JPS6286841A - 高周波混成集積回路 - Google Patents
高周波混成集積回路Info
- Publication number
- JPS6286841A JPS6286841A JP60229315A JP22931585A JPS6286841A JP S6286841 A JPS6286841 A JP S6286841A JP 60229315 A JP60229315 A JP 60229315A JP 22931585 A JP22931585 A JP 22931585A JP S6286841 A JPS6286841 A JP S6286841A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- high frequency
- hybrid integrated
- integrated circuit
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/10—Containers or parts thereof
- H10W76/17—Containers or parts thereof characterised by their materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W42/00—Arrangements for protection of devices
- H10W42/20—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高周波混成集積回路に関するものである。
高周波において動作する回路では、線路パターン、ある
いは、各種使用部品より高周波成分が放射され、まわり
の他の回路に悪影響を与えることが多い。
いは、各種使用部品より高周波成分が放射され、まわり
の他の回路に悪影響を与えることが多い。
このようなまわり込みを防止し、システムとしての全体
の回路の安定化を図るため、当該高周波部分を特別にし
つらえた金属板でおおうことが一般的に行われている。
の回路の安定化を図るため、当該高周波部分を特別にし
つらえた金属板でおおうことが一般的に行われている。
さらに、前記悪影響の効果はより高周波及び高電力にな
る程、顕著となり、この様な部分には、部品に密接して
金属板でシールドされる。
る程、顕著となり、この様な部分には、部品に密接して
金属板でシールドされる。
一方、近年機器の小形化が急速に進み、このため、高周
波混成集積回路も面積的2体積的に小形化が余儀なくさ
れ、内部回路は益々稠密となった。
波混成集積回路も面積的2体積的に小形化が余儀なくさ
れ、内部回路は益々稠密となった。
このような高集積度の高周波回路では、シールドのため
の金属板のアースの取り方によす、混成集積回路上のア
ース電位と、シールド金属板とのアース電位との間に電
位差が生じ、混成集積回路上の線路パターンインピーダ
ノス、あるいはコイル等の定数に相互作用を与え、回路
の整合条件に変更を生じさせ、発振等が生じろという不
具合があった。
の金属板のアースの取り方によす、混成集積回路上のア
ース電位と、シールド金属板とのアース電位との間に電
位差が生じ、混成集積回路上の線路パターンインピーダ
ノス、あるいはコイル等の定数に相互作用を与え、回路
の整合条件に変更を生じさせ、発振等が生じろという不
具合があった。
前記不具合を解決するための従来技術としては第2図に
示すものがある。この技術で(よ、アースとなる金属導
体(1)に固着された回路基板(2)を絶縁性のかつ高
周波において損失の少ない樹脂(6)で全面を塗布波ふ
くし、さらに金属導体(1)と電気的に接続がとれろ様
に導電性例U1(71を塗布、またはモールドして回路
をシールドしようとするものである。
示すものがある。この技術で(よ、アースとなる金属導
体(1)に固着された回路基板(2)を絶縁性のかつ高
周波において損失の少ない樹脂(6)で全面を塗布波ふ
くし、さらに金属導体(1)と電気的に接続がとれろ様
に導電性例U1(71を塗布、またはモールドして回路
をシールドしようとするものである。
従来の技術は、以上の様に、回路基板全面を絶縁性、高
周波特性の良い樹脂で塗布法によりコーティングしなけ
ればならず、さらにその上から導電性樹脂を塗布、また
はモールドすることが必要で封止工程が複雑となり、人
手に頼ることが多く、高価なものになる欠点があった。
周波特性の良い樹脂で塗布法によりコーティングしなけ
ればならず、さらにその上から導電性樹脂を塗布、また
はモールドすることが必要で封止工程が複雑となり、人
手に頼ることが多く、高価なものになる欠点があった。
本発明は、上記の欠点を除去するためになされたもので
、作業工程を簡略化でき、容易に高周波回路をシールド
することができ安定に動作する高周波混成集積回路を提
供するものである。
、作業工程を簡略化でき、容易に高周波回路をシールド
することができ安定に動作する高周波混成集積回路を提
供するものである。
本発明における装置は、混成集積回路に用いられるプラ
スチックキャップに金属コートを施し、キャップにコー
ティングされた金属被膜をアース面となる金属導体と導
電性接着剤で固着したものである。
スチックキャップに金属コートを施し、キャップにコー
ティングされた金属被膜をアース面となる金属導体と導
電性接着剤で固着したものである。
この様にすれば、高周波回路は、キャップにコーティン
グされた金属被膜及びアース面となる金属導体によって
おおわれることになり、高周波回路は、電気的に他の回
路とシールドされろ。
グされた金属被膜及びアース面となる金属導体によって
おおわれることになり、高周波回路は、電気的に他の回
路とシールドされろ。
第1図に本発明の一実施例を示す。図において(1)は
アース面(放熱板をかねることもある)となる金属導体
、(2)は前記金属導体(1)上に固着された高周波回
路基盤、(3)は高周波回路基盤(2)を保護するプラ
スチックキャップ、(4)はこのプラスチックキャップ
(3)内面に被ふくされな金属被膜であり、(5)は前
記金属被膜(4)とアース面となる金属導体(1)とを
電気的かつ機械的に接続する導電性接着剤である。
アース面(放熱板をかねることもある)となる金属導体
、(2)は前記金属導体(1)上に固着された高周波回
路基盤、(3)は高周波回路基盤(2)を保護するプラ
スチックキャップ、(4)はこのプラスチックキャップ
(3)内面に被ふくされな金属被膜であり、(5)は前
記金属被膜(4)とアース面となる金属導体(1)とを
電気的かつ機械的に接続する導電性接着剤である。
以上の構成において、高周波回路が構成された回路基盤
(2)は、アース面となる金属導体(1)、プラスチッ
クキャップ(3)に被ふくされな金属被膜(4)、及び
、これらの間を接続するための導電性接着剤(5)を通
じて全面的に囲まれ、外部より電気的にシールドされる
。
(2)は、アース面となる金属導体(1)、プラスチッ
クキャップ(3)に被ふくされな金属被膜(4)、及び
、これらの間を接続するための導電性接着剤(5)を通
じて全面的に囲まれ、外部より電気的にシールドされる
。
この結果、例えば、当該混成集積回路に外部より密着し
て金属板がおかれた場合においても、該回路は何の影響
も受けることがなく、安定に動作させることができる。
て金属板がおかれた場合においても、該回路は何の影響
も受けることがなく、安定に動作させることができる。
特に本発明によれば、高周波において大電力を扱う高周
波高出力混成集積回路、及びフィルタ回路において大き
な効果が得られるものである。
波高出力混成集積回路、及びフィルタ回路において大き
な効果が得られるものである。
以上の様に、本発明によれば、高周波回路を2種類の樹
脂を塗布等によりおおう等の複雑な工程を通す必要がな
く、安価に高周波混成集積回路を構成することができ、
また精度よく回路をシールドできる効果がある。
脂を塗布等によりおおう等の複雑な工程を通す必要がな
く、安価に高周波混成集積回路を構成することができ、
また精度よく回路をシールドできる効果がある。
第1図は本発明の一実施例を示す。第2図は従来の技術
を示す断面図である。 (1)はアース面となる金属導体、(4)はキャップに
固着された金属被膜、(5)は導電性接着剤である。 なお図中同一符号は同一、又は相当部分を示す。
を示す断面図である。 (1)はアース面となる金属導体、(4)はキャップに
固着された金属被膜、(5)は導電性接着剤である。 なお図中同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- アース面となる金属導体と、回路を保護するプラスチ
ックキャップでおおわれた混成集積回路において、上記
プラスチックキャップ内面または全面に金属被膜を施し
、その金属被膜が当該回路の主要部分と絶縁された状態
で、前記アース面となる金属導体と導電性接着剤で固着
された事を特徴とする高周波混成集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60229315A JPS6286841A (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 高周波混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60229315A JPS6286841A (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 高周波混成集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6286841A true JPS6286841A (ja) | 1987-04-21 |
| JPH0365896B2 JPH0365896B2 (ja) | 1991-10-15 |
Family
ID=16890211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60229315A Granted JPS6286841A (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 高周波混成集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6286841A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0677251U (ja) * | 1993-03-29 | 1994-10-28 | 京セラ株式会社 | 半導体素子収納用パッケージ |
| US5444297A (en) * | 1992-06-17 | 1995-08-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Noise resistant semiconductor power module |
| US5687470A (en) * | 1991-11-06 | 1997-11-18 | Nokia Mobile Phones Limited | Method for forming an RF shielded enclosure |
| US5703761A (en) * | 1995-09-07 | 1997-12-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Shielding for flat modules |
| EP0872889A3 (de) * | 1997-04-16 | 2000-04-19 | DaimlerChrysler Aerospace Aktiengesellschaft | Gehäuse für elektronische Bauelemente |
| KR100455015B1 (ko) * | 1996-05-08 | 2005-01-17 | 더블유.엘. 고어 앤드 어소시에이트스, 인코포레이티드 | 전자기장애/고주파간섭방해로부터전자소자를차폐하는리드어셈블리 |
| JP2015126289A (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-06 | 株式会社東芝 | 半導体パッケージ |
| JP2015126025A (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-06 | 株式会社東芝 | 半導体パッケージ |
| US9343794B2 (en) | 2014-02-07 | 2016-05-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Millimeter wave bands semiconductor package |
| US9343793B2 (en) | 2014-02-07 | 2016-05-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Millimeter wave bands semiconductor package |
| US9536843B2 (en) | 2013-12-25 | 2017-01-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor package and semiconductor module |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8951451B2 (en) | 2009-05-26 | 2015-02-10 | Incubation Alliance, Inc. | Carbon material and method for producing same |
-
1985
- 1985-10-14 JP JP60229315A patent/JPS6286841A/ja active Granted
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5687470A (en) * | 1991-11-06 | 1997-11-18 | Nokia Mobile Phones Limited | Method for forming an RF shielded enclosure |
| US5444297A (en) * | 1992-06-17 | 1995-08-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Noise resistant semiconductor power module |
| JPH0677251U (ja) * | 1993-03-29 | 1994-10-28 | 京セラ株式会社 | 半導体素子収納用パッケージ |
| US5703761A (en) * | 1995-09-07 | 1997-12-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Shielding for flat modules |
| KR100455015B1 (ko) * | 1996-05-08 | 2005-01-17 | 더블유.엘. 고어 앤드 어소시에이트스, 인코포레이티드 | 전자기장애/고주파간섭방해로부터전자소자를차폐하는리드어셈블리 |
| EP0872889A3 (de) * | 1997-04-16 | 2000-04-19 | DaimlerChrysler Aerospace Aktiengesellschaft | Gehäuse für elektronische Bauelemente |
| JP2015126289A (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-06 | 株式会社東芝 | 半導体パッケージ |
| JP2015126025A (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-06 | 株式会社東芝 | 半導体パッケージ |
| US9536843B2 (en) | 2013-12-25 | 2017-01-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor package and semiconductor module |
| US9343794B2 (en) | 2014-02-07 | 2016-05-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Millimeter wave bands semiconductor package |
| US9343793B2 (en) | 2014-02-07 | 2016-05-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Millimeter wave bands semiconductor package |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0365896B2 (ja) | 1991-10-15 |
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