JPS6393168A - 光起電力素子の製造方法 - Google Patents
光起電力素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS6393168A JPS6393168A JP61239506A JP23950686A JPS6393168A JP S6393168 A JPS6393168 A JP S6393168A JP 61239506 A JP61239506 A JP 61239506A JP 23950686 A JP23950686 A JP 23950686A JP S6393168 A JPS6393168 A JP S6393168A
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- JP
- Japan
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- film
- cds
- manufacturing
- sintered
- photovoltaic device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は太陽電池などに使用可能なＣｄ Ｓ ／Ｃｄ
Ｔ。
Ｔ。
構造の光起電子素子の製造方法に関するものである。
従来の技術
従来、Ｃｄ Ｓ／ Ｃｄ Ｔｏ溝構造光起電子素子の製
造技術の一つとしてスクリーン印刷と、ベルトコンベア
炉焼成とを用いた製造方法がある。この方法の特徴は簡
単に実施でき、かつ量産性に富み、犬面積化が可能な安
価な光起電子素子が得られることにある（例えば、特開
昭５７−１３７７５号公報）。
造技術の一つとしてスクリーン印刷と、ベルトコンベア
炉焼成とを用いた製造方法がある。この方法の特徴は簡
単に実施でき、かつ量産性に富み、犬面積化が可能な安
価な光起電子素子が得られることにある（例えば、特開
昭５７−１３７７５号公報）。
以下図面を参照しながら、上述した従来のＣｄＳ／Ｃｃ
ｌＴｅ構造の光起電子素子の一例について説明する。
ｌＴｅ構造の光起電子素子の一例について説明する。
第２図Ａ−Ｄは、スクリーン印刷、ベルト炉焼成法によ
って作製された太陽電池の平面図と断面図である。
って作製された太陽電池の平面図と断面図である。
まず、粒径数ミクロンの高純度ＣｄＳに融剤として適量
のＣｄＣｌ２を加え、プロピレングリコール（ＰＧ ）
を溶媒としてペーストを作成する。次に、同ペーストを
ガラス基板１上にスクリーン印刷し、所定の容器に収納
後連続ベルト炉で焼成することによりＣｃｌＳ焼結膜２
を製造する。次に、このＣｄＳ焼結膜２上に微粉末にし
たＣｄ 、 Ｔｏ粉末に適量のＱｉＣＪ？２を加えＰＧ
を溶媒として作製したペーストをスクリーン印刷法で所
望のパターンで塗布し、ベルトコンベア炉で焼成するこ
とによりＣｄ Ｔｅ焼結膜３を形成する。この上に、Ｃ
ｄ Ｔｅ焼結膜３をＰ型化すると同時にＣｄ Ｔｅ焼結
膜３とオーミック接触するカーボンペーストを所望のパ
ターンで印刷し、熱処理を行うことによりカーボン膜４
を得、Ｃｄ Ｓ／Ｃｄ Ｔｏヘテロ接合を形成する。更
にＣｄＳ焼結膜２とオーミック接触するＡｇＩｎ電極５
とカーボン膜４上のＡｑ電極６をスクリーン印刷、コン
ベア炉焼成法によって形成し太陽電池素子を製造してい
る。
のＣｄＣｌ２を加え、プロピレングリコール（ＰＧ ）
を溶媒としてペーストを作成する。次に、同ペーストを
ガラス基板１上にスクリーン印刷し、所定の容器に収納
後連続ベルト炉で焼成することによりＣｃｌＳ焼結膜２
を製造する。次に、このＣｄＳ焼結膜２上に微粉末にし
たＣｄ 、 Ｔｏ粉末に適量のＱｉＣＪ？２を加えＰＧ
を溶媒として作製したペーストをスクリーン印刷法で所
望のパターンで塗布し、ベルトコンベア炉で焼成するこ
とによりＣｄ Ｔｅ焼結膜３を形成する。この上に、Ｃ
ｄ Ｔｅ焼結膜３をＰ型化すると同時にＣｄ Ｔｅ焼結
膜３とオーミック接触するカーボンペーストを所望のパ
ターンで印刷し、熱処理を行うことによりカーボン膜４
を得、Ｃｄ Ｓ／Ｃｄ Ｔｏヘテロ接合を形成する。更
にＣｄＳ焼結膜２とオーミック接触するＡｇＩｎ電極５
とカーボン膜４上のＡｑ電極６をスクリーン印刷、コン
ベア炉焼成法によって形成し太陽電池素子を製造してい
る。
ＣｄＳペーストにＣｄＣｌ２を加えるのは低温（ガラス
軟化点以下）でＣｄＳの一定焼結膜を得るためである。
軟化点以下）でＣｄＳの一定焼結膜を得るためである。
第３図にＣｄ Ｓ／Ｃｄ Ｃ１２の状態図を示す。Ｃｄ
Ｃｌ２は５６８℃で溶融し、ＣｄＳ粒子の表面部分でＣ
ｄＳとの共晶体をつくり、結果としてＣｄＳ粒子間にネ
ックを形成する。間膜はその後の熱処理で相互拡散し、
一体焼結膜になるものと思われる。
Ｃｌ２は５６８℃で溶融し、ＣｄＳ粒子の表面部分でＣ
ｄＳとの共晶体をつくり、結果としてＣｄＳ粒子間にネ
ックを形成する。間膜はその後の熱処理で相互拡散し、
一体焼結膜になるものと思われる。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記のような構成では、ＣｄＣｌ２の蒸発
速度が、ＣｄＳ結晶の粒径を大きく左右している。すな
わちｃｄＣＩ！２の蒸発速度が速いと結晶粒径が小さく
なる。同一素子のＣｄＳ膜において、周辺と中央では、
焼成時のＣｄＣｌ２蒸発速度が異なり、周辺の結晶粒径
が中央に比較して大幅に減少する。その結果、周辺部分
のＣｄＳ膜抵抗が増加すると共に光透過率が大幅に減少
する。
速度が、ＣｄＳ結晶の粒径を大きく左右している。すな
わちｃｄＣＩ！２の蒸発速度が速いと結晶粒径が小さく
なる。同一素子のＣｄＳ膜において、周辺と中央では、
焼成時のＣｄＣｌ２蒸発速度が異なり、周辺の結晶粒径
が中央に比較して大幅に減少する。その結果、周辺部分
のＣｄＳ膜抵抗が増加すると共に光透過率が大幅に減少
する。
ＣｄＳペースト中のＣｄＣｅ２を増加することによって
周辺部分は、いく分改善されるが、逆に中央部分に残存
するＣｄ Ｃ１２が増加し、Ｃｄ Ｔｅ膜との接合に悪
影響をおよぼす。
周辺部分は、いく分改善されるが、逆に中央部分に残存
するＣｄ Ｃ１２が増加し、Ｃｄ Ｔｅ膜との接合に悪
影響をおよぼす。
本発明は上記問題点に鑑み、ＣｄＳペースト中のＣｄＣ
ｅ２を増加させることなく、焼結後のＱｉＳ膜の周辺と
中央の結晶粒径バラツキを減少させた光起電子素子の製
造方法を提供するものである。
ｅ２を増加させることなく、焼結後のＱｉＳ膜の周辺と
中央の結晶粒径バラツキを減少させた光起電子素子の製
造方法を提供するものである。
問題点を解決するだめの手段
上記問題点を解決するために本発明の光起電子素子の製
造方法は、ＣｄＳ膜を基板周辺部分にも形成する２もの
である。
造方法は、ＣｄＳ膜を基板周辺部分にも形成する２もの
である。
作 用
本発明は上記した構成によって、素子周辺に印刷された
不要のＣｄＳ層中のＣｄＣ４２の蒸発により、素子自体
のＣｄＳ層周辺からのＣｄＣｌ２蒸発量が大幅に減少で
き、周辺部分の結晶粒径を増加させることができる。す
々わち、ＣｄＳ膜の中央と周辺との差がなくなるもので
ある。
不要のＣｄＳ層中のＣｄＣ４２の蒸発により、素子自体
のＣｄＳ層周辺からのＣｄＣｌ２蒸発量が大幅に減少で
き、周辺部分の結晶粒径を増加させることができる。す
々わち、ＣｄＳ膜の中央と周辺との差がなくなるもので
ある。
実施例
以下発明の一実施例の光起電子素子の製造方法について
、図面を参照しながら説明する。
、図面を参照しながら説明する。
第１図Ａ、Ｂは本発明の実施例における光起電子素子の
平面図及び断面図を示すものである。粒径数ミクロンの
高純度ＣｄＳに５重量係のＺｎＳおよび１０重量係のＣ
ｄ Ｃ（！２を加え、ＰＧを溶媒として作製したペース
トを図面に示すように、アルカリ含有量０３％以下のバ
リウム硼珪酸ガラス基板１上にスクリーン印刷する。こ
の詩画に示す様に光起電子素子の外形を決定する膜（こ
の場合はＣｄＳ膜）の周辺の不要ガラス基板上にＣｄＳ
膜から距離Ｄ（ｍ）だけ離して線＠Ｗ（ｒｓｗ）のＣｄ
Ｓ層を同時に印刷する。次に印刷したＣｄＳ層をベルト
コンベア炉にて焼成することによりＺｎＳ との固溶体
であるＣｄ Ｓ焼結膜２を製造する。次に、周辺不要部
分を除（’ＣｄＳ焼結膜２上に同じくスクリーン印刷法
で所望パターンのＣｄ Ｔｅ層を塗布し、ベルトコンベ
ア炉で焼成することによりＣｄ Ｔｅ焼結膜３を形成す
る。この上に、ＣｄＴｅ焼結膜３をＰ型化すると同時に
Ｃｄ Ｔｅ焼結膜３とオーミックは接触をするカーボン
ペーストを所望のパターンで印刷し、熱処理を行うこと
によりカーボン膜４を得、Ｃｄ Ｓ／Ｃｃｌ Ｔｅヘテ
ロ接合を形成する。更にＣｄ Ｓ焼結膜２とオーミック
接触する〜Ｉｎ電極６とカーボン膜４上のＡｑ電極６を
スクリーン印刷し、コンベア炉焼成法によって太陽電池
素子を製造した。
平面図及び断面図を示すものである。粒径数ミクロンの
高純度ＣｄＳに５重量係のＺｎＳおよび１０重量係のＣ
ｄ Ｃ（！２を加え、ＰＧを溶媒として作製したペース
トを図面に示すように、アルカリ含有量０３％以下のバ
リウム硼珪酸ガラス基板１上にスクリーン印刷する。こ
の詩画に示す様に光起電子素子の外形を決定する膜（こ
の場合はＣｄＳ膜）の周辺の不要ガラス基板上にＣｄＳ
膜から距離Ｄ（ｍ）だけ離して線＠Ｗ（ｒｓｗ）のＣｄ
Ｓ層を同時に印刷する。次に印刷したＣｄＳ層をベルト
コンベア炉にて焼成することによりＺｎＳ との固溶体
であるＣｄ Ｓ焼結膜２を製造する。次に、周辺不要部
分を除（’ＣｄＳ焼結膜２上に同じくスクリーン印刷法
で所望パターンのＣｄ Ｔｅ層を塗布し、ベルトコンベ
ア炉で焼成することによりＣｄ Ｔｅ焼結膜３を形成す
る。この上に、ＣｄＴｅ焼結膜３をＰ型化すると同時に
Ｃｄ Ｔｅ焼結膜３とオーミックは接触をするカーボン
ペーストを所望のパターンで印刷し、熱処理を行うこと
によりカーボン膜４を得、Ｃｄ Ｓ／Ｃｃｌ Ｔｅヘテ
ロ接合を形成する。更にＣｄ Ｓ焼結膜２とオーミック
接触する〜Ｉｎ電極６とカーボン膜４上のＡｑ電極６を
スクリーン印刷し、コンベア炉焼成法によって太陽電池
素子を製造した。
以上のように構成された光起電子素子のガラス基板周縁
上に形成したＣｄＳ膜のＤおよびＷの値と、その素子の
白色蛍光灯２００ルックス下の最大出力を第１表に示す
。表に示す通り、不要なガラス基板周縁上にＣｄ Ｓ膜
を印刷することによって特性の向上が見られる。特に光
起電子素子の周辺から３Ｈ以内の距離に位置し、その膜
の幅Ｗが３Ｈ以上ある時、その効果が大きいことがわか
る。
上に形成したＣｄＳ膜のＤおよびＷの値と、その素子の
白色蛍光灯２００ルックス下の最大出力を第１表に示す
。表に示す通り、不要なガラス基板周縁上にＣｄ Ｓ膜
を印刷することによって特性の向上が見られる。特に光
起電子素子の周辺から３Ｈ以内の距離に位置し、その膜
の幅Ｗが３Ｈ以上ある時、その効果が大きいことがわか
る。
Ｊ 第１表
特性の向上は、周辺部分のＣｄＳ結晶粒径の増大による
ものと思われる。周辺のＣｄＳ結晶粒径もＤを小さくＷ
を大きくすると、増大することが金属顕微鏡観察で確認
できた。
ものと思われる。周辺のＣｄＳ結晶粒径もＤを小さくＷ
を大きくすると、増大することが金属顕微鏡観察で確認
できた。
以上のように本実施例によれば、ＣｄＳ膜を基板の周辺
部分にも形成することによって、ＣｄＳ膜周辺の結晶粒
径が増大し、光電特性を向上させることができる。
部分にも形成することによって、ＣｄＳ膜周辺の結晶粒
径が増大し、光電特性を向上させることができる。
なお、実施例においては１個の光起電子素子をＣｄＳ膜
でかこんだが、数個の光起電子素子をＣｄＳ膜でかこん
でもよい。その場合、基板周辺に位置する光起電子素子
の特性が向上し、基板位置によるバラツキが減少した。
でかこんだが、数個の光起電子素子をＣｄＳ膜でかこん
でもよい。その場合、基板周辺に位置する光起電子素子
の特性が向上し、基板位置によるバラツキが減少した。
発明の効果
以上のように本発明は、ガラス基板周縁上にＣｄＳ膜を
印刷し、焼成することによって、光起電子素子の光電特
性を向上させることができる。
印刷し、焼成することによって、光起電子素子の光電特
性を向上させることができる。
第１図Ａは本発明の実施例における光起電子素子の平面
図、同ＢはＡのＢ −Ｂ’線に沿った断面図、第２図Ａ
は従来の光起電子素子の平面図、第２図Ｂ、Ｃ，Ｄは第
２図ＡのそれぞれＢ −Ｂ／線、Ｃ−Ｃ′線、Ｄ−Ｄ’
線に沿った断面図、第３図はＣｄ５−Ｃｄα２の状態図
である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・ＣｄＳ膜、
３・・・・・・Ｃｄ Ｔｅ膜、４・・・・・・カーボン
膜、５・・・・・・Ａｑｌｎ電力、６・・・・・・勾電
極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｌ−
カラス基本叉 ４−カーオマン冴漿 （Ｂ） ｌ一方ツス酵
図、同ＢはＡのＢ −Ｂ’線に沿った断面図、第２図Ａ
は従来の光起電子素子の平面図、第２図Ｂ、Ｃ，Ｄは第
２図ＡのそれぞれＢ −Ｂ／線、Ｃ−Ｃ′線、Ｄ−Ｄ’
線に沿った断面図、第３図はＣｄ５−Ｃｄα２の状態図
である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・ＣｄＳ膜、
３・・・・・・Ｃｄ Ｔｅ膜、４・・・・・・カーボン
膜、５・・・・・・Ａｑｌｎ電力、６・・・・・・勾電
極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｌ−
カラス基本叉 ４−カーオマン冴漿 （Ｂ） ｌ一方ツス酵
Claims (6)
- （１）基板上にＣｄＳもしくはＣｄとＳを含む化合物半
導体からなる第１の焼結膜を形成し、さらにその上にＣ
ｄＴｅもしくはＣｄとＴｅを含む化合物半導体よりなる
第２の焼結膜を形成した後、前記２つの焼結膜に電極を
形成して光起電子素子を製造するに際し、前記第１の焼
結膜を、基板周辺部分にも形成することを特徴する光起
電力素子の製造方法。 - （２）基板がガラス板である特許請求の範囲第１項記載
の光起電力素子の製造方法。 - （３）基板の周辺部分に形成する第１の焼結膜は、光起
電力素子の周辺から３ｍｍ以内の距離に位置し、その膜
の幅は３ｍｍ以上である特許請求の範囲第１項記載の光
起電力素子の製造方法。 - （４）第１の焼結膜を焼結する際、膜中にＣｄＣｌ＿２
をＣｄＳに対して重量比で１５〜２５％添加する特許請
求の範囲第１項記載の光起電力素子の製造方法。 - （５）第１の焼結膜を形成する工程が、薄膜をスクリー
ン印刷する工程からなり、光起電力素子用膜と基板周辺
部分に形成する膜とが同時に印刷される特許請求の範囲
第１項記載の光起電力素子の製造方法。 - （６）第１の焼結膜がＣｄＳ−ＺｎＳ固溶体膜である特
許請求の範囲第１項記載の光起電力素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61239506A JPS6393168A (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | 光起電力素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61239506A JPS6393168A (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | 光起電力素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6393168A true JPS6393168A (ja) | 1988-04-23 |
| JPH054824B2 JPH054824B2 (ja) | 1993-01-20 |
Family
ID=17045801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61239506A Granted JPS6393168A (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | 光起電力素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6393168A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0474482A (ja) * | 1990-07-16 | 1992-03-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5237785A (en) * | 1975-09-20 | 1977-03-23 | Agency Of Ind Science & Technol | Process for production of photovoltaic elements |
| JPS55117287A (en) * | 1979-03-02 | 1980-09-09 | Agency Of Ind Science & Technol | Photovoltaic element and fabricating the same |
| JPS60100482A (ja) * | 1983-11-05 | 1985-06-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換半導体装置の作製方法 |
-
1986
- 1986-10-08 JP JP61239506A patent/JPS6393168A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5237785A (en) * | 1975-09-20 | 1977-03-23 | Agency Of Ind Science & Technol | Process for production of photovoltaic elements |
| JPS55117287A (en) * | 1979-03-02 | 1980-09-09 | Agency Of Ind Science & Technol | Photovoltaic element and fabricating the same |
| JPS60100482A (ja) * | 1983-11-05 | 1985-06-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換半導体装置の作製方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0474482A (ja) * | 1990-07-16 | 1992-03-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH054824B2 (ja) | 1993-01-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |