JPH036659B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH036659B2 JPH036659B2 JP18301384A JP18301384A JPH036659B2 JP H036659 B2 JPH036659 B2 JP H036659B2 JP 18301384 A JP18301384 A JP 18301384A JP 18301384 A JP18301384 A JP 18301384A JP H036659 B2 JPH036659 B2 JP H036659B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- gate
- control electrode
- semiconductor device
- cathode
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/10—Containers or parts thereof
- H10W76/12—Containers or parts thereof characterised by their shape
- H10W76/13—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection
- H10W76/138—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection having another interconnection being formed by a cover plate parallel to the conductive base, e.g. sandwich type
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、環状の制御電極を有する半導体装
置、特にその半導体装置の制御電極取出し構造の
改良に関するものである。
置、特にその半導体装置の制御電極取出し構造の
改良に関するものである。
大容量のゲートターンオフサイリスタや、トラ
ンジスタにおいては、大容量化に伴て制御用電極
（ゲートまたはベース）に流す電流が大きくなり、
最近では数10A〜数100Aの電流を流すものも実
用化されている。特に大容量ゲートターンオフサ
イリスタでは、ターンオフ時に必要なゲート逆電
流が大きく、しかも瞬時に、均一に電流を流す必
要があるため、ゲートとカソード間のインピーダ
ンスを極力小さくする工夫がなされている。例え
ば、ゲート電極の取出し部分の形状を環状にして
取出し部分からエミツタ領域までの距離の短縮と
電流分布の均一化、軽減が図られている。
ンジスタにおいては、大容量化に伴て制御用電極
（ゲートまたはベース）に流す電流が大きくなり、
最近では数10A〜数100Aの電流を流すものも実
用化されている。特に大容量ゲートターンオフサ
イリスタでは、ターンオフ時に必要なゲート逆電
流が大きく、しかも瞬時に、均一に電流を流す必
要があるため、ゲートとカソード間のインピーダ
ンスを極力小さくする工夫がなされている。例え
ば、ゲート電極の取出し部分の形状を環状にして
取出し部分からエミツタ領域までの距離の短縮と
電流分布の均一化、軽減が図られている。
第１図は従来の半導体装置、特に環状のゲート
電極構造を有するゲートターンオフサイリスタの
エレメントの平面図である。第１図において、１
は半導体基体であるエレメント、１ａはシリコン
ウエハ、１ｂはこのシリコンウエハ１ａを支持す
る補強板、１ｃはゲート電極、１ｄはカソード電
極、１ｅ，１ｆは前記ゲート電極１ｃの集電電極
の部分である。
電極構造を有するゲートターンオフサイリスタの
エレメントの平面図である。第１図において、１
は半導体基体であるエレメント、１ａはシリコン
ウエハ、１ｂはこのシリコンウエハ１ａを支持す
る補強板、１ｃはゲート電極、１ｄはカソード電
極、１ｅ，１ｆは前記ゲート電極１ｃの集電電極
の部分である。
第１図における従来のゲートターンオフサイリ
スタは主としてワイヤボンデイングによつてエレ
メント１のゲート電極１ｃと外部のゲート電極
（図示してない）とを直接接続しており、第２図
はこのようなゲート電極の取出し構造の示す斜視
図である。
スタは主としてワイヤボンデイングによつてエレ
メント１のゲート電極１ｃと外部のゲート電極
（図示してない）とを直接接続しており、第２図
はこのようなゲート電極の取出し構造の示す斜視
図である。
第２図においては、２はボンデイング用のアル
ミ線からなるゲート取出し電極であり、このアル
ミ線としては通常直径0.3〜0.7mmのものが用いら
れ、また、このアルミ線はゲート電流の通電分布
を均一化するするために、エレメント１の環状の
集電電極１ｅに対してほぼ等間隔に数ケ所から数
10ケ所ボンデイングを行う必要がある。
ミ線からなるゲート取出し電極であり、このアル
ミ線としては通常直径0.3〜0.7mmのものが用いら
れ、また、このアルミ線はゲート電流の通電分布
を均一化するするために、エレメント１の環状の
集電電極１ｅに対してほぼ等間隔に数ケ所から数
10ケ所ボンデイングを行う必要がある。
この従来の装置では、ボンデイングに使用する
アルミ線自体の電気抵抗を無視できず、特に数
100Aの大電流を流す場合には、このアルミ線の
部分の抵抗が大きいと、主電流を遮断する際に、
ゲートからのキヤリアの排出が充分に行われず、
そのためゲートターンオフサイリスタの制御可能
電流を低下させてしまうことがあつた。
アルミ線自体の電気抵抗を無視できず、特に数
100Aの大電流を流す場合には、このアルミ線の
部分の抵抗が大きいと、主電流を遮断する際に、
ゲートからのキヤリアの排出が充分に行われず、
そのためゲートターンオフサイリスタの制御可能
電流を低下させてしまうことがあつた。
一方、ゲートターンオフサイリスタの大容量化
が進むにつれて、エレメントの大口径化が進み、
これに伴つて前述のゲート取出し電流２の配線長
が長くなり、また、遮断時に必要とされるゲート
電流は増加するので、ゲート配線部分の電気抵抗
をさらに低くする必要がある。
が進むにつれて、エレメントの大口径化が進み、
これに伴つて前述のゲート取出し電流２の配線長
が長くなり、また、遮断時に必要とされるゲート
電流は増加するので、ゲート配線部分の電気抵抗
をさらに低くする必要がある。
ゲート配線部分の電気抵抗を低くしてゲートに
大電流を供給する方法としては、ゲート取出し電
極をエレメントに加圧接触させる方法が従来から
あり、この方法はゲートがエレメントの中央部に
あるセンターゲート構造のサイリスタや大容量の
トランジスタ等に用いた場合に非常に有効であ
る。
大電流を供給する方法としては、ゲート取出し電
極をエレメントに加圧接触させる方法が従来から
あり、この方法はゲートがエレメントの中央部に
あるセンターゲート構造のサイリスタや大容量の
トランジスタ等に用いた場合に非常に有効であ
る。
第３図はこのような従来と半導体装置の例で、
ゲート取出し電極をエレメントに加圧接触させる
構造を有するサイリスタの断面図である。
ゲート取出し電極をエレメントに加圧接触させる
構造を有するサイリスタの断面図である。
第３図において、１はサイリスタのエレメン
ト、３は挿入板、４は外部陰極、５はゲート取出
しリード、６はこのゲート取出しリード５および
挿入板３を外部陰極４に対して位置決めする絶縁
性支持部材、７は前記ゲート取出しリード５の先
端部５ａ（第２図のゲート取出し電極２に相当）
を絶縁性支持部材６を介してサイリスタのエレメ
ント１に加圧するばね、８は前記ゲート取出しリ
ード５を外部陰極４と絶縁するための保護管、９
は外部陰極、１０は前記サイリスタのエレメント
１を支持するセラミツク筒、１１は前記外部陰極
４をセラミツク筒１０に固着支持する陰極側のフ
ランジ、１２は外部陽極９を支持する陽極側のフ
ランジ、１３は外部ゲート電極（制御電極）であ
る。
ト、３は挿入板、４は外部陰極、５はゲート取出
しリード、６はこのゲート取出しリード５および
挿入板３を外部陰極４に対して位置決めする絶縁
性支持部材、７は前記ゲート取出しリード５の先
端部５ａ（第２図のゲート取出し電極２に相当）
を絶縁性支持部材６を介してサイリスタのエレメ
ント１に加圧するばね、８は前記ゲート取出しリ
ード５を外部陰極４と絶縁するための保護管、９
は外部陰極、１０は前記サイリスタのエレメント
１を支持するセラミツク筒、１１は前記外部陰極
４をセラミツク筒１０に固着支持する陰極側のフ
ランジ、１２は外部陽極９を支持する陽極側のフ
ランジ、１３は外部ゲート電極（制御電極）であ
る。
この第３図の従来例によるサイリスタでは、エ
レメント１とゲート取出しリード５とをボンデイ
ングする必要がないため、ゲート取出しリード５
の線径を大きくしたり、このワイヤとしてアルミ
よりも電導性の良い材料（たとえば銀等）を用い
たりすることが可能であり、大電流の供給に有利
である。
レメント１とゲート取出しリード５とをボンデイ
ングする必要がないため、ゲート取出しリード５
の線径を大きくしたり、このワイヤとしてアルミ
よりも電導性の良い材料（たとえば銀等）を用い
たりすることが可能であり、大電流の供給に有利
である。
しかしながら、前記絶縁性支持部材６は絶縁
性、耐熱性、機械的強度にすぐれたアルミナ焼結
体等を用いる必要があるために寸法制度が悪く、
そのため外部陰極４と、絶縁性支持部材６とのク
リアランスおよびこの絶縁性支持部材６とゲート
取出しリード５とのクリアランスを大きくせざる
を得ず、位置決め制度が悪くなり、その結果、こ
の従来のゲート取出し構造は高精度な位置決めを
要するためにゲートターンオフサイリスタに使用
するには精度上不十分であるという欠点があつ
た。
性、耐熱性、機械的強度にすぐれたアルミナ焼結
体等を用いる必要があるために寸法制度が悪く、
そのため外部陰極４と、絶縁性支持部材６とのク
リアランスおよびこの絶縁性支持部材６とゲート
取出しリード５とのクリアランスを大きくせざる
を得ず、位置決め制度が悪くなり、その結果、こ
の従来のゲート取出し構造は高精度な位置決めを
要するためにゲートターンオフサイリスタに使用
するには精度上不十分であるという欠点があつ
た。
また、環状ゲートターンオフサイリスタの場合
に、前記第３図の従来例による構造を採用するに
は、ゲート取出しリード５のエレメント１と接触
する先端部５ａを環状にする必要があるが、この
環状部分を容易、かつ高精度に位置決めできる加
圧接触形ゲート構造は実用化されていなかつた。
に、前記第３図の従来例による構造を採用するに
は、ゲート取出しリード５のエレメント１と接触
する先端部５ａを環状にする必要があるが、この
環状部分を容易、かつ高精度に位置決めできる加
圧接触形ゲート構造は実用化されていなかつた。
この発明は、上記のような従来のゲート取出し
構造の欠点を除去するためになされたもので、半
導体基体の制御電極を外部制御電極と接続するた
めにほぼ環状の制御電極取出し電極を設け、この
制御電極取出し電極を収納する外部電極の凹部分
を絶縁性被膜で被膜し、前記制御電極取出し電極
を前期制御電極に圧接させることによつて、制御
電極の取出しを容易に、かつ高精度で行うことが
できる信頼性の高い半導体装置を提供するもので
ある。以下、この発明の実施例を図面について説
明する。
構造の欠点を除去するためになされたもので、半
導体基体の制御電極を外部制御電極と接続するた
めにほぼ環状の制御電極取出し電極を設け、この
制御電極取出し電極を収納する外部電極の凹部分
を絶縁性被膜で被膜し、前記制御電極取出し電極
を前期制御電極に圧接させることによつて、制御
電極の取出しを容易に、かつ高精度で行うことが
できる信頼性の高い半導体装置を提供するもので
ある。以下、この発明の実施例を図面について説
明する。
第４図はこの発明の一実施例によるゲートター
ンオフサイリスタの構造を示したものである。
ンオフサイリスタの構造を示したものである。
第４図において、１は半導体基体であるエレメ
ント、１４はゲート取出し電極で、環状金属部１
４ａとワイヤ部１４ｂとを有する。１５は前記エ
レメント１のカソード電極の外周部と、第１外部
主電極である外部陰極１８との間に挿入された外
側挿入板、１６は前記エレメント１のカソード電
極の内側部と外部極１８との間に挿入された内側
挿入板である。この外部陰極１８のカソード側に
は環状の保持溝１８ａが凹設され、その保持溝１
８ａの内面には絶縁性被膜１８ｃが披着されてい
る。前記保持溝１８ａ内には環状のゲート取出し
電極１４が上下動自在に挿入され、このゲート取
出し電極１４は保持溝１８ａの底面との間に絶縁
性被膜１８ｃを介して挿入されたばね１７により
第４図の下方に付勢されてエレメント１のゲート
電極部分に圧接している。また、１０，１１，１
２，１３は第３図のものと同一のものを示し、１
９は外部陽極である。
ント、１４はゲート取出し電極で、環状金属部１
４ａとワイヤ部１４ｂとを有する。１５は前記エ
レメント１のカソード電極の外周部と、第１外部
主電極である外部陰極１８との間に挿入された外
側挿入板、１６は前記エレメント１のカソード電
極の内側部と外部極１８との間に挿入された内側
挿入板である。この外部陰極１８のカソード側に
は環状の保持溝１８ａが凹設され、その保持溝１
８ａの内面には絶縁性被膜１８ｃが披着されてい
る。前記保持溝１８ａ内には環状のゲート取出し
電極１４が上下動自在に挿入され、このゲート取
出し電極１４は保持溝１８ａの底面との間に絶縁
性被膜１８ｃを介して挿入されたばね１７により
第４図の下方に付勢されてエレメント１のゲート
電極部分に圧接している。また、１０，１１，１
２，１３は第３図のものと同一のものを示し、１
９は外部陽極である。
第５図は第４図中の外部陰極１８の詳細な構造
を示す斜視面である。第５図において、１８ｄは
前記外部陰極１８の本体である電極ブロツクであ
り、１８ａは前記外部陰極１８がエレメント１に
接触する面に設けられた環状の保持溝、１８ｂは
この保持溝１８ａに隣接して設けられたゲートリ
ード収納用の直線状の溝部分、１８ｃは前記環状
の保持溝１８ａおよび直線状の溝部分１８ｂの内
面に披着された絶縁性被膜である。
を示す斜視面である。第５図において、１８ｄは
前記外部陰極１８の本体である電極ブロツクであ
り、１８ａは前記外部陰極１８がエレメント１に
接触する面に設けられた環状の保持溝、１８ｂは
この保持溝１８ａに隣接して設けられたゲートリ
ード収納用の直線状の溝部分、１８ｃは前記環状
の保持溝１８ａおよび直線状の溝部分１８ｂの内
面に披着された絶縁性被膜である。
次に、前記外部陰極１８の製造方法を説明す
る。
る。
(a) まず、電極ブロツク１８ｄを所望の精度にて
切削加工形成し、環状の保持溝１８ａおよび直
線上の溝部分１８ｂを除く部分をマスキングし
た後、アルミナまたはボロンナイトライドを環
状の保持溝１８ａおよび直線上の溝部分１８ｂ
に溶射する。電極ブロツク１８ｄの材料として
銅を使用した場合、アルミナの溶射厚みは約
500μｍまで付けられるが、この被膜の機械的
強度、電気絶縁性、寸法精度等の制約から、
100〜300μｍの厚みが最も適している。
切削加工形成し、環状の保持溝１８ａおよび直
線上の溝部分１８ｂを除く部分をマスキングし
た後、アルミナまたはボロンナイトライドを環
状の保持溝１８ａおよび直線上の溝部分１８ｂ
に溶射する。電極ブロツク１８ｄの材料として
銅を使用した場合、アルミナの溶射厚みは約
500μｍまで付けられるが、この被膜の機械的
強度、電気絶縁性、寸法精度等の制約から、
100〜300μｍの厚みが最も適している。
(b) 次に、前記溶射の完了した外部陰極１８とフ
ランジ１１、セラミツク筒１０、外部ゲート電
極１３をロウ着する。
ランジ１１、セラミツク筒１０、外部ゲート電
極１３をロウ着する。
なお、上記実施例では、ゲートターンオフサイ
リスタについて述べたが、この発明は環状の制御
電極を有する大容量の半導体装置、たとえば大電
力トランジスタやゲート補助ターンオフサイリス
タ等についても同様に適用することができる。
リスタについて述べたが、この発明は環状の制御
電極を有する大容量の半導体装置、たとえば大電
力トランジスタやゲート補助ターンオフサイリス
タ等についても同様に適用することができる。
さらに、この発明は環状のゲート電極１ｃを取
り出すための構造だけではなく、従来のセンター
ゲート構造のゲート取出し電極１４についても適
用でき、それによつて作業性および位置決め精度
を向上できる。
り出すための構造だけではなく、従来のセンター
ゲート構造のゲート取出し電極１４についても適
用でき、それによつて作業性および位置決め精度
を向上できる。
また、この実施例のゲートターンオフサイリス
タでは、ゲート取出し電極１４の環状金属部１４
ａの電極抵抗がきわめて小さく、また、ゲート取
出し電極１４のワイヤ部１４ｂの線径も充分大き
いので、ゲート取出し電極１４の電位ドロツプを
きわめて小さくすることができる。
タでは、ゲート取出し電極１４の環状金属部１４
ａの電極抵抗がきわめて小さく、また、ゲート取
出し電極１４のワイヤ部１４ｂの線径も充分大き
いので、ゲート取出し電極１４の電位ドロツプを
きわめて小さくすることができる。
なお、上記ではゲート電極１ｃ、ゲート取出し
電極１４を用いて説明したが、一般的には、制御
電極１ｃ、制御電極取出し電極１４と称するもの
である。
電極１４を用いて説明したが、一般的には、制御
電極１ｃ、制御電極取出し電極１４と称するもの
である。
以上詳細に説明したように、この発明は外部陰
極の一部に、制御電極を外部に取り出すための制
御電極取出し電極を保持するための環状の保持溝
を設け、前記制御電極取出し電極はその下面にお
いて前記制御電極と加圧接触するよう前記保持溝
の上面にばねを設け、かつ前記保持溝の内面には
絶縁性被膜を被着した構成としたので、ワイヤボ
ンデイングの必要がなく、制御電極取出し電極の
電位ドロツプを小さくしてゲートターンオフサイ
リスタの遮断能力を向上させることができる。
極の一部に、制御電極を外部に取り出すための制
御電極取出し電極を保持するための環状の保持溝
を設け、前記制御電極取出し電極はその下面にお
いて前記制御電極と加圧接触するよう前記保持溝
の上面にばねを設け、かつ前記保持溝の内面には
絶縁性被膜を被着した構成としたので、ワイヤボ
ンデイングの必要がなく、制御電極取出し電極の
電位ドロツプを小さくしてゲートターンオフサイ
リスタの遮断能力を向上させることができる。
また、ゲート圧接構造における絶縁性支持部材
が不用となるので、従来のようにゲート取出し用
ワイヤと絶縁性支持部材を係合させる作業も不要
となり、作業性を向上できると同時に寸法精度の
高い環状金属部により位置決め精度も極めて良好
となる利点を有する。
が不用となるので、従来のようにゲート取出し用
ワイヤと絶縁性支持部材を係合させる作業も不要
となり、作業性を向上できると同時に寸法精度の
高い環状金属部により位置決め精度も極めて良好
となる利点を有する。
第１図は従来のゲート構造を有するゲートター
ンオフサイリスタのカソード・ゲートパターンを
示す平面図、第２図は第１図の装置のゲートター
ンオフサイリスタにゲート取出し用ワイヤボンデ
イングを行つた状態を示す斜視図、第３図は従来
のセンターゲート加圧方式のサイリスタの構造を
示す断面図、第４図はこの発明の一実施例による
ゲートターンオフサイリスタを示す断面図、第５
図は第４図における外部陰極電極の構造を示す斜
視図である。 図中、１はエレメント、１０はセラミツク筒、
１１，１２はフランジ、１３は外部ゲート電極、
１４はゲート取出し電極、１４ａは環状金属部、
１４ｂはワイヤ部、１５は外側挿入板、１６は内
側挿入板、１７はばね、１８は外部陰極、１９は
外部陽極、１８ａは保持溝、１８ｂは溝部分、１
８ｃは絶縁性被膜、１８ｄは電極ブロツクであ
る。なお、図中の同一符号は同一または相当部分
を示す。
ンオフサイリスタのカソード・ゲートパターンを
示す平面図、第２図は第１図の装置のゲートター
ンオフサイリスタにゲート取出し用ワイヤボンデ
イングを行つた状態を示す斜視図、第３図は従来
のセンターゲート加圧方式のサイリスタの構造を
示す断面図、第４図はこの発明の一実施例による
ゲートターンオフサイリスタを示す断面図、第５
図は第４図における外部陰極電極の構造を示す斜
視図である。 図中、１はエレメント、１０はセラミツク筒、
１１，１２はフランジ、１３は外部ゲート電極、
１４はゲート取出し電極、１４ａは環状金属部、
１４ｂはワイヤ部、１５は外側挿入板、１６は内
側挿入板、１７はばね、１８は外部陰極、１９は
外部陽極、１８ａは保持溝、１８ｂは溝部分、１
８ｃは絶縁性被膜、１８ｄは電極ブロツクであ
る。なお、図中の同一符号は同一または相当部分
を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一方の面に陰極と制御電極を備え、他方の面
に陽極を備えた半導体基体と、前記陰極と電気的
に接続される外部陰極と、前記陽極と電気的に接
続される外部陽極と、さらに前記制御電極と電気
的に接続される制御電極取出し電極とを備えた半
導体装置において、前記外部陰極の一部に前記制
御電極取出し電極を保持するための環状の保持溝
を設け、この保持溝の内面に絶縁性被膜を被着す
るとともに、この保持溝内に前記制御電極取出し
電極を収容し、さらに前記保持溝内の前記制御電
極取出し電極を前記制御電極に圧接するばねを装
着したことを特徴とする半導体装置。 ２ 絶縁性被膜は、酸化アルミニウムを主成分と
する絶縁性物質の焼結生成物からなることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ３ 絶縁性被膜は、ボロンナイトライドを主成分
とする絶縁性物質の焼結生成物からなることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装
置。 ４ 絶縁性被膜は、100〜300μｍの膜厚を有する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３
項のいずれかに記載の半導体装置。 ５ 制御電極取出し電極と制御電極との接触部分
は半導体基体の外周部と同心の環状のものである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第４
項のいずれかに記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59183013A JPS6159742A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59183013A JPS6159742A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6159742A JPS6159742A (ja) | 1986-03-27 |
| JPH036659B2 true JPH036659B2 (ja) | 1991-01-30 |
Family
ID=16128209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59183013A Granted JPS6159742A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6159742A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3880730D1 (de) * | 1987-03-25 | 1993-06-09 | Bbc Brown Boveri & Cie | Halbleiterbauelement mit einer steuerelektrode. |
| JPH0744191B2 (ja) * | 1989-12-15 | 1995-05-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびそのための電極ブロック |
-
1984
- 1984-08-30 JP JP59183013A patent/JPS6159742A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6159742A (ja) | 1986-03-27 |
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