JPH0363239B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0363239B2 JPH0363239B2 JP57011859A JP1185982A JPH0363239B2 JP H0363239 B2 JPH0363239 B2 JP H0363239B2 JP 57011859 A JP57011859 A JP 57011859A JP 1185982 A JP1185982 A JP 1185982A JP H0363239 B2 JPH0363239 B2 JP H0363239B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring board
- heat
- liquid phase
- package
- substance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技枝分野〕
本発明は、アルミナ等の配線基板上に少なくと
も１個以上の発熱素子を実装して全体を気密封止
するパツケージの冷却方法に関するものである。
も１個以上の発熱素子を実装して全体を気密封止
するパツケージの冷却方法に関するものである。
近年、電子機器の小型、軽量化、高信頼性化の
要求が様々な分野に於て高まつて来ており、例え
ば、アルミナ等の高密度多層配線基板上に半導体
素子をチツプ状態で複数個実装し、全体を気密封
止する所謂マルチチツプパツケージング技術が開
発されつつある。この様なパツケージに於ては、
小型、軽量化の要求により今後益々高密度化、高
集積化する傾向にある。それに伴ないパツケージ
の単位面積当りの発熱量は益々増加する傾向にあ
り、高密度パツケージの冷却技術の開発が必要不
可欠なものとなつて来ている。
要求が様々な分野に於て高まつて来ており、例え
ば、アルミナ等の高密度多層配線基板上に半導体
素子をチツプ状態で複数個実装し、全体を気密封
止する所謂マルチチツプパツケージング技術が開
発されつつある。この様なパツケージに於ては、
小型、軽量化の要求により今後益々高密度化、高
集積化する傾向にある。それに伴ないパツケージ
の単位面積当りの発熱量は益々増加する傾向にあ
り、高密度パツケージの冷却技術の開発が必要不
可欠なものとなつて来ている。
従来のこの様な高密度パツケージの冷却方法の
断面図を第１図に示す。アルミナ等の多層配線基
板１−１上の表面には発熱素子である半導体チツ
プ１−２及びそれ等複数個の素子全体を気密封止
するべく、例えば半田あるいはエポキシ等の接着
剤を用いて、あるいは溶接手法等により、前記ア
ルミナ等の配線基板１−１と熱膨張率のほぼ等し
い例えばコバールあるいはFe／Ni42アロイ等の
金属性キヤツプ１−３が支持固定されている。こ
こにおいて前記発熱素子である半導体チツプ１−
２のジヤンクシヨン温度をその最大定格動作温度
以下におさえるべくパツケージを冷却する必要が
あり、従来は、第１図に示す如く、例えばアルミ
等の比較的熱伝導性に優れた金属冷却フイン１−
４を半田あるいはエポキシ等の接着剤１−５を用
いて、前記アルミナ等の配線基板１−１の裏面に
支持固定しパツケージ全体としての表面積を著し
く増加させ、パツケージと空気との熱抵抗を減少
せしめ、また必要に応じては、前記金属冷却フイ
ン１−４にフインにて空気を送り強制空冷を行な
つたり、金属冷却フイン１−４をシステムの筐体
にネジ止め等する事により、パツケージで発熱し
た熱を筐体に逃がしたりする事により、発熱素子
である半導体チツプ１−２のジヤンクシヨン温度
を最大定格動作温度以下に低減していた。
断面図を第１図に示す。アルミナ等の多層配線基
板１−１上の表面には発熱素子である半導体チツ
プ１−２及びそれ等複数個の素子全体を気密封止
するべく、例えば半田あるいはエポキシ等の接着
剤を用いて、あるいは溶接手法等により、前記ア
ルミナ等の配線基板１−１と熱膨張率のほぼ等し
い例えばコバールあるいはFe／Ni42アロイ等の
金属性キヤツプ１−３が支持固定されている。こ
こにおいて前記発熱素子である半導体チツプ１−
２のジヤンクシヨン温度をその最大定格動作温度
以下におさえるべくパツケージを冷却する必要が
あり、従来は、第１図に示す如く、例えばアルミ
等の比較的熱伝導性に優れた金属冷却フイン１−
４を半田あるいはエポキシ等の接着剤１−５を用
いて、前記アルミナ等の配線基板１−１の裏面に
支持固定しパツケージ全体としての表面積を著し
く増加させ、パツケージと空気との熱抵抗を減少
せしめ、また必要に応じては、前記金属冷却フイ
ン１−４にフインにて空気を送り強制空冷を行な
つたり、金属冷却フイン１−４をシステムの筐体
にネジ止め等する事により、パツケージで発熱し
た熱を筐体に逃がしたりする事により、発熱素子
である半導体チツプ１−２のジヤンクシヨン温度
を最大定格動作温度以下に低減していた。
しかしながらこの様な方法では、例えばシステ
ム全体の大きさに制約があり冷却用のフアンを取
り付けるスペースのない場合あるいは、システム
全体が非常な悪環境化にさらされ、システムの筐
体自身が発熱素子である半導体チツプ１−２の最
大定格動作温度近傍あるいはそれ以上に成る場合
等の場合に於ては、前記パツケージの発熱素子で
ある半導体チツプ１−２のジヤンクシヨン温度を
その最大定格動作温度以下にする事は、ほぼ不可
能となり、この様な高密度、高集積化されたパツ
ケージを設計製造する事自体が、その発熱のため
発熱素子である半導体チツプ１−２を破壊してし
まい、パツケージとしての機能を果たし得なくな
り、無意味な事と成らざるを得なかつた。すなわ
ちこの熱の問題が、電子機器の小型軽量化の限界
をしいる結果となつていた。
ム全体の大きさに制約があり冷却用のフアンを取
り付けるスペースのない場合あるいは、システム
全体が非常な悪環境化にさらされ、システムの筐
体自身が発熱素子である半導体チツプ１−２の最
大定格動作温度近傍あるいはそれ以上に成る場合
等の場合に於ては、前記パツケージの発熱素子で
ある半導体チツプ１−２のジヤンクシヨン温度を
その最大定格動作温度以下にする事は、ほぼ不可
能となり、この様な高密度、高集積化されたパツ
ケージを設計製造する事自体が、その発熱のため
発熱素子である半導体チツプ１−２を破壊してし
まい、パツケージとしての機能を果たし得なくな
り、無意味な事と成らざるを得なかつた。すなわ
ちこの熱の問題が、電子機器の小型軽量化の限界
をしいる結果となつていた。
本発明は、この様な事情を考慮して成されたも
のであり、その目的とする所は、システム全体に
冷却フアン等を取り付けるスペースの無い場合、
あるいはシステム全体が非常に厳しい環境下にさ
らされるため、システムの筐体自体の温度が発熱
素子である半導体チツプの最大定格動作温度近傍
あるいはそれ以上の高温となる様な場合において
も、何等問題無く、高密度パツケージの発熱素子
である半導体チツプのジヤンクシヨン温度をその
最大定格動作温度以下に冷却する事を可能ならし
める事にあり、ひいては高密度、高集積化をある
程度無限に推進する事を可能ならしめる事にあ
る。
のであり、その目的とする所は、システム全体に
冷却フアン等を取り付けるスペースの無い場合、
あるいはシステム全体が非常に厳しい環境下にさ
らされるため、システムの筐体自体の温度が発熱
素子である半導体チツプの最大定格動作温度近傍
あるいはそれ以上の高温となる様な場合において
も、何等問題無く、高密度パツケージの発熱素子
である半導体チツプのジヤンクシヨン温度をその
最大定格動作温度以下に冷却する事を可能ならし
める事にあり、ひいては高密度、高集積化をある
程度無限に推進する事を可能ならしめる事にあ
る。
本発明は、例えばワツクス（固相→液相）ある
いはナフタリン（固相→液相）あるいはフロロカ
ーボン（液相→気相）等の、常温から発熱素子で
ある半導体チツプの最大定格動作温度（コマーシ
ヤル規格＝70℃、MIL規格＝125℃〜150℃）ま
での比較的低い温度範囲内で、それ自体が固相か
ら液相あるいは液相から気相等の状態変化を起こ
し、それ自体の融解熱あるいは気化熱によつて吸
熱する物質をパツケージのアルミナ等の配線基板
に支持固定する事によつてパツケージを冷却する
事を特徴としている。
いはナフタリン（固相→液相）あるいはフロロカ
ーボン（液相→気相）等の、常温から発熱素子で
ある半導体チツプの最大定格動作温度（コマーシ
ヤル規格＝70℃、MIL規格＝125℃〜150℃）ま
での比較的低い温度範囲内で、それ自体が固相か
ら液相あるいは液相から気相等の状態変化を起こ
し、それ自体の融解熱あるいは気化熱によつて吸
熱する物質をパツケージのアルミナ等の配線基板
に支持固定する事によつてパツケージを冷却する
事を特徴としている。
この方法によれば、前記状態変化を起こし、そ
れ自体の融解熱あるいは気化熱により吸熱する物
質のパツケージに支持固定する重量を増加させる
事により吸熱量をいくらでも増加させる事が可能
となり、発熱素子である半導体チツプのジヤンク
シヨン温度を、その最大定格動作温度以下に冷却
する事が可能となる。
れ自体の融解熱あるいは気化熱により吸熱する物
質のパツケージに支持固定する重量を増加させる
事により吸熱量をいくらでも増加させる事が可能
となり、発熱素子である半導体チツプのジヤンク
シヨン温度を、その最大定格動作温度以下に冷却
する事が可能となる。
以下、図面を参照しながら本発明の実施例を説
明する。
明する。
第２図は、本発明による一実施例を示すもので
ある。２−１はアルミナ等の高密度配線基板であ
り、２−２はその表面に半田あるいは導電エポキ
シ等の接着剤にて支持固定された発熱素子である
半導体チツプである。また２−３は、それ等の半
導体チツプ全体を気密封止すべく、アルミナ等の
配線基板２−１の裏面に支持固定するための金属
性キヤツプを示している。また２−６は本発明に
よる金属性タンク内に封入されている例えばワツ
クス、ナフタリンあるいはフロロカーボン等の常
温から発熱素子である半導体チツプの最大定格動
作温度までの比較的低い温度範囲内で固相から液
相あるいは液相から気相等の状態変化を起こし、
それ自体の融解熱あるいは気化熱により吸熱する
物質である。ここに於て前記金属性タンク２−４
の配線基板２−１の裏面に接していない部分の外
壁の厚さは比較的薄く（0.1〜0.25mm）形成し、
金属性タンク２〜４内に封入されたワツクスある
いはナフタリン等の比較的低い温度で固相から液
相に状態変化しその融解熱にて吸熱する物質２−
６が状態変化を起こした際のそれ自体の体積の増
減あるいは圧力の増減をある程度吸収できる様に
するとより良い。また２−６がフロロカーボン等
の比較的低い温度で液相から気相に状態変化を起
こしその気化熱により吸熱する物質の場合は、前
記金属性タンク２−４のアルミナ等の配線基板２
−１に接していない外壁に少なくとも１個以上の
比較的小さな通孔（直径0.2〜１mmφ）を形成し、
当該通孔を吸熱物質２−６の液相から気相への状
態変化による気相部の気圧の増加によりフロロカ
ーボン等の吸熱物質２−６の沸点が上昇し気化し
なくなるのを防止するため、エポキシあるいはシ
リコン等の比較的柔かい樹脂接着剤で封止してお
き、気圧の増加により当該エポキシあるいはシリ
コン等の比較的柔かい樹脂接着剤が破壊される事
により連続的に液相から気相への状態変化が起こ
る事を可能な様な構造すると良い。
ある。２−１はアルミナ等の高密度配線基板であ
り、２−２はその表面に半田あるいは導電エポキ
シ等の接着剤にて支持固定された発熱素子である
半導体チツプである。また２−３は、それ等の半
導体チツプ全体を気密封止すべく、アルミナ等の
配線基板２−１の裏面に支持固定するための金属
性キヤツプを示している。また２−６は本発明に
よる金属性タンク内に封入されている例えばワツ
クス、ナフタリンあるいはフロロカーボン等の常
温から発熱素子である半導体チツプの最大定格動
作温度までの比較的低い温度範囲内で固相から液
相あるいは液相から気相等の状態変化を起こし、
それ自体の融解熱あるいは気化熱により吸熱する
物質である。ここに於て前記金属性タンク２−４
の配線基板２−１の裏面に接していない部分の外
壁の厚さは比較的薄く（0.1〜0.25mm）形成し、
金属性タンク２〜４内に封入されたワツクスある
いはナフタリン等の比較的低い温度で固相から液
相に状態変化しその融解熱にて吸熱する物質２−
６が状態変化を起こした際のそれ自体の体積の増
減あるいは圧力の増減をある程度吸収できる様に
するとより良い。また２−６がフロロカーボン等
の比較的低い温度で液相から気相に状態変化を起
こしその気化熱により吸熱する物質の場合は、前
記金属性タンク２−４のアルミナ等の配線基板２
−１に接していない外壁に少なくとも１個以上の
比較的小さな通孔（直径0.2〜１mmφ）を形成し、
当該通孔を吸熱物質２−６の液相から気相への状
態変化による気相部の気圧の増加によりフロロカ
ーボン等の吸熱物質２−６の沸点が上昇し気化し
なくなるのを防止するため、エポキシあるいはシ
リコン等の比較的柔かい樹脂接着剤で封止してお
き、気圧の増加により当該エポキシあるいはシリ
コン等の比較的柔かい樹脂接着剤が破壊される事
により連続的に液相から気相への状態変化が起こ
る事を可能な様な構造すると良い。
第３図は本発明による他の実施例であり、この
場合はアルミナ等の配線基板３−１の裏面に半田
あるいはエポキシ等の接着剤あるいは溶接等の手
法によりアルミナ等の配線基板３−１と熱膨張率
のほぼ等しい例えばコバールあるいはFe／Ni42
アロイ等の金属性キヤツプ３−４をまず支持固定
する。この図の場合は溶接による手法を示してお
り、３−５が溶接部、３−１３は配線基板３−１
とほぼ熱膨張率の等しい例えばコバールあるいは
Fe／Ni42アロイ等の溶接用金属リングであり、
当該溶接用金属リング３−１３は配線基板３−１
の裏面にメタライズされた導体パターン３−１１
上に例えば銀ロー等の接着剤３−１２により接着
固定されている。本発明による金属性キヤツプ３
−４には配線基板３−１に支持固定される前にあ
らかじめ比較的小さな通孔３−７（直径１〜２mm
φ）を形成しておき、当該比較的小さな通孔３−
７（直径１〜２mmφ）より、固相より液相あるい
は液相より気相に常温から発熱素子である半導体
チツプ３−２の最大定格動作電圧までの比較的低
い温度範囲内で状態変化を起こしそれ自体の融解
熱あるいは気化熱により吸熱する物質３−６を液
相状態にて流し込み、配線基盤３−１と本発明に
よる金属性キヤツプ３−４との間に充填した後、
前記比較的小さな通孔３−７（直径１〜２mmφ）
を半田あるいはエポキシ等の接着剤３−８にて封
止する事により前記吸熱する物質３−６を配線基
板３−１裏面に支持固定する。この場合に於ても
本発明による金属性キヤツプ３−４の板厚は第２
図の場合と同様比較的薄く（0.1〜0.25mm）形成
し、吸熱する物質３−６が例えばワツクスあるい
はナフタリン等の比較的低い温度で固相から液相
に状態変化を起こす際の体積の増減あるいは圧力
の増減によるストレスをある程度吸収する様にす
ると良い。また吸熱する物質３−６が例えばフロ
ロカーボン等の比較的低い温度で液相から気相に
状態変化を起こす物質である場合には、気相部３
−１４の圧力の増加により吸熱する物質３−６の
沸点が上昇し気相状態への変化が止まらない様あ
らかじめ本発明による金属性キヤツプ３−４に少
なくとも１個以上の比較的小さな通孔（直径0.2
〜１mmφ）３−９を形成しておき、吸熱する物質
３−６を前記比較的小さな通孔（直径１〜２mm
φ）３−７より液相状態でで流し込み、当該比較
的小さな通孔（直径１〜２mmφ）３−７を半田あ
るいはエポキシ等の接着剤３−８で封止した後、
前記少なくとも１個以上の比較的小さな通孔（直
径0.2〜１mmφ）３−９をエポキシあるいはシリ
コン等の比較的柔かい樹脂接着剤３−１０にてふ
きぎ、吸熱する物質３−６が状態変化を起こす際
の圧力の増加により当該エポキシあるいはシリコ
ン等の比較的柔かい樹脂接着剤が破壊される事に
より連続的に吸熱物質３−６が液相から気相への
状態変化が起こる事を可能ならしめると良い。
場合はアルミナ等の配線基板３−１の裏面に半田
あるいはエポキシ等の接着剤あるいは溶接等の手
法によりアルミナ等の配線基板３−１と熱膨張率
のほぼ等しい例えばコバールあるいはFe／Ni42
アロイ等の金属性キヤツプ３−４をまず支持固定
する。この図の場合は溶接による手法を示してお
り、３−５が溶接部、３−１３は配線基板３−１
とほぼ熱膨張率の等しい例えばコバールあるいは
Fe／Ni42アロイ等の溶接用金属リングであり、
当該溶接用金属リング３−１３は配線基板３−１
の裏面にメタライズされた導体パターン３−１１
上に例えば銀ロー等の接着剤３−１２により接着
固定されている。本発明による金属性キヤツプ３
−４には配線基板３−１に支持固定される前にあ
らかじめ比較的小さな通孔３−７（直径１〜２mm
φ）を形成しておき、当該比較的小さな通孔３−
７（直径１〜２mmφ）より、固相より液相あるい
は液相より気相に常温から発熱素子である半導体
チツプ３−２の最大定格動作電圧までの比較的低
い温度範囲内で状態変化を起こしそれ自体の融解
熱あるいは気化熱により吸熱する物質３−６を液
相状態にて流し込み、配線基盤３−１と本発明に
よる金属性キヤツプ３−４との間に充填した後、
前記比較的小さな通孔３−７（直径１〜２mmφ）
を半田あるいはエポキシ等の接着剤３−８にて封
止する事により前記吸熱する物質３−６を配線基
板３−１裏面に支持固定する。この場合に於ても
本発明による金属性キヤツプ３−４の板厚は第２
図の場合と同様比較的薄く（0.1〜0.25mm）形成
し、吸熱する物質３−６が例えばワツクスあるい
はナフタリン等の比較的低い温度で固相から液相
に状態変化を起こす際の体積の増減あるいは圧力
の増減によるストレスをある程度吸収する様にす
ると良い。また吸熱する物質３−６が例えばフロ
ロカーボン等の比較的低い温度で液相から気相に
状態変化を起こす物質である場合には、気相部３
−１４の圧力の増加により吸熱する物質３−６の
沸点が上昇し気相状態への変化が止まらない様あ
らかじめ本発明による金属性キヤツプ３−４に少
なくとも１個以上の比較的小さな通孔（直径0.2
〜１mmφ）３−９を形成しておき、吸熱する物質
３−６を前記比較的小さな通孔（直径１〜２mm
φ）３−７より液相状態でで流し込み、当該比較
的小さな通孔（直径１〜２mmφ）３−７を半田あ
るいはエポキシ等の接着剤３−８で封止した後、
前記少なくとも１個以上の比較的小さな通孔（直
径0.2〜１mmφ）３−９をエポキシあるいはシリ
コン等の比較的柔かい樹脂接着剤３−１０にてふ
きぎ、吸熱する物質３−６が状態変化を起こす際
の圧力の増加により当該エポキシあるいはシリコ
ン等の比較的柔かい樹脂接着剤が破壊される事に
より連続的に吸熱物質３−６が液相から気相への
状態変化が起こる事を可能ならしめると良い。
第４図は本発明によるその他の実施例であり、
第２図、第３図に於ては本発明による状態変化を
起こし吸熱する物質２−６，３−６は、アルミナ
等の配線基板２−１，３−１の裏面に支持固定さ
れていたが、第４図の実施例に於ては、配線基板
４−１の表面の発熱素子である半導体チツプ４−
２の実装されていない部分に支持固定されてい
る。この場合の例では本発明による比較的小さな
通孔（直径１〜２mm）４−７を有する金属性キヤ
ツプ４−４は半田あるいはエポキシ等の接着剤４
−１１にて、配線基板４−１上にメタライズされ
た導体パターン４−５に支持固定されている。吸
熱する物質４−６を液相状態で前記比較的小さな
通孔（直径１〜２mm）４−７を通して配線基板４
−１と金属性キヤツプ４−４の間に流し込み、半
田あるいはエポキシ等の接着剤４−８で比較的小
さな通孔４−７を封止している。この第４図の例
の場合は、特に配線基板４−１の熱伝導率が例え
ばSiC基板の如く非常に優れている時に特に有効
となるであろう。尚４−３は発熱素子である半導
体チツプ４−２全体を気密封止すべく半田あるい
はエポキシ等の接着剤、あるいは溶接等の手法に
より、配線基板４−１に支持固定された当該配線
基板とほぼ熱膨張率の等しいコバールあるいは
Fe／Ni42アロイ等の金属性キヤツプである。
第２図、第３図に於ては本発明による状態変化を
起こし吸熱する物質２−６，３−６は、アルミナ
等の配線基板２−１，３−１の裏面に支持固定さ
れていたが、第４図の実施例に於ては、配線基板
４−１の表面の発熱素子である半導体チツプ４−
２の実装されていない部分に支持固定されてい
る。この場合の例では本発明による比較的小さな
通孔（直径１〜２mm）４−７を有する金属性キヤ
ツプ４−４は半田あるいはエポキシ等の接着剤４
−１１にて、配線基板４−１上にメタライズされ
た導体パターン４−５に支持固定されている。吸
熱する物質４−６を液相状態で前記比較的小さな
通孔（直径１〜２mm）４−７を通して配線基板４
−１と金属性キヤツプ４−４の間に流し込み、半
田あるいはエポキシ等の接着剤４−８で比較的小
さな通孔４−７を封止している。この第４図の例
の場合は、特に配線基板４−１の熱伝導率が例え
ばSiC基板の如く非常に優れている時に特に有効
となるであろう。尚４−３は発熱素子である半導
体チツプ４−２全体を気密封止すべく半田あるい
はエポキシ等の接着剤、あるいは溶接等の手法に
より、配線基板４−１に支持固定された当該配線
基板とほぼ熱膨張率の等しいコバールあるいは
Fe／Ni42アロイ等の金属性キヤツプである。
本発明を採用する事により高密度高集積化に伴
なうパツケージの熱の問題を解決する事が可能と
なり、何等問題なく高密度、高集積化パツケージ
を開発する事が可能となつた。またシステム全体
に冷却フアンを設置するスペースの無い場合ある
いはシステム全体の筐体自身が高温となる様な悪
環境下にさらされる機器等の場合も何等問題なく
高密度パツケージを冷却する事が可能となつた。
なうパツケージの熱の問題を解決する事が可能と
なり、何等問題なく高密度、高集積化パツケージ
を開発する事が可能となつた。またシステム全体
に冷却フアンを設置するスペースの無い場合ある
いはシステム全体の筐体自身が高温となる様な悪
環境下にさらされる機器等の場合も何等問題なく
高密度パツケージを冷却する事が可能となつた。
第１図は従来例を説明する為の断面図、第２図
〜第４図は本発明による実施例を説明する為の図
である。 １−１，２−１，３−１，４−１……アルミナ
等の配線基板、１−２，２−２，３−２，４−２
……発熱素子である半導体チツプ、１−３，２−
３，３−３，４−３……半導体チツプを気密封止
するための金属性キヤツプ、１−４……放熱フア
ン、２−４……本発明による金属性タンク、３−
４，４−４……本発明による金属性キヤツプ、３
−７，４−７，３−９……本発明による金属性キ
ヤプに形成された通孔、２−６，３−６，４−６
……比較的低い温度で固相から液相あるいは液相
から気相へと状態変化を起こしその融解熱あるい
は気化熱にて吸熱する物質、１−５，２−５，４
−５……エポキシあるいは半田等の接着剤。
〜第４図は本発明による実施例を説明する為の図
である。 １−１，２−１，３−１，４−１……アルミナ
等の配線基板、１−２，２−２，３−２，４−２
……発熱素子である半導体チツプ、１−３，２−
３，３−３，４−３……半導体チツプを気密封止
するための金属性キヤツプ、１−４……放熱フア
ン、２−４……本発明による金属性タンク、３−
４，４−４……本発明による金属性キヤツプ、３
−７，４−７，３−９……本発明による金属性キ
ヤプに形成された通孔、２−６，３−６，４−６
……比較的低い温度で固相から液相あるいは液相
から気相へと状態変化を起こしその融解熱あるい
は気化熱にて吸熱する物質、１−５，２−５，４
−５……エポキシあるいは半田等の接着剤。
Claims (1)
- １ 配線基板上に発熱素子を実装したパツケージ
の冷却方法において、前記配線基板の裏面、若し
くは表面の発熱素子を搭載していない部分に、前
記配線基板と略熱膨張率が等しく小さな通孔を有
する金属性キヤツプを固定し、この金属性キヤツ
プの通孔より、液相から気相の状態変化を起こし
その気化熱にて吸熱する物質を液相状態にして、
前記配線基板と前記金属性キヤツプとの間に充填
し、前記金属性キヤツプの通孔を半田或いは接着
剤により封止することを特徴とするパツケージの
冷却方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1185982A JPS58130600A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | パツケ−ジの冷却方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1185982A JPS58130600A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | パツケ−ジの冷却方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58130600A JPS58130600A (ja) | 1983-08-04 |
| JPH0363239B2 true JPH0363239B2 (ja) | 1991-09-30 |
Family
ID=11789446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1185982A Granted JPS58130600A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | パツケ−ジの冷却方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58130600A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS492051A (ja) * | 1972-04-24 | 1974-01-09 | ||
| JPS56123597U (ja) * | 1980-02-20 | 1981-09-19 |
-
1982
- 1982-01-29 JP JP1185982A patent/JPS58130600A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58130600A (ja) | 1983-08-04 |
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