JPS61284823A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高密度磁気記録再生に用いる強磁性金属薄膜を
磁気記録層とする磁気記録媒体に関する。

従来の技術 従来、磁気記録層として広く実用に供されているものは
、　ｒ−Ｆｅ２０３．　Ｇｏ　ｆドープしたγ−Ｆｅ２
０５Ｃｒｙ２．或いは、鉄等の強磁性金属又は合金微小
粉末磁性材料を塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体。

スチレンブタジェン共重合体、エポキシ樹脂等の有機バ
インダ中に分散させて高分子フィルム等の基板上に塗布
、乾燥させた塗布型磁性層である。

近年、高密度記録への要求の高まりと共に、高密度域で
優れた信号対雑音比（以下、Ｓ／Ｎと記す）を与えうる
期待の大きい強磁性金属薄膜を磁気記録層とする。いわ
ゆる金属薄膜型磁気記録媒体がＭａｇｎｅｔｉｃ）　Ｍ
ｏ１．　ＭＡＧ−１０，Ｎｏ、−２、Ｐ、Ｐ、３６８〜
３７３　（１９７４）参照〕 上記の磁気記録媒体の改良の主眼は、優れた電磁変換特
性を保ちながら、磁気記録層の耐久性を向上させること
にある。従って、これに関する提案も多くなされ、一般
に磁気記録層として用いられるＧｏ−Ｐ　、　Ｇｏ　−
Ｎｉ　−０、Ｇｏ　−Ｎｉ−０膜等の強磁性金属薄膜上
に保護膜を用いて、磁気ヘッドや走行系の機構材料との
摩擦を少なくする方法〔例えば特開昭５２−１６３７０
７号、特開昭６３−９８７０４号、特開昭５９−１７１
０２６号の公報参照〕や、高分子フィルム上に微細な凹
凸を設け、その上に強磁性金属薄膜を設け、真実接触面
積を減少させることで耐すり優性や走行性能の改良をは
かる方法〔例えば、特開昭５６−１０４６５号、特開昭
５９−８４９２８号、特開昭５９−１２１６３１号の公
報参照〕等が一部成功を収めている。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記のような構成では、良好なＳ／Ｎ　ｉ
長時間にわたって維持することが困難で。

特に高抗磁力化する磁気記録媒体を充分磁化するため、
磁気ヘッド材料がフェライトから合金系へ移行すると、
この問題が顕著になり、高湿環境下で再生出力波形に乱
れを生じ易いという問題を有していた。

問題点を解決するための手段 上記した問題点を解決するために本発明の磁気記録媒体
は、微粒子を核とする表面突起を有する強磁性金属薄膜
の前記表面突起の周囲に滑剤全保持するためのくぼみを
配した構成を備えたものである。

作用 本発明は上記した構成により、相手側（磁気ヘッド、走
行系構成材等）と直接摺接することで、表面突起部の滑
剤が取り去られても、表面拡散により直ちに滑剤が補修
されるので１表面突起での潤滑作用が長時間にわたり維
持できると共に、磁気ヘッド材が合金系になっても、金
属同志の接触による凝着摩耗を防げるので、ヘッド形状
の変化が少なくでき、高湿下での再生波形の形状、Ｓ／
Ｎ全良好に保てるものである。

実施例 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。第１図は本発明の第１の実施例に係る磁気記録媒
体の拡大断面図である。

第１図において、１は厚みが１０μｍのポリエチレンテ
レフタレートフィルムから成る高分子フィルム、２は微
粒子塗布層で、微粒子（ＴｉＯ２。

直径約２７０人、密度６ケ／（μｍ）２）３と、この微
粒子を固定する樹脂（エポキシ樹脂、平均厚み３０入）
層４から成るものである。６はＣｏ−Ｎｉ−０〔原子％
比で７３：１２：１５．膜厚１６５ｏＡ。

保磁力１ｏ２ｏ（Ｏｅ）〕膜から成る磁気記録層で。

微粒子３を核とした表面突起部人を有し、該突起の周囲
に、滑剤６をため込むくぼみ部Ｂｉ有することで特定化
されるものである。

くぼみ部Ｂは周囲全部にあるのが好ましいが。

半周以上にわたってあれば充分効果がある。くぼみ部Ｂ
の深さは、現在の分析技術で正確に固定するのは困難で
あるが、２ｏＯ〜３００Å以上あれば充分効果がある。

滑剤６はステアリン酸の真空蒸着膜で１等価膜厚は１２
０人とした。

本発明の磁気記録層を形成する方法のひとつは。

斜め蒸着の方法を工夫することである。即ち１円筒状キ
ャンに沿わせて高分子フィルムを移動させながら、酸素
全導入した状態の真空中でＧｏ　−Ｎｉ合金を電子ビー
ム蒸着する際、入射角が９０度から７０度で蒸着したあ
と、７０度から６０度までを遮蔽し、６０度から４２度
まで蒸着するようにして、微粒子を核にしたシャドーイ
ング効果を利用して、くぼみ部が形成されるようにする
とよい。

これに対して、通常通り９０度から４２度まで蒸着した
ものは、くぼみ部がみられなかったが。

これを比較テープとして用いた。

以上の実施例と比較テープを用いて、４２℃８６％ＲＨ
の環境下で、アモルファス合金ヘッドを用いて０．８μ
ｍの記録波長の再生をくり返し行い、再生エンベロープ
の最小値の最大値に対する割合を％で比較した結果を次
表に示す。なお、テープの長さは１２０分長である。

（以下余白） 以上のように本実施例によれば、再生エンベロープは全
く問題なく、比較テープとの有意差が明らかである。

第１の実施例で高分子フィルムについてポリエチレンテ
レフタレートフィルムとしたが、ポリイミド、ポリアミ
ド、ポリスルフォン、ポリカーボネート等でもよい。

微粒子はＴｉＯ２としたが、ム１２０．　、　ＢａＣＯ
３゜ＣａＣＯ３，ＳｉＯ□等でもよい。また、樹脂はエ
ポキシとしたが、ポリエステル、ポリスルフォン、ウレ
タン、ボリアリレート、ポリアクリレート等でもよい。

強磁性金属薄膜はＧｏ−Ｎｉ−０膜としたが、Ｃｏ　−
０。

Ｇｏ−Ｏｒ　、　Ｇｏ−Ｔｉ　、　Ｇｏ−Ｓｉ　、　Ｇ
ｏ　−３ｎ　、　Ｃｏ−８ｍ　。

Ｇｏ−Ｗ、Ｇｏ−Ｍｇ−０等でもよい。

滑剤はステアリン酸を用いたが、他に脂肪酸アミド、脂
肪酸エステル、プラズマ重合膜などでもよい。

第２図は本発明の第２の実施例の拡大断面図である。

第２図で、７は厚みが１４μｍのポリフェニレンサルフ
ァイドフィルム、８は微粒子塗布層で、直径３６０人の
シリカ微粒子９を平均厚み５０入のエポキシ樹脂１０で
平均１６ケ／（μｍ）２固定したもので、１１は下地膜
でチタンの斜め蒸着膜から成り、入射角９０度から６９
度で形成した厚み２６０人の膜で、これにより、くぼみ
部Ｂｆ影形成るようにしたものである。

１２は、高周波スパッタリング法にて形成した厚み０．
１　ｐＴＩｉのＧｏ−Ｏｒ　（Ｃｒ　２０　ｗｔ％）垂
直磁化膜、１３はミリスチン酸の蒸着膜（平均厚み６０
人）で、磁気記録層にみられる表面突起部ムの周囲にく
ぼみ部Ｂが形成され、そこに主として滑剤１３かたまる
ように構成されているものである。

比較テープは、チタン膜１１を配さす、直接Ｇｏ　−Ｏ
ｒ層ｉ０．１μｍ形成して、同じくミリスチン酸を蒸着
したものを用いた。

この両者全ギャップ長０．１４μｍのセンダストヘッド
でビット長０．２μｍ、ｌ−ラックピッチ１゜μｍｉ記
録再生し、Ｓ／Ｈの変化を相対比較した結果を次表に示
す。なお、テープ長は９０分長である。

（以下余白） 以上のように本実施例によれば、Ｓ／Ｎが長時間に渡り
安定であることがわかる。

上述の第２の実施例についても高分子フィルム。

微粒子塗布層は先の第１の実施例と同様に他の材料でも
よいし、Ｔｉ膜は他にパーマロイ膜、ｃｒ。

Ｂｉ等でもよい。垂直磁化膜としてはＧｏ−Ｏｒ膜の他
にＧｏ　−Ｍｏ　、　Ｇｏ−Ｔｉ　、　Ｇｏ　−Ｗ　、
　Ｃｏ−Ｒｈ等でもよいし１面内磁化膜であってもよい
のは勿論である。

発明の効果 以上のように本発明によれば、高密度記録再生で、長時
間にわたって良好なＳ／Ｎと、良好な再生エンベロープ
波形を得ることができるといったすぐれた効果が期得で
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例に係る磁気記録媒体の拡
大断面図、第２図は本発明の第２の実施例に係る磁気記
録媒体の拡大断面図である。 １．７・・・・・・高分子フィルム、３，９・・・・・
・微粒子。 ６．１２・・・・・・強磁性金属薄膜、６，１３・・・
・・・滑剤。 １１・・・・・・下地膜、ム・・・・・・表面突起部、
Ｂ・・・・・・くぼみ部。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名／−
−−高分子フイノしム ３−−−イ炊ａづＨ 、ｆ−一一張砿社金為ＪＡＬ 第１図　　　　　　６−滑身Ｉ Ａ−一一表面寅ん邦 β−−−くぼｈ即

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 微粒子を核とする表面突起の周囲が滑剤だめのくぼみで
   ある強磁性金属薄膜を磁気記録層とすることを特徴とす
   る磁気記録媒体。