に、
50％のクロム酸水溶液に、それと同重量で
SiO2：50〜95重量％、Al2O3：５〜50重量％およ
び不可避的不純物よりなる粉末を混合して得られ
るスラリーを塗布し、その後焼成することにより
多孔質セラミツク層を形成し、次いで、この多孔
質セラミツク層の表面に、CrO3水溶液を塗布し
たのち焼成する処理を少なくとも２回以上繰返す
ことにより上記多孔質セラミツク層中にCr2O3を
含浸させ、これによつて化学的に緻密化された層
を有する皮膜厚さ30〜200μｍの複合セラミツク
皮膜を形成することを特徴とするプロジエクシヨ
ン溶接用位置決めピンへのセラミツク皮膜の形成
方法に関するものである。
50％のクロム酸水溶液に、それと同重量で
SiO2：50〜95重量％、Al2O3：５〜50重量％およ
び不可避的不純物よりなる粉末を混合して得られ
るスラリーを塗布し、その後焼成することにより
多孔質セラミツク層を形成し、次いで、この多孔
質セラミツク層の表面に、CrO3水溶液を塗布し
たのち焼成する処理を少なくとも２回以上繰返す
ことにより上記多孔質セラミツク層中にCr2O3を
含浸させ、これによつて化学的に緻密化された層
を有する皮膜厚さ30〜200μｍの複合セラミツク
皮膜を形成することを特徴とするプロジエクシヨ
ン溶接用位置決めピンへのセラミツク皮膜の形成
方法に関するものである。
（作用）
本発明の方法は、まず、予め脱脂、脱錆、ま
た必要に応じてサンドブラスト処理等の前処理を
施した鋼材よりなるピン基材の表面に、50％のク
ロム酸水溶液に、それと同重量でSiO2：50〜95
重量％、Al2O3：５〜50重量％および不可避的不
純物よりなる粉末を混合してなるセラミツクスラ
リーを、浸漬法、あるいはスプレー法により塗布
し、 次いで、このスラリー塗布後のピンを乾燥し
た後、さらに400〜600℃で焼成することにより多
孔質セラミツク層を形成し、 その後、かかる多孔質セラミツク層の表面
に、CrO3水溶液を浸漬法あるいは刷毛塗り等の
方法により被成してから乾燥し、さらに400〜600
℃で焼成することにより、酸化物デポジツト
（Cr2O3）を含浸させることで、化学的に緻密化
された層を有する複合セラミツク皮膜を形成する
方法であり、 とくにこの化学緻密化法を少なくとも２回以上
繰返し施すことにより、層厚30〜200μｍの無気
孔で密着力、耐摩耗性に優れ、十分に強度があ
り、電気絶縁性の優れた複合セラミツク皮膜を被
成してなる位置決めピンを得る方法である。
た必要に応じてサンドブラスト処理等の前処理を
施した鋼材よりなるピン基材の表面に、50％のク
ロム酸水溶液に、それと同重量でSiO2：50〜95
重量％、Al2O3：５〜50重量％および不可避的不
純物よりなる粉末を混合してなるセラミツクスラ
リーを、浸漬法、あるいはスプレー法により塗布
し、 次いで、このスラリー塗布後のピンを乾燥し
た後、さらに400〜600℃で焼成することにより多
孔質セラミツク層を形成し、 その後、かかる多孔質セラミツク層の表面
に、CrO3水溶液を浸漬法あるいは刷毛塗り等の
方法により被成してから乾燥し、さらに400〜600
℃で焼成することにより、酸化物デポジツト
（Cr2O3）を含浸させることで、化学的に緻密化
された層を有する複合セラミツク皮膜を形成する
方法であり、 とくにこの化学緻密化法を少なくとも２回以上
繰返し施すことにより、層厚30〜200μｍの無気
孔で密着力、耐摩耗性に優れ、十分に強度があ
り、電気絶縁性の優れた複合セラミツク皮膜を被
成してなる位置決めピンを得る方法である。
第１図は、本発明に従つて化学緻密化法により
強化した複合セラミツク皮膜部分の皮膜断面組織
写真で、同図ａはSEM2次電子像（×660）、同図
ｂは光学顕微鏡写真（×660）である。第１図ａ，
ｂに示される複合セラミツク皮膜とピン基材との
境界に鉄、クロムを含む中間層が形成され、この
中間層により高密着力を生じ、セラミツクスラリ
ーコーテイングによる硬質セラミツク粒子と強固
に酸化物結合することにより、無気孔で高硬度の
複合セラミツク皮膜となつている。
強化した複合セラミツク皮膜部分の皮膜断面組織
写真で、同図ａはSEM2次電子像（×660）、同図
ｂは光学顕微鏡写真（×660）である。第１図ａ，
ｂに示される複合セラミツク皮膜とピン基材との
境界に鉄、クロムを含む中間層が形成され、この
中間層により高密着力を生じ、セラミツクスラリ
ーコーテイングによる硬質セラミツク粒子と強固
に酸化物結合することにより、無気孔で高硬度の
複合セラミツク皮膜となつている。
なお、本発明に従う化学緻密化法によつて、多
孔質セラミツク層中に酸化物デポジツトを含浸さ
せて形成する複合セラミツク皮膜は、プラズマ溶
射法によるセラミツク皮膜などには見られない化
学緻密化による強化が施されるため、気孔をなく
すことができる。このため微小電流の通過による
ナツト溝の荒れ、コーテイング皮膜の欠損が発生
しない。
孔質セラミツク層中に酸化物デポジツトを含浸さ
せて形成する複合セラミツク皮膜は、プラズマ溶
射法によるセラミツク皮膜などには見られない化
学緻密化による強化が施されるため、気孔をなく
すことができる。このため微小電流の通過による
ナツト溝の荒れ、コーテイング皮膜の欠損が発生
しない。
本発明の形成方法によつて得られる複合セラミ
ツク皮膜の硬さは、Hv1200〜1500で、プラズマ
溶射法によるセラミツク皮膜の硬さHv700〜1000
と比較し、高硬度であり、耐摩耗性に優れてい
る。
ツク皮膜の硬さは、Hv1200〜1500で、プラズマ
溶射法によるセラミツク皮膜の硬さHv700〜1000
と比較し、高硬度であり、耐摩耗性に優れてい
る。
また、かかる化学緻密化法によつて形成する皮
膜構成粒子の寸法は小さく、プラズマ溶射法皮膜
が数10μｍになるのに対して、1μｍ以下と非常に
小さい。このことは、本発明方法によつて形成し
た複合セラミツク皮膜は、耐摩耗性にも効果があ
ることを示している。それは、粒子が非常に小さ
いため、皮膜表面から摩耗により若干の粒子が脱
落しても、それによつて生ずる穴は無視し得る
が、プラズマ溶射法によるセラミツク皮膜の場合
には、粒子寸法がはるかに大きいため、これが摩
耗および摩擦抵抗によつて脱落した場合は穴の寸
法は大きなものとなり、皮膜のスポーリング、ピ
ーリングあるいは剥離の原因となるからである。
膜構成粒子の寸法は小さく、プラズマ溶射法皮膜
が数10μｍになるのに対して、1μｍ以下と非常に
小さい。このことは、本発明方法によつて形成し
た複合セラミツク皮膜は、耐摩耗性にも効果があ
ることを示している。それは、粒子が非常に小さ
いため、皮膜表面から摩耗により若干の粒子が脱
落しても、それによつて生ずる穴は無視し得る
が、プラズマ溶射法によるセラミツク皮膜の場合
には、粒子寸法がはるかに大きいため、これが摩
耗および摩擦抵抗によつて脱落した場合は穴の寸
法は大きなものとなり、皮膜のスポーリング、ピ
ーリングあるいは剥離の原因となるからである。
次に、本発明方法によつて形成した複合セラミ
ツク皮膜とピン基材との密着力は、直径40mm、長
さ40mmの棒鋼２個の一方の断面に皮膜厚さ0.5mm
の被覆処理を施し、他方の断面を溶融アルミナで
ブラストして粗面とし、これらの被覆面とブラス
トした粗面を接着剤で接合し引張試験を行う方法
により、その値は800Kg／cm2以上であり、プラズ
マ溶射法によるセラミツク皮膜とピン基材との密
着力250〜350Kg／cm2と比較して非常に密着力の優
れた皮膜となつており、また耐熱衝撃性に優れて
いる。600℃から水中投下する熱サイクルを繰り
返し行つたところ、プラズマ溶射法によるセラミ
ツク皮膜では20〜30回で剥離したが、本発明によ
る皮膜は100回でも剥離しない。
ツク皮膜とピン基材との密着力は、直径40mm、長
さ40mmの棒鋼２個の一方の断面に皮膜厚さ0.5mm
の被覆処理を施し、他方の断面を溶融アルミナで
ブラストして粗面とし、これらの被覆面とブラス
トした粗面を接着剤で接合し引張試験を行う方法
により、その値は800Kg／cm2以上であり、プラズ
マ溶射法によるセラミツク皮膜とピン基材との密
着力250〜350Kg／cm2と比較して非常に密着力の優
れた皮膜となつており、また耐熱衝撃性に優れて
いる。600℃から水中投下する熱サイクルを繰り
返し行つたところ、プラズマ溶射法によるセラミ
ツク皮膜では20〜30回で剥離したが、本発明によ
る皮膜は100回でも剥離しない。
また、本発明方法によつて形成した複合セラミ
ツク皮膜の電気伝導度は、10-6〜10-7Ω-1cmで位
置決めピンとして十分優れた絶縁性を有してい
る。
ツク皮膜の電気伝導度は、10-6〜10-7Ω-1cmで位
置決めピンとして十分優れた絶縁性を有してい
る。
本発明形成方法において、始めに多孔質セラミ
ツク層を形成する際、SiO2：50〜95重量％、
Al2O3：５〜50重量％を50％のクロム酸水溶液に
混合してスラリーとするのは、ピン基材とセラミ
ツク皮膜との膨張係数（S45C：13.6×10-6／℃、
Al2O3：5.4×10-6／℃、Cr2O3：8.8×10-6／℃、
SiO2：10.3×10-6／℃）を考慮し、SiO2が50重量
％以下ではセラミツク皮膜の膨張係数が小さくな
り、繰返し加熱で剥離しやすくなり、Al2O35重
量％以下ではピン基材に塗布する際、被覆しにく
いため５重量％を必要とする。従つて、SiO2は
50〜95重量％の範囲内にする必要がある。Al2O3
は50重量％以上にあるとAl2O3の膨張係数が小さ
いため、繰返し加熱で剥離しやすくなるため、
Al2O3は５〜50重量％の範囲内にする必要があ
る。
ツク層を形成する際、SiO2：50〜95重量％、
Al2O3：５〜50重量％を50％のクロム酸水溶液に
混合してスラリーとするのは、ピン基材とセラミ
ツク皮膜との膨張係数（S45C：13.6×10-6／℃、
Al2O3：5.4×10-6／℃、Cr2O3：8.8×10-6／℃、
SiO2：10.3×10-6／℃）を考慮し、SiO2が50重量
％以下ではセラミツク皮膜の膨張係数が小さくな
り、繰返し加熱で剥離しやすくなり、Al2O35重
量％以下ではピン基材に塗布する際、被覆しにく
いため５重量％を必要とする。従つて、SiO2は
50〜95重量％の範囲内にする必要がある。Al2O3
は50重量％以上にあるとAl2O3の膨張係数が小さ
いため、繰返し加熱で剥離しやすくなるため、
Al2O3は５〜50重量％の範囲内にする必要があ
る。
また、本発明において形成する化学緻密化法に
よつて強化された複合セラミツク皮膜層の厚さを
30〜200μｍとしたのは、30μｍ以下では電気絶縁
性が低下し、また摩耗による寿命が短くなるため
である。また、200μｍまでとしたのは、200μｍ
以上になると、化学緻密化処理において、CrO3
水溶液を含浸焼成させる際、拡散しにくくなるた
めである。従つて、複合セラミツク皮膜厚さは30
〜200μｍの範囲内にする必要がある。
よつて強化された複合セラミツク皮膜層の厚さを
30〜200μｍとしたのは、30μｍ以下では電気絶縁
性が低下し、また摩耗による寿命が短くなるため
である。また、200μｍまでとしたのは、200μｍ
以上になると、化学緻密化処理において、CrO3
水溶液を含浸焼成させる際、拡散しにくくなるた
めである。従つて、複合セラミツク皮膜厚さは30
〜200μｍの範囲内にする必要がある。
次に本発明形成方法についての実施例を説明す
る。
る。
（実施例）
第２図および第３図は、鋼板１にナツト２をプ
ロジエクシヨン溶接する際の、位置決めピン３と
上部電極６および下部電極７との関係を示すプロ
ジエクシヨン溶接手段の一部破断正面図である。
ロジエクシヨン溶接する際の、位置決めピン３と
上部電極６および下部電極７との関係を示すプロ
ジエクシヨン溶接手段の一部破断正面図である。
第２図は、位置決めピン３にナツト２を装着し
た溶接前の状態を示し、位置決めピン３は図示し
ない空気供給源から空気供給口４を経て、キヤン
バー５内へと導入された圧搾空気により常に上方
へ押し上げられた状態となるよう付勢され、ナツ
ト２は鋼板１より離間した位置に保持され、鋼板
１と電気的に絶縁された状態を示す。
た溶接前の状態を示し、位置決めピン３は図示し
ない空気供給源から空気供給口４を経て、キヤン
バー５内へと導入された圧搾空気により常に上方
へ押し上げられた状態となるよう付勢され、ナツ
ト２は鋼板１より離間した位置に保持され、鋼板
１と電気的に絶縁された状態を示す。
第３図は、上部電極６の下降により、ナツト２
および位置決めピン３は、前述した上方への付勢
に抗して下部電極７の内壁面に摺接され下方へ押
し下げられ、鋼板１へナツト２を圧接し溶接され
た状態を示す。
および位置決めピン３は、前述した上方への付勢
に抗して下部電極７の内壁面に摺接され下方へ押
し下げられ、鋼板１へナツト２を圧接し溶接され
た状態を示す。
このようなプロジエクシヨン溶接手段において
使用される位置決めピン３は、第４図に示すごと
く、円柱状の一端に鍔部１０を設け、他端を円錐
部１１に形成した形状としたS45Cよりなる位置
決めピン基材８を作り、その基材８に前処理とし
て脱脂、グリツトブラスト処理を施し、次に50％
のクロム酸水溶液に、それと同重量で重量比１：
１のSiO2とAl2O3の粉末を混合し、磁性ボールミ
ルを用いて18時間混練し、スラリーを調整し、コ
ーテイング工程として前記スラリー中に前記前処
理した位置決めピンを浸漬して30〜80μｍの厚み
で塗布し、乾燥させた後、電気炉を用いて600
℃／時間で昇温し、550℃で１時間保持した後、
100℃／時間で降温冷却して、気孔率10〜25％の
多孔質セラミツク層を形成させた。
使用される位置決めピン３は、第４図に示すごと
く、円柱状の一端に鍔部１０を設け、他端を円錐
部１１に形成した形状としたS45Cよりなる位置
決めピン基材８を作り、その基材８に前処理とし
て脱脂、グリツトブラスト処理を施し、次に50％
のクロム酸水溶液に、それと同重量で重量比１：
１のSiO2とAl2O3の粉末を混合し、磁性ボールミ
ルを用いて18時間混練し、スラリーを調整し、コ
ーテイング工程として前記スラリー中に前記前処
理した位置決めピンを浸漬して30〜80μｍの厚み
で塗布し、乾燥させた後、電気炉を用いて600
℃／時間で昇温し、550℃で１時間保持した後、
100℃／時間で降温冷却して、気孔率10〜25％の
多孔質セラミツク層を形成させた。
次に化学緻密処理として、前記多孔質セラミツ
ク層を形成した位置決めピンを、比重1.30〜1.70
のCrO3水溶液に含浸し、600℃／時間で昇温させ
550℃で１時間保持した後、100℃／時間で降温冷
却することにより、CrO3をCr2O3に変換すること
により、化学的に緻密化した複合セラミツク皮膜
層９を得た。この化学緻密化処理を８〜15回繰返
した後、表面仕上げとしてナイロンバフにてコー
テイング表面を仕上げ、目的とする位置決めピン
を得た。
ク層を形成した位置決めピンを、比重1.30〜1.70
のCrO3水溶液に含浸し、600℃／時間で昇温させ
550℃で１時間保持した後、100℃／時間で降温冷
却することにより、CrO3をCr2O3に変換すること
により、化学的に緻密化した複合セラミツク皮膜
層９を得た。この化学緻密化処理を８〜15回繰返
した後、表面仕上げとしてナイロンバフにてコー
テイング表面を仕上げ、目的とする位置決めピン
を得た。
従来のKCF材より皮膜を形成した位置決めピ
ンを前記のプロジエクシヨン溶接に用いた結果、
約48000回の仕様により表面にカジリが生じ交換
しなければならなかつた。
ンを前記のプロジエクシヨン溶接に用いた結果、
約48000回の仕様により表面にカジリが生じ交換
しなければならなかつた。
一方、本発明方法により形成した複合セラミツ
ク皮膜を有する位置決めピンは、約400000回使用
した状態で殆んど損傷がなく、約９倍以上の優れ
た耐摩耗性を有することが確認された。また皮膜
の表面が摩耗等により若干の粒子脱落が発生した
ものであつても、その穴は殆ど無視し得るほど微
細なものであり、スポーリング、ピーリングの原
因となる程のものでなく、また皮膜の電気伝導度
は10-6〜10-7Ω-1cmであり、プロジエクシヨン溶
接の際の電気分流を充分に防ぎ、製品を損傷する
ことなく、位置決めピンの品質が長期間確保さ
れ、耐久性に優れていることが確認された。
ク皮膜を有する位置決めピンは、約400000回使用
した状態で殆んど損傷がなく、約９倍以上の優れ
た耐摩耗性を有することが確認された。また皮膜
の表面が摩耗等により若干の粒子脱落が発生した
ものであつても、その穴は殆ど無視し得るほど微
細なものであり、スポーリング、ピーリングの原
因となる程のものでなく、また皮膜の電気伝導度
は10-6〜10-7Ω-1cmであり、プロジエクシヨン溶
接の際の電気分流を充分に防ぎ、製品を損傷する
ことなく、位置決めピンの品質が長期間確保さ
れ、耐久性に優れていることが確認された。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明形成方法によれ
ば、得られた位置決めピンは、従来のプラズマ溶
射法、KCF材による金属酸化物の皮膜を形成す
るものに比べると、 耐摩耗性、絶縁性が不十分であることに起因
する損傷を防止することができ、 従来の位置決めピンに比し優れた耐久性があ
り、 皮膜の電気伝導度は10-6〜10-7Ω-1cmであ
り、プロジエクシヨン溶接の際、電気分流を充
分に防ぎ、製品を損傷することなく品質の安定
した溶接品を長期間供給し得るものであり、 それ故に、生産性の向上に大きく寄与する。
ば、得られた位置決めピンは、従来のプラズマ溶
射法、KCF材による金属酸化物の皮膜を形成す
るものに比べると、 耐摩耗性、絶縁性が不十分であることに起因
する損傷を防止することができ、 従来の位置決めピンに比し優れた耐久性があ
り、 皮膜の電気伝導度は10-6〜10-7Ω-1cmであ
り、プロジエクシヨン溶接の際、電気分流を充
分に防ぎ、製品を損傷することなく品質の安定
した溶接品を長期間供給し得るものであり、 それ故に、生産性の向上に大きく寄与する。
なお、ナツトを鋼板にプロジエクシヨン溶接す
る実施態様について述べたが、他のプロジエクシ
ヨン溶接用位置決めピンに適用することも可能で
ある。
る実施態様について述べたが、他のプロジエクシ
ヨン溶接用位置決めピンに適用することも可能で
ある。
第１図は本発明による化学緻密化法により強化
した複合セラミツク皮膜の断面組織写真で、ａは
SEM2次電子像（×660）、ｂは光学顕微鏡写真
（×660）、第２図、第３図は鋼板にナツトをプロ
ジエクシヨン溶接する際の、位置決めピンと電極
との関係を示す一部破断正面図、第４図は位置決
めピンの例を示す一部破断正面図を示す。 １……鋼板、２……ナツト、３……位置決めピ
ン、４……空気供給口、５……キヤンバー、６…
…上部電極、７……下部電極、８……ピン基材、
９……複合セラミツク皮膜層、１０……鍔、１１
……円錐部。
した複合セラミツク皮膜の断面組織写真で、ａは
SEM2次電子像（×660）、ｂは光学顕微鏡写真
（×660）、第２図、第３図は鋼板にナツトをプロ
ジエクシヨン溶接する際の、位置決めピンと電極
との関係を示す一部破断正面図、第４図は位置決
めピンの例を示す一部破断正面図を示す。 １……鋼板、２……ナツト、３……位置決めピ
ン、４……空気供給口、５……キヤンバー、６…
…上部電極、７……下部電極、８……ピン基材、
９……複合セラミツク皮膜層、１０……鍔、１１
……円錐部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 鋼材よりなるピン表面に、50％のクロム酸水
溶液に、それと同重量でSiO2：50〜95重量％、
Al2O3：５〜50重量％および不可避的不純物より
なる粉末を混合して得られるスラリーを塗布し、
その後焼成することにより多孔質セラミツク層を
形成し、 次いで、この多孔質セラミツク層の表面に、
CrO3水溶液を塗布したのち焼成する処理を少な
くとも２回以上繰返すことにより上記多孔質セラ
ミツク層中にCr2O3を含浸させ、 これによつて化学的に緻密化された層を有する
皮膜厚さ30〜200μｍの複合セラミツク皮膜を形
成することを特徴とするプロジエクシヨン溶接用
位置決めピンへのセラミツク皮膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27089686A JPS63126682A (ja) | 1986-11-15 | 1986-11-15 | プロジェクション溶接用位置決めピンへのセラミック皮膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27089686A JPS63126682A (ja) | 1986-11-15 | 1986-11-15 | プロジェクション溶接用位置決めピンへのセラミック皮膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63126682A JPS63126682A (ja) | 1988-05-30 |
| JPH0370595B2 true JPH0370595B2 (ja) | 1991-11-08 |
Family
ID=17492482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27089686A Granted JPS63126682A (ja) | 1986-11-15 | 1986-11-15 | プロジェクション溶接用位置決めピンへのセラミック皮膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63126682A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001340972A (ja) * | 2000-06-02 | 2001-12-11 | Usui Internatl Ind Co Ltd | 高炭素鋼材、高張力低合金鋼材のプロジェクション溶接方法 |
| US6805968B2 (en) | 2001-04-26 | 2004-10-19 | Tocalo Co., Ltd. | Members for semiconductor manufacturing apparatus and method for producing the same |
| US8312612B2 (en) | 2002-04-11 | 2012-11-20 | Blue Sky Vision Partners, Llc | Refurbished punch tip and method for manufacture and refurbishing |
| US7033156B2 (en) | 2002-04-11 | 2006-04-25 | Luka Gakovic | Ceramic center pin for compaction tooling and method for making same |
| US7214046B2 (en) | 2002-04-11 | 2007-05-08 | Luka Gakovic | Ceramic center pin for compaction tooling and method for making same |
| JP2013153029A (ja) | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6143178Y2 (ja) * | 1979-07-11 | 1986-12-06 | ||
| JPS6068181A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-04-18 | Toshiba Corp | 溶接用治具 |
| JPH0312465Y2 (ja) * | 1985-04-30 | 1991-03-25 |
-
1986
- 1986-11-15 JP JP27089686A patent/JPS63126682A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63126682A (ja) | 1988-05-30 |
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