JPH0363629A - 液晶用スペーサ及びその製造方法 - Google Patents
液晶用スペーサ及びその製造方法Info
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- JPH0363629A JPH0363629A JP19954689A JP19954689A JPH0363629A JP H0363629 A JPH0363629 A JP H0363629A JP 19954689 A JP19954689 A JP 19954689A JP 19954689 A JP19954689 A JP 19954689A JP H0363629 A JPH0363629 A JP H0363629A
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- oxide layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は液晶表示装置に用いられる液晶用スペーサ及び
その製造方法に関し、さらに詳しくは分散性が極めて優
れた液晶用スペーサ及びその製造方法に関する。
その製造方法に関し、さらに詳しくは分散性が極めて優
れた液晶用スペーサ及びその製造方法に関する。
(従来の技術)
液晶用スペーサは一対のガラス基板間に配置され、一対
のガラス基板のギャップ(間隙)を一定に保つために用
いられる。そして、ギャップはガラス基板の面方向で一
定に保たれる必要があることから、液晶用スペーサは相
互に所定間隔をおいて配置されている。
のガラス基板のギャップ(間隙)を一定に保つために用
いられる。そして、ギャップはガラス基板の面方向で一
定に保たれる必要があることから、液晶用スペーサは相
互に所定間隔をおいて配置されている。
ところが、一般に、この種の微細液晶用スペーサは相互
に凝集し易く、数個ないし10個の液晶用スペーサが凝
集して塊となり易い。このように液晶用スペーサが凝集
した状態でガラス基板間に配置されると、ギャップ精度
が低下し、特に白黒表示の透過型液晶セルにおいては、
その凝集部分は通常白く見えるので、白黒の表示コント
ラストが低下することになる。
に凝集し易く、数個ないし10個の液晶用スペーサが凝
集して塊となり易い。このように液晶用スペーサが凝集
した状態でガラス基板間に配置されると、ギャップ精度
が低下し、特に白黒表示の透過型液晶セルにおいては、
その凝集部分は通常白く見えるので、白黒の表示コント
ラストが低下することになる。
従来、液晶用スペーサの分散性を向上するために1例え
ば特開昭62−195623号公報には、超音波を照射
することにより分散性を向上させる方法が開示されてい
る。しかし、この方法は特殊な装置を必要とする上に超
音波を用いるという点で工業的に実用性が極めて低い。
ば特開昭62−195623号公報には、超音波を照射
することにより分散性を向上させる方法が開示されてい
る。しかし、この方法は特殊な装置を必要とする上に超
音波を用いるという点で工業的に実用性が極めて低い。
液晶用スペーサ自身に加工を施して相互の凝集を防止す
るのが最も直接的で効果的であり、工業的に有利である
ことは自明であるが、先行技術においてこのための具体
的手段が提案されていない。
るのが最も直接的で効果的であり、工業的に有利である
ことは自明であるが、先行技術においてこのための具体
的手段が提案されていない。
(発明が解決しようとする課題)
本発明は上記の実情に着目してなされたものであり、液
晶用スペーサの分散性を向上することにより、液晶セル
のギャップ精度を著しく向上させることができ、また液
晶表示のコントラストの低下が著しく小さくなり、さら
に液晶表示画面にスペーサの凝集による微小な斑点が出
現することが全くない液晶用スペーサと、その製造方法
を提供することを目的とする。
晶用スペーサの分散性を向上することにより、液晶セル
のギャップ精度を著しく向上させることができ、また液
晶表示のコントラストの低下が著しく小さくなり、さら
に液晶表示画面にスペーサの凝集による微小な斑点が出
現することが全くない液晶用スペーサと、その製造方法
を提供することを目的とする。
(課題を解決するための手段)
本発明の液晶用スペーサは、固体微粒子の表面に露出し
たチタン酸化物層が設けられていることを特徴とし、そ
のことにより上記目的が達成される。本発明の他の液晶
用スペーサは、固体微粒子の表面にシランカップリング
剤を処理して得られる被膜が設けられ、該被膜の表面に
露出したチタン酸化物層が設けられていることを特徴と
し、そのことにより上記目的が達成される。
たチタン酸化物層が設けられていることを特徴とし、そ
のことにより上記目的が達成される。本発明の他の液晶
用スペーサは、固体微粒子の表面にシランカップリング
剤を処理して得られる被膜が設けられ、該被膜の表面に
露出したチタン酸化物層が設けられていることを特徴と
し、そのことにより上記目的が達成される。
本発明の液晶用スペーサの製造方法は、固体微粒子をシ
ランカップリング剤で処理して被膜を形成した後、該被
膜が形成された固体微粒子を有機チタネート化合物で処
理することを特徴し、そのことにより上記目的が達成さ
れる。
ランカップリング剤で処理して被膜を形成した後、該被
膜が形成された固体微粒子を有機チタネート化合物で処
理することを特徴し、そのことにより上記目的が達成さ
れる。
本発明で用いられる固体微粒子の材質及び形状としては
、以下に示すものがあげられる。
、以下に示すものがあげられる。
ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、
ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリス
チレン、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリブチレンテレフタレート、ボリア旦ド
、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリフェニレンオキサ
イド、ポリアセタール等の線状または架橋高分子;エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリ
エステル樹脂、ジビニルベンゼン重合体、ジビニルベン
ゼン−スチレン共重合体、ジビニルベンゼン−アクリル
酸エステル共重合体5 ジアリルフタレート重合体、ト
リアリルイソシアヌレート重合体、ベンソゲアナ旦ン重
合体等の綱目構造を有する樹脂。上記固体微粒子のうち
で、特に好ましいものは、ジゼニルベンゼン共重合体、
ジビニルベンゼン−スチレン共重合体、ジビニルベンゼ
ン−アクリル酸エステル共重合体、ジアリルフタレート
重合体等の綱目構造を有する樹脂である。
ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリス
チレン、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリブチレンテレフタレート、ボリア旦ド
、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリフェニレンオキサ
イド、ポリアセタール等の線状または架橋高分子;エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリ
エステル樹脂、ジビニルベンゼン重合体、ジビニルベン
ゼン−スチレン共重合体、ジビニルベンゼン−アクリル
酸エステル共重合体5 ジアリルフタレート重合体、ト
リアリルイソシアヌレート重合体、ベンソゲアナ旦ン重
合体等の綱目構造を有する樹脂。上記固体微粒子のうち
で、特に好ましいものは、ジゼニルベンゼン共重合体、
ジビニルベンゼン−スチレン共重合体、ジビニルベンゼ
ン−アクリル酸エステル共重合体、ジアリルフタレート
重合体等の綱目構造を有する樹脂である。
無機材質としては、ケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、
鉛ガラス、ソーダ石灰ガラス、アル旦す。
鉛ガラス、ソーダ石灰ガラス、アル旦す。
アルミナシリケード等を用いることができる。これらの
うち、特に好ましいものは、ケイ酸ガラス。
うち、特に好ましいものは、ケイ酸ガラス。
ホウケイ酸ガラスである。
固体微粒子の形状は、限定するものではないが。
例えば、以下に示す寸法の真球状、楕円球状9円柱状の
ものを用いることができる。
ものを用いることができる。
真球状の固体微粒子の場合、直径は0.1μ+m〜10
00μ−の範囲にあるのが良く、特に好ましい範囲は1
μ11〜100μ−である。
00μ−の範囲にあるのが良く、特に好ましい範囲は1
μ11〜100μ−である。
楕円球状の固体微粒子の場合、短径は0.1 μm−1
000μmの範囲であるのが良く、特に好ましい範囲は
1 am−100μ閤である。長径対短径の比は1〜1
0の範囲であるのが良く、特に好ましい範囲は1〜5で
ある。
000μmの範囲であるのが良く、特に好ましい範囲は
1 am−100μ閤である。長径対短径の比は1〜1
0の範囲であるのが良く、特に好ましい範囲は1〜5で
ある。
円柱状の固体微粒子の場合、直径は0.5μl11〜1
000μ−の範囲にあるのが良く、特に好ましい範囲は
3μ鋼〜100μ糟である。円柱の長さ対直径の比は1
〜50の範囲であるのが良く、特に好ましい範囲は1〜
10の範囲である。
000μ−の範囲にあるのが良く、特に好ましい範囲は
3μ鋼〜100μ糟である。円柱の長さ対直径の比は1
〜50の範囲であるのが良く、特に好ましい範囲は1〜
10の範囲である。
これらの固体微粒子を有機チタネート化合物で処理する
操作は1例えば以下に示す方法がある。
操作は1例えば以下に示す方法がある。
■有機チタネート化合物を含む処理液中に固体微粒子を
浸漬し、処理液を濾別した後、乾燥する。
浸漬し、処理液を濾別した後、乾燥する。
■有機チタネート化合物を含む処理液を固体微粒子に噴
霧又は塗布し9次いで乾燥する。
霧又は塗布し9次いで乾燥する。
処理液の溶剤は2例えば、n−へキサン、ジクロルヘキ
サン、ベンゼン、トルエン、トリクレン。
サン、ベンゼン、トルエン、トリクレン。
フレオン−133等があげられる。
■の方法において、有機チタネート化合物を溶剤に溶解
させ、該溶剤中に固体微粒子を浸漬させ。
させ、該溶剤中に固体微粒子を浸漬させ。
充分に混合しながら溶剤を蒸発させる方法が好適である
。溶剤を蒸発させた後60°C〜100°Cで加熱する
ことが好ましいが1 この加熱工程は省略しても差支え
ない。
。溶剤を蒸発させた後60°C〜100°Cで加熱する
ことが好ましいが1 この加熱工程は省略しても差支え
ない。
上記■の方法においては、固体微粒子をガラス板や金属
板などの上にうずく広げておいたものに。
板などの上にうずく広げておいたものに。
処理液をスプレーガンなどを用いて塗布することも可能
である。塗布した後は前述の加熱条件において加熱処理
をすればよい。
である。塗布した後は前述の加熱条件において加熱処理
をすればよい。
本発明で使用される有機チタネート化合物としては5例
えばテトラエトキシチタンTi (OCJs) 41テ
トラプロポキシチタンTi (OCJy) a、 テト
ラブトキシチタンTi (OC4H9) 4. テトラ
ペントドキシチタンTi (OCsH+ 1)4. テ
トラヘキソキシチタンTi(OCJ+z)4゜テトラキ
ス(2−エチルヘキソキシ)チタンTi (OCHzC
H(CJs)CJv) a 、テトラドデシルアルコキ
シチタンTi(QC,zH□)1.テトラステアロキシ
チタンTi (OC+ dhs) sr ジプロポキシ
・ビス(アセチルアセトナト)チタンTi(OCJt)
z (QC・(CH:l) CHCOCH3) z、ジ
ブトキシ・ビス(トリエタノ−ルアξナト)チタンTi
(OCJw) ! (OC!HJ(CzH40H) z
) t。
えばテトラエトキシチタンTi (OCJs) 41テ
トラプロポキシチタンTi (OCJy) a、 テト
ラブトキシチタンTi (OC4H9) 4. テトラ
ペントドキシチタンTi (OCsH+ 1)4. テ
トラヘキソキシチタンTi(OCJ+z)4゜テトラキ
ス(2−エチルヘキソキシ)チタンTi (OCHzC
H(CJs)CJv) a 、テトラドデシルアルコキ
シチタンTi(QC,zH□)1.テトラステアロキシ
チタンTi (OC+ dhs) sr ジプロポキシ
・ビス(アセチルアセトナト)チタンTi(OCJt)
z (QC・(CH:l) CHCOCH3) z、ジ
ブトキシ・ビス(トリエタノ−ルアξナト)チタンTi
(OCJw) ! (OC!HJ(CzH40H) z
) t。
ジビドロキシ・ビス(ラクタト)チタンTi (OH)
t(OCH(CHs) C−008) z 、チタニ
ウム・プロポキオシオクチレングリコレー) Ti (
OCfbCH(CJs)CH(C+To)OH〕4等が
用いられるが、上記のうち特に好ましいものは、テトラ
プロポキシチタン、テトラブトキシチタン、テトラキス
(2−エチルヘキソキシ)チタン、ジプロポキシ・ビス
(アセチルアセナト)チタン、ジブトキシ・ビス(トリ
エタノールアミナト)チタンである。
t(OCH(CHs) C−008) z 、チタニ
ウム・プロポキオシオクチレングリコレー) Ti (
OCfbCH(CJs)CH(C+To)OH〕4等が
用いられるが、上記のうち特に好ましいものは、テトラ
プロポキシチタン、テトラブトキシチタン、テトラキス
(2−エチルヘキソキシ)チタン、ジプロポキシ・ビス
(アセチルアセナト)チタン、ジブトキシ・ビス(トリ
エタノールアミナト)チタンである。
(以下余白)
以上の工程により該固体微粒子の表面に処理された有機
チタネート化合物は、露出した状態で空気中の湿分と反
応し加水分解して1例えば、下記のような構造のチタン
酸化物層を形成するものと思われる。
チタネート化合物は、露出した状態で空気中の湿分と反
応し加水分解して1例えば、下記のような構造のチタン
酸化物層を形成するものと思われる。
該固体微粒子表面に薄膜状に形成されるチタン酸化物層
の量は、チタン換算重量で、該固体微粒子の表面積1ボ
あたり、 0.01■〜500■の範囲に定めるのが好
ましい。さらに好ましいチタン酸化物層の量は0.1■
〜100■である。チタン酸化物の量がチタン換算重量
で、該固体微粒子の表面積lボ当たり0.01■より少
なすぎると、液晶用スペーサの凝集を防止する効果が小
さい。逆にチタン酸化物層の量がチタン換算重量で、該
固体微粒子の表面積1−当たり500■より多すぎると
、電気抵抗値が低下するなどの好ましくない結果をもた
らす。
の量は、チタン換算重量で、該固体微粒子の表面積1ボ
あたり、 0.01■〜500■の範囲に定めるのが好
ましい。さらに好ましいチタン酸化物層の量は0.1■
〜100■である。チタン酸化物の量がチタン換算重量
で、該固体微粒子の表面積lボ当たり0.01■より少
なすぎると、液晶用スペーサの凝集を防止する効果が小
さい。逆にチタン酸化物層の量がチタン換算重量で、該
固体微粒子の表面積1−当たり500■より多すぎると
、電気抵抗値が低下するなどの好ましくない結果をもた
らす。
また9本発明では、上記固体微粒子とチタン酸化物層と
の接着性を上げるために、固体微粒子を予めシランカッ
プリング剤で処理して被膜を形成し、この被膜が形成さ
れた固体微粒子を上記のように有機チタネート化合物で
処理してもよい。
の接着性を上げるために、固体微粒子を予めシランカッ
プリング剤で処理して被膜を形成し、この被膜が形成さ
れた固体微粒子を上記のように有機チタネート化合物で
処理してもよい。
固体微粒子をシランカップリング剤で処理する操作は以
下のようなものである。
下のようなものである。
■シランカップリング剤を含む処理液中に固体微粒子を
浸漬し、処理液を濾別した後、固体微粒子を乾燥する。
浸漬し、処理液を濾別した後、固体微粒子を乾燥する。
■シランカップリング剤を含む処理液を固体微粒子に噴
霧又は塗布した後、乾燥する。
霧又は塗布した後、乾燥する。
上記■の方法において、処理液の濃度、処理温度、処理
時間等の条件は1例えば以下の通りである。固体微粒子
1重量部を適当な分散媒(後述)l〜1000重量部、
好ましくは5〜500重量部に分散させ、これにシラン
カップリング剤0.001〜1重量部、好ましくはo、
oos〜0.3重量部を加え。
時間等の条件は1例えば以下の通りである。固体微粒子
1重量部を適当な分散媒(後述)l〜1000重量部、
好ましくは5〜500重量部に分散させ、これにシラン
カップリング剤0.001〜1重量部、好ましくはo、
oos〜0.3重量部を加え。
常温で10分〜12時間、好ましくは30分〜6時間攪
拌した後1分散媒を炉別し、残った固体微粒子を40℃
〜500″C1好ましくは60℃〜400°Cで15分
〜12時間、好ましくは30分〜5時間加熱する。
拌した後1分散媒を炉別し、残った固体微粒子を40℃
〜500″C1好ましくは60℃〜400°Cで15分
〜12時間、好ましくは30分〜5時間加熱する。
上記■の方法においては、固体微粒子をガラス板や金属
板などの上にうずく広げておいたものに。
板などの上にうずく広げておいたものに。
処理液をスプレーガンなどを用いて塗布することも可能
である。塗布した後は前述の加熱条件において加熱処理
をすればよい。
である。塗布した後は前述の加熱条件において加熱処理
をすればよい。
本発明に用いるシランカップリング剤は例えば以下のも
のがあげられる。
のがあげられる。
■ビニル系
ビニルトリエトキシシラン、ビニル−トリス(2−メト
キシエトキシ)シラン ■メタクリル系 ガンマ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン ■アミン系 ガンマ−アミノプロピルトリメトキシシラン。
キシエトキシ)シラン ■メタクリル系 ガンマ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン ■アミン系 ガンマ−アミノプロピルトリメトキシシラン。
N−ベーター(アミ))エチル−ガンマ−アミノプロピ
ル−トリメトキシシラン、3−[N−アリル−N(2−
アミノエチル)コアミノプロピルトリメトキシシラン、
3−(N−アリル−N−メタクリル)アミノプロピルト
リメトキシシラン、3− (N、N−ジグリシジル)ア
ミノプロピルトリメトキシシラン ■アミン系 N、N−ビス[(メチルジメトキシシリル)プロピルコ
アらン、N、N−ビス[3−(トリメチルシリル)プロ
ピル]アミン、N、N−ビス[3−(メチルジメトキシ
シリル)プロピル]エチレンシアごン ■ア藁ド系 N、N−ビス[(メチルジメトキシシリル)プロピル]
メタクリルアξド、N、N−ビス[3−(トリメトキシ
シリル)プロピル]メタクリルアミド ■グリシジル系 ガンマ−グリシドキシプロビルトリメトキシシラン、N
−グリシジル−N、N−ビス[3−(トリメトキシシリ
ル)プロピル]アミン ■メルカプト系 ガンマ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン 分散媒としては、メタノール、エタノール、イソプロパ
ノールなどのアルコール類、アセトン。
ル−トリメトキシシラン、3−[N−アリル−N(2−
アミノエチル)コアミノプロピルトリメトキシシラン、
3−(N−アリル−N−メタクリル)アミノプロピルト
リメトキシシラン、3− (N、N−ジグリシジル)ア
ミノプロピルトリメトキシシラン ■アミン系 N、N−ビス[(メチルジメトキシシリル)プロピルコ
アらン、N、N−ビス[3−(トリメチルシリル)プロ
ピル]アミン、N、N−ビス[3−(メチルジメトキシ
シリル)プロピル]エチレンシアごン ■ア藁ド系 N、N−ビス[(メチルジメトキシシリル)プロピル]
メタクリルアξド、N、N−ビス[3−(トリメトキシ
シリル)プロピル]メタクリルアミド ■グリシジル系 ガンマ−グリシドキシプロビルトリメトキシシラン、N
−グリシジル−N、N−ビス[3−(トリメトキシシリ
ル)プロピル]アミン ■メルカプト系 ガンマ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン 分散媒としては、メタノール、エタノール、イソプロパ
ノールなどのアルコール類、アセトン。
メチルエチルケトンなどのケトン類、メチルアセテート
エチルアセテートなどのエステル類、ジオキサン、テト
ラヒドロフラン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ
などのエーテル類などの有機溶剤と水との混合物が用い
られる。上記有機溶剤と水との混合比は、有機溶剤1重
量部に対して水0.01〜1重量部が好ましく、より好
ましくは水0.05〜0.5重量部である。
エチルアセテートなどのエステル類、ジオキサン、テト
ラヒドロフラン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ
などのエーテル類などの有機溶剤と水との混合物が用い
られる。上記有機溶剤と水との混合比は、有機溶剤1重
量部に対して水0.01〜1重量部が好ましく、より好
ましくは水0.05〜0.5重量部である。
本発明に用いるシランカップリング剤は水酸基と反応し
て被膜を形成する性質を有しており、固体微粒子表面に
結合している微量の水分子の水酸基、あるいは固体微粒
子がその他の水酸基を有している場合にはそれとも反応
して2表面に被膜をつくるものと推定される。
て被膜を形成する性質を有しており、固体微粒子表面に
結合している微量の水分子の水酸基、あるいは固体微粒
子がその他の水酸基を有している場合にはそれとも反応
して2表面に被膜をつくるものと推定される。
しかして、固体微粒子の表面に有機チタネート化合物を
作用させることにより、該有機チタネート化合物は空気
中の湿分と反応し加水分解されて。
作用させることにより、該有機チタネート化合物は空気
中の湿分と反応し加水分解されて。
主としてチタン酸化物層を形成する。そして、このチタ
ン酸化物層には有機チタネート化合物より由来するアル
キル基も含有されており、該アルキル基の作用も働いて
液晶用スペーサ表面が疎水性となるものと推定される。
ン酸化物層には有機チタネート化合物より由来するアル
キル基も含有されており、該アルキル基の作用も働いて
液晶用スペーサ表面が疎水性となるものと推定される。
このようにして疎水性となった液晶用スペーサの表面は
空気中の湿分の吸着が著しく減少して乾いた状態となり
、その結果、スペーサ同志の凝集が極めて起りにくくな
って、該スペーサをガラス基板上に分散させるに当って
その分散性が非常に良好となるものと考えられる。また
、固体微粒子の表面に対する有機チタネート化合物の濡
れ性は悪いためにチタン酸化物層の固体微粒子に対する
接着性が劣る傾向にあり。
空気中の湿分の吸着が著しく減少して乾いた状態となり
、その結果、スペーサ同志の凝集が極めて起りにくくな
って、該スペーサをガラス基板上に分散させるに当って
その分散性が非常に良好となるものと考えられる。また
、固体微粒子の表面に対する有機チタネート化合物の濡
れ性は悪いためにチタン酸化物層の固体微粒子に対する
接着性が劣る傾向にあり。
そのため多量の有機チタネート化合物を用いる必要があ
るが、固体微粒子表面を予めシランカップリング剤で処
理して被膜を形成させておくと、該被膜は有機チタネー
ト化合物との親和性が極めて良好であるので、上記の欠
点を全て解消して液晶用スペーサ表面に堅牢なチタン酸
化物層を効率よく広い面積にわた亘って形成させること
が出来るのである。
るが、固体微粒子表面を予めシランカップリング剤で処
理して被膜を形成させておくと、該被膜は有機チタネー
ト化合物との親和性が極めて良好であるので、上記の欠
点を全て解消して液晶用スペーサ表面に堅牢なチタン酸
化物層を効率よく広い面積にわた亘って形成させること
が出来るのである。
(以下余白)
(実施例)
以下2本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。
実JiJLL
粒径が10μ請のプラスチック微粒子(積木ファインヶ
電カル■製ミクロパール5P−210) Logに対し
、テトラブトキシチタン(日本曹達■製B−1)0.0
8gを15−のn−ヘキサンに溶解させた溶液を加え、
よく混合した後、n−ヘキサンを蒸発させた。次いで、
このものを乳鉢にて十分にすりつぶした。
電カル■製ミクロパール5P−210) Logに対し
、テトラブトキシチタン(日本曹達■製B−1)0.0
8gを15−のn−ヘキサンに溶解させた溶液を加え、
よく混合した後、n−ヘキサンを蒸発させた。次いで、
このものを乳鉢にて十分にすりつぶした。
このようにして得られた処理微粒子を次の方法でガラス
基板上に分散し9分散性の評価を行った。
基板上に分散し9分散性の評価を行った。
評価は第1図に示す分散装置を使用した。なお。
図中1は空気送入管、2はノズル、3はスペーサ容器、
4はガラス基板であり、ノズル2の下端部よりスペーサ
容器3へ向けて圧出空気が吐き出されるようになってい
る。圧出空気の圧力は3kg/d、装置内の温度は50
°C1吐き出し時間は30秒に設定されている。また、
ガラス基板は一辺が15C1の正方形のものを使用した
。
4はガラス基板であり、ノズル2の下端部よりスペーサ
容器3へ向けて圧出空気が吐き出されるようになってい
る。圧出空気の圧力は3kg/d、装置内の温度は50
°C1吐き出し時間は30秒に設定されている。また、
ガラス基板は一辺が15C1の正方形のものを使用した
。
処理微粒子0.1 gを1OOIIdlビーカーに採取
し。
し。
ノズルより空気を圧出し微粒子をガラス基板上に分散さ
せた。ガラス基板上の同一面積の観察区を9個所選び、
各観察区における3個以上の微粒子が凝集している個所
について凝集微粒子の数をカウントして9観察区におけ
る合計数をもってt7.績とした。結果を第1表に示す
。
せた。ガラス基板上の同一面積の観察区を9個所選び、
各観察区における3個以上の微粒子が凝集している個所
について凝集微粒子の数をカウントして9観察区におけ
る合計数をもってt7.績とした。結果を第1表に示す
。
尖嵐班主
実施例1において使用したプラスチック微粒子Logを
水too gとエタノール900 gの混合液に分散さ
せ、これにガンマ−アミノプロピルトリメトキシシラン
(日本ユニカー−製A−110) 0.1 gt−添加
して常温で3時間攪拌した0次いで反応液を濾別して得
られた微粒子を200°Cで5時間加熱処理した。
水too gとエタノール900 gの混合液に分散さ
せ、これにガンマ−アミノプロピルトリメトキシシラン
(日本ユニカー−製A−110) 0.1 gt−添加
して常温で3時間攪拌した0次いで反応液を濾別して得
られた微粒子を200°Cで5時間加熱処理した。
このようにして得られた処理微粒子に対しテトラブトキ
シチタン(日本曹達■製B−1) 0.08gを15d
のn−ヘキサンに溶解させた溶液を加え、よく混合した
後、n−ヘキサンを蒸発させた。次いで、このものを乳
鉢にて十分にすりつぶした。
シチタン(日本曹達■製B−1) 0.08gを15d
のn−ヘキサンに溶解させた溶液を加え、よく混合した
後、n−ヘキサンを蒸発させた。次いで、このものを乳
鉢にて十分にすりつぶした。
このようにして得られた処理微粒子について。
実施例1と全く同じ方法で分散性を評価したところ、第
1表に示す結果を得た。
1表に示す結果を得た。
止較明上
実施例1において使用したプラスチック微粒子をチタネ
ート処理しないで、実施例1と全く同様にして分散試験
を行ったところ、第1表に示す結果を得た。
ート処理しないで、実施例1と全く同様にして分散試験
を行ったところ、第1表に示す結果を得た。
1豊班主
粒径が3μmのポリスチレン粒子(綜研化学製5P−3
0’) 10gに対しテトラブトキシチタン(日本曹達
■製A−1)0.15gを15ad!のfi ”%キ
サンに溶解させた溶液を加え、よく混合した後、n−ヘ
キサンを蒸発させた0次いで、このものを乳鉢にて十分
にすりつぶした。
0’) 10gに対しテトラブトキシチタン(日本曹達
■製A−1)0.15gを15ad!のfi ”%キ
サンに溶解させた溶液を加え、よく混合した後、n−ヘ
キサンを蒸発させた0次いで、このものを乳鉢にて十分
にすりつぶした。
このようにして得られた処理微粒子について。
実施例1と全く同じ方法で分散性を評価し、第1表に示
す結果を得た。
す結果を得た。
z箇梃土
実施例3において使用したポリスチレン粒子10gを、
水30gとイソプロパノール70gの混合液に分散させ
、これにガンマーア5ノプロピルトリメトキシシラン(
日本ユニカー側製A−187) 1 g’lr添加して
常温で1時間攪拌した。次いで反応液を濾別して得られ
た微粒子を75°Cで2時間加熱処理した。
水30gとイソプロパノール70gの混合液に分散させ
、これにガンマーア5ノプロピルトリメトキシシラン(
日本ユニカー側製A−187) 1 g’lr添加して
常温で1時間攪拌した。次いで反応液を濾別して得られ
た微粒子を75°Cで2時間加熱処理した。
このようにして得られた処理微粒子に対しテトラブトキ
シチタン(日本曹達■製A−1) 0.15gを15d
のn−ヘキサンに溶解させた溶液を加え、よく混合した
後、n−ヘキサンを蒸発させた。次いで、このものを乳
鉢にて十分にすりつぶした。
シチタン(日本曹達■製A−1) 0.15gを15d
のn−ヘキサンに溶解させた溶液を加え、よく混合した
後、n−ヘキサンを蒸発させた。次いで、このものを乳
鉢にて十分にすりつぶした。
このようにして得られた処理微粒子について。
実施例1と全く同じ方法で分散性を評価したところ、第
1表に示す結果を得た。
1表に示す結果を得た。
五較輿1
実施例3において使用したプラスチック微粒子をチタネ
ート処理しないで、実施例1と全く同様にして分散試験
を行ったところ、第1表に示す結果を得た。
ート処理しないで、実施例1と全く同様にして分散試験
を行ったところ、第1表に示す結果を得た。
実lu東i
粒径が1μmのシリカ粒子(日本触媒化学工業■製シー
ホスターKt!−Ploo ) Logに対しテトラキ
ス(2−エチルヘキソキシ)チタン(日本曹達■製To
T ) 0.3 gを15dのn−ヘキサンに溶解させ
た溶液を加え、よく混合した後、n−ヘキサンを蒸発さ
せた。次いで、このものを乳鉢にて十分にすりつぶした
。
ホスターKt!−Ploo ) Logに対しテトラキ
ス(2−エチルヘキソキシ)チタン(日本曹達■製To
T ) 0.3 gを15dのn−ヘキサンに溶解させ
た溶液を加え、よく混合した後、n−ヘキサンを蒸発さ
せた。次いで、このものを乳鉢にて十分にすりつぶした
。
このようにして得られた処理微粒子を実施例1と全く同
じ方法で分散性を評価したところ、第2表に示す結果を
得た。
じ方法で分散性を評価したところ、第2表に示す結果を
得た。
裏腹撚i
実施例5において使用したシリカ粒子10gを水200
gとアセトン800gの混合液に分散させ、これにガン
マ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン3gを
添加して常温で30分攪拌した。その後1反応液を濾別
して得られた微粒子を300 ’Cで1時間加熱処理し
た。
gとアセトン800gの混合液に分散させ、これにガン
マ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン3gを
添加して常温で30分攪拌した。その後1反応液を濾別
して得られた微粒子を300 ’Cで1時間加熱処理し
た。
このようにして得られた処理微粒子に対しテトラキス2
−エチルヘキソキシ)チタン(日本曹達■製TOT )
0.3 gを15dのn−へキサンに溶解させた溶液
を加え、よく混合した後、n−ヘキサンを蒸発させた0
次いで、このものを乳鉢にて十分にすりつぶした。
−エチルヘキソキシ)チタン(日本曹達■製TOT )
0.3 gを15dのn−へキサンに溶解させた溶液
を加え、よく混合した後、n−ヘキサンを蒸発させた0
次いで、このものを乳鉢にて十分にすりつぶした。
このようにして得られた処理微粒子について。
実施例1と全く同じ方法で分散性を評価したところ、第
2表に示す結果を得た。
2表に示す結果を得た。
比較貫主
実施例5において使用したシリカ粒子をチタネート処理
しないで、実施例1と全く同様にして分散試験を行った
ところ、第2表に示す結果を得た。
しないで、実施例1と全く同様にして分散試験を行った
ところ、第2表に示す結果を得た。
1施且1
粒径が8μ−のプラスチック微粒子(積木ファインヶご
カル■製ミクロバール5P−208) Logをエタノ
ール450 gの混合液に分散させ、これにN。
カル■製ミクロバール5P−208) Logをエタノ
ール450 gの混合液に分散させ、これにN。
N−ビス[3−()リメトキシシリル)プロピル]エチ
レンジアミン(東芝シリコーン■製rst、8214
)1gを添加して常温で30分攪拌した。次いで反応液
を濾別して得られた微粒子を100℃で2時間加熱処理
した。
レンジアミン(東芝シリコーン■製rst、8214
)1gを添加して常温で30分攪拌した。次いで反応液
を濾別して得られた微粒子を100℃で2時間加熱処理
した。
このようにして得られた処理微粒子に対しテトラブトキ
シチタン(日本曹達■製B−1) 0.1 gを15M
1のn−ヘキサンに溶解させた溶液を加え、よく混合し
た後、n−ヘキサンを蒸発させた。次いで、このものを
乳鉢にて十分にすりつぶした。
シチタン(日本曹達■製B−1) 0.1 gを15M
1のn−ヘキサンに溶解させた溶液を加え、よく混合し
た後、n−ヘキサンを蒸発させた。次いで、このものを
乳鉢にて十分にすりつぶした。
このようにして得られた処理微粒子のチタン含有量を定
量した。定量は試料を硫酸と硝酸で分解後、 ICP発
光分光分析装置を用いて行った。その結果、該処理微粒
子の表面積1ボ当りのチタン含有量は理論値に近い2.
2■であった。
量した。定量は試料を硫酸と硝酸で分解後、 ICP発
光分光分析装置を用いて行った。その結果、該処理微粒
子の表面積1ボ当りのチタン含有量は理論値に近い2.
2■であった。
この処理微粒子について実施例1と全く同じ方法で分散
性を評価し、第2表に示す結果を得た。
性を評価し、第2表に示す結果を得た。
実益班1
実施例7において、プラスチック微粒子をシランカップ
リング剤で処理しない他は実施例7と全く同様にして得
られた処理微粒子の表面積1ボ当りのチタン含有量は理
論値の12分の1の0.19■であった。
リング剤で処理しない他は実施例7と全く同様にして得
られた処理微粒子の表面積1ボ当りのチタン含有量は理
論値の12分の1の0.19■であった。
この処理微粒子について実施例1と全く同じ方法で分散
性を評価し、第2表に示す結果を得た。
性を評価し、第2表に示す結果を得た。
(発明の効果)
このようにして得られた液晶用スペーサは分散性が極め
て優れているので2次のような効果を有する。
て優れているので2次のような効果を有する。
■液晶セルのギャップ精度を著しく向上させる。
ガラス基板のギャップをコントロールする液晶用スペー
サは理想的には単一の粒子で分散していることが望まし
いが、実用上は2〜3個の粒子が凝集して分散していて
も許容できるというのが当業者の常識である。従来技術
によるスペーサは数個〜10個の粒子が凝集した塊を多
数生じて、ギャップのコントロールに問題があったが1
本発明によるスペーサはこの点が著しく改善されている
。
サは理想的には単一の粒子で分散していることが望まし
いが、実用上は2〜3個の粒子が凝集して分散していて
も許容できるというのが当業者の常識である。従来技術
によるスペーサは数個〜10個の粒子が凝集した塊を多
数生じて、ギャップのコントロールに問題があったが1
本発明によるスペーサはこの点が著しく改善されている
。
■液晶表示のコントラストの低下が著しく少くなる。
透過型液晶セルの場合、スペーサが多数個凝集している
とその部分は通常白く見えることになり、白黒表示にお
いて白い部分が表示機能と関係なく多くなっていると、
当然白黒の表示コントラストは著しく低下する。本発明
のスペーサではこのようなことが全くない。
とその部分は通常白く見えることになり、白黒表示にお
いて白い部分が表示機能と関係なく多くなっていると、
当然白黒の表示コントラストは著しく低下する。本発明
のスペーサではこのようなことが全くない。
■液晶表示画面のスペーサの凝集による微小な斑点が出
現することが全くない。
現することが全くない。
これらの効果によりギャップ精度がよく表示品質が高い
という理想的な性能をもつ液晶用スペーサが得られる。
という理想的な性能をもつ液晶用スペーサが得られる。
しかも、有機チタネート化合物で固体微粒子を処理する
だけで、上記利点を有する液晶用スペーサが得られ、製
造が極めて簡単であって生産性に優れている。
だけで、上記利点を有する液晶用スペーサが得られ、製
造が極めて簡単であって生産性に優れている。
特に、固体微粒子を予めシランカップリング剤で処理し
てその表面に被膜を形成しておくと、この被膜を介して
微粒子に良好に結合した有機チタネート化合物が広い面
積に亘って形成されるので。
てその表面に被膜を形成しておくと、この被膜を介して
微粒子に良好に結合した有機チタネート化合物が広い面
積に亘って形成されるので。
分散性に極めて優れた液晶用スペーサを得ることができ
る。
る。
の な1
第1図は液晶用スペーサの分散性試験装置を示す概略図
である。
である。
1・・・空気送入管、2・・・ノズル、3・・・スペー
サ容4・・・ガラス基板。
サ容4・・・ガラス基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、固体微粒子の表面に露出したチタン酸化物層が設け
られていることを特徴とする液晶用スペーーサ。 2、固体微粒子の表面にシランカップリング剤を処理し
て得られる被膜が設けられ、該被膜の表面に露出したチ
タン酸化物層が設けられていることを特徴とする液晶用
スペーサ。3、固体微粒子をシランカップリング剤で処
理して被膜を形成した後、該被膜が形成された固体微粒
子を有機チタネート化合物で処理することを特徴とする
液晶用スペーサの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1199546A JP2533648B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 液晶用スペ―サ及びその製造方法 |
| US07/545,007 US5153068A (en) | 1989-06-29 | 1990-06-28 | Coated particle |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1199546A JP2533648B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 液晶用スペ―サ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0363629A true JPH0363629A (ja) | 1991-03-19 |
| JP2533648B2 JP2533648B2 (ja) | 1996-09-11 |
Family
ID=16409627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1199546A Expired - Lifetime JP2533648B2 (ja) | 1989-06-29 | 1989-07-31 | 液晶用スペ―サ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2533648B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62169122A (ja) * | 1986-01-22 | 1987-07-25 | Hitachi Ltd | 液晶表示素子 |
| JPS62262737A (ja) * | 1986-05-07 | 1987-11-14 | Nara Kikai Seisakusho:Kk | 固体粒子の表面改質方法とその装置 |
| JPS6373225A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-02 | Catalysts & Chem Ind Co Ltd | 表示装置 |
| JPS6477024A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-23 | Alps Electric Co Ltd | Liquid crystal display element |
-
1989
- 1989-07-31 JP JP1199546A patent/JP2533648B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62169122A (ja) * | 1986-01-22 | 1987-07-25 | Hitachi Ltd | 液晶表示素子 |
| JPS62262737A (ja) * | 1986-05-07 | 1987-11-14 | Nara Kikai Seisakusho:Kk | 固体粒子の表面改質方法とその装置 |
| JPS6373225A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-02 | Catalysts & Chem Ind Co Ltd | 表示装置 |
| JPS6477024A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-23 | Alps Electric Co Ltd | Liquid crystal display element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2533648B2 (ja) | 1996-09-11 |
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