JPH0363570U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0363570U JPH0363570U JP12428589U JP12428589U JPH0363570U JP H0363570 U JPH0363570 U JP H0363570U JP 12428589 U JP12428589 U JP 12428589U JP 12428589 U JP12428589 U JP 12428589U JP H0363570 U JPH0363570 U JP H0363570U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processed
- vapor phase
- phase growth
- hollow susceptor
- blowing hole
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 2
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- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図は本考案に係る気相成長装置の一例の部
分断面図であり、第２図は上記一例の要部拡大断
面図である。 １……中空サセプタ、２……ガス導入口、３…
…石英レンズ、４……赤外ランプ、５……ガス吹
き出し小孔、６……熱電対、７……ウエハ、８…
…反応室、９……クランプピン、１０……クラン
プ作動器、１１……ガスダクト。
分断面図であり、第２図は上記一例の要部拡大断
面図である。 １……中空サセプタ、２……ガス導入口、３…
…石英レンズ、４……赤外ランプ、５……ガス吹
き出し小孔、６……熱電対、７……ウエハ、８…
…反応室、９……クランプピン、１０……クラン
プ作動器、１１……ガスダクト。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 加熱光源を有して被処理体の加熱が可能とされ
る気相成長装置であつて、 中空サセプタの反応室内に臨んだ被処理体支持
面に上記被処理体の裏面に不活性ガスを供給する
ガス吹き出し小孔が設けられ、そのガス吹き出し
小孔を挿通する熱電対が上記中空サセプタに着脱
自在に設けられ、その熱電対の接点部が上記被処
理体の裏面に圧着されることを特徴とする気相成
長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12428589U JPH0363570U (ja) | 1989-10-24 | 1989-10-24 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12428589U JPH0363570U (ja) | 1989-10-24 | 1989-10-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0363570U true JPH0363570U (ja) | 1991-06-20 |
Family
ID=31672216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12428589U Pending JPH0363570U (ja) | 1989-10-24 | 1989-10-24 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0363570U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6604531B2 (en) | 2001-02-06 | 2003-08-12 | Kenji Nakamura | Antimicrobial and deodorant cosmetic brush and method |
-
1989
- 1989-10-24 JP JP12428589U patent/JPH0363570U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6604531B2 (en) | 2001-02-06 | 2003-08-12 | Kenji Nakamura | Antimicrobial and deodorant cosmetic brush and method |