JPH0365896B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0365896B2 JPH0365896B2 JP60229315A JP22931585A JPH0365896B2 JP H0365896 B2 JPH0365896 B2 JP H0365896B2 JP 60229315 A JP60229315 A JP 60229315A JP 22931585 A JP22931585 A JP 22931585A JP H0365896 B2 JPH0365896 B2 JP H0365896B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- metal
- metal conductor
- hybrid integrated
- high frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/10—Containers or parts thereof
- H10W76/17—Containers or parts thereof characterised by their materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W42/00—Arrangements for protection of devices
- H10W42/20—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高周波混成集積回路に関するもので
ある。
ある。
高周波において動作する回路では、線路パター
ン、あるいは、各種使用部品より高周波成分が放
射され、まわりの他の回路に悪影響を与えること
が多い。
ン、あるいは、各種使用部品より高周波成分が放
射され、まわりの他の回路に悪影響を与えること
が多い。
このようなまわり込みを防止し、システムとし
て全体の回路の安定化を図るため、当該高周波部
分を特別にしつらえた金属板でおおうことが一般
的に行われている。
て全体の回路の安定化を図るため、当該高周波部
分を特別にしつらえた金属板でおおうことが一般
的に行われている。
さらに、前記悪影響の効果はより高周波及び高
電力になる程、顕著となり、この様な部分には、
部品に密接して金属板でシールドされる。
電力になる程、顕著となり、この様な部分には、
部品に密接して金属板でシールドされる。
一方、近年機器の小形化が急速に進み、このた
め、高周波混成集積回路も面積的、体積的に小形
化が余儀なくされ、内部回路は益々稠密となつ
た。このような高集積度の高周波回路では、シー
ルドのための金属板のアースの取り方により、混
成集積回路上のアース電位と、シールド金属板と
のアース電位との間に電位差が生じ、混成集積回
路上の線路パターンインピーダンス、あるいはコ
イル等の定数に相互作用を与え、回路の整合条件
に変更を生じさせ、発振等が生じるという不具合
があつた。
め、高周波混成集積回路も面積的、体積的に小形
化が余儀なくされ、内部回路は益々稠密となつ
た。このような高集積度の高周波回路では、シー
ルドのための金属板のアースの取り方により、混
成集積回路上のアース電位と、シールド金属板と
のアース電位との間に電位差が生じ、混成集積回
路上の線路パターンインピーダンス、あるいはコ
イル等の定数に相互作用を与え、回路の整合条件
に変更を生じさせ、発振等が生じるという不具合
があつた。
前記不具合を解決するための従来技術としては
第２図に示すものがある。この技術では、アース
となる金属導体１に固着された回路基板２を絶縁
性のかつ高周波において損失の少ない樹脂６で全
面を塗布被ふくし、さらに金属導体１と電気的に
接続がとれる様に導電性樹脂７を塗布、またはモ
ールドして回路をシールドしようとするものであ
る。
第２図に示すものがある。この技術では、アース
となる金属導体１に固着された回路基板２を絶縁
性のかつ高周波において損失の少ない樹脂６で全
面を塗布被ふくし、さらに金属導体１と電気的に
接続がとれる様に導電性樹脂７を塗布、またはモ
ールドして回路をシールドしようとするものであ
る。
従来の技術は、以上の様に、回路基板全面を絶
縁性、高周波特性の良い樹脂で塗布法によりコー
テイングしなければならず、さらにその上から導
電性樹脂を塗布、またはモールドすることが必要
で封止工程が複雑となり、人手に頼ることが多
く、高価なものになる欠点があつた。
縁性、高周波特性の良い樹脂で塗布法によりコー
テイングしなければならず、さらにその上から導
電性樹脂を塗布、またはモールドすることが必要
で封止工程が複雑となり、人手に頼ることが多
く、高価なものになる欠点があつた。
本発明は、上記の欠点を除去するためになされ
たもので、作業工程を簡略化でき、容易に高周波
回路をシールドすることができ安定に動作する高
周波混成集積回路を提供するものである。
たもので、作業工程を簡略化でき、容易に高周波
回路をシールドすることができ安定に動作する高
周波混成集積回路を提供するものである。
本発明における装置は、混成集積回路に用いら
れるプラスチツクキヤツプに金属コートを施し、
キヤツプにコーテイングされた金属被膜をアース
面となる金属導体と導電性接着剤で固着したもの
である。
れるプラスチツクキヤツプに金属コートを施し、
キヤツプにコーテイングされた金属被膜をアース
面となる金属導体と導電性接着剤で固着したもの
である。
この様にすれば、高周波回路は、キヤツプにコ
ーテイングされた金属被膜及びアース面となる金
属導体によつておおわれることになり、高周波回
路は、電気的に他の回路とシールドされる。
ーテイングされた金属被膜及びアース面となる金
属導体によつておおわれることになり、高周波回
路は、電気的に他の回路とシールドされる。
第１図に本発明の一実施例を示す。図において
１はアース面（放熱板をかねることもある）とな
る金属導体、２は前記金属導体１上に固着された
高周波回路基盤、３は高周波回路基盤２を保護す
るプラスチツクキヤツプ、４はこのプラスチツク
キヤツプ３内面に被ふくされた金属被膜であり、
５は前記金属被膜４とアース面となる金属導体１
とを電気的かつ機械的に接続する導電性接着剤で
ある。
１はアース面（放熱板をかねることもある）とな
る金属導体、２は前記金属導体１上に固着された
高周波回路基盤、３は高周波回路基盤２を保護す
るプラスチツクキヤツプ、４はこのプラスチツク
キヤツプ３内面に被ふくされた金属被膜であり、
５は前記金属被膜４とアース面となる金属導体１
とを電気的かつ機械的に接続する導電性接着剤で
ある。
以上の構成において、高周波回路が構成された
回路基盤２は、アース面となる金属導体１、プラ
スチツクキヤツプ３に被ふくされた金属被膜４、
及び、これらの間を接続するための導電性接着剤
５を通じて全面的に囲まれ、外部より電気的にシ
ールドされる。
回路基盤２は、アース面となる金属導体１、プラ
スチツクキヤツプ３に被ふくされた金属被膜４、
及び、これらの間を接続するための導電性接着剤
５を通じて全面的に囲まれ、外部より電気的にシ
ールドされる。
この結果、例えば、当該混成集積回路に外部よ
り密着して金属板がおかれた場合においても、該
回路は何の影響も受けることがなく、安定に動作
させることができる。
り密着して金属板がおかれた場合においても、該
回路は何の影響も受けることがなく、安定に動作
させることができる。
特に本発明によれば、高周波において大電力を
扱う高周波高出力混成集積回路、及びフイルタ回
路において大きな効果が得られるものである。
扱う高周波高出力混成集積回路、及びフイルタ回
路において大きな効果が得られるものである。
以上の様に、本発明によれば、高周波回路を２
種類の樹脂を塗布等によりおおう等の複雑な工程
を通す必要がなく、安価に高周波混成集積回路を
構成することができ、また精度よく回路をシール
ドできる効果がある。
種類の樹脂を塗布等によりおおう等の複雑な工程
を通す必要がなく、安価に高周波混成集積回路を
構成することができ、また精度よく回路をシール
ドできる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す。第２図は従
来の技術を示す断面図である。 １はアース面となる金属導体、４はキヤツプに
固着された金属被膜、５は導電性接着剤である。
なお図中同一符号は同一、又は相当部分を示す。
来の技術を示す断面図である。 １はアース面となる金属導体、４はキヤツプに
固着された金属被膜、５は導電性接着剤である。
なお図中同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- １ アース面となる金属導体と、回路を保護する
プラスチツクキヤツプでおおわれた混成集積回路
において、上記プラスチツクキヤツプ内面または
全面に金属被膜を施し、その金属被膜が当該回路
の主要部分と絶縁された状態で、前記アース面と
なる金属導体と導電性接着剤で固着された事を特
徴とする高周波混成集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60229315A JPS6286841A (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 高周波混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60229315A JPS6286841A (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 高周波混成集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6286841A JPS6286841A (ja) | 1987-04-21 |
| JPH0365896B2 true JPH0365896B2 (ja) | 1991-10-15 |
Family
ID=16890211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60229315A Granted JPS6286841A (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 高周波混成集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6286841A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010137592A1 (ja) | 2009-05-26 | 2010-12-02 | 株式会社インキュベーション・アライアンス | 炭素材料及びその製造方法 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI915242A7 (fi) * | 1991-11-06 | 1993-05-07 | Nokia Mobile Phones Ltd | Piirilevyn rf-suojaus |
| JP2854757B2 (ja) * | 1992-06-17 | 1999-02-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体パワーモジュール |
| JP2577088Y2 (ja) * | 1993-03-29 | 1998-07-23 | 京セラ株式会社 | 半導体素子収納用パッケージ |
| DE29514398U1 (de) * | 1995-09-07 | 1995-10-19 | Siemens AG, 80333 München | Abschirmung für Flachbaugruppen |
| US5761053A (en) * | 1996-05-08 | 1998-06-02 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Faraday cage |
| DE19715663C2 (de) * | 1997-04-16 | 2000-03-30 | Daimlerchrysler Aerospace Ag | Gehäuse für elektronische Bauelemente |
| KR20150075347A (ko) | 2013-12-25 | 2015-07-03 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체 패키지, 반도체 모듈 및 반도체 디바이스 |
| JP5959497B2 (ja) * | 2013-12-25 | 2016-08-02 | 株式会社東芝 | 半導体パッケージ |
| JP2015126025A (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-06 | 株式会社東芝 | 半導体パッケージ |
| JP2015149650A (ja) | 2014-02-07 | 2015-08-20 | 株式会社東芝 | ミリ波帯用半導体パッケージおよびミリ波帯用半導体装置 |
| JP2015149649A (ja) | 2014-02-07 | 2015-08-20 | 株式会社東芝 | ミリ波帯用半導体パッケージおよびミリ波帯用半導体装置 |
-
1985
- 1985-10-14 JP JP60229315A patent/JPS6286841A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010137592A1 (ja) | 2009-05-26 | 2010-12-02 | 株式会社インキュベーション・アライアンス | 炭素材料及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6286841A (ja) | 1987-04-21 |
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