JPH0365656B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0365656B2 JPH0365656B2 JP58138269A JP13826983A JPH0365656B2 JP H0365656 B2 JPH0365656 B2 JP H0365656B2 JP 58138269 A JP58138269 A JP 58138269A JP 13826983 A JP13826983 A JP 13826983A JP H0365656 B2 JPH0365656 B2 JP H0365656B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- vapor phase
- film
- gas
- excitation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明はCVD（Chemical Vapour
Deposition）法による気相成長方法に関する。
Deposition）法による気相成長方法に関する。
(b) 技術の背景
従来、MOS−IC等半導体装置の表面に絶縁保
護膜を形成する際、反応ガス分子を基板上に堆積
させる所謂、気相成長法（CVD）が広く用いら
れている。本発明は気相成長成膜時、振動を付加
する具体策を堤示するものである。
護膜を形成する際、反応ガス分子を基板上に堆積
させる所謂、気相成長法（CVD）が広く用いら
れている。本発明は気相成長成膜時、振動を付加
する具体策を堤示するものである。
(c) 従来技術と問題点
従来、気相成長法によりシリコン等基板上に絶
縁保護膜を形成する際、その成膜速度は主に、チ
ヤンバ内反応ガス体と対象の成膜基板との親和性
或いは付着係数と、反応ガス濃度、温度により決
まる。然し、反応ガス種類によつては付着係数が
小さく、成膜し難いことが屡ある。
縁保護膜を形成する際、その成膜速度は主に、チ
ヤンバ内反応ガス体と対象の成膜基板との親和性
或いは付着係数と、反応ガス濃度、温度により決
まる。然し、反応ガス種類によつては付着係数が
小さく、成膜し難いことが屡ある。
(d) 発明の目的
本発明は前記の問題点を解決することである。
本発明は前記付着係数が小さい等の理由で成膜
困難な反応ガス、或いは成膜効率の低い反応ガス
に対しても、容易且つ均一に成膜が可能な一手段
を提示する。
困難な反応ガス、或いは成膜効率の低い反応ガス
に対しても、容易且つ均一に成膜が可能な一手段
を提示する。
(e) 発明の構成
前記目的は、基板上に膜を気相成長させる際、
成膜中の前記基板に超音波若しくは超音波以上の
振動を付加してなすことにより達成しうる。
成膜中の前記基板に超音波若しくは超音波以上の
振動を付加してなすことにより達成しうる。
(f) 発明の実施例
以下、本発明の一実施例を示す第１図〜第３図
を参照して本発明を詳細に説明する。
を参照して本発明を詳細に説明する。
第１図は、本発明の成膜手段を明示する基板側
面図である。
面図である。
第２図は、気相成長装置の簡略側断面図、及び
第３図は第２図装置の特に光パルス照射による本
発明の成膜過程を説明する基板側面図である。
第３図は第２図装置の特に光パルス照射による本
発明の成膜過程を説明する基板側面図である。
第１図は成膜対象基板１に対して、はベルジ
ヤ内反応ガス分子が基板周囲でランダム運動して
いる状態を示す。は前記基板１をガス体に向か
い移動させることにより基板上成膜のカス分子濃
度が見掛け上高くなる状態を示す。はの基板
移動とは逆方向に基板がガス体から遠のく移動を
なす時で、この場合周囲ガス体は拡散作用で瞬時
に成膜ガスが充満する。更に、状態は、基板移
動がガス体に向かい前記状態と同様の見掛け上
ガス分子濃度が高まる状態である。
ヤ内反応ガス分子が基板周囲でランダム運動して
いる状態を示す。は前記基板１をガス体に向か
い移動させることにより基板上成膜のカス分子濃
度が見掛け上高くなる状態を示す。はの基板
移動とは逆方向に基板がガス体から遠のく移動を
なす時で、この場合周囲ガス体は拡散作用で瞬時
に成膜ガスが充満する。更に、状態は、基板移
動がガス体に向かい前記状態と同様の見掛け上
ガス分子濃度が高まる状態である。
即ち、同図は成膜基板１が、、、及び
の状態を経過する励振の単サイクルが示される。
然し前記の単励振サイクルにおいて、から、
或いはからへとガス体に向かう基板移動の半
周期間を速くし、からへとガス体から遠のく
基板移動の半周期間を遅く駆動すれば、基板上の
成膜速度が向上し、又、膜質の改善が図られる。
而して、前記励振の速度を、超音波周波数もしく
は超音波周波数以上の励振をすれば、従来小さい
付着係数の為、成膜が困難とされているガス体で
あつても薄膜形成が容易となる。
の状態を経過する励振の単サイクルが示される。
然し前記の単励振サイクルにおいて、から、
或いはからへとガス体に向かう基板移動の半
周期間を速くし、からへとガス体から遠のく
基板移動の半周期間を遅く駆動すれば、基板上の
成膜速度が向上し、又、膜質の改善が図られる。
而して、前記励振の速度を、超音波周波数もしく
は超音波周波数以上の励振をすれば、従来小さい
付着係数の為、成膜が困難とされているガス体で
あつても薄膜形成が容易となる。
第２図は、本発明の気相成長装置の実施例を示
す側断面図である。
す側断面図である。
図中、１は成膜対象の基板、２は石英等からな
る反応チヤンバ、３と４は夫々チヤンバ２に供給
する反応ガス供給管、５は基板１載置の支持板、
６は前記支持板５に付設する例えば強誘電性磁器
等からなる超音波励振素子、７はその下方が真空
ポンプに連結されるチヤンバ２の排気路である。
る反応チヤンバ、３と４は夫々チヤンバ２に供給
する反応ガス供給管、５は基板１載置の支持板、
６は前記支持板５に付設する例えば強誘電性磁器
等からなる超音波励振素子、７はその下方が真空
ポンプに連結されるチヤンバ２の排気路である。
更に、８はチヤンバ上壁側の光窓、及び９は前
記光窓８を介して基板１に紫外光照射をなす光源
ランプである。該紫外光はフオトンエネルギによ
り反応ガスを励起して光化学反応による成膜促進
をなす他、ガス分子の基板付着性をよくする効果
が期待できる。
記光窓８を介して基板１に紫外光照射をなす光源
ランプである。該紫外光はフオトンエネルギによ
り反応ガスを励起して光化学反応による成膜促進
をなす他、ガス分子の基板付着性をよくする効果
が期待できる。
か様な装置構成により、前図で説明せる基板１
とガス体とを、超音波周波数もしくはそれ以上の
周波数で振動させると気相成長薄膜が容易に形成
される。
とガス体とを、超音波周波数もしくはそれ以上の
周波数で振動させると気相成長薄膜が容易に形成
される。
次に、第２図装置の紫外ランプ９により気相成
長をなす実施例を説明する。
長をなす実施例を説明する。
第３図に於いて、図は成膜対象基板が超音波周
波数もしくは超音波以上の周波数で励振され、堆
積薄膜が生成中の状態図である。
波数もしくは超音波以上の周波数で励振され、堆
積薄膜が生成中の状態図である。
図中、、、、及びの夫々は第１図と同
じ基板励振の単サイクル過程を示し、又、と
の各状態図の矢印は、基板励振に同期して光照射
がされるを示している。
じ基板励振の単サイクル過程を示し、又、と
の各状態図の矢印は、基板励振に同期して光照射
がされるを示している。
即ち、、及び状態は、から、或いは
からへとガス体に向かう基板移動の期間、光窓
８から紫外光がチヤンバ２内に入る様にされる。
からへとガス体に向かう基板移動の期間、光窓
８から紫外光がチヤンバ２内に入る様にされる。
第２図装置の１１は、光源９と光窓８間に挿入
されるその周辺に多数の光スリツトがある円盤、
及び１２は前記円盤１１の回転支軸である。これ
は高速で光源９を断続する光チヨツパ形成部であ
る。
されるその周辺に多数の光スリツトがある円盤、
及び１２は前記円盤１１の回転支軸である。これ
は高速で光源９を断続する光チヨツパ形成部であ
る。
光チヨツパは前記気相成長時の基板励振速度に
同期させて照射する光励起パルスを得るものであ
る。
同期させて照射する光励起パルスを得るものであ
る。
以下、光励起によりSiO2成膜時の気相成長実
施例を示す。
施例を示す。
SiO2成膜ガス体としてSiH4とO2とを用いると
すれば、フオトンエネルギの大きい紫外光により
O2→2O、SiH4＋2O→SiO2＋2H2の過程でSiO2が
形成される。
すれば、フオトンエネルギの大きい紫外光により
O2→2O、SiH4＋2O→SiO2＋2H2の過程でSiO2が
形成される。
この時の成膜条件として、SiH4ガスは11／
min、O2ガスは21／min、及びチヤンバイ２内は
気圧100Torrが適切である。尚、光パルスは
100w以上の出力が望ましい。
min、O2ガスは21／min、及びチヤンバイ２内は
気圧100Torrが適切である。尚、光パルスは
100w以上の出力が望ましい。
斯様な基板励振手段と併用した光励起パルスと
により、従来、付着係数が小さい等の理由で成膜
困難な反応ガス体或いは成膜効率の低い反応ガス
体に対しても、均一な気相成長膜が生成可能とな
る。
により、従来、付着係数が小さい等の理由で成膜
困難な反応ガス体或いは成膜効率の低い反応ガス
体に対しても、均一な気相成長膜が生成可能とな
る。
(g) 発明の効果
以上、詳細に説明した本発明の気相成長方法に
よれば、VLSIの製造時要求される良質の薄膜が
迅速に形成される等の利点がある。
よれば、VLSIの製造時要求される良質の薄膜が
迅速に形成される等の利点がある。
第１図は本発明の成膜手段を明示する基板側面
図、第２図は気相成長装置の簡略側面図、及び第
３図は第２図装置の照射光パルスによる本発明の
成膜過程を説明する基板側面図である。 図中、１は成膜対象の基板、２は反応チヤン
バ、３と４は反応ガス供給管、５は基板１の支持
板、６は超音波励振素子、７は排気管、８は光
窓、９は紫外光源、及び１１は光スリツト盤であ
る。
図、第２図は気相成長装置の簡略側面図、及び第
３図は第２図装置の照射光パルスによる本発明の
成膜過程を説明する基板側面図である。 図中、１は成膜対象の基板、２は反応チヤン
バ、３と４は反応ガス供給管、５は基板１の支持
板、６は超音波励振素子、７は排気管、８は光
窓、９は紫外光源、及び１１は光スリツト盤であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板状に膜を気相成長させる際、成膜中の前
記基板に超音波若しくは超音波以上の振動を付加
してなすことを特徴とする気相成長法。 ２ 前記成膜中の基板面に、励振基板がガス体に
向かつて移動する際励起光を照射し、励振基板が
ガス体から遠ざかる際該励起光を遮断することを
特徴とする前記特許請求の範囲第１項記載の気相
成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58138269A JPS6030142A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58138269A JPS6030142A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 気相成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6030142A JPS6030142A (ja) | 1985-02-15 |
| JPH0365656B2 true JPH0365656B2 (ja) | 1991-10-14 |
Family
ID=15217974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58138269A Granted JPS6030142A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6030142A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1726520A2 (en) | 2005-05-23 | 2006-11-29 | Shimano Inc. | Shift operation device for bicycle |
-
1983
- 1983-07-28 JP JP58138269A patent/JPS6030142A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1726520A2 (en) | 2005-05-23 | 2006-11-29 | Shimano Inc. | Shift operation device for bicycle |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6030142A (ja) | 1985-02-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3067940B2 (ja) | 窒化ケイ素薄膜の蒸着 | |
| JPH07147251A (ja) | 結晶性炭化ケイ素膜の成長方法 | |
| JPS5930130B2 (ja) | 気相成長方法 | |
| JPS6140035B2 (ja) | ||
| KR950002177B1 (ko) | 기상성장방법 및 그 장치 | |
| JPH036653B2 (ja) | ||
| JPH0365656B2 (ja) | ||
| KR850001974B1 (ko) | 광화학적 증착방법 및 장치 | |
| JP2895179B2 (ja) | ダイヤモンド単結晶薄膜の気相合成方法 | |
| JPH03139824A (ja) | 半導体薄膜の堆積方法 | |
| JPS60211847A (ja) | 絶縁膜の形成方法 | |
| JPS62126628A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0544037A (ja) | 気相成長装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JPS61119028A (ja) | 光化学気相成長装置 | |
| JPS63204616A (ja) | 反応チヤンバ−の洗浄方法 | |
| JPS6343313A (ja) | 非晶質半導体薄膜の製造方法 | |
| JPS63288010A (ja) | 固相エピタキシヤル成長方法 | |
| JPS59209643A (ja) | 光化学気相成長装置 | |
| JPS5817257B2 (ja) | ホウ素被膜形成方法 | |
| JPS6128443A (ja) | 光化学気相成長装置 | |
| JPS61283113A (ja) | エピタキシヤル成長方法 | |
| JP2618408B2 (ja) | 単結晶合金膜の製法 | |
| JP2980277B2 (ja) | 成膜方法 | |
| JPS6277466A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS61189634A (ja) | 堆積膜形成法 |