JPH0364985A - プリント配線板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高密度でファインな導体回路部を有するプリ
ント配線板及びその製造方法に関する。

〔従来技術〕

近年、プリント配線板は、ファイン化の傾向が顕著とな
り、所定面積の基板上に出来る限り多くのパターン、ス
ルーホールを形成しなければならない。

ところで、パターン間隔を小さくするには、めっき層の
厚さを出来る限り薄くすることが有効な手段の一つとな
る０例えば、パターン間隔が１００μｍ以下の高密度で
ファインなプリント配線板の製造方法において、無電解
Ｎｉめっきの厚さを２μｍ程度にすれば、第１３図及び
第１４図に示すごとく、ブリッジ８０の発生を回避する
ことが知られている。ここで、ブリッジ８０とは、隣接
するパターン８．８の基部相互間において、その端部が
無電解ニッケル工程時に生ずる現象をいう。

これにより、パターン８．８間は短絡し、絶縁不良とな
る。

即ち、銅箔８１の上に形成された銅めっき層８２には、
その上に更にＮ４層８３及びＡｕ層８４のＮ１−Ａ・Ｕ
・めっき層が形成される。このとき。

該Ｎ４層８３のめっき層が厚くなるに伴い、上記ブリッ
ジ８０が起こり易くなる。

反面、該Ｎ４層８３の厚さが例えば２μｍ以下と薄くな
るに伴い、上記ブリッジ８０は起こらなくなることが知
られている。

〔解決しようとする課題〕

しかしながら、上記従来技術には９次の問題点がある。

即ち、上記高密度でファインなパターンは、−窓以上の
膜厚を必要とする場合がある０例えば。

半導体とのワイヤボンディングにより電気的に接続する
パターン８．導体ランド８５及びこれに連結するスルー
ホール９０の内壁８６である。これらにおいては、上記
Ｎｔ１８３の膜厚は１例えば５μｍ程度が最低必要であ
る。これは、ワイヤーボンディングに耐える強度、つま
りワイヤーボンディング耐久性を必要とするからである
。

本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので
、ＩＩＩ厚が厚くブリッジがない、高密度でファインな
導体回路部を有するプリント配線板及びその製造方法を
提供しようとするものである。

〔課題の解決手段〕

本願は、高密度でファインなプリント配線板にかかる第
１の発明と、そのプリント配線板の製造方法にかかる第
２の発明とよりなる。

第１の発明は、基板に設けた導体回路部の上にＮｉ−Ａ
ｕめっき層によるパターンを形成してなるプリント配線
板において、上記Ｎｉ−Ａｕめっき層は、導体回路部上
に設けた第１のＮｉ層と。

その上に形成した第２のＮｉ層と、該第２のＮｉ層の上
に形成したＡｕ層とよりなることを特徴とするプリント
配線板にある。

第１の発明において、最も注目すべきことは。

Ｎｉ−Ａｕめっき層は、導体回路部上に設けた第１のＮ
ｉ層と、その上に形成した第２のＮｉ層と。

該第２のＮｉ層の上に形成したＡｕ層とよりなることに
ある。

第１のＮｉＭは１例えば銅箔とその上に形成した銅めっ
き層とからなる導体回路部の上に、無電解ニッケル、め
っきにより、一定の膜厚のニッケルめっきを施したもの
である。

また、第２のＮｉ層は、上記第１のＮｉ層の上に１例え
ば無電解ニッケルめっきにより、更に一定の膜厚のＮｉ
層を形成したものである。

また、上記Ａｕ層は、上記第２のＮｉ層の上に比較的薄
い膜厚の金めつきを施したものである（第１図参照）。

第２の発明は、基板にスルーホール用の穴明けを行う穴
明は工程と、上記スルーホール形成部分を含むパターン
形成部分に第１のＮｉ層を形成する第１めっき工程と、
フォトレジスト膜を被覆して露光、現像を行う露光工程
と、上記スルーホール形成部分の導体ランドと９導体回
路部とを形成するエツチング工程と、上記第１のＮｉ層
の表面に更に第２のＮｉ層と、その後にＡｕ層とを形成
する第２めっき工程とよりなることを特徴とするプリン
ト配線板の製造方法にある。

第２の発明において、最も注目すべきことは。

上記第１のＮｉ層の表面に、更に第２のＮｉ層を設け、
その後にＡｕ層を形成することにある。

上記Ｎｉ層は１例えば無電解ニッケルめっきにより、一
定の膜厚のＮ１層を２回に分けて形成するものである。

即ち、第１のＮｉ層を形成するに当たっては。

例えばスルーホール部を含む基板全面に対して電解ニッ
ケルめっき３または無電解ニッケルめっきにより、所望
の厚さのめっき膜を形成する。また。

第２のＮｉ層を形成するに当たっては１例えばパターン
形成以降めっきリードが配設しである基板においては電
解ニッケルめっきを、また、めっきリードが配設されて
いない基板においては無電解ニッケルめっきを行う。Ａ
ｕ層の形成は５例えばめっきリードが配設されている基
板においては電解金めっきを、まためっきリードが配設
されていない基板においては無電解金めっきを行う。

また、上記Ａｕ層は、上記第２のＮｉ層の上に比較的薄
い膜厚の金めつき膜を形成するものである。

〔作用及び効果〕

第１の発明にかかるプリント配線板は、導体回路部上に
設けた第１のＮｉ層と、その上に形成した第２のＮｉ層
とが形成されているため、導体表面膜厚が比較的厚い高
密度でファインなＮ１−ＡＵめっき層を有する。また２
導体間にはブリッジが形成されていないやその理由は、
パターン形成以降の第２のＮｉめっきと、Ａｕめっきと
は非常に薄い被膜だからである。

また、Ｎｉ−Ａｕめっき層は、上記第２のＮｉ層の上に
形成したＡｕ層を有するため、耐久性。

導電性、ワイヤーボンディング性に優れる。

したがって９本発明によれば、膜厚が厚くブリッジがな
い、高密度でファインな導体回路部を有するプリント配
線板を得ることができる。

一方、第２の発明においては９上記第１のＮｉ層の表面
に更に第２のＮｉ層を形成する。そのため、Ｎｉ層の膜
厚が比較的厚いＮｉ−Ａｕめっき層を形成することがで
きる。

また、上記Ｎｉ層は、２回に分けて形成するため９導体
間にブリッジが生ずることがない、その理由は、パター
ン形成以降の第２のＮｉめっき及びＡｕめっきが非常に
薄い被膜だからである。

したがって１本製造方法によれば、高密度でファインな
導体回路部を有するプリント配線板を容易に製造するこ
とができる。

〔実施例〕

本発明の実施例にかかるプリント配線板及びその製造方
法につき、第１図〜第１２図を用いて説明する。

即ち１本例のプリント配線板は、第１図に模式的に示す
ごとく、基板９上にパターンｌを形成したものである。

ここで、上記パターン１は銅箔１１と、その上に形成さ
れた銅めっきミニ２と、その上に形成された第１のＮｉ
１ｉ１３と、その上に形成された第２のＮ１層１４と、
その上に形成されたＡｕ層１５とよりなる。

また、上記Ｎｉ−Ａｕめっき層は、導体回路部１１．１
２の上に設けた第１のＮｉ層１３と、その上に形成した
第２のＮ１層１４と、該第２のＮ１層１４の上に形成し
たＡｕ層１５とよりなる。

上記導体回路部１１．１２は、第２図に示すごとく、ガ
ラスエポキシの基板９上にエツチングにより形成した銅
箔層１１と、該ｗ４箔層」１の上に無電解銅めっきによ
り成形した銅めっき層１２とよりなる９該銅めっきＮ１
２は、膜厚が約１５ｐｍである。

また、上記第１のＮ　Ｉ　＠　１３は、無電解ニッケル
めっきにより形成したもので、ｌＩ！厚が約μｍである
。

また、上記第２のＮ　ｉ　Ｊｉ　１４は、膜厚が約５μ
ｍである。

また、上記Ａｕ層１５は、上記第２のＮ１層１４の上に
比較的薄い膜厚の金めつきにより形成したものである。

該Ａｕ層１５は９膜厚が約０．　３μｍである。

次に３本例にかかるプリント配線板の作用効果につき説
明する。

即ち１本例にかかるプリント配線板は、導体回路部１１
．１２上に設けた第１のＮｉ層１３と。

その上に形成した第２のＮ１層１４とが形成されている
ため、導体表面膜厚が比較的厚い高密度でファインなＮ
ｉ−Ａｕめっき層を有する。また。

導体間にはブリッジが形成されていない（第１１図、第
１２図）。

したがって１本例によれば、導体表面膜厚が厚くブリッ
ジがない、高密度でファインな導体回路部を有するプリ
ント配線板を得ることができる。

次に１本例にかかるプリント配線板の製造方法につき、
第１図〜第１２図を用いて説明する。

即ち１本方法は、第５図〜第１２図に示すごとく、第１
工程〜第８工程を経て行う。

まず、穴明は工程においては、第５図に示すごとく、銅
箔１１張りガラスエポキシ基板９にドリルを用いてスル
ーホール１０用の穴明けを行う。

次に、第１めっき工程においては、第６図、第２図、第
３図に示すごとく、ます銅箔１１の上に無電解銅めっき
により銅めっき層１２を形成する。

また、無電解Ｎｉめっきにより政調めっき層１２の上に
、第３図に示すごとく、第１のＮｉ層１３を形成する。

つまり、第・１めっき工程においては、上記スルーホー
ル１０形成部分を含む基板９のパターン１形成部分に第
１のＮｉ層１３を形成する。

そして、露光工程においては、第７図に示すごとく、上
記第１のＮｉ層１２上にフォトレジスト膜１６を被覆す
る。更に、第８図に示すごとく。

露光及び現像を行う、これにより、スルーホール１０形
成部分の内壁１０１．導体ランド１０２形成部分、パタ
ーン１の導体回路部１１，１２．上のＮｉ層１３にのみ
上記フォトレジスト膜１６が残存する。

次に、エツチング工程においては、第９図に示すごとく
　上記スルーホール１０形成部分の導体ランド１０２と
、パターン１の導体回路部１１゜１２上のＮｔ層１３以
外の部分をエツチング除去する。

次いで、第２めっき工程に移る前に、第１０図に示すご
とく、上記フォトレジスト膜１６（第９図）を剥膜する
。

そして、第２めっき工程においては、第１１図に示すご
とく、まず上記Ｎ３層１３の表面に更に第２のＮ１層１
４を形成する。その後、該Ｎｉ層層成４上に、第１２図
に示すごとく、比較的膜厚の薄いＡｕ層１５を形成する
。これにより、第１図に示すごとく、導体回路部１１．
１２上に第１のＮｉ層１３と、その上に形成した第２の
Ｎｉ層層成４．該第２のＮｉ１ｉｌＡ上に形成したＡｕ
１ｉ１５を有するプリント配線板を得る。

次に２本製造方法の効果につき説明する。

本例においては、第１図〜第４図に示すごとく。

上記第１のＮｉ層１３と、その表面に更に第２のＮ　ｉ
　ｌｉ　ｉ　４とを２回に分けて形成するため、Ｎｉ層
の導体表面膜厚が比較約０いＮｆ−Ａｕめっき層を形成
することができる。特に、該Ｎｉ層は。

２回に分けて形成するため、該ニッケルめっき時にＮｉ
Ｎ相互間にブリッジが生ずることがない。

したがって２本製造方法によれば、Ｎ％−Ａｕ層の導体
表面膜厚が厚く、パターン間にブリッジがない、高密度
でファインな導体回路部を容易に製造することができる
。

また、上記スルーホール１０の内壁は、第１のＮｉ層１
３と、第２のＮｉ層層成４．Ａｕ層１５とにより形成さ
れる。そのため１該スルーホール９０にはピンホールが
発生しないので、メツキ時に酸処理液が基板９内に侵入
しない。また、半田接続時に使用するフラックスが基板
に侵入しない。

したがって、該プリント配線板は耐久性に優れ。

信頼性が向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第１２図は本発明の実施例を示し９第１図はプ
リント配線板におけるめっき層の断面図。 第２図〜第４図はめっき層形成の工程概要図、第５図〜
第１２図はプリント配線板の製造工程図。 第１３図及び第１４図は従来例を示し、第１３図はプリ
ント配線板の断面図、第１４図はプリント配線板におけ
るめっき層の断面図である。 １９６．パターン。 １０、、、スルーホール。 １１．１２．、、導体回路部。 １３、、、第１のＮｉ層。 １４、、、第２のＮｉ層。 １５、、、、Ａｕ層。 １６、、、フォトレジスト膜。 ９１３．基板。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板に設けた導体回路部の上にＮｉ−Ａｕめっき
   層によるパターンを形成してなるプリント配線板におい
   て， 上記Ｎｉ−Ａｕめっき層は，導体回路部上に設けた第１
   のＮｉ層と，その上に形成した第２のＮｉ層と，該第２
   のＮｉ層の上に形成したＡｕ層とよりなることを特徴と
   するプリント配線板。
2. （２）基板にスルーホール用の穴明けを行う穴明け工程
   と， 上記スルーホール形成部分を含むパターン形成部分に第
   １のＮｉ層を形成する第１めっき工程と，フォトレジス
   ト膜を被覆して露光，現像を行う露光工程と， 上記スルーホール形成部分の導体ランドと，導体回路部
   とを形成するエッチング工程と， 上記第１のＮｉ層の表面に更に第２のＮｉ層と，その後
   にＡｕ層とを形成する第２めっき工程とよりなることを
   特徴とするプリント配線板の製造方法。