JPH0367971B2 - - Google Patents
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- JPH0367971B2 JPH0367971B2 JP58096833A JP9683383A JPH0367971B2 JP H0367971 B2 JPH0367971 B2 JP H0367971B2 JP 58096833 A JP58096833 A JP 58096833A JP 9683383 A JP9683383 A JP 9683383A JP H0367971 B2 JPH0367971 B2 JP H0367971B2
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- core
- samples
- ferrite
- molding
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Links
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- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
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- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims 1
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Landscapes
- Compounds Of Iron (AREA)
- Magnetic Ceramics (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気記録装置の消去ヘツドのコアに用
いられるMn−Znフエライトに関し、特に、コア
をヘツドに組み込む際の樹脂モールド処理による
特性劣化の小さい消去ヘツドコア用Mn−Znフエ
ライトに関する。
いられるMn−Znフエライトに関し、特に、コア
をヘツドに組み込む際の樹脂モールド処理による
特性劣化の小さい消去ヘツドコア用Mn−Znフエ
ライトに関する。
従来の消去ヘツドコア用Mn−Znフエライト
は、モールド前には優れた特性を有していても、
モールド後に特性が大きく劣化する欠点があつ
た。
は、モールド前には優れた特性を有していても、
モールド後に特性が大きく劣化する欠点があつ
た。
第１表を参照すると、従来の消去ヘツド用の
Mn−Znフエライトコアの組成がNo.１〜No.６の試
料について示されている。また、第２表には、第
１表のNo.１〜No.６の試料のモールド前及びモール
ド後の諸特性が示されている。第２表において、
μは透磁率、ＱはいわゆるＱ特性、B10は10エル
ステツドの磁場中での磁束密度（Gauss）、Brは
残留磁束密度（Gauss）、Hcは抗磁力（Oe）であ
る。
Mn−Znフエライトコアの組成がNo.１〜No.６の試
料について示されている。また、第２表には、第
１表のNo.１〜No.６の試料のモールド前及びモール
ド後の諸特性が示されている。第２表において、
μは透磁率、ＱはいわゆるＱ特性、B10は10エル
ステツドの磁場中での磁束密度（Gauss）、Brは
残留磁束密度（Gauss）、Hcは抗磁力（Oe）であ
る。
コアをヘツドに組み立てる場合には有機樹脂で
モールド処理するため、その樹脂効果によつて、
コアに物理的歪が加わり、その歪により上述の諸
特性が変化する。従来のコアの組成では、磁歪定
数λSが０より大きいため、モールドによる諸特性
の劣化が著しい。
モールド処理するため、その樹脂効果によつて、
コアに物理的歪が加わり、その歪により上述の諸
特性が変化する。従来のコアの組成では、磁歪定
数λSが０より大きいため、モールドによる諸特性
の劣化が著しい。
この結果、第２表にも示されているモールド後
における目標値、μ≧200、Ｑ≧25、B10≧4000
（Gauss）、Br≦1600（Gauss）、Hc≦1.0（Oe）を
同時に満足するものは、第１表のNo.１〜No.６の試
料にはない。
における目標値、μ≧200、Ｑ≧25、B10≧4000
（Gauss）、Br≦1600（Gauss）、Hc≦1.0（Oe）を
同時に満足するものは、第１表のNo.１〜No.６の試
料にはない。
本発明の目的は、モールドによる諸特性の劣化
が小さく、しかも温度特性の良い消去ヘツドコア
用Mn−Znフエライトを提供することにある。
が小さく、しかも温度特性の良い消去ヘツドコア
用Mn−Znフエライトを提供することにある。
本発明は、磁歪定数λSを０として、モールドに
よる諸特性の劣化を小さくするために、Fe2O3を
51.8〜52.2モル％、MnOを31.6〜35.4モル％、
MnOを31.6〜35.4モル％含む組成としたものであ
る。更に、本発明は、これら主成分にSiO2と
CaOとを加え、結晶粒界にSiO2とCaOとの複合
被覆を生成させ、電気抵抗を高め損失を小さくし
たもので、それらの好ましい量はSiO2が0.015〜
0.022重量％、CaOが0.02〜0.05重量％である。そ
して、本発明は、温度特性を改善するために、上
述の特性を損うことのないSnO2を1.5〜2.0重量％
同時に添加したものである。
よる諸特性の劣化を小さくするために、Fe2O3を
51.8〜52.2モル％、MnOを31.6〜35.4モル％、
MnOを31.6〜35.4モル％含む組成としたものであ
る。更に、本発明は、これら主成分にSiO2と
CaOとを加え、結晶粒界にSiO2とCaOとの複合
被覆を生成させ、電気抵抗を高め損失を小さくし
たもので、それらの好ましい量はSiO2が0.015〜
0.022重量％、CaOが0.02〜0.05重量％である。そ
して、本発明は、温度特性を改善するために、上
述の特性を損うことのないSnO2を1.5〜2.0重量％
同時に添加したものである。
次に本発明の実施例について図面を参照して説
明する。
明する。
第３表を参照すると、Mn−Znフエライトの組
成がNo.７〜No.10の試料について示されている。No.
７〜No.10の試料の主成分（Fe2O3、MnO、ZnO）
は、いずれも磁歪定数λS＝０を満足している。ま
た、第４表には、第３表のNo.７〜No.10の試料のモ
ールド前及びモールド後の磁気特性が示されてい
る。
成がNo.７〜No.10の試料について示されている。No.
７〜No.10の試料の主成分（Fe2O3、MnO、ZnO）
は、いずれも磁歪定数λS＝０を満足している。ま
た、第４表には、第３表のNo.７〜No.10の試料のモ
ールド前及びモールド後の磁気特性が示されてい
る。
一方、第１図には、第１表のNo.１〜No.６の試料
と第３表のNo.７〜No.10の試料について、主成分の
MnO−ZnO−Fe2O3の割合がプロツトされた三元
図が示されており、プロツトされた点の番号１〜
１０は試料No.１〜No.10にそれぞれ対応している。
と第３表のNo.７〜No.10の試料について、主成分の
MnO−ZnO−Fe2O3の割合がプロツトされた三元
図が示されており、プロツトされた点の番号１〜
１０は試料No.１〜No.10にそれぞれ対応している。
No.１〜No.10の試料のうち、上述した目標値を、
すべての項目（μ、Ｑ、B10、Br、Hc）におい
て満足するものは、第２表及び第４表から明らか
なように、No.８とNo.９の試料であつた。なお、主
成分のMnO−ZnO−Fe2O3については、第１図に
おいてＡの範囲内にあれば、上述した目標値を満
足することが確認された。
すべての項目（μ、Ｑ、B10、Br、Hc）におい
て満足するものは、第２表及び第４表から明らか
なように、No.８とNo.９の試料であつた。なお、主
成分のMnO−ZnO−Fe2O3については、第１図に
おいてＡの範囲内にあれば、上述した目標値を満
足することが確認された。
上述のように、No.８とNo.９の試料や第１図のＡ
の範囲内にあるものは、上述した目標値を満足す
るものの、透磁率μの温度係数T〓が２×10-6〜
５×10-6（１／℃）と大きい。そこで、温度係数
T〓を小さくするために、SnO2を添加する。第５
表はNo.８の試料の組成に、更にSnO2を同時に添
加したMn−Znフエライト（No.11〜No.14）のモー
ルド前のμとＱの値を示している。No.11の試料は
0.5重量％、No.12の試料は1.0重量％、No.13の試料
は1.5重量％、No.14の試料は2.0重量％、SnO2を含
有している、本発明に従うNo.13やNo.14のように、
SnO2を1.5〜2.0重量％含有すると、温度勾配が改
善され、0.8×10-6（１／℃）以下の温度係数が得
られることが確認された。
の範囲内にあるものは、上述した目標値を満足す
るものの、透磁率μの温度係数T〓が２×10-6〜
５×10-6（１／℃）と大きい。そこで、温度係数
T〓を小さくするために、SnO2を添加する。第５
表はNo.８の試料の組成に、更にSnO2を同時に添
加したMn−Znフエライト（No.11〜No.14）のモー
ルド前のμとＱの値を示している。No.11の試料は
0.5重量％、No.12の試料は1.0重量％、No.13の試料
は1.5重量％、No.14の試料は2.0重量％、SnO2を含
有している、本発明に従うNo.13やNo.14のように、
SnO2を1.5〜2.0重量％含有すると、温度勾配が改
善され、0.8×10-6（１／℃）以下の温度係数が得
られることが確認された。
第６表を参照すると、第２図のダブルギヤツプ
の磁気消去ヘツドを構成した場合のコアとコア
の材料の組み合せと、それらに対応するヘツド
Ａ〜Ｆの特性（インピーダンスＺ，Ｑ、末梢率、
高域減磁）が示されている。コアはセンターコ
アで、コアはＣ型コアで材料のNo.は前述した試
料No.と同一である。本発明に従うNo.13の試料をコ
ア及びコアとして用いた消去ヘツドＦは、Ｑ
が高く、消去率60dB以上であり、高域減磁が
0.7dBと極めて小さく、優れている。
の磁気消去ヘツドを構成した場合のコアとコア
の材料の組み合せと、それらに対応するヘツド
Ａ〜Ｆの特性（インピーダンスＺ，Ｑ、末梢率、
高域減磁）が示されている。コアはセンターコ
アで、コアはＣ型コアで材料のNo.は前述した試
料No.と同一である。本発明に従うNo.13の試料をコ
ア及びコアとして用いた消去ヘツドＦは、Ｑ
が高く、消去率60dB以上であり、高域減磁が
0.7dBと極めて小さく、優れている。
第７表を参照すると、本発明の他の実施例（No.
15〜No.18）の組成が示されている。また、第８表
には、第７表の各実施例のモールド前及びモール
ド後の諸特性が示されている。これら本発明に従
うNo.15〜No.18の試料においても、SiO2が0.015〜
0.022重量％、CaOが0.02〜0.05重量％、SnO2が
1.5〜2.0重量％含まれていることにより、第２表
の最下部に示した目標値がすべての項目について
満足され、しかも透磁率μの温度係数T〓を±0.8
×10-6（１／℃）以下にすることができた。
15〜No.18）の組成が示されている。また、第８表
には、第７表の各実施例のモールド前及びモール
ド後の諸特性が示されている。これら本発明に従
うNo.15〜No.18の試料においても、SiO2が0.015〜
0.022重量％、CaOが0.02〜0.05重量％、SnO2が
1.5〜2.0重量％含まれていることにより、第２表
の最下部に示した目標値がすべての項目について
満足され、しかも透磁率μの温度係数T〓を±0.8
×10-6（１／℃）以下にすることができた。
以上説明したように、本発明によれば、コアを
ヘツドに組み込む際の樹脂モールド処理による諸
特性の劣化が小さく、しかも温度特性の良い消去
ヘツドコア用Mn−Znフエライトが得られる。
ヘツドに組み込む際の樹脂モールド処理による諸
特性の劣化が小さく、しかも温度特性の良い消去
ヘツドコア用Mn−Znフエライトが得られる。
なお、本発明のフエライトは、μが小さいた
め、記録又は再生ヘツドコア用としては適してい
ない。
め、記録又は再生ヘツドコア用としては適してい
ない。
第１図は本発明の主成分（Fe2O3、MnO、
ZnO）の組成範囲を示した図、第２図はダブルギ
ヤツプの消去ヘツドを示した図である。
ZnO）の組成範囲を示した図、第２図はダブルギ
ヤツプの消去ヘツドを示した図である。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
Claims (1)
- １ Mn−Znフエライトにおいて、Fe2O3を51.8
〜52.2モル％、MnOを31.6〜35.4モル％、ZnOを
12.8〜16.2モル％、SiO2を0.015〜0.022重量％、
CaOを0.02〜0.05重量％、SnO2を1.5〜2.0重量％
含んだ組成を有することを特徴とする消去ヘツド
コア用Mn−Znフエライト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58096833A JPS59223237A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 消去ヘツドコア用Ｍｎ↓−Ｚｎフエライト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58096833A JPS59223237A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 消去ヘツドコア用Ｍｎ↓−Ｚｎフエライト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59223237A JPS59223237A (ja) | 1984-12-15 |
| JPH0367971B2 true JPH0367971B2 (ja) | 1991-10-24 |
Family
ID=14175536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58096833A Granted JPS59223237A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 消去ヘツドコア用Ｍｎ↓−Ｚｎフエライト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59223237A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60132302A (ja) * | 1983-12-20 | 1985-07-15 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 酸化物磁性材料 |
| JP2907253B2 (ja) * | 1993-03-05 | 1999-06-21 | 日立金属 株式会社 | 高透磁率Ｍｎ―Ｚｎ系フェライト |
-
1983
- 1983-05-31 JP JP58096833A patent/JPS59223237A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59223237A (ja) | 1984-12-15 |
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