JPH0365907B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0365907B2
JPH0365907B2 JP60026938A JP2693885A JPH0365907B2 JP H0365907 B2 JPH0365907 B2 JP H0365907B2 JP 60026938 A JP60026938 A JP 60026938A JP 2693885 A JP2693885 A JP 2693885A JP H0365907 B2 JPH0365907 B2 JP H0365907B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
firing
boat
cdte
solar cell
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP60026938A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS61187281A (ja
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP60026938A priority Critical patent/JPS61187281A/ja
Publication of JPS61187281A publication Critical patent/JPS61187281A/ja
Publication of JPH0365907B2 publication Critical patent/JPH0365907B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/543Solar cells from Group II-VI materials

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、太陽電池などに使用可能なCdS/
CdTe構造の太陽電池素子の製造方法に関するも
のである。
従来の技術 従来CdS/CdTe構造の太陽電池素子の製造方
法は、例えば特開昭59−115569号公報の第2図に
示されているような方法になつていた。すなわ
ち、その図において、ベルトコンベア式連続焼成
炉1のベルトコンベア2上にCdTeを塗布した太
陽電池基板を入れた半気密性焼成ボート3を1段
に並べて焼成するようになつている。
発明が解決しようとする問題点 すでに知られているように、CdS/CdTe構造
の太陽電池素子の製造方法として、ガラス基板上
にn形CdS焼結膜を形成し、その上に(Cd+Te)
粉と、融剤として作用する塩化カドミウムと粘結
剤を加えて混合し、泥状にしたものをスクリーン
印刷し、これを有孔蓋付きアルミナボート(半気
密性焼成ボート)に入れベルトコンベア式連続焼
成炉で温度620℃近傍の不活性ガスを含む雰囲気
中で焼成することによつてCdTe焼結膜を形成す
るものである。
上記方法において、融剤として添加した塩化カ
ドミウムは、焼成中温度上昇と共に融解し、徐々
に蒸発しながらCdTeの結晶成長作用を行い、焼
成が終了した時点ではほとんど塩化カドミウムは
存在しなくなることが望ましい。
以上のように、塩化カドミウムが融解し、
CdTeの結晶成長作用をさせながら焼成終了した
時点でほとんど塩化カドミウムは存在しない焼成
方法として、従来は焼成中の時間を長くして上述
の条件を満たすようにしていた。例えば、焼成炉
のベルトコンベアのスピードを1分間30mm(30
mm/min)で焼成をする。この方法では、塩化カ
ドミウムが融解、CdTeの結晶成長にも十分時間
的余裕があり、再現性のよい素子が得られている
が、焼成ベルトコンベアの長さは、焼成温度分布
を考慮して、4550mmある。そこで、1分間30mmの
焼成ベルトスピードでは約150分かかり、量産性
の向上が必要である。かかる問題に対して、ベル
トスピードを早くして焼成を試みたが、目的の特
性値が得られず、1分間30mmの焼成ベルトスピー
ドが限度であつた。
そこで、本発明は太陽電池に悪影響を与えず量
産性にすぐれ、再現性のあるCdTe膜焼成方法を
提供するものである。
問題点を解決するための手段 そして上記問題点を解決する本発明の技術的な
手段は、上記CdTeを塗布した太陽電池基板を入
れた半気密性焼成ボートを積重ねて焼成するに際
し、上下の焼成ボートの間に少なくとも2mmの〓
間を空けるものである。
作 用 この技術的手段による作用は次のようになる。
すなわち、CdTeを塗布した太陽電池基板を入
れた半気密性焼成ボートを積重ねて焼成する時、
上下ボートの間に2mm以上のすきまを空けて焼成
する。それによつて下段側の焼成ボート内の基板
からも発生する融剤の塩化カドミウムが、スムー
ズに蒸発できるものである。この作用により、上
段側のCdTe焼成膜と全く変わらない特性が得ら
れ、量産性が1段とよくなるものである。
実施例 以下、本発明の一実施例を比較例とともに添付
図面にもとづいて説明する。
比較例 1 第5図は、本発明に用いるベルトコンベア式連
続焼成炉で焼成ボートを1段積にした時の図であ
る。同図において、本体は部分的にカバー1で包
囲されており、ヒータ4によつて中央部が約620
℃となるように設定されている。N2ガスはガス
流出孔のあるガス管5により流量され、炉内の上
部には、数箇所に吸い込み孔のあるガス排気用管
6が取り付けられている。焼成ボート3には、
CdS膜上にCdTeを塗布した基板を入れ、第6図
に示すように無数に穴7をあけたアルミナの蓋8
を乗せて半気密性にして、ベルト2上に1段に並
べて焼成をする。
焼成の条件として、焼成温度、焼成炉ベルトス
ピード及び不活性ガスの強制排気量、N2ガス流
量等を設定する。焼成温度は620℃、焼成ベルト
スピード30cm/min、不活性ガスの強性排気量5
/min、N2ガス流量合計44/min、以上の条
件で焼成を行つた。その後すでに知られているよ
うに、CdTe膜上にカーボン膜、さらにその上に
銀膜、CdS膜上にはAg−In膜を形成させそれぞ
れ規定の焼成熱処理をすることにより、第4図に
示すような特性が得られた。
比較例 2 比較例1と異なる点は、前記方法において
CdTe焼成ボートを2段に積重ねて焼成する方法
である。前記に述べたように、融剤として添加し
た塩化カドミウムは、焼成中温度上昇とともに融
解し、前記アルミナ製ボートの蓋の無数の穴(半
気密性)から徐々に蒸発しながらCdTeの結晶成
長を行うものである。その意味から2段以上積重
ねて焼成する場合上下の焼成ボートを密着させて
焼成すると、下段の焼成ボートの蓋の無数の穴が
ふさがつて、CdTeの結晶成長が進みにくく、又
基板全体が黒くなつて、太陽光の入射が妨げられ
特性が悪くなる。
そこで本発明では、第2図に示すように、前記
アルミナ製ボートの蓋に高さ1mmの突起9をつけ
て、上段ボートと、下段ボートの間に1mmのスペ
ーサを施し、第1図のようにベルト上にボート1
0,10′を2段積にして比較例1と同じ条件で
焼成をした。すなわち、上下のボートの1mmのス
ペーサを施すことにより、下段の基板の前記塩化
カドミウムが融解し、CdTeの結晶成長作用が容
易になる。しかしこの方法によつてできた素子の
特性は第4図に示すように、下段の焼成素子の特
性は上段焼成素子より約10〜15%悪くなつた。こ
れは、1mmのスペーサでは、下段の基板の塩化カ
ドミウムの蒸発が不十分で、塩化カドミウムが
Cdte膜中に存在しているものである。
実施例 1 比較例2と異なる点は、前記アルミナボートの
蓋の突起の高さを2mmにした。各条件は比較例
1、2と同じ方法で焼成をした。上下焼成ポート
のスペーサを2mmにすることにより、融剤として
添加した塩化カドミウムは、焼成中温度上昇と共
に融解し、何の障害もなく、徐々に蒸発ができ、
ほとんど塩化カドミウムの存在もなく、CdTeの
結晶成長作用され、第4図に示すように、上下焼
成のボートによる特性の差はなく、そして、従来
の1段焼成方式と全く変わらない特性を得ること
ができた。又第3図に示すように、焼成ボート底
側にスペーサ用の突起のあるもの11及び上下の
焼成ボートの間にスペーサ物を部分的に置いて焼
成する方法では、そのいずれも2mm以上のすき間
を空けることにより従来の1段焼成方式と全く変
わらない特性が得られた。
発明の効果 以上詳述したように、本発明によるCdTe2段
焼成方式、すなわちアルミナ製焼成ボートの蓋及
び焼成ボートの底側に2mmの突起をつけて、上下
の焼成ボートにスペースを施すことによつて、従
来の1段焼成と全く同条件で、同じ特性が得られ
る。そして工数は、従来より大幅によくなり、量
産性向上に大いに貢献できるものである。
今回の実験で使用した焼成炉の大きさは、2段
焼成が限度であるが、大型焼成炉を使用すること
により、さらに積重ねてCdTe膜の焼成ができる
ものである。なお、CdSの焼成に同様の製造方法
を適用した場合、CdS膜が黒く着色したり、CdS
膜の高抵抗化が生じるのに対し、CdTeの場合
は、そのような否定的な現象が生じない、本発明
の製造方法の効果は、著しく大きいものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のCdTe膜2段焼成方法の焼成
ボートとベルトコンベア式連続焼成炉の断面図、
第2図は本発明のスペース用の突起のついた焼成
ボートの蓋を示す斜視図、第3図は本発明の焼成
ボート底側にスペーサ用の突起のついた焼成ボー
トを示す斜視図、第4図はCdTe膜焼成の1段焼
成と、本発明の2段焼成との太陽電池特性比較
図、第5図は従来のCdTe膜1段焼成方法の焼成
ボートと、ベルトコンベア式連続焼成炉の断面
図、第6図は従来のCdTe1段焼成ボートの蓋を
示す斜視図である。 1……焼成炉カバー、2……焼成炉ベルト、3
……1段焼成方式の焼成ボート、4……ヒータ、
5……N2ガス管、6……ガス排気用管、7……
従来の焼成ボート蓋の半気密性の穴、8……従来
の焼成ボートの蓋、9……本発明のCdTe膜焼成
2段方式の焼成ボートの蓋、10……本発明の
CdTe膜焼成2段方式の上段焼成ボート、10′
……本発明のCdTe膜焼成2段方式の下段焼成ボ
ート。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 透明なガラス基板上にCdS、CdTe、カーボ
    ン、Ag−In及び銀の焼結膜を積層して太陽電池
    素子を製造するに際し、前記CdS焼結膜上に前記
    CdTeの粉末および融剤を含むペーストを塗布
    し、これを半気密性焼成ボートに入れて、ベルト
    コンベア式連続焼成炉を用いて焼成する方法であ
    つて、前記半気密性焼成ボートを積み重ねて焼成
    するに際し、上下の焼成ボートの間に少なくとも
    2mmのすきまを空けることを特徴とする太陽電池
    の製造方法。 2 焼成ボートの蓋にスペーサ用の突起があるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の太陽
    電池の製造方法。 3 焼成ボートのケースの底側にスペーサ用の突
    起があることを特徴とする特許請求の範囲第1項
    記載の太陽電池の製造方法。 4 焼成ボート上下の間にスペーサ用物を部分的
    に置いてすき間を空けることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項記載の太陽電池の製造方法。
JP60026938A 1985-02-14 1985-02-14 太陽電池の製造方法 Granted JPS61187281A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60026938A JPS61187281A (ja) 1985-02-14 1985-02-14 太陽電池の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60026938A JPS61187281A (ja) 1985-02-14 1985-02-14 太陽電池の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61187281A JPS61187281A (ja) 1986-08-20
JPH0365907B2 true JPH0365907B2 (ja) 1991-10-15

Family

ID=12207088

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60026938A Granted JPS61187281A (ja) 1985-02-14 1985-02-14 太陽電池の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61187281A (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63144584A (ja) * 1986-12-09 1988-06-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 太陽電池のカ−ボン膜の焼成方法
JPS6457764A (en) * 1987-08-28 1989-03-06 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Manufacture of photovoltaic element

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5144376A (en) * 1974-10-15 1976-04-15 Chiyoda Chem Eng Construct Co Rokashujinki narabini rokatogyakusensochi
JPS59115577A (ja) * 1982-12-22 1984-07-04 Agency Of Ind Science & Technol 硫化カドミウム焼結膜の製造方法
JPS59115570A (ja) * 1982-12-22 1984-07-04 Agency Of Ind Science & Technol 光起電力素子の製造方法
JPS59115569A (ja) * 1982-12-22 1984-07-04 Agency Of Ind Science & Technol 光起電力素子の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS61187281A (ja) 1986-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH09246017A (ja) 積層型チップバリスタ及びその製造方法
JPH0365907B2 (ja)
JP3453857B2 (ja) 積層型バリスタの製造方法
JPS56114387A (en) Manufacture of photovoltaic force element
JPH03228379A (ja) 太陽電池用基板
JPS61107775A (ja) 太陽電池
JPH05290635A (ja) 透明導電電極及びその製造方法
JPS61219179A (ja) 半導体焼結膜の製造方法
JPH01179743A (ja) CdS焼結膜の製造方法
JPH0480548B2 (ja)
CN112015019A (zh) 电致变色器件及其制备方法
JPH0256819B2 (ja)
JPS6253956B2 (ja)
JPS6393168A (ja) 光起電力素子の製造方法
JPS6250066B2 (ja)
JPS6227556B2 (ja)
JPH0475301A (ja) 薄膜バリスタ
JPH05152103A (ja) サーミスタ素子の製造方法
JPS59223276A (ja) CdS/CdTe系太陽電池用焼結膜の製造方法
JPH03293779A (ja) 光電変換素子の製造方法
CN1540044A (zh) 提高铌酸钾锂晶片中锂含量的方法
JPH0483379A (ja) CdS―ZnS固溶体薄膜の製造方法
JPS6362469B2 (ja)
JPH0376273A (ja) 太陽電池用の半導体基板
JPH0818081A (ja) CdS/CdTe系太陽電池用焼結膜の製造方法