JPH0361966A - 半導体レーザの出力制御装置 - Google Patents
半導体レーザの出力制御装置Info
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- JPH0361966A JPH0361966A JP1196715A JP19671589A JPH0361966A JP H0361966 A JPH0361966 A JP H0361966A JP 1196715 A JP1196715 A JP 1196715A JP 19671589 A JP19671589 A JP 19671589A JP H0361966 A JPH0361966 A JP H0361966A
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体レーザ（レーザダイオード；ＬＤ）の
出力制御装置に関する。
出力制御装置に関する。
レーザプリンタ、デジタル複写機等の光書き込み系に適
用される半導体レーザにおいては、常に一定の発光出力
で感光体に光書き込みを行う必要がある。
用される半導体レーザにおいては、常に一定の発光出力
で感光体に光書き込みを行う必要がある。
ところで、半導体レーザの光出力は周囲の温度と印加電
流に依存して変化する。
流に依存して変化する。
このため従来より、実際の半導体レーザの光出力を電気
信号として検出し、これと基準値を比較してレーザ駆動
回路を制御する技術が種々提案されている。
信号として検出し、これと基準値を比較してレーザ駆動
回路を制御する技術が種々提案されている。
例えば特公昭６３−５４２７３号では半導体レーザの出
力が目標値以下の時はカウンタをアップし、一方、目標
値以上の時はカウンタをダウンすることによって１ステ
ツプずつ出力を目標値に近づける技術が提案されている
。
力が目標値以下の時はカウンタをアップし、一方、目標
値以上の時はカウンタをダウンすることによって１ステ
ツプずつ出力を目標値に近づける技術が提案されている
。
上記従来技術においては、目標値の近傍で電流設定値を
ステップ状に増減させるため半導体レーザの出力制御（
ＡＰＣ；オートパワーコントロール）動作完了まで最低
数ステップ必要とする。
ステップ状に増減させるため半導体レーザの出力制御（
ＡＰＣ；オートパワーコントロール）動作完了まで最低
数ステップ必要とする。
ところで、レーザプリンタなどでＡＰＣ動作を行う場合
、感光体を保護するために感光体を帯電した状態で行う
。この時、光が当たった所にトナーが乗る現像方式では
、長時間のＡＰＣ動作のため、ＡＰＣ動作領域にトナー
が付着してしまうという問題があった。
、感光体を保護するために感光体を帯電した状態で行う
。この時、光が当たった所にトナーが乗る現像方式では
、長時間のＡＰＣ動作のため、ＡＰＣ動作領域にトナー
が付着してしまうという問題があった。
本発明の目的は、短時間のうちに半導体レーザの出力を
目標値に設定することができる半導体レーザの出力制御
装置を提供することにある。
目標値に設定することができる半導体レーザの出力制御
装置を提供することにある。
上記目的は、半導体レーザと、この半導体レーザを駆動
するレーザ駆動回路と、光電変換された半導体レーザの
アナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器と
、２つの温度測定点からの温度データに基づき半導体レ
ーザの電流設定値を演算する制御手段と、制御手段から
のデジタル信号をアナログ信号に変換し電流設定値信号
をレーザ駆動回路に入力するＤ／Ａ変換器とを備えるこ
とによって遠戚される。
するレーザ駆動回路と、光電変換された半導体レーザの
アナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器と
、２つの温度測定点からの温度データに基づき半導体レ
ーザの電流設定値を演算する制御手段と、制御手段から
のデジタル信号をアナログ信号に変換し電流設定値信号
をレーザ駆動回路に入力するＤ／Ａ変換器とを備えるこ
とによって遠戚される。
制御手段は、半導体レーザ出力が目標値になるように設
定された電流値を、２つの温度測定点からの温度データ
によって演算し、これによりｒ＃Ｊ囲温度により変化す
る半導体出力を適正なものとする。
定された電流値を、２つの温度測定点からの温度データ
によって演算し、これによりｒ＃Ｊ囲温度により変化す
る半導体出力を適正なものとする。
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第６図は本発明の前提となる半導体レーザの出力制御装
置のブロック図であって、１は半導体レーザ、２はレー
ザ駆動回路、３はフォトダイオード、４はＡ／Ｄ変換器
、５はＡＰＣ回路、６はＤ／Ａ変換器、７はオアゲート
である。
置のブロック図であって、１は半導体レーザ、２はレー
ザ駆動回路、３はフォトダイオード、４はＡ／Ｄ変換器
、５はＡＰＣ回路、６はＤ／Ａ変換器、７はオアゲート
である。
半導体レーザ１からの発光出力はフォトダイオード３に
より光電変換され、さらにＡ／Ｄ変換器４でデジタル信
号に変換されてＡＰＣ回路５に取り込まれる。ＡＰＣ回
路５からは、Ｄ／Ａ変換器６を介して半導体レーザ１に
流れる電流を制御する電流設定値信号がレーザ駆動回路
２に入力される。
より光電変換され、さらにＡ／Ｄ変換器４でデジタル信
号に変換されてＡＰＣ回路５に取り込まれる。ＡＰＣ回
路５からは、Ｄ／Ａ変換器６を介して半導体レーザ１に
流れる電流を制御する電流設定値信号がレーザ駆動回路
２に入力される。
また同様に、オアゲート７を介して半導体レーザ１をオ
ン／オフするオン／オフ信号がレーザ駆動回路２に入力
される。レーザ駆動回路２はこれらの信号によって、半
導体レーザ１に流れる電流を一定に保ち、半導体レーザ
Ｉをオン／オフするように駆動される。
ン／オフするオン／オフ信号がレーザ駆動回路２に入力
される。レーザ駆動回路２はこれらの信号によって、半
導体レーザ１に流れる電流を一定に保ち、半導体レーザ
Ｉをオン／オフするように駆動される。
第２図は半導体レーザの出力特性図であって、半導体レ
ーザｌは、流れる電流によりこの図に示すように温度が
一定であれば出力は電流に比例する。したがって出力Ｙ
と電流Ｘの関係は、Ｙ＝αＸ十β −一−−−−
・（１）なる１次式で表現できる。（但しαは直線の傾
き、βは定数） 本発明は（１）式が１次式であることに着目し、２つの
温度測定点からの温度データにより上記電流設定値信号
を得るようにする。そのためには演算回路、タイ旦ング
回路を構成しても良いが、ＣＰＵによる制御手段を用い
ることにより簡単な構成で実現するものとする。
ーザｌは、流れる電流によりこの図に示すように温度が
一定であれば出力は電流に比例する。したがって出力Ｙ
と電流Ｘの関係は、Ｙ＝αＸ十β −一−−−−
・（１）なる１次式で表現できる。（但しαは直線の傾
き、βは定数） 本発明は（１）式が１次式であることに着目し、２つの
温度測定点からの温度データにより上記電流設定値信号
を得るようにする。そのためには演算回路、タイ旦ング
回路を構成しても良いが、ＣＰＵによる制御手段を用い
ることにより簡単な構成で実現するものとする。
第１図は本発明による半導体レーザの出力制御装置の一
実施例の回路図であって、１は半導体レーザ、２は基準
電圧をマイナス側端子に入力する比較器２ａとドライバ
２ｂから構成されるレーザ駆動回路、３はフォトダイオ
ード、４はＡ／Ｄ変換器、ＧはＤ／Ａ変換器である。モ
して８はＣＰＵである。
実施例の回路図であって、１は半導体レーザ、２は基準
電圧をマイナス側端子に入力する比較器２ａとドライバ
２ｂから構成されるレーザ駆動回路、３はフォトダイオ
ード、４はＡ／Ｄ変換器、ＧはＤ／Ａ変換器である。モ
して８はＣＰＵである。
半導体レーザ１の出力は、Ａ／Ｄ変換器４によってデジ
タルｔ（デジタル値〉に変換されＣＰＵ８に入力される
。ここでＣＰＵ８は内部演算を行い、その結果をデジタ
ル量でＤ／Ａ変換器６に出力すると、これがアナログ量
に変換され、レーザ駆動回路２の比較器２ａに加えられ
る。ここで基準値と比較して半導体レーザ１に流れる電
流が一定になるように制御される。
タルｔ（デジタル値〉に変換されＣＰＵ８に入力される
。ここでＣＰＵ８は内部演算を行い、その結果をデジタ
ル量でＤ／Ａ変換器６に出力すると、これがアナログ量
に変換され、レーザ駆動回路２の比較器２ａに加えられ
る。ここで基準値と比較して半導体レーザ１に流れる電
流が一定になるように制御される。
第３図は本発明による制御動作のフローチャートであっ
て、ＣＰＵ８の内部で行われる演算方法をこのフローチ
ャートにより説明する。
て、ＣＰＵ８の内部で行われる演算方法をこのフローチ
ャートにより説明する。
この■、■で初期設定と各種処理のサブルーチンが実行
される。次に■において、ＡＰＣのタイミングかどうか
判断をｊテうが、画像信号領域以外でＡＰＣを行うには
、ここで判断する。次にＡＰＣ動作に移ると■で１回目
か、２回目以後かの判断を行う。１回目は通常電源投入
直後であるから、目標値とは別の設定値（第２図の最低
値）を超えるまで（■でＮｏ）電流設定値を増加させる
（■）最低値を超えた時は（■でＹＥＳ）現状設定値十
α（αは最適な値が用意されているものとする）を電流
設定値に出力し、この時の半導体出力を測定する（■）
。この測定が終了すると２点の測定結果が得られるため
、半導体レーザの目標出力に必要な電流設定値が演算で
き、この結果を出力してＡＰＣ動作を完了する（■）。
される。次に■において、ＡＰＣのタイミングかどうか
判断をｊテうが、画像信号領域以外でＡＰＣを行うには
、ここで判断する。次にＡＰＣ動作に移ると■で１回目
か、２回目以後かの判断を行う。１回目は通常電源投入
直後であるから、目標値とは別の設定値（第２図の最低
値）を超えるまで（■でＮｏ）電流設定値を増加させる
（■）最低値を超えた時は（■でＹＥＳ）現状設定値十
α（αは最適な値が用意されているものとする）を電流
設定値に出力し、この時の半導体出力を測定する（■）
。この測定が終了すると２点の測定結果が得られるため
、半導体レーザの目標出力に必要な電流設定値が演算で
き、この結果を出力してＡＰＣ動作を完了する（■）。
２回目以後では１点目は現状設定値による出力の計測（
■）と、現状設定値−Ｔ（現状設定値−最低出力設定値
〈γの場合は現状設定値＋γ〉を電流設定値に出力し、
半導体レーザ出力を測定しく＠ｌ） 、１回目同様演算
出力する。
■）と、現状設定値−Ｔ（現状設定値−最低出力設定値
〈γの場合は現状設定値＋γ〉を電流設定値に出力し、
半導体レーザ出力を測定しく＠ｌ） 、１回目同様演算
出力する。
この演算方法を第２図も参照してさらに説明する。
第２図において測定点からａ点、ｂ点で結果がＩａ、Ｉ
ｂ、Ｐａ、ｐｂである時、目標値Ｐ ｒｅｆ（定数）に
必要な電流値Ｉｔは以下の計算で求められる。
ｂ、Ｐａ、ｐｂである時、目標値Ｐ ｒｅｆ（定数）に
必要な電流値Ｉｔは以下の計算で求められる。
ｒｌ１式より
ＰａはαＸＩａ＋β ・−・・−（２）Ｐｂ＝α
Ｘｌｂ＋β −・−・（３）（２）式−（３）式
より Ｉａ−Ｉｂ （４ン式を（２）式に代入し く１）式より Ｐｒｅｆ ＝ｃｒＸ Ｉ ｔ＋β −・−−−−−
（６）（６）式に（４）、 （５）式を代入し、Ｉｔを
求めると、（７）式において、Ｉａ−Ｉｂは第３図のフ
ローチャートにおけるステップ■、［相］に示す変化量
γ（＝定数）であるため、（Ｉ ａ −Ｉ ｂ） ＸＰ
ｒｅｆＯ項は定数である。したがって（７）式のＩｔは
ＩｂｘＰａ、ＩａＸＰｂ、Ｐａ−Ｐｂおよび除算によっ
て求められる。この演算回路は乗除算が必要なためかな
り複雑になるが、最近のＣＰＵでは乗除算命令を備えて
いるため、簡単に求めることができる。
Ｘｌｂ＋β −・−・（３）（２）式−（３）式
より Ｉａ−Ｉｂ （４ン式を（２）式に代入し く１）式より Ｐｒｅｆ ＝ｃｒＸ Ｉ ｔ＋β −・−−−−−
（６）（６）式に（４）、 （５）式を代入し、Ｉｔを
求めると、（７）式において、Ｉａ−Ｉｂは第３図のフ
ローチャートにおけるステップ■、［相］に示す変化量
γ（＝定数）であるため、（Ｉ ａ −Ｉ ｂ） ＸＰ
ｒｅｆＯ項は定数である。したがって（７）式のＩｔは
ＩｂｘＰａ、ＩａＸＰｂ、Ｐａ−Ｐｂおよび除算によっ
て求められる。この演算回路は乗除算が必要なためかな
り複雑になるが、最近のＣＰＵでは乗除算命令を備えて
いるため、簡単に求めることができる。
第４図はオフセット電流出力回路図であって、電流設定
値信号の精度を向上させるためにＤ／Ａ変換器６とは別
に、このような回路を設はオフセット電流を出力できる
ようにしている。
値信号の精度を向上させるためにＤ／Ａ変換器６とは別
に、このような回路を設はオフセット電流を出力できる
ようにしている。
従来例では電流設定値を得る場合、ディジタル量の増、
凍によって行うため、ディジタル量の情報量によって１
ステツプで変化する電流値が決まってしまう。例えば電
流設定値が最小と最大で■だけ変化する場合、８ビツト
の情報量では１ステツプ当たり変化する電流ΔＩは、Δ
Ｉ ＝ Ｉ／２５６であり、同様に１０ビツトでは、Δ
Ｉ＝１／１０２４であり、より細かい制御が可能である
が、Ｄ／Ａ変換器のコストアップにつながるという問題
があったが、ＡＰＣ動作を行うＤ／Ａ変換器とは別にオ
フセット電流を設定する手段を持つことにより、同じ８
ビツトの情報で精度を向上させることができる。
凍によって行うため、ディジタル量の情報量によって１
ステツプで変化する電流値が決まってしまう。例えば電
流設定値が最小と最大で■だけ変化する場合、８ビツト
の情報量では１ステツプ当たり変化する電流ΔＩは、Δ
Ｉ ＝ Ｉ／２５６であり、同様に１０ビツトでは、Δ
Ｉ＝１／１０２４であり、より細かい制御が可能である
が、Ｄ／Ａ変換器のコストアップにつながるという問題
があったが、ＡＰＣ動作を行うＤ／Ａ変換器とは別にオ
フセット電流を設定する手段を持つことにより、同じ８
ビツトの情報で精度を向上させることができる。
具体的には第３図のフローチャートのステップ■におい
て電流投入時、１ステツプずつ電流設定値を増加させる
代わりに、アナログスイッチ９により電流基準を低いも
のから順番に選択し、第５図に示す最低値を超えた時点
で設定を完了するものとする。したがって例えば、実使
用温度範囲の下限で確実に半導体レーザ１が発光する基
準（１）を設定しておけば、制御系における電流の変化
分は、基準（１）の電流分だけ少なくてすむ。これによ
り同じ８ビツトの情報量において、より精度の向上が可
能となる。
て電流投入時、１ステツプずつ電流設定値を増加させる
代わりに、アナログスイッチ９により電流基準を低いも
のから順番に選択し、第５図に示す最低値を超えた時点
で設定を完了するものとする。したがって例えば、実使
用温度範囲の下限で確実に半導体レーザ１が発光する基
準（１）を設定しておけば、制御系における電流の変化
分は、基準（１）の電流分だけ少なくてすむ。これによ
り同じ８ビツトの情報量において、より精度の向上が可
能となる。
なお、第４図において、１０−１３はドライバ、１４．
１５は比較器である。
１５は比較器である。
以上説明したように、本発明によれば、２つの温度測定
点からの温度データに基づき半導体レーザの電流設定値
を演算するようにしたから、２ステツプという短い時間
で制御動作を完了させることが可能な半導体レーザの出
力制御装置を提供することができる。
点からの温度データに基づき半導体レーザの電流設定値
を演算するようにしたから、２ステツプという短い時間
で制御動作を完了させることが可能な半導体レーザの出
力制御装置を提供することができる。
第１図は本発明による半導体レーザの出力制御装置の一
実施例の回路図、第２図は半導体レーザの出力特性図、
第３図は本発明による制御動作のフローチャート、第４
図はオフセット電流出力回路図、第５図はアナログスイ
ッチの基準と電流設定値との関係図、第６図は本発明の
前提となる半導体レーザの出力制御装置の回路図である
。 ■・・・半導体レーザ、２・・・レーザ駆動回路、４・
・・Ａ／Ｄ変換器、６・・・Ｄ／Ａ変換器、８・・・Ｃ
Ｐ Ｕ。 第 図 ｉ１２図 第３ｒＩ！Ｊ 第４図 １５図
実施例の回路図、第２図は半導体レーザの出力特性図、
第３図は本発明による制御動作のフローチャート、第４
図はオフセット電流出力回路図、第５図はアナログスイ
ッチの基準と電流設定値との関係図、第６図は本発明の
前提となる半導体レーザの出力制御装置の回路図である
。 ■・・・半導体レーザ、２・・・レーザ駆動回路、４・
・・Ａ／Ｄ変換器、６・・・Ｄ／Ａ変換器、８・・・Ｃ
Ｐ Ｕ。 第 図 ｉ１２図 第３ｒＩ！Ｊ 第４図 １５図
Claims (2)
- （１）半導体レーザと、この半導体レーザを駆動するレ
ーザ駆動回路と、光電変換された半導体レーザのアナロ
グ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器と、２つ
の温度測定点からの温度データに基づき半導体レーザの
電流設定値を演算する制御手段と、制御手段からのデジ
タル信号をアナログ信号に変換し電流設定値信号をレー
ザ駆動回路に入力するＤ／Ａ変換器とを備えたことを特
徴とする半導体レーザの出力制御装置。 - （２）請求項（１）において、電源投入時は電流設定値
を徐々に増やし、半導体レーザのしきい値を超える半導
体レーザ出力に達した時、一つの測定点をこの半導体レ
ーザ出力とし出力制御を行うことを特徴とする半導体レ
ーザの出力制御装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1196715A JPH0361966A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 半導体レーザの出力制御装置 |
| US07/558,483 US5062114A (en) | 1989-07-31 | 1990-07-27 | Output beam control device for a semiconductor laser |
| GB9016681A GB2234626B (en) | 1989-07-31 | 1990-07-30 | Output beam control device for a semiconductor laser |
| KR1019900011565A KR930010133B1 (ko) | 1989-07-31 | 1990-07-30 | 반도체 레이저용 출력 빔 제어장치 |
| DE4024317A DE4024317C2 (de) | 1989-07-31 | 1990-07-31 | Ausgangsstrahl-Steuereinrichtung für eine Laserdiode in einer Bildaufzeichnungseinrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1196715A JPH0361966A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 半導体レーザの出力制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0361966A true JPH0361966A (ja) | 1991-03-18 |
Family
ID=16362389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1196715A Pending JPH0361966A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 半導体レーザの出力制御装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5062114A (ja) |
| JP (1) | JPH0361966A (ja) |
| KR (1) | KR930010133B1 (ja) |
| DE (1) | DE4024317C2 (ja) |
| GB (1) | GB2234626B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0629598A (ja) * | 1991-08-30 | 1994-02-04 | Philips Gloeilampenfab:Nv | レーザ発振器 |
| WO1998056089A1 (fr) * | 1997-06-06 | 1998-12-10 | Hitachi, Ltd. | Procede de production de donnees de gestion de commande |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2546080B2 (ja) * | 1991-05-10 | 1996-10-23 | 富士通株式会社 | 半導体レーザー制御装置 |
| US5323408A (en) * | 1992-07-21 | 1994-06-21 | Alcatel N.V. | Regulation of preconduction current of a laser diode using the third derivative of the output signal |
| US6208370B1 (en) | 1998-12-22 | 2001-03-27 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus for determining the starting position and the power of a scanning light beam to be used in writing on a media |
| JP2000208867A (ja) * | 1999-01-13 | 2000-07-28 | Nec Corp | レ―ザダイオ―ド発光検出回路 |
| DE10211075A1 (de) * | 2002-03-13 | 2003-10-16 | Siemens Ag | Geregelte Ansteuerschaltung für einen analog angesteuerten Leistungshalbleiter |
| KR100899633B1 (ko) * | 2008-03-25 | 2009-05-27 | 서연전자(주) | 휴대형 레이저조사기 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57162481A (en) * | 1981-03-23 | 1982-10-06 | Ibm | Control circuit for light emtting semiconductor device |
| JPS58100571A (ja) * | 1981-12-10 | 1983-06-15 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | レ−ザビ−ム走査装置 |
| US4856011A (en) * | 1985-01-30 | 1989-08-08 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor laser control circuit |
| JP2539358B2 (ja) * | 1985-03-20 | 1996-10-02 | オリンパス光学工業株式会社 | 光学式記録再生装置における半導体レ―ザ劣化判別装置 |
| US4792956A (en) * | 1986-05-13 | 1988-12-20 | Litton Systems, Inc. | Laser diode intensity and wavelength control |
| DE3728234A1 (de) * | 1986-08-26 | 1988-04-28 | Sharp Kk | Steuervorrichtung fuer eine laserdiode |
| US4907236A (en) * | 1986-09-19 | 1990-03-06 | Ricoh Company, Ltd. | Method of controlling the quantity of light in a selected range |
-
1989
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1990
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0629598A (ja) * | 1991-08-30 | 1994-02-04 | Philips Gloeilampenfab:Nv | レーザ発振器 |
| WO1998056089A1 (fr) * | 1997-06-06 | 1998-12-10 | Hitachi, Ltd. | Procede de production de donnees de gestion de commande |
Also Published As
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|---|---|
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| DE4024317C2 (de) | 1995-07-20 |
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