JPH0366006A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH0366006A JPH0366006A JP20039389A JP20039389A JPH0366006A JP H0366006 A JPH0366006 A JP H0366006A JP 20039389 A JP20039389 A JP 20039389A JP 20039389 A JP20039389 A JP 20039389A JP H0366006 A JPH0366006 A JP H0366006A
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Links
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野1
本発明は磁気記録媒体に対して情報の磁気記録または再
生を行なう磁気ヘッドに関し、特に゛酸化物磁性材から
なり互いの突き合わせ面に金属磁性膜を成膜した一対の
磁気コア半体を磁気ギャップを介し突き合わせ、ガラス
溶着により接合して構成された磁気コアを有する磁気ヘ
ッドに関するものである。
生を行なう磁気ヘッドに関し、特に゛酸化物磁性材から
なり互いの突き合わせ面に金属磁性膜を成膜した一対の
磁気コア半体を磁気ギャップを介し突き合わせ、ガラス
溶着により接合して構成された磁気コアを有する磁気ヘ
ッドに関するものである。
[従来の技術]
近年、磁気記録技術の発展に伴ない、磁気ヘッドとして
は、高飽和磁束密度、高保磁力の磁気テープへの記録、
再生が可能であること、又磁気テープの面内での記録密
度を向上させるために、できるだけ挟トラック化が可能
であることが要求されている。従って従来の磁気ヘッド
の磁気コアの磁路全体が酸化物磁性材のフェライトから
なるフェライトコアでは高飽和磁束密度の点において不
十分なため、フェライトコアの磁気ギャップの突き合せ
面に飽和磁束密度の高い金属磁性材料(センダスト、非
晶質合金等)の薄膜をスパッタリング、蒸着等の真空薄
膜形成技術により形成した。いわゆるメタルインギャッ
プタイプの磁気ヘッドが有用である。
は、高飽和磁束密度、高保磁力の磁気テープへの記録、
再生が可能であること、又磁気テープの面内での記録密
度を向上させるために、できるだけ挟トラック化が可能
であることが要求されている。従って従来の磁気ヘッド
の磁気コアの磁路全体が酸化物磁性材のフェライトから
なるフェライトコアでは高飽和磁束密度の点において不
十分なため、フェライトコアの磁気ギャップの突き合せ
面に飽和磁束密度の高い金属磁性材料(センダスト、非
晶質合金等)の薄膜をスパッタリング、蒸着等の真空薄
膜形成技術により形成した。いわゆるメタルインギャッ
プタイプの磁気ヘッドが有用である。
このようなメタルインギャップタイプの磁気ヘッドの磁
気コアの構造を第3図に示す。第3図において符号11
.11’は磁気コア半体であり、この磁気コア半体11
.11’を磁気ギャップ8を介し突き合わせ、ガラス7
の溶着により接合して磁気コアが構成される。磁気コア
半体11.11°は酸化物磁性材のフェライトからなり
、突き合わせ面にセンダストなどからなる金属磁性膜2
が形成されている。
気コアの構造を第3図に示す。第3図において符号11
.11’は磁気コア半体であり、この磁気コア半体11
.11’を磁気ギャップ8を介し突き合わせ、ガラス7
の溶着により接合して磁気コアが構成される。磁気コア
半体11.11°は酸化物磁性材のフェライトからなり
、突き合わせ面にセンダストなどからなる金属磁性膜2
が形成されている。
ところでこのようなメタルインギャップタイプの磁気コ
アに用いる金属磁性膜2はガラス7と反応しやすく、金
属磁性膜2が直接ガラス7に接触していると金属磁性膜
2がガラス7により侵食される。そのため第3図に示す
ように金属磁性膜2のガラス7と対向する面に保護膜3
′として耐食性に優れたCr膜又はCr2O3膜のいず
れかを成膜する構造が採用されている。
アに用いる金属磁性膜2はガラス7と反応しやすく、金
属磁性膜2が直接ガラス7に接触していると金属磁性膜
2がガラス7により侵食される。そのため第3図に示す
ように金属磁性膜2のガラス7と対向する面に保護膜3
′として耐食性に優れたCr膜又はCr2O3膜のいず
れかを成膜する構造が採用されている。
[発明が解決しようとする課題1
ところが第3図の構造で保護膜3′としてCr膜あるい
はCr2O3膜のいずれか一方を用いた場合に以下のよ
うな問題があった。
はCr2O3膜のいずれか一方を用いた場合に以下のよ
うな問題があった。
まずCrを用いた場合には、Cr膜とガラスとの界面に
おいてガラスの結晶化が起こるためCr膜とガラスとの
接合強度が弱く、Cr膜とガラスの界面が剥離してしま
うことがある。その理由を以下に説明する。
おいてガラスの結晶化が起こるためCr膜とガラスとの
接合強度が弱く、Cr膜とガラスの界面が剥離してしま
うことがある。その理由を以下に説明する。
メタルインギャップタイプの磁気ヘッドでは、ガラス溶
着時の温度は低くする必要がある。その理由として、磁
気コアのフェライト上に金属磁性膜を形成する場合に金
属磁性膜とフェライトの物理的性質(線膨張係数等)の
違いから、高温でガラス溶着を行なうとフェライトにク
ラックが入る可能性が高い、また金属磁性膜が非晶質(
アモルファス)合金である場合にはその結晶化温度以下
で溶着することが必要である。しかしガラスは低融点の
ものほど耐環境性、耐摩耗性が悪くなる傾向がある。こ
のため種々の添加物を添加して低融点でも耐環境性、耐
摩耗性を向上させたガラスを用いている。しかしこのよ
うなガラスは添加物を含んでいるためどうしても不安定
になり、ガラスが他の物質と接する界面などに添加物の
PbやSiなどの結晶が析出しやすくなる。そしてガラ
スと接する保護膜がCr膜の場合にはCrがガラス中の
PbOや5i02といった成分から酸素を奪い、Cr膜
の界面は酸化物のCr2O3になろうとするため、pb
やSiなどの結晶析出が更に促進される。この結晶化の
結果としてCr膜とガラスの界面剥離といった問題が生
じる。
着時の温度は低くする必要がある。その理由として、磁
気コアのフェライト上に金属磁性膜を形成する場合に金
属磁性膜とフェライトの物理的性質(線膨張係数等)の
違いから、高温でガラス溶着を行なうとフェライトにク
ラックが入る可能性が高い、また金属磁性膜が非晶質(
アモルファス)合金である場合にはその結晶化温度以下
で溶着することが必要である。しかしガラスは低融点の
ものほど耐環境性、耐摩耗性が悪くなる傾向がある。こ
のため種々の添加物を添加して低融点でも耐環境性、耐
摩耗性を向上させたガラスを用いている。しかしこのよ
うなガラスは添加物を含んでいるためどうしても不安定
になり、ガラスが他の物質と接する界面などに添加物の
PbやSiなどの結晶が析出しやすくなる。そしてガラ
スと接する保護膜がCr膜の場合にはCrがガラス中の
PbOや5i02といった成分から酸素を奪い、Cr膜
の界面は酸化物のCr2O3になろうとするため、pb
やSiなどの結晶析出が更に促進される。この結晶化の
結果としてCr膜とガラスの界面剥離といった問題が生
じる。
一方、保護膜としてCr2O3膜を用いた場合は、Cr
2O3は酸化物なので上記のCrのような問題は生じな
いが、ガラス溶着工程時にフェライトやガラス等にヒビ
、クラック等が発生しやすいという問題がある。その理
由を以下に説明する。
2O3は酸化物なので上記のCrのような問題は生じな
いが、ガラス溶着工程時にフェライトやガラス等にヒビ
、クラック等が発生しやすいという問題がある。その理
由を以下に説明する。
メタルインギャップタイプの磁気ヘッドの磁気コアの製
造工程では、フェライト上に金属磁性膜を形成し、その
上に保護膜を形成し、さらにガラスを流し込むことにな
る。このガラスを流し込むガラス溶着工程では当然加熱
するわけであるが、すべての物質は加熱されると熱膨張
を起す、したがって、フェライト、金属磁性膜、保護膜
及びガラスの熱に対する熱膨張をおこす線膨張率がほぼ
同程度でなければ各材料間に応力がかかり、ヒビやクラ
ック等が発生する。メタルインギャップタイプの磁気ヘ
ッドのガラス溶着の温度は上述のように低くすることが
望ましく、600℃程度である。常温から600℃まで
の範囲での各材料の線膨張率はフェライトが110〜1
30X10−’/℃、金属磁性膜が12O〜160xl
O−’ /℃、ガラスが90〜12OXlO−’/℃
である。それに対してCr2O3は約70X10−’/
℃であり、他の材料と比べ極端に小さい。このため保護
膜としてCr2O3膜を用いた場合にはガラス溶着時に
各材料間の応力が大きくなり、ヒビ、クラック等が発生
しやすくなるわけである。
造工程では、フェライト上に金属磁性膜を形成し、その
上に保護膜を形成し、さらにガラスを流し込むことにな
る。このガラスを流し込むガラス溶着工程では当然加熱
するわけであるが、すべての物質は加熱されると熱膨張
を起す、したがって、フェライト、金属磁性膜、保護膜
及びガラスの熱に対する熱膨張をおこす線膨張率がほぼ
同程度でなければ各材料間に応力がかかり、ヒビやクラ
ック等が発生する。メタルインギャップタイプの磁気ヘ
ッドのガラス溶着の温度は上述のように低くすることが
望ましく、600℃程度である。常温から600℃まで
の範囲での各材料の線膨張率はフェライトが110〜1
30X10−’/℃、金属磁性膜が12O〜160xl
O−’ /℃、ガラスが90〜12OXlO−’/℃
である。それに対してCr2O3は約70X10−’/
℃であり、他の材料と比べ極端に小さい。このため保護
膜としてCr2O3膜を用いた場合にはガラス溶着時に
各材料間の応力が大きくなり、ヒビ、クラック等が発生
しやすくなるわけである。
ちなみに保護膜にCr膜を用いた場合はCrの線膨張率
は約90X10−’/”Cであり、各材料間の線膨張率
差により発生する応力がヒビやクラックなどの発生しな
い許容範囲に入る。
は約90X10−’/”Cであり、各材料間の線膨張率
差により発生する応力がヒビやクラックなどの発生しな
い許容範囲に入る。
本発明の課題は上述のようなメタルインギャップタイプ
の磁気ヘッドにおける保護膜とガラスとの剥離及びフェ
ライト、ガラス等に発生するヒビ、クラック等の問題を
解決することにある・[課題を解決するための手段] 上記の課題を解決するため本発明によれば、酸化物磁性
材からなり互いの突き合わせ面に金属磁性膜を成膜した
一対の磁気コア半体を磁気ギャップを介し突き合わせ、
ガラス溶着により接合して構成された磁気コアを有する
磁気ヘッドにおいて、前記金属磁性膜の前記溶着用ガラ
スと対向する面上にCr1aとCr2O3膜を積層して
成膜した構造を採用した。
の磁気ヘッドにおける保護膜とガラスとの剥離及びフェ
ライト、ガラス等に発生するヒビ、クラック等の問題を
解決することにある・[課題を解決するための手段] 上記の課題を解決するため本発明によれば、酸化物磁性
材からなり互いの突き合わせ面に金属磁性膜を成膜した
一対の磁気コア半体を磁気ギャップを介し突き合わせ、
ガラス溶着により接合して構成された磁気コアを有する
磁気ヘッドにおいて、前記金属磁性膜の前記溶着用ガラ
スと対向する面上にCr1aとCr2O3膜を積層して
成膜した構造を採用した。
[作 用]
このような構造によれば、Crは線膨張率が酸化物磁性
材、ガラス、金属磁性材に近い、またCr2O3膜はガ
ラスとの界面での剥離の問題がない、従ってCr膜とC
r2O3膜の長所の組み合せによって上述の磁気コアに
おける各材料間の線膨張率の差によるヒビ、クラックの
問題、及びガラスとの界面での剥離の問題を解決できる
。
材、ガラス、金属磁性材に近い、またCr2O3膜はガ
ラスとの界面での剥離の問題がない、従ってCr膜とC
r2O3膜の長所の組み合せによって上述の磁気コアに
おける各材料間の線膨張率の差によるヒビ、クラックの
問題、及びガラスとの界面での剥離の問題を解決できる
。
[実施例1
以下、図面に示す実施例に基づいて本発明の詳細な説明
する。
する。
第1実施例
第1図(A)〜(G)は本発明の実施例による磁気ヘッ
ドの磁気コアの製造工程と構造を説明するものである。
ドの磁気コアの製造工程と構造を説明するものである。
まず完成した磁気コアを示す第1図(F)、(G)を参
照して本実施例の磁気コアの構造を説明する。
照して本実施例の磁気コアの構造を説明する。
第1図(F)、(G)において符号11゜11′は磁気
コア半体である。この磁気コア半体11.11′を磁気
ギャップ8を介し突き合わせ、ガラス7の溶着により接
合して磁気コアが構成される。 磁気コア半体11.1
1’は酸化物磁性材のフェライトからなり、磁気コア半
体11.11’の磁気ギャップ8を介して対向する突き
合わせ面にはセンダスト等から成る金属磁性膜2が成膜
されている。磁気コア半体11゜11′の金属磁性膜2
の端面どうじが磁気ギャップ8を介して対向させられる
。又第1図(F)に示すように磁気コア半体11.11
”の突き合わせ面の断面形状は後述する第1と第2のト
ラック溝9.6によりほぼV字形に形成されており、ト
ラック溝9.6による凹部にガラス7が充填されている
。 そして磁気コア半体11.11′の金属磁性膜2の
それぞれにおいてガラス7に対向する面上には第1の保
護膜としてCr膜3が積層して形成されており、更にこ
のCr膜3上に第2の保護膜としてCr2O3膜4が積
層して成膜されている。
コア半体である。この磁気コア半体11.11′を磁気
ギャップ8を介し突き合わせ、ガラス7の溶着により接
合して磁気コアが構成される。 磁気コア半体11.1
1’は酸化物磁性材のフェライトからなり、磁気コア半
体11.11’の磁気ギャップ8を介して対向する突き
合わせ面にはセンダスト等から成る金属磁性膜2が成膜
されている。磁気コア半体11゜11′の金属磁性膜2
の端面どうじが磁気ギャップ8を介して対向させられる
。又第1図(F)に示すように磁気コア半体11.11
”の突き合わせ面の断面形状は後述する第1と第2のト
ラック溝9.6によりほぼV字形に形成されており、ト
ラック溝9.6による凹部にガラス7が充填されている
。 そして磁気コア半体11.11′の金属磁性膜2の
それぞれにおいてガラス7に対向する面上には第1の保
護膜としてCr膜3が積層して形成されており、更にこ
のCr膜3上に第2の保護膜としてCr2O3膜4が積
層して成膜されている。
尚第1図(G)に示すように磁気コア半体11.11’
の突き合わせ面の下端部にはガラス7を充填するための
ガラス満lOが形成されている。又一方の磁気コア半体
11の突き合わせ面の上部には巻き線溝6が形成され、
磁気コア半体11.11′の突き合わせ面と対向する外
側面のそれぞれに巻線溝6°、6°が形成されている。
の突き合わせ面の下端部にはガラス7を充填するための
ガラス満lOが形成されている。又一方の磁気コア半体
11の突き合わせ面の上部には巻き線溝6が形成され、
磁気コア半体11.11′の突き合わせ面と対向する外
側面のそれぞれに巻線溝6°、6°が形成されている。
そしてこの巻き線溝6.6°、6°を介して不図示のコ
イル巻線を磁気コアに巻回して磁気ヘッドが構成される
。
イル巻線を磁気コアに巻回して磁気ヘッドが構成される
。
次に第1図(A)〜(G)により本実施例の磁気コアの
製造工程を説明する。
製造工程を説明する。
第1図(A)において符号lは上述した磁気コア半体1
1ないしtt’の複数個を切り出す母材のフェライトブ
ロックである。フェライトブロック1は矩形の厚板状に
形成される6本実施例の磁気コアの製造工程ではまずこ
のフェライトブロックlの突き合わせ面となる図中上面
に第1図(A)に示すように断面が直角三角形状の第1
のトラック溝9を所定間隔で平行に形成する。
1ないしtt’の複数個を切り出す母材のフェライトブ
ロックである。フェライトブロック1は矩形の厚板状に
形成される6本実施例の磁気コアの製造工程ではまずこ
のフェライトブロックlの突き合わせ面となる図中上面
に第1図(A)に示すように断面が直角三角形状の第1
のトラック溝9を所定間隔で平行に形成する。
次に第1図(B)に示すようにフェライトブロックlの
トラック溝9を形成した面上に上述した金属磁性膜2を
25μm程度の膜厚でスパッタリング等により成膜し、
更にその上にCr膜を3000A程度の膜厚で成膜し、
更にその上にCr2O3膜4を1000λ程度の膜厚で
成膜する。
トラック溝9を形成した面上に上述した金属磁性膜2を
25μm程度の膜厚でスパッタリング等により成膜し、
更にその上にCr膜を3000A程度の膜厚で成膜し、
更にその上にCr2O3膜4を1000λ程度の膜厚で
成膜する。
次にフェライトブロックlの第1図(B)中上面をラッ
ピングし、第1図(C)に示すようにトラック溝9以外
のフェライトブロックlの上面に付着したCr2O3膜
4、Cr膜3j5よび金属成膜2を除去する。
ピングし、第1図(C)に示すようにトラック溝9以外
のフェライトブロックlの上面に付着したCr2O3膜
4、Cr膜3j5よび金属成膜2を除去する。
次に第1図(D)に示すようにフェライトブロック1に
第2のトラック溝5を所定間隔で形成し、又巻線溝6°
及びガラス溝10.10′を形成する。そしてこのフェ
ライトブロックlを2つ用意し、その一方に第1図(E
)に示すように巻線溝6を形成する。又図示していない
が、前記の2つのフェライトブロックlの一方または両
方の突き合わせ面にギャップ材の5i02膜をスパッタ
リングにより成膜しておく。
第2のトラック溝5を所定間隔で形成し、又巻線溝6°
及びガラス溝10.10′を形成する。そしてこのフェ
ライトブロックlを2つ用意し、その一方に第1図(E
)に示すように巻線溝6を形成する。又図示していない
が、前記の2つのフェライトブロックlの一方または両
方の突き合わせ面にギャップ材の5i02膜をスパッタ
リングにより成膜しておく。
続いて第1図(E)に示すように巻線溝6を形成したフ
ェライトブロックlと巻き線溝6を形成していないフェ
ライトブロック1′を突き合わせ、ガラス溝10.10
′にガラス7を充填してガラス溶着により両ブロック1
.1′を接合する。この際にガラス7はガラス満10.
10′だけでなくトラック溝5.9にも充填される。
ェライトブロックlと巻き線溝6を形成していないフェ
ライトブロック1′を突き合わせ、ガラス溝10.10
′にガラス7を充填してガラス溶着により両ブロック1
.1′を接合する。この際にガラス7はガラス満10.
10′だけでなくトラック溝5.9にも充填される。
次にフェライトブロック1.1′の接合体の第1図(E
)中手前側の側面を円筒形に研削した後、フェライトブ
ロック1.1′の接合体を所定のアジマス角がつくよう
に所定角度傾斜した切断面で所定間隔で切断し、第1図
(F)、(G)に示す磁気コアの完成品が得られる。
)中手前側の側面を円筒形に研削した後、フェライトブ
ロック1.1′の接合体を所定のアジマス角がつくよう
に所定角度傾斜した切断面で所定間隔で切断し、第1図
(F)、(G)に示す磁気コアの完成品が得られる。
以上のような本実施例の磁気ヘッドの磁気コアの構成に
よれば、Cr膜3及びCr2O3膜4により金属磁性膜
2を保護できる。そして本実施例ではCr膜3は磁気コ
ア半体11.11′のフェライト及びガラス7との線膨
張率の差が小さい。
よれば、Cr膜3及びCr2O3膜4により金属磁性膜
2を保護できる。そして本実施例ではCr膜3は磁気コ
ア半体11.11′のフェライト及びガラス7との線膨
張率の差が小さい。
又Cr膜3とCr2O3膜4の線膨張率の差は小さい、
しかもCr2O3膜4の膜厚は薄い、従ってガラス溶着
時に突き合わせ面に発生する応力が小さく、先述したフ
ェライト及びガラス部分のヒビやクラック等の発生を防
止できる。
しかもCr2O3膜4の膜厚は薄い、従ってガラス溶着
時に突き合わせ面に発生する応力が小さく、先述したフ
ェライト及びガラス部分のヒビやクラック等の発生を防
止できる。
また本実施例によれば、Cr膜3はガラス7に接触せず
、酸化物のCr2O3膜4がガラス7に接触するので、
先述したCr膜がガラスと接触する場合のようなガラス
との界面の剥離の問題は生じない。
、酸化物のCr2O3膜4がガラス7に接触するので、
先述したCr膜がガラスと接触する場合のようなガラス
との界面の剥離の問題は生じない。
このように本実施例によれば、フェライトないしガラス
部分のヒビやクラック等の発生を防止できると共に保護
膜のガラスとの界面の剥離を防止できる。従って磁気コ
アの品質を向上できるとともに、歩留まりを向上でき、
コストダウンが図れる。
部分のヒビやクラック等の発生を防止できると共に保護
膜のガラスとの界面の剥離を防止できる。従って磁気コ
アの品質を向上できるとともに、歩留まりを向上でき、
コストダウンが図れる。
第2実施例
次に第2図は本発明の第2実施例による磁気ヘッドの磁
気コアの構造を説明するもので、磁気コアの磁気テープ
摺動面を示している。
気コアの構造を説明するもので、磁気コアの磁気テープ
摺動面を示している。
第2図に示すように、本実施例では磁気コア半体11.
11′の磁気ギャップ8を介して対向する突き合わせ面
の断面形状は台形に形成されている。そしてその台形の
突き合わせ面の全面に金属磁性膜2が成膜され、金属磁
性膜2の磁気ギャップ8に面する部分以外の部分の表面
にCr膜3が積層して形成され、その上にCr2O3膜
4が積層して形成されている。第1実施例では金属磁性
膜2の膜面が磁気ギャップ8に交わる方向に形成されて
いたのに対して本実施例では金属磁性膜2の磁気ギャッ
プ8に面する部分の膜面は磁気ギャップ8に平行に形成
されている。
11′の磁気ギャップ8を介して対向する突き合わせ面
の断面形状は台形に形成されている。そしてその台形の
突き合わせ面の全面に金属磁性膜2が成膜され、金属磁
性膜2の磁気ギャップ8に面する部分以外の部分の表面
にCr膜3が積層して形成され、その上にCr2O3膜
4が積層して形成されている。第1実施例では金属磁性
膜2の膜面が磁気ギャップ8に交わる方向に形成されて
いたのに対して本実施例では金属磁性膜2の磁気ギャッ
プ8に面する部分の膜面は磁気ギャップ8に平行に形成
されている。
このような本実施例の構造によってもCr膜3とCr2
O3膜4により第1実施例と同様の効果が得られる。
O3膜4により第1実施例と同様の効果が得られる。
なお以上では金属磁性膜2の材料としてセンダストを挙
げたが、例えばGo−Nb−Zr系アモルファス等のア
モルファス合金を用いても良い。
げたが、例えばGo−Nb−Zr系アモルファス等のア
モルファス合金を用いても良い。
また以上では金属磁性膜2上にCr膜とCr2O3膜の
みを積層して成膜するものとしたが、更に保護膜材料と
して好ましい性質を有する他の材料からなる薄膜を成膜
し、3層以上の薄膜を金属磁性膜上に積層して成膜する
ことが考えられる。
みを積層して成膜するものとしたが、更に保護膜材料と
して好ましい性質を有する他の材料からなる薄膜を成膜
し、3層以上の薄膜を金属磁性膜上に積層して成膜する
ことが考えられる。
[発明の効果]
以上の説明から明らかなように本発明によれば、酸化物
磁性材からなり互いの突き合わせ面に金属磁性膜を成膜
した一対の磁気コア半体を磁気ギャップを介し突き合わ
せ、ガラス溶着により接合して構成された磁気コアを有
する磁気ヘッドに、おいて、前記金属磁性膜の前記溶着
用ガラスと対向する面上にCr膜とCr2O3膜を積層
して成膜した構造を採用したので、磁気コアにおける各
材料間の線膨張率の差によるヒビ、クラックの発生を防
止できると共に溶着用ガラスの界面での剥離を防止でき
、磁気コアの品質を向上できると共に歩留りを良くして
磁気ヘッドのコストダウンが図れるという優れた効果が
得られる。
磁性材からなり互いの突き合わせ面に金属磁性膜を成膜
した一対の磁気コア半体を磁気ギャップを介し突き合わ
せ、ガラス溶着により接合して構成された磁気コアを有
する磁気ヘッドに、おいて、前記金属磁性膜の前記溶着
用ガラスと対向する面上にCr膜とCr2O3膜を積層
して成膜した構造を採用したので、磁気コアにおける各
材料間の線膨張率の差によるヒビ、クラックの発生を防
止できると共に溶着用ガラスの界面での剥離を防止でき
、磁気コアの品質を向上できると共に歩留りを良くして
磁気ヘッドのコストダウンが図れるという優れた効果が
得られる。
第1図(A)〜(G)は本発明の第1実施例による磁気
ヘッドの磁気コアの構造及び製造工程を説明するもので
、第1図(A)は第・lのトラック溝を形成したフェラ
イトブロックの斜視図、第1図(B)は金属磁性膜及び
2層の保護膜を成膜した状態の斜視図、第1図(C)は
ラッピング後の状態を示す斜視図、第1図(D)は第2
のトラック溝とガラス溝を形成した状態の斜視図、第1
図(E)は2つのフェライトブロックを接合した状態の
斜視図、第1図(F)は完成した磁気コアの磁気テープ
摺動面の平面図、第1図(G)は完成した磁気コアの側
面図、第2図は第2実施例による磁気コアの構造を示す
磁気テープ摺動面の平面図、第3図は従来の磁気コアの
構造を示す磁気テープ摺動面の平面図である。 l・・・フェライトブロック 2・・・金属磁性膜3
− Cr膜 4=−Cr2O3膜5.9・・・ト
ラック溝 6.6°・・・巻線溝7・・・ガラス
8・・・磁気ギャップ10.10’・・・ガラス溝 11.11”・・・磁気コア半体 今、/Cンデ俵の#+視の 第11!1(C) #1111(B) トラック溝、d9ス溝6威゛イ東の糾着勃0第1WA(
D) フェライ計プ・口、りをgfし’h郭4曝r)尋斗視(
2)第1図(E) @気コアのゲーブ摺知面Q手面− 第1図(F) イ望回転%つ”FQイ!!」め6乏〕 第1図(G)
ヘッドの磁気コアの構造及び製造工程を説明するもので
、第1図(A)は第・lのトラック溝を形成したフェラ
イトブロックの斜視図、第1図(B)は金属磁性膜及び
2層の保護膜を成膜した状態の斜視図、第1図(C)は
ラッピング後の状態を示す斜視図、第1図(D)は第2
のトラック溝とガラス溝を形成した状態の斜視図、第1
図(E)は2つのフェライトブロックを接合した状態の
斜視図、第1図(F)は完成した磁気コアの磁気テープ
摺動面の平面図、第1図(G)は完成した磁気コアの側
面図、第2図は第2実施例による磁気コアの構造を示す
磁気テープ摺動面の平面図、第3図は従来の磁気コアの
構造を示す磁気テープ摺動面の平面図である。 l・・・フェライトブロック 2・・・金属磁性膜3
− Cr膜 4=−Cr2O3膜5.9・・・ト
ラック溝 6.6°・・・巻線溝7・・・ガラス
8・・・磁気ギャップ10.10’・・・ガラス溝 11.11”・・・磁気コア半体 今、/Cンデ俵の#+視の 第11!1(C) #1111(B) トラック溝、d9ス溝6威゛イ東の糾着勃0第1WA(
D) フェライ計プ・口、りをgfし’h郭4曝r)尋斗視(
2)第1図(E) @気コアのゲーブ摺知面Q手面− 第1図(F) イ望回転%つ”FQイ!!」め6乏〕 第1図(G)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)酸化物磁性材からなり互いの突き合わせ面に金属磁
性膜を成膜した一対の磁気コア半体を磁気ギャップを介
し突き合わせ、ガラス溶着により接合して構成された磁
気コアを有する磁気ヘッドにおいて、前記金属磁性膜の
前記溶着用ガラスと対向する面上にCr膜とCr_2O
_3膜を積層して成膜したことを特徴とする磁気ヘッド
。 2)前記金属磁性膜上にまずCr膜が成膜され、このC
r膜上にCr_2O_3膜が成膜され、Cr_2O_3
膜が前記溶着用ガラスに接することを特徴とする請求項
第1項に記載の磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20039389A JPH0366006A (ja) | 1989-08-03 | 1989-08-03 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20039389A JPH0366006A (ja) | 1989-08-03 | 1989-08-03 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0366006A true JPH0366006A (ja) | 1991-03-20 |
Family
ID=16423580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20039389A Pending JPH0366006A (ja) | 1989-08-03 | 1989-08-03 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0366006A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04245005A (ja) * | 1991-01-30 | 1992-09-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
| FR2694835A1 (fr) * | 1992-08-03 | 1994-02-18 | Philips Electronics Nv | Tête magnétique recouverte d'une couche comportant essentiellement du Cr2O3 et procédé de fabrication d'une telle tête magnétique. |
| EP0590701A3 (ja) * | 1992-08-03 | 1994-08-31 | Philips Nv | |
| EP0616317A3 (en) * | 1993-03-16 | 1995-06-14 | Sharp Kk | Thin film magnetic head and its manufacturing method. |
-
1989
- 1989-08-03 JP JP20039389A patent/JPH0366006A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04245005A (ja) * | 1991-01-30 | 1992-09-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
| FR2694835A1 (fr) * | 1992-08-03 | 1994-02-18 | Philips Electronics Nv | Tête magnétique recouverte d'une couche comportant essentiellement du Cr2O3 et procédé de fabrication d'une telle tête magnétique. |
| EP0590701A3 (ja) * | 1992-08-03 | 1994-08-31 | Philips Nv | |
| EP0616317A3 (en) * | 1993-03-16 | 1995-06-14 | Sharp Kk | Thin film magnetic head and its manufacturing method. |
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